JPS6060726A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、処理技術、特に、プラズマ反応を利用して処
理を行う技術に関し、たとえば、半導体装置の製造にお
いて使用されるドライエツチング処理やＣ，ＶＤ処理等
に利用して有効な技術に関する。

［背景技術］ 半導体装置の製造において、従来、エツチング処理を実
施する場合、プラズマ反応を利用したドライエツチング
装置が使用されている（たとえば、昭和５７年１０月３
０日新技術開発センター発行の半導体製造技術集成、Ｐ
、１９７参照）。

かかるドライエツチング装置として、ガス導入路と排気
路とを備えた処理室に平行平板電極が設けられ、その電
極の一方にウェハを載置して高周波電圧を印加し、電極
間に形成されるプラズマによる気体電気化学反応により
ウェハにエツチング処理を施すようになっている。

しかし、かかるドライエツチング装置においては、ウェ
ハに処理ガスを均一に供給することが困難であるため、
ウェハの中央部では周辺部に比ベエソチング処理が遅く
なり、処理が不均一になるという問題点があることが、
本発明者によって明らかにされた。

そこで、一方の電極に開口を設けて処理ガスをウェハ上
に均一に供給するようにしてなるドライエツチング装置
が考えられる。

しかし、かかるドライエツチング装置においては、電極
に開口が設けられるため、電界が不均一になり、処理が
不均一になるばかりでなく、一部では電界が集中するた
め、ウェハにダメージを与えるという問題点が発生する
ことが、本発明者によって明らかにされた。

［発明の目的］ 本発明の目的は、処理を均一に行うことができる処理技
術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、平行平板電極間に透孔を有する遮蔽部材を設
けることにより、電界の集中を引き起こすことなくして
処理対象物にガスが均等に供給されるようにしたもので
ある。

［実施例］ 図は本発明の一実施例であるドライエツチング装置を示
す縦断面図である。

本実施例において、このドライエツチング装置は、石英
ベルジャ等からなる処理室１１を備えており、処理室１
１は気密が保たれるように構成されている。処理室１１
には一対の平行平板電極１２．１３が下部および上部に
それぞれ配設されている。

処理室１１の天井壁には、処理ガスとしてのエツチング
ガスを導入するための導入路１４が上部電極１３の真上
に開設され、処理室１１の底壁には排気路１５が室内を
真空引きするように接続されている。処理室１１の内部
には、石英等により平板形状に形成された遮蔽部材１６
が両電極１２．１３間において室内を仕切るように架設
されており、遮蔽部材１６には複数の透孔１７が中央部
に開設されている。上部電極１３には高周波電源１８が
接続されており、アースされた下部電極１２は、処理対
象物としてのウェハ１９を載置して保持し得るように構
成されている６ 次に作用を説明する。

ウェハ１９が下部電極１２上に載置され、処理室１１が
排気されてエツチングガスが導入されるとともに、両電
極１２．１３間に高周波電圧が印加されると、プラズマ
が形成され、これによる気体電気化学反応により、ウェ
ハ１９にエツチング処理が施される。

このとき、導入路１４から処理室１１の遮蔽部材１６の
上側空間に導入されたエツチングガスは均一に拡散した
後、遮蔽部材１６の透孔１７を通って下側空間に流れ込
み、下部電極１２上のウェハ１９に対し周辺部中央部の
全体にわたって均等に供給される。このように、エツチ
ングガスが全体にわたって均等に供給されるため、ウェ
ハ１９に対するエツチングガスは全体にわたって均一に
施されることになる。

また、両電極１２．１３はいずれも平板形状に形成され
ているため、電界は均一に形成される。

したがって、電界集中によりウェハ１９に加えられるダ
メージの発生は未然に回避され、前述したエツチングの
均一処理も確保されることになる。

［効果］ （１）、一対の平行平板電極間に透孔を有する遮蔽部材
を介設することにより、ガスを処理対象物に均一に供給
することができるため、対象物における処理を全体にわ
たって均一に施すことができる。

（２）、遮蔽部材に透孔を開設することにより、電極を
変形させなくて済むため、電界が均一になり、電界集中
等の悪影響が回避できる。

（３）、前記（２）により、ガスの均一供給による処理
の均一化が維持できる。

（４）、遮蔽部材を石英で形成することにより、処理対
象物としてのウェハに対する悪影響が回避できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に附定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、遮蔽部材は石英に限らず、フッ素樹脂やステ
ンレス等のようなウェハ等処理対象物への悪影響を小さ
く制御できる材料を用いて形成してもよい。遮蔽部材は
平板状に限らず、膜状に形成してもよい。

遮蔽部材の透孔は複数に限らず、単数でもよい。

ガスはエツチングガスに限られないし、処理もエツチン
グに限られない。

［利用分野］ 以」二の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造
において使用されるドライエツチング装置に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではなく
、たとえば、Ｃ，ＶＤ装置やアッシャ除去装置等プラズ
マ反応を利用する処理装置に適用できる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。 １１・・・処理室、１２．１３・・・電極、】４・・・
ガス導入路、１５・・・排気路、１６・・・遮蔽部材、
１７・・・透孔、１８・・・高周波電源、１９・・・ウ
ェハ（処理対象物）。 ■ ｌ／

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 】、処理室に設けられた平行平板電極の一方に処理対象
   物が配され、処理室にガスを供給されて処理が（テわれ
   る処理装置において、前記平行平板電極の間に透孔を有
   する遮蔽部材が介設され、前記処理室の前記対象物が配
   された側で排気され、その反対側の前−記ガスが供給さ
   れることを特徴とする処理装置。 ２、透孔が、遮蔽部材に複数開設されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、遮蔽部材が、石英板で形成されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の処理装置。