JPS6055678A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6055678A JPS6055678A JP58163453A JP16345383A JPS6055678A JP S6055678 A JPS6055678 A JP S6055678A JP 58163453 A JP58163453 A JP 58163453A JP 16345383 A JP16345383 A JP 16345383A JP S6055678 A JPS6055678 A JP S6055678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- brightness
- layer
- emitting diode
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は砒化燐化ガリウム（以下Ｇ、ＡＩＩＰと書く）
を発光体とする発光ダイオード（以下ＬＥＤと書く）で
あって、特に高輝度低価格ＬＥＤに関するものである。
を発光体とする発光ダイオード（以下ＬＥＤと書く）で
あって、特に高輝度低価格ＬＥＤに関するものである。
注入型半導体発光ダイオード（以下ＬＥＤと書く）は近
年多色化の動きとともに高輝度化への改良が盛んである
。ＬＥＤはもともと高寿命性、高速応答性を大きな特長
として従来の白熱ランプにとって変わシ急激に大きな需
要を占めるようになってきたが、発光出力が小さいこと
が欠点であった。このため使用範囲に一定の制限が加え
られていたが、近年ＬＥＤの内部構造、具体的には多層
構造の改良により飛躍的に高輝度化され、その応用範囲
が格段に広がる可能性がでてきた。その新しい応用例と
して自動車の尾灯、交通信号あるいはネオンサインなど
が挙げられている。
年多色化の動きとともに高輝度化への改良が盛んである
。ＬＥＤはもともと高寿命性、高速応答性を大きな特長
として従来の白熱ランプにとって変わシ急激に大きな需
要を占めるようになってきたが、発光出力が小さいこと
が欠点であった。このため使用範囲に一定の制限が加え
られていたが、近年ＬＥＤの内部構造、具体的には多層
構造の改良により飛躍的に高輝度化され、その応用範囲
が格段に広がる可能性がでてきた。その新しい応用例と
して自動車の尾灯、交通信号あるいはネオンサインなど
が挙げられている。
近年開発された高輝度ＬＥＤは発光体に砒化ガリウムア
ルミニウム（以下Ｇａ ＡＬＡａと書く）を用いるもの
でその高輝度化の特徴は、発光領域から発射された出力
光（赤色）を外部に取シ出す際に発光体自身による再吸
収を抑制するために出方光取出側電極層として発光体の
バンドギャップより大きい材料、具体的にはアルミニウ
ム組成のよシ大きいＧａ ＡｔＡ ｓを用いることであ
った。いわゆる窓効果の利用と呼ばれる方法である。さ
らに高輝度化を図るために発光領域をダブルへテロ構造
とする方法も提案されている。これは先に述べたアルミ
ニウム組成の大きいＧａＡｌｋ ｓ表面層をたんに窓と
して利用するだけでなく注入キャリアの閉じ込め層とし
ても作用させることを狙ったもので、閉じ込めを更に完
全にするために発光層の下側、具体的には出力光非取出
口あるいは対向電極側にも発光領域よシアルミニウム組
成の大きいＧ６んηＳ層を挿入する方法である。
ルミニウム（以下Ｇａ ＡＬＡａと書く）を用いるもの
でその高輝度化の特徴は、発光領域から発射された出力
光（赤色）を外部に取シ出す際に発光体自身による再吸
収を抑制するために出方光取出側電極層として発光体の
バンドギャップより大きい材料、具体的にはアルミニウ
ム組成のよシ大きいＧａ ＡｔＡ ｓを用いることであ
った。いわゆる窓効果の利用と呼ばれる方法である。さ
らに高輝度化を図るために発光領域をダブルへテロ構造
とする方法も提案されている。これは先に述べたアルミ
ニウム組成の大きいＧａＡｌｋ ｓ表面層をたんに窓と
して利用するだけでなく注入キャリアの閉じ込め層とし
ても作用させることを狙ったもので、閉じ込めを更に完
全にするために発光層の下側、具体的には出力光非取出
口あるいは対向電極側にも発光領域よシアルミニウム組
成の大きいＧ６んηＳ層を挿入する方法である。
しかしながら従来のこのような高輝度ＬＥＤには用いる
材料がＧａＡｚＡｓであることからくる次のようなデバ
イス製作上の問題点があった。これは、アルミニウムが
極めて酸化されやすいという本質に基づくものである。
材料がＧａＡｚＡｓであることからくる次のようなデバ
イス製作上の問題点があった。これは、アルミニウムが
極めて酸化されやすいという本質に基づくものである。
まず第１に、結晶成長工程における問題点として、アル
ミニウムが酸化されないように厳重なる残留酸素（水分
）ガス低減化対策が必要である。
ミニウムが酸化されないように厳重なる残留酸素（水分
）ガス低減化対策が必要である。
通常エピタキシャル成長には液相成長法が採用されるが
、液相成長法では、成長用反応管内各種冶具の脱酸素化
は勿論、キャリアガス中の残留酸素の除去、微少ニアリ
ークの防止、結晶出し入れ時におけるエアー汚染の防止
、原料の成長前予備ベーキングなど極めて多くの厳重な
る注意が必要である。このような対策は当然生産性の低
減、歩留への低下、コストの上昇につながる。
、液相成長法では、成長用反応管内各種冶具の脱酸素化
は勿論、キャリアガス中の残留酸素の除去、微少ニアリ
ークの防止、結晶出し入れ時におけるエアー汚染の防止
、原料の成長前予備ベーキングなど極めて多くの厳重な
る注意が必要である。このような対策は当然生産性の低
減、歩留への低下、コストの上昇につながる。
第２の欠点として例え高品質成長結晶が可能となっても
、Ｔ、ＥＤ化するまでの工程においてもやはり酸化され
やすいアルミニウムを含むことからくる特別な対策が必
要であることが挙げられる。電極用高濃度拡散プロセス
、電極付はプロセス、パッシベーションプロセス、ベレ
ッタイズプロセス、マウント封入プロセスなどのいずれ
の工程においても水分や酸素の混入を完全に抑制しなけ
ればならず、その対策のためには大きな費用が必要であ
る。
、Ｔ、ＥＤ化するまでの工程においてもやはり酸化され
やすいアルミニウムを含むことからくる特別な対策が必
要であることが挙げられる。電極用高濃度拡散プロセス
、電極付はプロセス、パッシベーションプロセス、ベレ
ッタイズプロセス、マウント封入プロセスなどのいずれ
の工程においても水分や酸素の混入を完全に抑制しなけ
ればならず、その対策のためには大きな費用が必要であ
る。
最近、エピタキシャル成長の量産性向上のため従来の液
相エピタキシャル成長法に替わって、有機金属気相エピ
タキシャル成長法の開発が盛んであるが、上記第１の欠
点は依然として大きく残シ、高品′質結晶の製作を容易
でないものとしている。
相エピタキシャル成長法に替わって、有機金属気相エピ
タキシャル成長法の開発が盛んであるが、上記第１の欠
点は依然として大きく残シ、高品′質結晶の製作を容易
でないものとしている。
以上のような観点からアルミニウムを含まない高輝度か
つ低価格のＬＥＤの開発が望まれている。
つ低価格のＬＥＤの開発が望まれている。
一方すてに砒化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）のＬＥＤが
実用化されている。これはＧａＡｓあるいはＧａＰ結晶
を基板としてハロゲン輸送気相エピタキシャル成長法に
よってＧｇＡ ｓ Ｐ層を成長させたエピタキシャルウ
ェハをもとに作られたもので赤色ないし緑 色（橙色）
の光を発光させる。この材料に社アルミニウムが含まれ
ないため気相成長法によって高品質エピタキシャル層の
作成が容易である。生産性の高い気相成長法を用いてい
るためエピタキシャルウェハのコストは極めて低く抑え
ることができる。
実用化されている。これはＧａＡｓあるいはＧａＰ結晶
を基板としてハロゲン輸送気相エピタキシャル成長法に
よってＧｇＡ ｓ Ｐ層を成長させたエピタキシャルウ
ェハをもとに作られたもので赤色ないし緑 色（橙色）
の光を発光させる。この材料に社アルミニウムが含まれ
ないため気相成長法によって高品質エピタキシャル層の
作成が容易である。生産性の高い気相成長法を用いてい
るためエピタキシャルウェハのコストは極めて低く抑え
ることができる。
従って、このＧａＡｓＰ ＬＥＤウェハを先に述べたヘ
テロ構造とすれば高輝度化が期待される。窓効果の発揮
のためには、発光体であるＧａＡ ｓ Ｐよシバンドギ
ャップの大きい半導体層を出力光取出側電極層として形
成する事が必要である。このような目的に合う材料とし
て、例えば赤色ＧａＡｓ Ｐ Ｌ Ｅ Ｄ（波長６６０
ｎｍ）の場合には、波長６６０ｎｍに相当するエネルギ
ー１．８８ｅＶよシ大きな値のバンドギャップを有する
結晶、具体的にはＧａＰ、 ｋｌＰ。
テロ構造とすれば高輝度化が期待される。窓効果の発揮
のためには、発光体であるＧａＡ ｓ Ｐよシバンドギ
ャップの大きい半導体層を出力光取出側電極層として形
成する事が必要である。このような目的に合う材料とし
て、例えば赤色ＧａＡｓ Ｐ Ｌ Ｅ Ｄ（波長６６０
ｎｍ）の場合には、波長６６０ｎｍに相当するエネルギ
ー１．８８ｅＶよシ大きな値のバンドギャップを有する
結晶、具体的にはＧａＰ、 ｋｌＰ。
ＧａＡｌｋｓ、 Ｇａｋｌ、Ｐ、 ｏａｓｂＰ、 Ｉｎ
ＡｚＰ、 １１ＧａＰ＋ ＩｎＧａＡｓＰ。
ＡｚＰ、 １１ＧａＰ＋ ＩｎＧａＡｓＰ。
Ｇｇ８ｂＡｓＰ、 ＬＩＧａＡｔＰなどの２元ないしは
４元の化合物半導体がある。
４元の化合物半導体がある。
本発明者らは、これらの候補となる化合物半導体を（）
ａＡｓＰ Ｌ Ｅ Ｄ （波長６６０ｎｍ）用つｘ ”
の表面に成長させ、最も高輝度化の効果の大きいものを
実験的にめた。その結果、次のような事が判明した。
ａＡｓＰ Ｌ Ｅ Ｄ （波長６６０ｎｍ）用つｘ ”
の表面に成長させ、最も高輝度化の効果の大きいものを
実験的にめた。その結果、次のような事が判明した。
１）いずれの結晶を用いても高輝度化が可、能であった
０ ２）発光体層であるＧｇ Ａ ｓ Ｐの格子定数との格
子不整合がおおむね１×１０ を越えると高輝度化の効
果は小さくなった。
０ ２）発光体層であるＧｇ Ａ ｓ Ｐの格子定数との格
子不整合がおおむね１×１０ を越えると高輝度化の効
果は小さくなった。
３）ｋｔを含む材料は格子定数整合を５×１０ 以下に
しても高輝度化の再現性は良くなかった。
しても高輝度化の再現性は良くなかった。
４） Ｇ、８ｂＰ、 Ｇ、８ｂＡＳＰやＩｎＧａ５ｂＰ
のように窓効果の期待はちるもののミシビリティギャッ
プの存在のため良好な鏡面成長が不可能なものもあった
。
のように窓効果の期待はちるもののミシビリティギャッ
プの存在のため良好な鏡面成長が不可能なものもあった
。
５）最も再現性良く、高輝度化に成功したものはＧ−Ａ
ｓＰ層との格子不整合が５×１０ 以下になるように組
成を調節したＩ。Ｇａ Ｐと■。Ｇ ａＡ ｓ Ｐの２
種類の材料であった。
ｓＰ層との格子不整合が５×１０ 以下になるように組
成を調節したＩ。Ｇａ Ｐと■。Ｇ ａＡ ｓ Ｐの２
種類の材料であった。
６）出力光取出側電極層の厚さは最低１ミクロン程度形
成することが望ましく、５ミクロン以上にしても効果の
増大は顕著でなかった。
成することが望ましく、５ミクロン以上にしても効果の
増大は顕著でなかった。
７）格子不整合は少なくともＧａＡｓＰ発光層と接する
部分の０．５〜１ミクロンの厚さの範囲が５Ｘ１０”以
下となっていれば充分窓効果が大きくなり、それ以上へ
テロ界面から離れた部分では格子不整合が５×１０ よ
り大きくなっても著しい特性劣化は見られなかった。
部分の０．５〜１ミクロンの厚さの範囲が５Ｘ１０”以
下となっていれば充分窓効果が大きくなり、それ以上へ
テロ界面から離れた部分では格子不整合が５×１０ よ
り大きくなっても著しい特性劣化は見られなかった。
以上のような実験から、砒化燐化ガリウムを発光体とす
る発光ダイオードであって、該砒化燐化ガリウムと接触
する少なくとも、厚さ０．５ミクロンの部分の格子不整
合が５×１０−３以下である燐化インジウムガリウムも
しくは砒化燐化インジウムガリウムからなる出力光取出
側電極層を有することを特徴とする発光ダイオードが極
めて特性の高い高輝度ＬＥＤとして有望であることが判
った。
る発光ダイオードであって、該砒化燐化ガリウムと接触
する少なくとも、厚さ０．５ミクロンの部分の格子不整
合が５×１０−３以下である燐化インジウムガリウムも
しくは砒化燐化インジウムガリウムからなる出力光取出
側電極層を有することを特徴とする発光ダイオードが極
めて特性の高い高輝度ＬＥＤとして有望であることが判
った。
以下実施例をもって説明する。
実施例１゜
市販のＧＩＩＡＳ Ｐ Ｌ Ｅ Ｄ用つｚ ” （ｎ型
ＧａＡｓ基板上のｎ型ＧａＡＳＯ１６１”０．３９ ）
をブロムメタノール液で数ミクロン化学エツチングする
。エツチング後直ちにハロゲン輸送気相成長装置（Ｉｎ
／Ｇａ／１（ｃｔ／ＰＨ３／Ａ ｓ Ｈ３／）（２系）
にてＰ型ＩｎＧａＰ層を厚さ３ミクロン成長さ亡た。ヘ
テロ界面における格子不整合を１×１０ 以下となるよ
うにＩｎＧａＰ層全体の組成を調節した。この時格子不
整合は厚さ方向で一定となるようにした。このウェハに
Ｚ。を用いてＰ拡散し、Ａｌｌ／２０合金電極を付着し
ＬＥＤチップを形成した。注入電流を２９−１７１Ａと
して輝度を測定した所２００〜３００ミリカンデラであ
った。市販のＧＩＩＡＳ Ｐ Ｌ Ｂ Ｄが５０〜１０
０ ミリカンデラであったので２〜３倍の高輝度化を達
成した。
ＧａＡｓ基板上のｎ型ＧａＡＳＯ１６１”０．３９ ）
をブロムメタノール液で数ミクロン化学エツチングする
。エツチング後直ちにハロゲン輸送気相成長装置（Ｉｎ
／Ｇａ／１（ｃｔ／ＰＨ３／Ａ ｓ Ｈ３／）（２系）
にてＰ型ＩｎＧａＰ層を厚さ３ミクロン成長さ亡た。ヘ
テロ界面における格子不整合を１×１０ 以下となるよ
うにＩｎＧａＰ層全体の組成を調節した。この時格子不
整合は厚さ方向で一定となるようにした。このウェハに
Ｚ。を用いてＰ拡散し、Ａｌｌ／２０合金電極を付着し
ＬＥＤチップを形成した。注入電流を２９−１７１Ａと
して輝度を測定した所２００〜３００ミリカンデラであ
った。市販のＧＩＩＡＳ Ｐ Ｌ Ｂ Ｄが５０〜１０
０ ミリカンデラであったので２〜３倍の高輝度化を達
成した。
実施例２゜
市販のＧａＡｓ Ｏ，６１Ｐ０，３９ Ｌ Ｅ Ｄ用ウ
ェハを用いて実施例１の手順を繰り返した。ただしＧ、
ＡｓＰと接触する部分の厚さ０．５ミクロンのＩｎＧａ
Ｐ層の格子不整合を８ｘｌＯ、６ｘ１０ ．５ｘ１０
．３ｘｌＯ。
ェハを用いて実施例１の手順を繰り返した。ただしＧ、
ＡｓＰと接触する部分の厚さ０．５ミクロンのＩｎＧａ
Ｐ層の格子不整合を８ｘｌＯ、６ｘ１０ ．５ｘ１０
．３ｘｌＯ。
ｏ、５ｘｔｏ と変化させた異なるウェハを作成し、実
施例１と同じ手順でＬＥＤの輝度測定を行った。
施例１と同じ手順でＬＥＤの輝度測定を行った。
この結果格子不整合が５×１０ 以下の場合に注入電流
２０ ｒＦＬ＆で１００〜３００ミリカンデラの高輝度
が得られた。
２０ ｒＦＬ＆で１００〜３００ミリカンデラの高輝度
が得られた。
実施例３゜
市販のＧａＡｓ ００６１ ＰＯ，３ｇ Ｌ Ｅ Ｄ用
つＸ ”を用いて実施例１０手順を繰り返した。ただし
Ｐ型ＩｎＧｇＰ層の替わりにＰ型ＩｎＧａＡ８Ｐ層（Ａ
ｓ組成０．０３〜０１０５）を厚さ５ミクロン成長した
。格子不整合は厚さ方向に一定とし５ Ｘ １０ であ
った。注入電流２Ｑ＆Ａにおける輝度は３００〜４００
ミリカンデラと実施例１および２の場合より大きかった
。これはＩｎＧａＰよ”） ＩｎＧａＡｓＰの方が表面
凹凸や格子歪の緩和に対し有利、すなわちミスフィツト
転位の導入され方が小さいためと思われる。
つＸ ”を用いて実施例１０手順を繰り返した。ただし
Ｐ型ＩｎＧｇＰ層の替わりにＰ型ＩｎＧａＡ８Ｐ層（Ａ
ｓ組成０．０３〜０１０５）を厚さ５ミクロン成長した
。格子不整合は厚さ方向に一定とし５ Ｘ １０ であ
った。注入電流２Ｑ＆Ａにおける輝度は３００〜４００
ミリカンデラと実施例１および２の場合より大きかった
。これはＩｎＧａＰよ”） ＩｎＧａＡｓＰの方が表面
凹凸や格子歪の緩和に対し有利、すなわちミスフィツト
転位の導入され方が小さいためと思われる。
実施例４゜
Ｐ型ＧａＡｓ基板上に市販のＧ１１ＡＳ０．６Ｉ Ｐｏ
、３９ ＬＥＤ用ウェハと全く同一組成変化を持つ多層
構造を形（９） 成しＧａＡｓ ｏ、ｓｔ Ｐｏ、３９層もＰ型とした（
亜鉛ドープ）。
、３９ ＬＥＤ用ウェハと全く同一組成変化を持つ多層
構造を形（９） 成しＧａＡｓ ｏ、ｓｔ Ｐｏ、３９層もＰ型とした（
亜鉛ドープ）。
この上に引き続きｎ型のＩｎＧａＰ層（格子不整合１×
１０ 以下）を５ミクロン成長させた。このウェハをも
とに実施例１〜３の場合とはＰ−ｎ続合層にはＡＵ／Ｇ
ｅ／Ｎｉ合金電極を直接形成した。輝度測定の結果、注
入電流２０姑において４００〜８００ミリカンデラの値
を得た。このように密層をｎ型とした方がよシ高輝度と
なった。
１０ 以下）を５ミクロン成長させた。このウェハをも
とに実施例１〜３の場合とはＰ−ｎ続合層にはＡＵ／Ｇ
ｅ／Ｎｉ合金電極を直接形成した。輝度測定の結果、注
入電流２０姑において４００〜８００ミリカンデラの値
を得た。このように密層をｎ型とした方がよシ高輝度と
なった。
実施例５
Ｐ型Ｇ、Ｐ基板に、２ミクロンのＰ型Ｇ１１Ｐ層、６０
ミクロンの組成傾斜Ｐ型ＧａＡｓＰ層（Ｐ組成がｔｏ−
ｔｐら０．４まで変化、２０ミクロンの組成一定Ｐ型”
Ａ Ｓ Ｏ，６Ｉ Ｐｏ、３９層および５ミクロンのｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ層を順次ハロゲン輸送気相成長装置に
てエピタキシャル成長させた。このウェハをもとに実施
例４０手順で■、ＥＤチッグを作成し輝度測定した所、
注入電流２ （？ｙｙｌＡにて９００〜１８００ミリカ
ンデラの高輝度を得た。本実施例の場合、基板のＧａＰ
が発光（１０） 体であるＧ、ＡｓＰよりバンドギャップが大きいため基
板側放射された光が基板に吸収されることなく裏面電極
で反射され表面から出射するためにかかる高輝度特性が
得られた。ＬＥＤチップの側面からも出射されるためチ
ップ周囲に上方に出力光を反射させるための反射板（コ
ーン）を設ける事でより一層の高輝度化が達成された。
ミクロンの組成傾斜Ｐ型ＧａＡｓＰ層（Ｐ組成がｔｏ−
ｔｐら０．４まで変化、２０ミクロンの組成一定Ｐ型”
Ａ Ｓ Ｏ，６Ｉ Ｐｏ、３９層および５ミクロンのｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ層を順次ハロゲン輸送気相成長装置に
てエピタキシャル成長させた。このウェハをもとに実施
例４０手順で■、ＥＤチッグを作成し輝度測定した所、
注入電流２ （？ｙｙｌＡにて９００〜１８００ミリカ
ンデラの高輝度を得た。本実施例の場合、基板のＧａＰ
が発光（１０） 体であるＧ、ＡｓＰよりバンドギャップが大きいため基
板側放射された光が基板に吸収されることなく裏面電極
で反射され表面から出射するためにかかる高輝度特性が
得られた。ＬＥＤチップの側面からも出射されるためチ
ップ周囲に上方に出力光を反射させるための反射板（コ
ーン）を設ける事でより一層の高輝度化が達成された。
以上の実施例はいずれも量産性の極めて高いハロゲン輸
送気相成長装置を用いたので、従来の液相成長に比べ極
めてコストを低く抑えることが出来た。Ｔ１ＧａＰある
いはＩｎＧａＡｓＰからなる光出力側電極層の形成に必
要なコストは従来のＧａＡｓＰ ＬＥ Ｄチップコスト
の５０〜１００チ増であり、ＧａＡハｓ高輝度Ｉ、ＨＤ
のチップコストが６〜８倍増であるのに比べ極めて安価
に製造できる。
送気相成長装置を用いたので、従来の液相成長に比べ極
めてコストを低く抑えることが出来た。Ｔ１ＧａＰある
いはＩｎＧａＡｓＰからなる光出力側電極層の形成に必
要なコストは従来のＧａＡｓＰ ＬＥ Ｄチップコスト
の５０〜１００チ増であり、ＧａＡハｓ高輝度Ｉ、ＨＤ
のチップコストが６〜８倍増であるのに比べ極めて安価
に製造できる。
（１１）
３８６−
Claims (1)
- 砒化燐化ガリウムを発光体とする発光ダイオードであっ
て、該砒化燐化ガリウムと接触する少なくとも厚さ０．
５ミクロンの部分の格子不整合が５×１０ 以下である
燐化インジウムガリウムもしくは砒（ヒ燐化インジウム
ガリウムからなる出方光取出側電極層を有することを特
徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163453A JPS6055678A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 発光ダイオ−ド |
| US06/647,744 US4680602A (en) | 1983-09-06 | 1984-09-06 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163453A JPS6055678A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055678A true JPS6055678A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15774168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163453A Pending JPS6055678A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4680602A (ja) |
| JP (1) | JPS6055678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435970A (en) * | 1987-07-01 | 1989-02-07 | Telefunken Electronic Gmbh | Light emitting diode made of iii/v compound semiconductor material |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4775876A (en) * | 1987-09-08 | 1988-10-04 | Motorola Inc. | Photon recycling light emitting diode |
| JP2685209B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
| JPH0268968A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP3114809B2 (ja) * | 1989-05-31 | 2000-12-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| US5067809A (en) * | 1989-06-09 | 1991-11-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Opto-semiconductor device and method of fabrication of the same |
| US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
| JPH0760904B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1995-06-28 | イーストマン・コダックジャパン株式会社 | 発光素子 |
| JPH0513809A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| EP0584599B1 (de) * | 1992-08-28 | 1998-06-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Leuchtdiode |
| GB2284705B (en) * | 1993-12-08 | 1997-06-25 | Huang Kuo Hsin | Efficient light emitting diodes with modified window layers |
| CN1227670A (zh) * | 1996-08-07 | 1999-09-01 | 西门子公司 | 制造一种红外发射发光二极管的方法 |
| JP4097232B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2008-06-11 | 株式会社リコー | 半導体レーザ素子 |
| WO2000033388A1 (en) | 1998-11-24 | 2000-06-08 | Massachusetts Institute Of Technology | METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES |
| US6335547B1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-01-01 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same |
| US20040227141A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-11-18 | Epistar Corporation | Light emitting device having a high resistivity cushion layer |
| JP2004273746A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ |
| JP2007053242A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP4894576B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| US7781780B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-08-24 | Bridgelux, Inc. | Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode |
| US8017958B2 (en) | 2009-06-30 | 2011-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | P-contact layer for a III-P semiconductor light emitting device |
| US9847372B2 (en) * | 2011-12-01 | 2017-12-19 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57199277A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous elements and manufacture thereof |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58163453A patent/JPS6055678A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-06 US US06/647,744 patent/US4680602A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435970A (en) * | 1987-07-01 | 1989-02-07 | Telefunken Electronic Gmbh | Light emitting diode made of iii/v compound semiconductor material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4680602A (en) | 1987-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6055678A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| US20080191191A1 (en) | Light Emitting Diode of a Nanorod Array Structure Having a Nitride-Based Multi Quantum Well | |
| GB2320136A (en) | Semiconductor light emitting devices | |
| JP3152708B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2713095B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3325713B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP2856374B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4313478B2 (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード | |
| JP2003046119A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR101198759B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 | |
| JP3410166B2 (ja) | 赤色発光ダイオード素子 | |
| JP3700767B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2950316B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3353703B2 (ja) | エピタキシャルウエーハ及び発光ダイオード | |
| KR101241331B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH05335619A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| KR101198760B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH1065211A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2967122B2 (ja) | ＺｎＳｅ半導体発光素子 | |
| JP2894779B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| Maranowski et al. | High-performance AlGaInP light-emitting diodes | |
| JP3736401B2 (ja) | 化合物半導体素子、その製造方法、発光素子、ランプおよび光源 | |
| JP4376373B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および半導体発光素子 | |
| KR101210646B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2576819B1 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |