JPS6056230B2 - 反応性スパツタエツチング方法 - Google Patents
反応性スパツタエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6056230B2 JPS6056230B2 JP13435078A JP13435078A JPS6056230B2 JP S6056230 B2 JPS6056230 B2 JP S6056230B2 JP 13435078 A JP13435078 A JP 13435078A JP 13435078 A JP13435078 A JP 13435078A JP S6056230 B2 JPS6056230 B2 JP S6056230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- etched
- etching method
- sputter etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反応性スパッタエッチング方法に関する。
従来の反応性スパッタエッチングは第１図に示される
ような装置を用いられていた。 即ち、反応管１内に上
部電極２と下部電極８を設け、高周波信号源５に接続さ
れる下部電極上にエッチングされるべき半導体基板４が
設置される。
ような装置を用いられていた。 即ち、反応管１内に上
部電極２と下部電極８を設け、高周波信号源５に接続さ
れる下部電極上にエッチングされるべき半導体基板４が
設置される。
反応ガス、例えばアルミニウム（Ａｌ）のエッチングを
行なく場合には塩化硼素（ＢＣＩ０）はガス導入管６の
単一口より吹き出され、排気管７より排気される。 こ
のような装置を用いた場合、ウェハの中央部より周辺部
のエッチング速度が大きく、不均一なエッチングが行な
われる。
行なく場合には塩化硼素（ＢＣＩ０）はガス導入管６の
単一口より吹き出され、排気管７より排気される。 こ
のような装置を用いた場合、ウェハの中央部より周辺部
のエッチング速度が大きく、不均一なエッチングが行な
われる。
従つて、ウェハ中央部を所定値まで完全にエッチング
すると、周辺部はオーバエッチングによりアンダーカッ
トや下地の過度なエッチングが行なわれてしまう欠点が
あつた。
すると、周辺部はオーバエッチングによりアンダーカッ
トや下地の過度なエッチングが行なわれてしまう欠点が
あつた。
このようなエッチング速度の不均一は反応ガスより生
じたラジカルＣｌ宋がウェハの中央部よりも周辺部にお
いてより多く供給されることに起因するとみられており
、第１図のようにウェハに対して一方向から反応ガスを
流すのではなくて、ウェハ上に例えば、多くの小孔を有
する部材を配置して、この小孔より反応ガスをウェハに
対して均等に供給するようにしても、ウェハ周辺部に対
してウェハ近傍に生じているＣｌ木がより多く供給され
てしまい、エッチング速度の均一化を図ることは難カル
い。
じたラジカルＣｌ宋がウェハの中央部よりも周辺部にお
いてより多く供給されることに起因するとみられており
、第１図のようにウェハに対して一方向から反応ガスを
流すのではなくて、ウェハ上に例えば、多くの小孔を有
する部材を配置して、この小孔より反応ガスをウェハに
対して均等に供給するようにしても、ウェハ周辺部に対
してウェハ近傍に生じているＣｌ木がより多く供給され
てしまい、エッチング速度の均一化を図ることは難カル
い。
従来、このような不均一をなくすための方法としては
ウェハの周囲に例えばアルミニウムのリングを配置して
エッチングを行なくことが特開昭５２−１３７２６６号
公報で提案されている。
ウェハの周囲に例えばアルミニウムのリングを配置して
エッチングを行なくことが特開昭５２−１３７２６６号
公報で提案されている。
これはウェハ周囲に設けたアルミニウムリングを含めて
一枚のウェハとみなしてエッチングすることにより、ア
ルミニウムリングの部分では過度にエッチングされても
内側のウェハは結果的にほぼ均一なエッチングが行なわ
れることをねらつたものである。 しカルながら、この
ような方法では複数枚のウェハのそれぞれにリングを設
けなければならないので、取り扱いが繁雑になると共ウ
ェハに対するエッチングレートが低下する。また、エッ
チングすべきアルミニウムのリングを設けたためにウェ
ハ上のアルミニウムがエッチング除去されてもリング状
のアルミニウムが残つているためにプラズマ発光スペク
トルや質量分析を用いたエッチングの終点検出ができず
、さらにはアルミニウムと塩素の化合物が反応管内壁に
付着しやすくなり、反応管外からの観察力化づらくなる
などの欠点がある。本発明はこのような欠点を解決する
もので、ウェハに対し容易に、かつ均一にエッチングを
行うことを目的とする。
一枚のウェハとみなしてエッチングすることにより、ア
ルミニウムリングの部分では過度にエッチングされても
内側のウェハは結果的にほぼ均一なエッチングが行なわ
れることをねらつたものである。 しカルながら、この
ような方法では複数枚のウェハのそれぞれにリングを設
けなければならないので、取り扱いが繁雑になると共ウ
ェハに対するエッチングレートが低下する。また、エッ
チングすべきアルミニウムのリングを設けたためにウェ
ハ上のアルミニウムがエッチング除去されてもリング状
のアルミニウムが残つているためにプラズマ発光スペク
トルや質量分析を用いたエッチングの終点検出ができず
、さらにはアルミニウムと塩素の化合物が反応管内壁に
付着しやすくなり、反応管外からの観察力化づらくなる
などの欠点がある。本発明はこのような欠点を解決する
もので、ウェハに対し容易に、かつ均一にエッチングを
行うことを目的とする。
このような本発明の特徴は、アルミニウム層が形成され
たウェハの中央部のみに対して塩素を含む化合物ガスを
吹出させて該アルミニウム層のエッチングを行うことに
ある。
たウェハの中央部のみに対して塩素を含む化合物ガスを
吹出させて該アルミニウム層のエッチングを行うことに
ある。
このような本発明を、実際にエッチング装置に適用した
場合の一実施例を第２図に示す。
場合の一実施例を第２図に示す。
第２図において、第１図と同じ番号は同じものを示す。
第２図が第１図と異なる点は、ガス導入管６の先を分岐
して６″および６″とし各ウェハの中央部に対して反応
ガスが吹き出すようにした点にある。このようにして第
１図に示すような従来の方法でエッチングした場合と、
第２図に示すような本発明による方法でエッチングした
場合との比較を以下に示す。エッチングすべきウェハ径
ｄは３インチで、１μのアルミニウムが被着されている
。
して６″および６″とし各ウェハの中央部に対して反応
ガスが吹き出すようにした点にある。このようにして第
１図に示すような従来の方法でエッチングした場合と、
第２図に示すような本発明による方法でエッチングした
場合との比較を以下に示す。エッチングすべきウェハ径
ｄは３インチで、１μのアルミニウムが被着されている
。
上部電極とウェハ表面との距離ｈはＭｄｌ反応ガス（Ｂ
Ｃｌ３）吹出口の内径４Ｔｆｒ！ｎ１反応ガス流量は２
０ｓｃｃｍ／枚、反応管内の真空度０．１Ｔ０ｒｒ′、
高周波電源の周鍋数１３．５６ＭＨｚ、電力密度０．４
Ｗ／Ｃｌｔの条件下でエッチングを行なつた場合のエッ
チングレート（Ａ／Ｍｌｎ）のウェハ直径方向の分布を
第３図Ａ，ｂ，ｃに示す。
Ｃｌ３）吹出口の内径４Ｔｆｒ！ｎ１反応ガス流量は２
０ｓｃｃｍ／枚、反応管内の真空度０．１Ｔ０ｒｒ′、
高周波電源の周鍋数１３．５６ＭＨｚ、電力密度０．４
Ｗ／Ｃｌｔの条件下でエッチングを行なつた場合のエッ
チングレート（Ａ／Ｍｌｎ）のウェハ直径方向の分布を
第３図Ａ，ｂ，ｃに示す。
第３図ａはウェハ、第３図ｂは第１図の方法によるエッ
チングレートＲの分布、第８図ｃは第２図の方法による
エッチングレートＲの分布である。
チングレートＲの分布、第８図ｃは第２図の方法による
エッチングレートＲの分布である。
第３図ｂに示されるように、従来の方法ではウェハ周辺
部ではエッチングレートが１０００Ａ／Ｍｉｎｌ中央部
で５００Ａ／Ｍｉｎであつたものが、第３図ｃに示され
るように本発明の方法によつてウェハの全周にわたつて
ほぼ１０００Ａ／Ｍｉｎとなつた。従つて中央部につい
てみるとエッチングレートは２倍となつた。以上の通り
、本発明によれば、ウェハに対して均一なエッチングが
実現されると共にエッチングレートを大きくすることが
できるので、複雑な種々の処理工程を必要とする半導体
製造プロセスにおいて、本発明の寄与するところは甚大
である。
部ではエッチングレートが１０００Ａ／Ｍｉｎｌ中央部
で５００Ａ／Ｍｉｎであつたものが、第３図ｃに示され
るように本発明の方法によつてウェハの全周にわたつて
ほぼ１０００Ａ／Ｍｉｎとなつた。従つて中央部につい
てみるとエッチングレートは２倍となつた。以上の通り
、本発明によれば、ウェハに対して均一なエッチングが
実現されると共にエッチングレートを大きくすることが
できるので、複雑な種々の処理工程を必要とする半導体
製造プロセスにおいて、本発明の寄与するところは甚大
である。
第１図は従来のエッチング装置を示す図、第２図は本発
明を適用したエッチング装置の一例を示す図、第３図は
従来のエッチング方法と本発明のエッチング方法とによ
るエッチングレートを比較した図である。 １は反応管、３はウェハ、６，６″，６″は反応ガス導
入管を示す。
明を適用したエッチング装置の一例を示す図、第３図は
従来のエッチング方法と本発明のエッチング方法とによ
るエッチングレートを比較した図である。 １は反応管、３はウェハ、６，６″，６″は反応ガス導
入管を示す。
Claims (1)
- １ アルミニウム層が形成されたウェハの中央部のみに
対して塩素を含む化合物ガスを吹出させて該アルミニウ
ム層のエッチングを行うことを特徴とする反応性スパッ
タエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435078A JPS6056230B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13435078A JPS6056230B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5562171A JPS5562171A (en) | 1980-05-10 |
| JPS6056230B2 true JPS6056230B2 (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=15126298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13435078A Expired JPS6056230B2 (ja) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056230B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424027U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-27 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624190B2 (ja) * | 1984-12-21 | 1994-03-30 | 株式会社東芝 | 配線形成方法 |
-
1978
- 1978-10-31 JP JP13435078A patent/JPS6056230B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424027U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5562171A (en) | 1980-05-10 |
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