JPS6055945A - 超音波ハイパサ−ミア装置 - Google Patents
超音波ハイパサ−ミア装置Info
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- JPS6055945A JPS6055945A JP16337083A JP16337083A JPS6055945A JP S6055945 A JPS6055945 A JP S6055945A JP 16337083 A JP16337083 A JP 16337083A JP 16337083 A JP16337083 A JP 16337083A JP S6055945 A JPS6055945 A JP S6055945A
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- 206010020843 Hyperthermia Diseases 0.000 title claims description 8
- 230000036031 hyperthermia Effects 0.000 title claims description 8
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
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- Thermotherapy And Cooling Therapy Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超音波ハイパサーミア装置、特に生体中の患部
組織に超音波を照射し加温治療を行う超音波ハイパサー
ミア装置に関する。
組織に超音波を照射し加温治療を行う超音波ハイパサー
ミア装置に関する。
技術背景
生体中の患部組織（例えば癌組織）に対して超音波を照
射し、その温度を所定温度（例えば４２〜４５℃程度）
に加温し、これを連続的あるいは間欠的に行うことによ
って患部組織の治療を行う超音波ハイパサーミア装置が
周昶であシ、この装置によれば、周囲の正常組織を損傷
することなく、所望の患部組織のみを治療することがで
きる。
射し、その温度を所定温度（例えば４２〜４５℃程度）
に加温し、これを連続的あるいは間欠的に行うことによ
って患部組織の治療を行う超音波ハイパサーミア装置が
周昶であシ、この装置によれば、周囲の正常組織を損傷
することなく、所望の患部組織のみを治療することがで
きる。
上記超音波ハイパサーミア装置は次のような動作原理に
基づくものである。
基づくものである。
すなわち、一般に所定周波数域の超音波中に超音波吸収
体を置くと、吸収体はその粘性摩擦熱によシ加温される
が、超音波ハイパサーミア装置はこの摩擦熱を利用して
患部組織の加温治療を行うものである。そして、癌組織
は他の正常組織に比べて超音波吸収率太ぎく、熱伝導が
悪いことが知られており、この結果、生体中に所定周波
数の超音波を照射すれば、正常組織を損傷することなく
、癌組織のみを選択的に加温治療することができる。
体を置くと、吸収体はその粘性摩擦熱によシ加温される
が、超音波ハイパサーミア装置はこの摩擦熱を利用して
患部組織の加温治療を行うものである。そして、癌組織
は他の正常組織に比べて超音波吸収率太ぎく、熱伝導が
悪いことが知られており、この結果、生体中に所定周波
数の超音波を照射すれば、正常組織を損傷することなく
、癌組織のみを選択的に加温治療することができる。
従来技術
従来、この種の超音波ノ・イバサーミア装置として、１
個又は複数個の円形平板トランスデユーサを支持する支
持アームを被加温部に対して所定位置に配置固定し、各
トランスデユーサから被加温部へそれぞれ超音波を照射
する装置が使用されていた。
個又は複数個の円形平板トランスデユーサを支持する支
持アームを被加温部に対して所定位置に配置固定し、各
トランスデユーサから被加温部へそれぞれ超音波を照射
する装置が使用されていた。
しかしながら、上記従来装置においては、単に各トラン
スデユーサが支持アームの所定位置に支持固定されてい
るにすぎず、超音波の通過領域にある正常組織が局部過
熱により損傷されるという欠点があった。また従来装置
においては、前述したように、トランスデユーサとして
円形平板トランスデユーサが使用されていたので、超音
波を集束することができず、被加温部を所定温度（４２
〜４５℃）贅で上昇させるのに時間がかかるという欠点
があった。
スデユーサが支持アームの所定位置に支持固定されてい
るにすぎず、超音波の通過領域にある正常組織が局部過
熱により損傷されるという欠点があった。また従来装置
においては、前述したように、トランスデユーサとして
円形平板トランスデユーサが使用されていたので、超音
波を集束することができず、被加温部を所定温度（４２
〜４５℃）贅で上昇させるのに時間がかかるという欠点
があった。
発明の目的
本発明は前述した従来の課題に鑑みなされたものであり
、その目的は、短時間で被加温部のみを均一加温するこ
とができる超音波ハイパサーミア装置を提供することに
ちる。
、その目的は、短時間で被加温部のみを均一加温するこ
とができる超音波ハイパサーミア装置を提供することに
ちる。
発明の構成
上記目的を達成するために、本発明は、被加温部のほぼ
中心を通る基軸の周囲を回転する支持アームと、支持ア
ームの基軸から偏位した位置に設けられ被加温部に向け
て超音波を照射する２個以上の集束型超音波トランスデ
ユーサと、を備えたことを特徴とする。
中心を通る基軸の周囲を回転する支持アームと、支持ア
ームの基軸から偏位した位置に設けられ被加温部に向け
て超音波を照射する２個以上の集束型超音波トランスデ
ユーサと、を備えたことを特徴とする。
実施例
以下図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する。
第１図には、本発明に係る超音波ノ・イパサーミア装置
の好適な実施例が示されている。
の好適な実施例が示されている。
第１図において、本実施例の超音波／飄イパサーミア装
置は、被加温部例えば癌組織のほぼ中ｌひを通る基軸上
に配置される支持アーム１２を有し、該支持アーム１２
はハウジング１４に設けられた軸受１６に回転自在に軸
支されている。この支持アーム１２を回転するために、
モータ１８が設けられ、該モータ１８の駆動軸に固定さ
れた駆動プーリ２０と支持アーム１２の周部に設けられ
た従動プーリ２２とには駆動ベルト２４が張架されてい
る。
置は、被加温部例えば癌組織のほぼ中ｌひを通る基軸上
に配置される支持アーム１２を有し、該支持アーム１２
はハウジング１４に設けられた軸受１６に回転自在に軸
支されている。この支持アーム１２を回転するために、
モータ１８が設けられ、該モータ１８の駆動軸に固定さ
れた駆動プーリ２０と支持アーム１２の周部に設けられ
た従動プーリ２２とには駆動ベルト２４が張架されてい
る。
上記支持アーム１２の下端には、ねじ２６により支持板
２８が固定され、支持板２８に形成された支持部３０．
３２には、保持器３４．３６が支点３８ 、４０を軸心
としてそれぞれ回動自在に取り付けられている。各保持
器３４．３６には、それぞれ集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４が固定保持され、各集束型超音波トラン
スデユーサ４２゜４４はそれぞれ所定距離で集束する超
音波１００゜１０２の照射を行う。
２８が固定され、支持板２８に形成された支持部３０．
３２には、保持器３４．３６が支点３８ 、４０を軸心
としてそれぞれ回動自在に取り付けられている。各保持
器３４．３６には、それぞれ集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４が固定保持され、各集束型超音波トラン
スデユーサ４２゜４４はそれぞれ所定距離で集束する超
音波１００゜１０２の照射を行う。
そして、前記集束型超音波トランスデユーサ４２．４４
を基軸１０から偏位した所望の位置に調整固定するため
に、次のような照射角′調整機構４６．４８が設けられ
ている。すなわち、支持板２８には、長ねじ５０．５２
が立設され、各保持器３４．３６にそれぞれ固定された
アーム５４．５６の各先端はそれぞれ長ねじ５０．５２
に遊嵌され、それぞれ２個の調整ナツ）５８．６０及び
６２．６４にて挾持されている。従って、各アーム５４
．５６の挟持位置を調整ナツ）５８．６０及び６２．６
４にてｆＡ整固定することによシ、各集束型超音波トラ
ンスデユーサ４２．４４の照射角を位置決め固定するこ
とができる。
を基軸１０から偏位した所望の位置に調整固定するため
に、次のような照射角′調整機構４６．４８が設けられ
ている。すなわち、支持板２８には、長ねじ５０．５２
が立設され、各保持器３４．３６にそれぞれ固定された
アーム５４．５６の各先端はそれぞれ長ねじ５０．５２
に遊嵌され、それぞれ２個の調整ナツ）５８．６０及び
６２．６４にて挾持されている。従って、各アーム５４
．５６の挟持位置を調整ナツ）５８．６０及び６２．６
４にてｆＡ整固定することによシ、各集束型超音波トラ
ンスデユーサ４２．４４の照射角を位置決め固定するこ
とができる。
本発明の実施例は以上の構成から成り、以下にその作用
を説明する。
を説明する。
まず第２図で示されるように、各集束型超音波トランス
デユーサ４２，４４の照射角を同一に設定し、各超音波
１００ 、１０２の中心軸２００ 、２０２上における
超音波１００ 、１０２の強さがそれぞれ最大となる点
（音響フォーカス点６６．６８）で基軸１０と交差する
ように配置した場合について説明する。
デユーサ４２，４４の照射角を同一に設定し、各超音波
１００ 、１０２の中心軸２００ 、２０２上における
超音波１００ 、１０２の強さがそれぞれ最大となる点
（音響フォーカス点６６．６８）で基軸１０と交差する
ように配置した場合について説明する。
各超音波１００．１０２の中心軸２００ 、２０２上に
おける相対的な超音波１００，１０２の強さＩ （Ｚ）
は、２ＲＲ−Ｚ ” Ｉ （Ｚ）−−ｓｉｎ （−”、−ａ９Ｒ−Ｚ ２ＲＺ で表わされる。ただし、Ｒは各集束型超音波トランスデ
ユーサ４２．４４の曲率半径、２は各集束型超音波トラ
ンスデユーサ４２．４４の表面からのΦ上軸２００ 、
２０２上の距離、λは媒質中における超音波１００．１
０２ の波長、ａは各集束型超音波トランスデユーサ４
２．４４の開口半径である。
おける相対的な超音波１００，１０２の強さＩ （Ｚ）
は、２ＲＲ−Ｚ ” Ｉ （Ｚ）−−ｓｉｎ （−”、−ａ９Ｒ−Ｚ ２ＲＺ で表わされる。ただし、Ｒは各集束型超音波トランスデ
ユーサ４２．４４の曲率半径、２は各集束型超音波トラ
ンスデユーサ４２．４４の表面からのΦ上軸２００ 、
２０２上の距離、λは媒質中における超音波１００．１
０２ の波長、ａは各集束型超音波トランスデユーサ４
２．４４の開口半径である。
また上記超音波１００，１０２の強さＩ （Ｚ）が最大
になる点（音響フォーカス点６６．６８）までの距離Ｚ
ｍａｘは、一般に集束型超音波トランステユ−サ４２．
４’４の曲率半径Ｒと異なっており、近似的には、 で表わされる。
になる点（音響フォーカス点６６．６８）までの距離Ｚ
ｍａｘは、一般に集束型超音波トランステユ−サ４２．
４’４の曲率半径Ｒと異なっており、近似的には、 で表わされる。
そして、各集束型超音波トランスデユーサ４２゜４４の
曲率半径Ｒを１２０Ｈ，各集束型超音波トランスデユー
サ４２．４４の半径ａを２７ｍ、媒質中の音速Ｖを１，
５２４ｍ／ｓ、各集束型超音波トランスデユーサ４２．
４４の共振周波数ｆをＩ ＭＨｚとした場合、各超音波
１００ 、１０２の中心軸２００ 、２０２上における
各集束型超音波トランスデユーサ４２゜４４の照射面か
らの距離と超音波１００，１０２の強さＩ （Ｚ）との
関係は、第５図で示されるようになる。第５図から明ら
かなように、音響フォーカス点６６．６８までの距離Ｚ
ｍａｘは１１２Ｂとなシ、各集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４を第２図で示されるように配置すると、
この音響フォーカス点６６．６８で各超音波１００ 、
１０２の中心軸２００ 、２０２と基軸１０とが交差す
ることとなる。
曲率半径Ｒを１２０Ｈ，各集束型超音波トランスデユー
サ４２．４４の半径ａを２７ｍ、媒質中の音速Ｖを１，
５２４ｍ／ｓ、各集束型超音波トランスデユーサ４２．
４４の共振周波数ｆをＩ ＭＨｚとした場合、各超音波
１００ 、１０２の中心軸２００ 、２０２上における
各集束型超音波トランスデユーサ４２゜４４の照射面か
らの距離と超音波１００，１０２の強さＩ （Ｚ）との
関係は、第５図で示されるようになる。第５図から明ら
かなように、音響フォーカス点６６．６８までの距離Ｚ
ｍａｘは１１２Ｂとなシ、各集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４を第２図で示されるように配置すると、
この音響フォーカス点６６．６８で各超音波１００ 、
１０２の中心軸２００ 、２０２と基軸１０とが交差す
ることとなる。
従って、この音響フォーカス点６６．６８において、１
個の集束型超音波トランスデユーサ４２による超音波１
００の強さをＩ１とすると、２個の集束型超音波トラン
スデユーサ４２．４４による超音波１００゜１０２の強
さＩ２は（，２４ｃａｓθ・■、で表わされる。ただし
、θは各超音波１００ 、１０２の中心軸２００ 、２
０２と基軸１０とがなす角度である。
個の集束型超音波トランスデユーサ４２による超音波１
００の強さをＩ１とすると、２個の集束型超音波トラン
スデユーサ４２．４４による超音波１００゜１０２の強
さＩ２は（，２４ｃａｓθ・■、で表わされる。ただし
、θは各超音波１００ 、１０２の中心軸２００ 、２
０２と基軸１０とがなす角度である。
そして、高周波数の超音波１００ 、１０２が吸収性の
媒質中を通過する際、音響エネルギの一部は機械的エネ
ルギに変換され、この機械的エネルギが媒質の粘性によ
る摩擦で、吸収された音響エネルギに比例して局部的に
温度上昇をもたらす。単位体積当たりの温度上昇ΔＴは
、 で表わされる。ただし、ρは媒質の密度、Ｋは媒質の熱
容量、αｂは媒質の吸収係数、■は照射される超音波１
００ 、１０２の強さ、Ｓは超音波１００ 、１０２の
照射時間である。
媒質中を通過する際、音響エネルギの一部は機械的エネ
ルギに変換され、この機械的エネルギが媒質の粘性によ
る摩擦で、吸収された音響エネルギに比例して局部的に
温度上昇をもたらす。単位体積当たりの温度上昇ΔＴは
、 で表わされる。ただし、ρは媒質の密度、Ｋは媒質の熱
容量、αｂは媒質の吸収係数、■は照射される超音波１
００ 、１０２の強さ、Ｓは超音波１００ 、１０２の
照射時間である。
上記の式から明らかなように、媒質が一定であれば、照
射される超音波１００ 、１０２の強さに比例して温度
上昇が生じることとなる。
射される超音波１００ 、１０２の強さに比例して温度
上昇が生じることとなる。
第６図には、第２図で示される配置状態において、基軸
１０上における支持板２８からの距離と超音波１００，
１０２の相対的強さとの関係が示され、第６図から明ら
がなように、超音波１００ 、１０２の相対的強さは音
響フォーカスＡ６６．６８において局部的に強くなって
いる。
１０上における支持板２８からの距離と超音波１００，
１０２の相対的強さとの関係が示され、第６図から明ら
がなように、超音波１００ 、１０２の相対的強さは音
響フォーカスＡ６６．６８において局部的に強くなって
いる。
従って、音響フォーカス点６６．６８の近傍において非
常に太ぎな温度上昇を生じ、この結果、短時間で被加温
部を力ｎ温することができ、特に小さい被加温部の加温
に好適である。また集束型超音波トランスデユーサ４２
．４４を複倣個使用することにより、大口径の集束型超
音波トランスデユーサのような強い加温力を得ることが
できる。更に集束型超音波トランスデユーサ４２．４４
を基軸１０を中心として回転しながら超音波１００．１
０２の照射を行うことにより、被加温部を均＝加温する
ことができ、また超音波１ｏｏ； １０２の通温にある
正常組織の局部過熱を防止することができる。
常に太ぎな温度上昇を生じ、この結果、短時間で被加温
部を力ｎ温することができ、特に小さい被加温部の加温
に好適である。また集束型超音波トランスデユーサ４２
．４４を複倣個使用することにより、大口径の集束型超
音波トランスデユーサのような強い加温力を得ることが
できる。更に集束型超音波トランスデユーサ４２．４４
を基軸１０を中心として回転しながら超音波１００．１
０２の照射を行うことにより、被加温部を均＝加温する
ことができ、また超音波１ｏｏ； １０２の通温にある
正常組織の局部過熱を防止することができる。
次に第３図で示されるように、各集束型超音波トランス
デユーサ４２．４４の照射角を異ならせ、かつ各超音波
１００．１０２の音響フォーカス点６６゜６８で基軸１
０と交差するように配置した場合について説明する。
デユーサ４２．４４の照射角を異ならせ、かつ各超音波
１００．１０２の音響フォーカス点６６゜６８で基軸１
０と交差するように配置した場合について説明する。
例えば、媒質中の音速Ｖを１，５２４ｍ／ｓとし、一方
の集束型超音波トランスデユーサ４２の曲率半径Ｒを１
０２ ｍ＋１１−１開口半径ａを２５ｎ１共振周波数ｆ
をＩ ＭＨｚとし、他方の集束型超音波トランスデユー
サ４４の曲率半径Ｒを１２０闘、開口半径ａを２７朋、
共振周波数ｆをＩ ＭＨｚに設定する。第４図及び第５
図には、上記各集束型超音波トランスデユーサ４２．４
４を使用した場合の各超音波１００゜１０２の中心軸２
００ 、２０２上における各集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４からの距離と各超音波１００ 、１０２
の相対的強さとの関係が示され、各図から明らかなよう
に、各超音波ｉｏｏ、 １０２の音響フォーカス点６６
．６８までの距離はそれぞれ９５朋、１１２Ｈとなって
いる。
の集束型超音波トランスデユーサ４２の曲率半径Ｒを１
０２ ｍ＋１１−１開口半径ａを２５ｎ１共振周波数ｆ
をＩ ＭＨｚとし、他方の集束型超音波トランスデユー
サ４４の曲率半径Ｒを１２０闘、開口半径ａを２７朋、
共振周波数ｆをＩ ＭＨｚに設定する。第４図及び第５
図には、上記各集束型超音波トランスデユーサ４２．４
４を使用した場合の各超音波１００゜１０２の中心軸２
００ 、２０２上における各集束型超音波トランスデユ
ーサ４２．４４からの距離と各超音波１００ 、１０２
の相対的強さとの関係が示され、各図から明らかなよう
に、各超音波ｉｏｏ、 １０２の音響フォーカス点６６
．６８までの距離はそれぞれ９５朋、１１２Ｈとなって
いる。
そして、第７図には、この時の基軸１０上における支持
板２８からの距離と両超音波１００’、１０２の相対的
強さとの関係が示され、第７図から明らかなように、強
い超音波１００ 、１０２を比較的広い範囲にわたって
得ることができる。従って、第３図で示されるように、
各集束型超音波トランスデユーサ４２．４４の照射角を
互いにずらして配置し、かつ各音響フォーカス点６６．
６８で基軸１０と交差するように配置すれは、比較的広
い加温領域を得ることができ、特に太ぎい被加温部を加
温治療する場合に好適である。
板２８からの距離と両超音波１００’、１０２の相対的
強さとの関係が示され、第７図から明らかなように、強
い超音波１００ 、１０２を比較的広い範囲にわたって
得ることができる。従って、第３図で示されるように、
各集束型超音波トランスデユーサ４２．４４の照射角を
互いにずらして配置し、かつ各音響フォーカス点６６．
６８で基軸１０と交差するように配置すれは、比較的広
い加温領域を得ることができ、特に太ぎい被加温部を加
温治療する場合に好適である。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、トランスデユーサ
として２個以上の集束型超音波トランスデユーサを使用
し、各集束型超音波トランスデユーサを回転させながら
超音波の照射を行うように構成されているので、短時間
で被加温部のみを均一に加温することができる。
として２個以上の集束型超音波トランスデユーサを使用
し、各集束型超音波トランスデユーサを回転させながら
超音波の照射を行うように構成されているので、短時間
で被加温部のみを均一に加温することができる。
第１図は本発明に係る超音波ノ・イパサーミア装置の好
適な実施例を示す要部断面図、 第２図及び第３図は各集束型超音波トランスデユーサの
配置例を示す説明図、 第４図及び第５図は各配置状態において超音波の中心軸
上における集束型超音波トランスデユーサからの距離と
超音波の相対的強さとの関係を示す特性曲線図、 第６図及び第７図はそれぞれ第２図及び第３図で示され
る配置状態において基軸上における支持板からの距離と
超音波の相対的強さとの関係を示す特性曲線図である。 １０・・・基軸 １２・・・支持アーム ２８・・・支持板 ４２．４４°°・集束型超音波トランスデユーサ６６．
６８・・・音響フォーカス点 １００．１０２・・・超音波。 出願人 アロカ株式会社 尾４図 記音Ｊ皮の中心軸上にお１する集束！！ｉ走躇ｌ皮トラ
ノ又テｌ−サη・らＯ距離［ｃｍｌ ２８９− 篤６図 基軸上１；お１１ろ支持租がらの距離［ｃｍ］Ｍ７図
適な実施例を示す要部断面図、 第２図及び第３図は各集束型超音波トランスデユーサの
配置例を示す説明図、 第４図及び第５図は各配置状態において超音波の中心軸
上における集束型超音波トランスデユーサからの距離と
超音波の相対的強さとの関係を示す特性曲線図、 第６図及び第７図はそれぞれ第２図及び第３図で示され
る配置状態において基軸上における支持板からの距離と
超音波の相対的強さとの関係を示す特性曲線図である。 １０・・・基軸 １２・・・支持アーム ２８・・・支持板 ４２．４４°°・集束型超音波トランスデユーサ６６．
６８・・・音響フォーカス点 １００．１０２・・・超音波。 出願人 アロカ株式会社 尾４図 記音Ｊ皮の中心軸上にお１する集束！！ｉ走躇ｌ皮トラ
ノ又テｌ−サη・らＯ距離［ｃｍｌ ２８９− 篤６図 基軸上１；お１１ろ支持租がらの距離［ｃｍ］Ｍ７図
Claims (1)
- （１）被加温部のほぼ中心を通る基軸の周囲を回転する
支持アームと、支持アームの基軸から偏位した位置に設
けられ被加温部に向けて超音波を照射する２個以上の集
束型超音波トランスデユーサと、を備えたことを特徴と
する超音波ハイパサーミア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16337083A JPS6055945A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 超音波ハイパサ−ミア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16337083A JPS6055945A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 超音波ハイパサ−ミア装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055945A true JPS6055945A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15772593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16337083A Pending JPS6055945A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 超音波ハイパサ−ミア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055945A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964041A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-04-11 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 多重で螺旋状の焦点化による可変コヒ−レンスを有する超音波高熱アプリケ−タ |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16337083A patent/JPS6055945A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964041A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-04-11 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 多重で螺旋状の焦点化による可変コヒ−レンスを有する超音波高熱アプリケ−タ |
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