JPS6058799B2 - めつき装置 - Google Patents
めつき装置Info
- Publication number
- JPS6058799B2 JPS6058799B2 JP12674280A JP12674280A JPS6058799B2 JP S6058799 B2 JPS6058799 B2 JP S6058799B2 JP 12674280 A JP12674280 A JP 12674280A JP 12674280 A JP12674280 A JP 12674280A JP S6058799 B2 JPS6058799 B2 JP S6058799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating liquid
- tubular body
- plating
- contact
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板に電気めつきを施してバンプ等を
付ける噴上型循環式のめつき装置の改良に関する。
付ける噴上型循環式のめつき装置の改良に関する。
一般にこの種のめつき装置は第１図に示すような構成で
ある。
ある。
すなわち、段違いの管状形状のヘッド１１の上端に、カ
ソード電極となる針状の数本のコンタクト１２が設けら
れ、前記コンタクト１２に支えられてウェハ１３が設置
される。そして、このコンタクト１２が基板のレジスト
被膜を貫通して基板と接触することて電極と基板とが電
気的に導通される。前記ヘッド１１の内部には網状のア
ノード電極１４が設けられ、コンタクト１２をカソード
電極として、これと網状のアノード電極との間にめつき
電圧りが印加される。さらにめつき液は矢印１５〜１７
で示すように、ヘッド１１の下方から上昇しウェハ１３
に接触してこれにめつきした後、ヘッド１１とウェハ１
３との間隙部１８から流出してめつき液槽１９にもどる
。このような構成のめつき装置では、カリ〜−ド電極の
コンタクトがめつき液に浸つているためウェハのめつき
時にコンタクトにもめつきされる。このため使用を続け
るうちにコンタクトが太くなり、ウェハとの点接触を行
なわせることが困難になるのでこれを取り除く必要が生
ずる。また必要以外の部分にめつきされるためめつき材
料が無駄Ｊに消費されたり、コンタクトがめつきされる
時この付近の基板に電界集中が起こりめつきが不均一と
なつたりする。さらに、めつき液が空気に触れる率が高
く、空気の巻き込み量が多いため液の劣化が大きいうえ
、液の流れが一方的であるため厚ｉいめつき層を形成す
る時にはめつきされたパターンに液の流れにそつた方向
性が現われる等多くの欠点を有している。本発明は上記
の事情を考慮してなされたもので、その目的とするとこ
ろは、カソード電極にめつきされるのを防ぎ、さらにめ
つき液の劣化を防止しためつき装置を提供することであ
る。
ソード電極となる針状の数本のコンタクト１２が設けら
れ、前記コンタクト１２に支えられてウェハ１３が設置
される。そして、このコンタクト１２が基板のレジスト
被膜を貫通して基板と接触することて電極と基板とが電
気的に導通される。前記ヘッド１１の内部には網状のア
ノード電極１４が設けられ、コンタクト１２をカソード
電極として、これと網状のアノード電極との間にめつき
電圧りが印加される。さらにめつき液は矢印１５〜１７
で示すように、ヘッド１１の下方から上昇しウェハ１３
に接触してこれにめつきした後、ヘッド１１とウェハ１
３との間隙部１８から流出してめつき液槽１９にもどる
。このような構成のめつき装置では、カリ〜−ド電極の
コンタクトがめつき液に浸つているためウェハのめつき
時にコンタクトにもめつきされる。このため使用を続け
るうちにコンタクトが太くなり、ウェハとの点接触を行
なわせることが困難になるのでこれを取り除く必要が生
ずる。また必要以外の部分にめつきされるためめつき材
料が無駄Ｊに消費されたり、コンタクトがめつきされる
時この付近の基板に電界集中が起こりめつきが不均一と
なつたりする。さらに、めつき液が空気に触れる率が高
く、空気の巻き込み量が多いため液の劣化が大きいうえ
、液の流れが一方的であるため厚ｉいめつき層を形成す
る時にはめつきされたパターンに液の流れにそつた方向
性が現われる等多くの欠点を有している。本発明は上記
の事情を考慮してなされたもので、その目的とするとこ
ろは、カソード電極にめつきされるのを防ぎ、さらにめ
つき液の劣化を防止しためつき装置を提供することであ
る。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図は本発明によるめつき装置である。その構成はテ
フロン等の絶縁体で形成された管状体２０の下部がめつ
き液槽１９に挿入され、この管状体２０の内側にめつき
液を注入するめつき液吹き上げ管２２が設けられる。そ
して、前記管状体２０の上部端面にはカソード電極とし
て針状でこの針先が上に向けられたコンタクト２１が配
置される。このコンタクト２１はウェハに均一な電界を
かけるため、例えば３インチウェハでは４〜５本程度端
面に設置すれば充分である。さらに大きなウェハには電
極の数をふやしたり、二重、三重に配置すれば良い。こ
のコンタクト２１の内側は内壁部２３がコンタクト２１
と同程度の高さに形成され、ウェハが設置されることに
より管状体２０の上端が密閉される。さらに、管状体２
０に内部にはウェハと対向して網状のアノード電極１４
が設けられ、前記カソード電極であるコンタクト２１と
このアノード電極１４との間に電圧が印加される。そし
て、めつき液吹き上げ管２２が管状体２０内のアノード
電極下方に開口するように−配置されて、下方からめつ
き液をアノード電極を通してウェハ下面に吹き上げるよ
うに構成されている。上述した構成にすることにより、
めつき液は矢印２４〜２７で示すように、めつき液吹き
上げ管，２２から注入されたウェハ面にめつきした後、
管状体２０の内壁と吹き上け管２２の外壁との間隙であ
る開口部２８から流出してめつき液槽１９にもどる。
フロン等の絶縁体で形成された管状体２０の下部がめつ
き液槽１９に挿入され、この管状体２０の内側にめつき
液を注入するめつき液吹き上げ管２２が設けられる。そ
して、前記管状体２０の上部端面にはカソード電極とし
て針状でこの針先が上に向けられたコンタクト２１が配
置される。このコンタクト２１はウェハに均一な電界を
かけるため、例えば３インチウェハでは４〜５本程度端
面に設置すれば充分である。さらに大きなウェハには電
極の数をふやしたり、二重、三重に配置すれば良い。こ
のコンタクト２１の内側は内壁部２３がコンタクト２１
と同程度の高さに形成され、ウェハが設置されることに
より管状体２０の上端が密閉される。さらに、管状体２
０に内部にはウェハと対向して網状のアノード電極１４
が設けられ、前記カソード電極であるコンタクト２１と
このアノード電極１４との間に電圧が印加される。そし
て、めつき液吹き上げ管２２が管状体２０内のアノード
電極下方に開口するように−配置されて、下方からめつ
き液をアノード電極を通してウェハ下面に吹き上げるよ
うに構成されている。上述した構成にすることにより、
めつき液は矢印２４〜２７で示すように、めつき液吹き
上げ管，２２から注入されたウェハ面にめつきした後、
管状体２０の内壁と吹き上け管２２の外壁との間隙であ
る開口部２８から流出してめつき液槽１９にもどる。
このように、めつき液はカソード電極にも空気．にも触
れないため、コンタクト電極にめつきされて従来のよう
にこれを取り除く必要もなく、めつき液が空気に触れる
ことによる劣化も減少させることができる。
れないため、コンタクト電極にめつきされて従来のよう
にこれを取り除く必要もなく、めつき液が空気に触れる
ことによる劣化も減少させることができる。
さらに、コンタクトの数をふやすことによりウェハに均
一な電界をかけられるのでバンプ等も安定して付けられ
る。ところで、この構成では従来と同様にめつき液の流
れが一方向に一定である。
一な電界をかけられるのでバンプ等も安定して付けられ
る。ところで、この構成では従来と同様にめつき液の流
れが一方向に一定である。
そこで第３図に示すように、本発明装置のめつき液吹き
上げ管２２の内部に攪拌用の回転翼２９を設置してもよ
い。この回転翼２９はめつき液の流れで回転するのでと
くに動力で回転させなくともよい。このようにしてめつ
き液を攪拌することにより、厚いめつき層を形成すると
きに発生しやすいパターンの方向性を減少させることが
できる。以上説明したように本発明装置によれば、カソ
ード電極にめつき液が触れないため電極にめつきされな
いのでこれによる不具合を防止できる。
上げ管２２の内部に攪拌用の回転翼２９を設置してもよ
い。この回転翼２９はめつき液の流れで回転するのでと
くに動力で回転させなくともよい。このようにしてめつ
き液を攪拌することにより、厚いめつき層を形成すると
きに発生しやすいパターンの方向性を減少させることが
できる。以上説明したように本発明装置によれば、カソ
ード電極にめつき液が触れないため電極にめつきされな
いのでこれによる不具合を防止できる。
さらにウェハを設置することにより管状体の上端が密閉
されてめつき液が空気に触れないためめつき液の劣化を
少なくできるめつき装置が得られる。なお、管状体とめ
つき液吹き上け管を別のものとして説明したが、これを
一体構造としてもよく、アノード、カソード両電極の構
造も実施例に限定されない。さらに第２図では内壁部２
３と管状体２０を一体構造としたが別々に形成してよい
のてはもちろんである。また、めつき液を攪拌するため
にめつき液吹き上げ管の内壁に螺線状の溝を形成しても
実施例と同様な効果が得られる。
されてめつき液が空気に触れないためめつき液の劣化を
少なくできるめつき装置が得られる。なお、管状体とめ
つき液吹き上け管を別のものとして説明したが、これを
一体構造としてもよく、アノード、カソード両電極の構
造も実施例に限定されない。さらに第２図では内壁部２
３と管状体２０を一体構造としたが別々に形成してよい
のてはもちろんである。また、めつき液を攪拌するため
にめつき液吹き上げ管の内壁に螺線状の溝を形成しても
実施例と同様な効果が得られる。
第１図は従来のめつき装置を示す図、第２図は本発明の
一実施例に係るめつき装置を示す図、第３図は他の実施
例を示す図てある。 １３・・・・・・ウェハ、１４・・・・・アノード電極
、２０・・・・管状体、２１・・・・・コンタクト（カ
ソード電極）、２２・・・・・・めつき液吹き上げ管、
２３・・・・・・内壁部、２８・・・・・・開口部。
一実施例に係るめつき装置を示す図、第３図は他の実施
例を示す図てある。 １３・・・・・・ウェハ、１４・・・・・アノード電極
、２０・・・・管状体、２１・・・・・コンタクト（カ
ソード電極）、２２・・・・・・めつき液吹き上げ管、
２３・・・・・・内壁部、２８・・・・・・開口部。
Claims (1)
- １ 管状の絶縁体で形成された下部がめつき液中に浸漬
された管状体と、この管状体の内部に管状体の内壁と間
隔を置いて配置されためつき液を注入するためのめつき
液吹き上げ管により構成され、前記管状体はその上部端
面にカソード電極として針状でこの針先が上に向けられ
て配置されるコンタクトと、このコンタクトの内側の管
状体の上部端面上にコンタクトと同程度の高さに形成さ
れウェハが設置されることにより密閉されて管状体内部
にめつき液を充満せしめるとともにコンタクトにめつき
液が接触することを阻止するための内壁部と、この管状
体の内部にウェハと対向して設けられるアノード電極と
を具備し、管状体とめつき液吹き上げ管との間のめつき
液液面下にめつき液流出口となる開口部が設けられ、め
つき液吹き上げ管から注入されためつき液がウェハに接
触してめつきした後管状体と吹き上げ管との間の通路を
通つて開口部から排出される如く構成されていることを
特徴とするめつき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12674280A JPS6058799B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12674280A JPS6058799B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | めつき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5751287A JPS5751287A (en) | 1982-03-26 |
| JPS6058799B2 true JPS6058799B2 (ja) | 1985-12-21 |
Family
ID=14942775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12674280A Expired JPS6058799B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | めつき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058799B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614834A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-25 | Bitsugu House:Kk | 光遮蔽装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251236B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
-
1980
- 1980-09-12 JP JP12674280A patent/JPS6058799B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614834A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-25 | Bitsugu House:Kk | 光遮蔽装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5751287A (en) | 1982-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102031991B1 (ko) | 콘투어된 컵 저부를 갖는 도금 컵 | |
| US6251236B1 (en) | Cathode contact ring for electrochemical deposition | |
| KR890005858A (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 그 제조장치 | |
| US6365017B1 (en) | Substrate plating device | |
| US6989084B2 (en) | Semiconductor wafer plating cell assembly | |
| KR20010014062A (ko) | 기판상에 전기도금하는 전기화학적인 증착 시스템 및 방법 | |
| JPS58182823A (ja) | 半導体ウエハ−のメツキ装置 | |
| KR20180100488A (ko) | 전기도금을 위한 와이드 립시일 | |
| JPH11279797A (ja) | 基板メッキ装置 | |
| JP3886919B2 (ja) | めっき装置 | |
| JPS6058799B2 (ja) | めつき装置 | |
| US6793794B2 (en) | Substrate plating apparatus and method | |
| US6428661B1 (en) | Plating apparatus | |
| JPS62133097A (ja) | 半導体ウエハのめつき装置 | |
| JP3677911B2 (ja) | 半導体ウエハのめっき方法及びその装置 | |
| KR100755661B1 (ko) | 도금 처리 장치 및 이를 이용한 도금 처리 방법 | |
| JP3642748B2 (ja) | めっき装置 | |
| JP2002294495A (ja) | 液処理装置 | |
| JP2001200392A (ja) | めっき装置 | |
| JP3343077B2 (ja) | めっき用電極 | |
| JPH05243235A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US20060163058A1 (en) | Apparatus for plating a semiconductor wafer and plating solution bath used therein | |
| JP2005068561A (ja) | めっき装置 | |
| JPS5828829A (ja) | 半導体ウエハ−のメツキ装置 | |
| JP3386672B2 (ja) | ウェハメッキ装置 |