JPS6062123A - パタ−ン状重合体被膜の付着方法 - Google Patents
パタ−ン状重合体被膜の付着方法Info
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- JPS6062123A JPS6062123A JP59097638A JP9763884A JPS6062123A JP S6062123 A JPS6062123 A JP S6062123A JP 59097638 A JP59097638 A JP 59097638A JP 9763884 A JP9763884 A JP 9763884A JP S6062123 A JPS6062123 A JP S6062123A
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- polymer film
- ion beam
- coating
- ion
- bonding pattern
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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-
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- H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
- H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H10P14/6338—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition the reactions being activated by other means than plasma or thermal, e.g. photo-CVD
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロリングラフィに係り、更に具体的に
はイオン・ビームを用いて、パターン状の重合体の被膜
を付着するだめの方法に係る。
はイオン・ビームを用いて、パターン状の重合体の被膜
を付着するだめの方法に係る。
全てのイオン・ビーム・リングラフィ方法は、被膜の酵
素プラズマ・エツチング速度を減少させるために重合体
の被膜をイオン・ビーム露光し、それから酸素プラズマ
により乾式現像することを含む。Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ
、Ａｐｐｌｎ＋Ｐｈｙｓｉｃｓ、 １９（Ａ １０
）Ｌ６１５（１９８０）におけるＨ、 Ｋｕｗａｎｏ等
による文献においては、露光領域の酸素プラズマ・エツ
チング速度を減少させるために、２０Ｋｅｖに加速され
た集束されたガリウム・イオン・ビームが用いられてい
る。Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｅｔ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、２１ （
２）、Ｊ、ｕ １ ｙ／Ａｕ ｇｌ、ｐｐ６６６〜６７
１（１９８２）におけるＥ、 Ｄ、 Ｗｏ １ ｆ等に
よる文献にお＋ いては、４０ ＫｅＶのＳｔ イオンを用い、自己支持
型マスクを経て全面露光することにより、サブミクロン
のポリ（メタクリル酸メチル）のパターンが得られてい
る。これらの文献においては、特別に設計されたイオン
・ビーム銃又はイオン注入装置が必要とされている。Ｓ
ｉ＋、Ｇａ十等の如き金属イオンを注入することにより
、レジストの被膜の酸素プラズマ・エツチング速度が減
少されて、露光領域と非露光領域との間のエツチング速
度に差違が生ぜしめられ、それによって重合体ノくター
ンが乾式現像される。
素プラズマ・エツチング速度を減少させるために重合体
の被膜をイオン・ビーム露光し、それから酸素プラズマ
により乾式現像することを含む。Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ
、Ａｐｐｌｎ＋Ｐｈｙｓｉｃｓ、 １９（Ａ １０
）Ｌ６１５（１９８０）におけるＨ、 Ｋｕｗａｎｏ等
による文献においては、露光領域の酸素プラズマ・エツ
チング速度を減少させるために、２０Ｋｅｖに加速され
た集束されたガリウム・イオン・ビームが用いられてい
る。Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｅｔ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、２１ （
２）、Ｊ、ｕ １ ｙ／Ａｕ ｇｌ、ｐｐ６６６〜６７
１（１９８２）におけるＥ、 Ｄ、 Ｗｏ １ ｆ等に
よる文献にお＋ いては、４０ ＫｅＶのＳｔ イオンを用い、自己支持
型マスクを経て全面露光することにより、サブミクロン
のポリ（メタクリル酸メチル）のパターンが得られてい
る。これらの文献においては、特別に設計されたイオン
・ビーム銃又はイオン注入装置が必要とされている。Ｓ
ｉ＋、Ｇａ十等の如き金属イオンを注入することにより
、レジストの被膜の酸素プラズマ・エツチング速度が減
少されて、露光領域と非露光領域との間のエツチング速
度に差違が生ぜしめられ、それによって重合体ノくター
ンが乾式現像される。
Ｊ、Ｖａｃ、Ａｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、１９（４）、
Ｎｏ ｖ、 ／Ｄｅ ｃ、、８７２（１９８１）におけ
るＧ。
Ｎｏ ｖ、 ／Ｄｅ ｃ、、８７２（１９８１）におけ
るＧ。
Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ等による文献においては、プラズマニ
ヨり現像されたＸ線レジストの研究のために、単量体の
有機シリコンと均一に混和された重合体の被膜が用いら
れている。
ヨり現像されたＸ線レジストの研究のために、単量体の
有機シリコンと均一に混和された重合体の被膜が用いら
れている。
ＡＣ８Ｏｒｇ、Ｃｏａｔｉｎｇ ＆ ＰｌａｓｔｉｃＣ
ｈｅｍ、Ｒｅｐｏｒｔ Ａ３ろ、５ｅｐｔ、１２〜１７
．１９８２、Ｋａｎｓａｓ Ｃ１ｔｙ Ｍｅｅｔｉｎｇ
において、Ｓ、Ｈａｔｔｏｒｉ 等は、電子ビーム露光
の後に、トリメチルビニル７ランをポリ（メタクリル酸
メチル）土にグラフティング（ｇｒａｆｔｉｎｇ ）さ
せることについて報告している。電子ビーム銃はＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ程度の高圧において動作すること
ができないので、露光されたウエノ・を、グラフティン
グのために、他のチェンバへ移さねばならなかった。
ｈｅｍ、Ｒｅｐｏｒｔ Ａ３ろ、５ｅｐｔ、１２〜１７
．１９８２、Ｋａｎｓａｓ Ｃ１ｔｙ Ｍｅｅｔｉｎｇ
において、Ｓ、Ｈａｔｔｏｒｉ 等は、電子ビーム露光
の後に、トリメチルビニル７ランをポリ（メタクリル酸
メチル）土にグラフティング（ｇｒａｆｔｉｎｇ ）さ
せることについて報告している。電子ビーム銃はＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ程度の高圧において動作すること
ができないので、露光されたウエノ・を、グラフティン
グのために、他のチェンバへ移さねばならなかった。
本発明の目的は、イオン・ビームを用いて、基板上にパ
ターン状の重合体の被膜を付着させる方法を提供するこ
とである。
ターン状の重合体の被膜を付着させる方法を提供するこ
とである。
不発明の他の目的は、上記の被膜の付着及びエツチング
工程を同じチェンバ内で実施しうる方法を提供すること
である。
工程を同じチェンバ内で実施しうる方法を提供すること
である。
不発明の方法にかては、イオン・ビーム銃カ１ｘｉｏ
乃至ｌＸ１０ Ｔｏｒｒ 程度の高圧に於て動作するこ
とができるので、イオン・ビーム露光と付着とを同時に
行うことができる。
乃至ｌＸ１０ Ｔｏｒｒ 程度の高圧に於て動作するこ
とができるので、イオン・ビーム露光と付着とを同時に
行うことができる。
本発明の方法は、基板を配置した閉鎖チェンバ内に単量
体の基体を封入し、上記単量体の気体をイオン・ビーム
によりパターン状に露光して上記基板Ｊ：″に重合体の
被膜を付着させるとともに潜像を生ぜしめ１、上記重合
体の被膜を酸素プラズマによりエツチングすることによ
り乾式現像することを含む。
体の基体を封入し、上記単量体の気体をイオン・ビーム
によりパターン状に露光して上記基板Ｊ：″に重合体の
被膜を付着させるとともに潜像を生ぜしめ１、上記重合
体の被膜を酸素プラズマによりエツチングすることによ
り乾式現像することを含む。
本発明の方法に於ては、単量体として、全ての重合可能
な有機の気体を用いることができる。最も好ましい単量
体は、テトラビニル７ランの如き有機シリコン化合物、
及びスチレン又は他のフェニル・ビニル化合物である。
な有機の気体を用いることができる。最も好ましい単量
体は、テトラビニル７ランの如き有機シリコン化合物、
及びスチレン又は他のフェニル・ビニル化合物である。
他のイｊ−用な単量体には、例えば、アクリロニトリル
、メタクリロニトリル、メタクリル酸メチル及びフェノ
ール等がある。
、メタクリロニトリル、メタクリル酸メチル及びフェノ
ール等がある。
最も好ましいイオン・ビームは、水素イオン部子 ＋
ち陽子のビームであり、Ｈｅ、Ａｒ 等の如き他のイオ
ン・ビームも用いられる。
ン・ビームも用いられる。
重合体の被膜は、多くの異なる基板上に付着される。例
えば、基板がポリ（メタクリル酸メチル）又はノボラン
ク樹脂の如き他の重合体であってもよい。基板として、
シリコン・ウェハを用いることもできる。上記ウェハの
位置に関して斜めに銃が配置されたために傾斜したプロ
フィルの壁を有する厚さ０．５μｍのレジスト・パター
ンが、例えばスチレンの気体から直接得られた１、この
技術によって、従来のりソグラフイ方法に必要とされて
いた、レジスト溶液の形成、回転被覆、プリベーキング
、現像等の如き、幾つかのプロセスを回避しうる。更に
、付層、亀裂、剥離等の問題が生じ々い１．このように
して得られた重合体の被膜は、ＣＦ４プラズマ貧刻及び
反応性イオン・エンチングに対して著しい耐性を有して
おり、これは更に超小型回路の製造工程に於て有利であ
る。。
えば、基板がポリ（メタクリル酸メチル）又はノボラン
ク樹脂の如き他の重合体であってもよい。基板として、
シリコン・ウェハを用いることもできる。上記ウェハの
位置に関して斜めに銃が配置されたために傾斜したプロ
フィルの壁を有する厚さ０．５μｍのレジスト・パター
ンが、例えばスチレンの気体から直接得られた１、この
技術によって、従来のりソグラフイ方法に必要とされて
いた、レジスト溶液の形成、回転被覆、プリベーキング
、現像等の如き、幾つかのプロセスを回避しうる。更に
、付層、亀裂、剥離等の問題が生じ々い１．このように
して得られた重合体の被膜は、ＣＦ４プラズマ貧刻及び
反応性イオン・エンチングに対して著しい耐性を有して
おり、これは更に超小型回路の製造工程に於て有利であ
る。。
有機／リコンを含むＭ機金属化合′吻の薄い重合体の被
膜が、ポリ（メタクリル酸メチル）、ノボラック樹脂、
又は他の種類の重合体の被膜の如き、重合体の被膜上に
付漕される。その付着は、Ｓ ＫｅＶ＋ のＨビームの如き低エネルギのイオン・ビーム露光によ
って支援される１、イオン・ビームは、如何なる種類の
有機化合物からも遊離基を発生させるに充分なエネルギ
を有している。しかしながら、リングラフィに於ては、
有機シリコン、有機錫、及び他の揮発性の有機金属化合
物の如き、有機金属化合物を用いることが好ましい。
膜が、ポリ（メタクリル酸メチル）、ノボラック樹脂、
又は他の種類の重合体の被膜の如き、重合体の被膜上に
付漕される。その付着は、Ｓ ＫｅＶ＋ のＨビームの如き低エネルギのイオン・ビーム露光によ
って支援される１、イオン・ビームは、如何なる種類の
有機化合物からも遊離基を発生させるに充分なエネルギ
を有している。しかしながら、リングラフィに於ては、
有機シリコン、有機錫、及び他の揮発性の有機金属化合
物の如き、有機金属化合物を用いることが好ましい。
本発明の方法を実施するために、任意の従来のイオン・
ビーム銃を用いることができる。
ビーム銃を用いることができる。
例
ポリ（メタクリル酸メチル）の基板が、１×１０−’
Ｔｏｒｒの圧力に於てテトラビニルシランを含む１イー
Ｊ鎖チエンバ内に配置された。銃を通る水素の圧力が３
Ｘ１０ Ｔｏ−ｒｒである、任意の従来のイオン・ビー
ム銃が用いられた。上記銃がガス導入管を経て基板へ方
向付けられて、露光がＩ Ｘ １０”Ｔｏｒｒに於て行
われた。イオン・ビーム露光及び付着が同時に、１×１
０ Ｃ／ｃｒｎ のイオン注入量を与える１０乃至ｓ
ｏ ｐＸのイオン・ビーム電流を用いて、３０分間行わ
れた。この注入量は、シランの圧力を増加させることに
よって、又はイオン・ビーム露光の後にグラフティング
を行なうことによって、著しく減少される。
Ｔｏｒｒの圧力に於てテトラビニルシランを含む１イー
Ｊ鎖チエンバ内に配置された。銃を通る水素の圧力が３
Ｘ１０ Ｔｏ−ｒｒである、任意の従来のイオン・ビー
ム銃が用いられた。上記銃がガス導入管を経て基板へ方
向付けられて、露光がＩ Ｘ １０”Ｔｏｒｒに於て行
われた。イオン・ビーム露光及び付着が同時に、１×１
０ Ｃ／ｃｒｎ のイオン注入量を与える１０乃至ｓ
ｏ ｐＸのイオン・ビーム電流を用いて、３０分間行わ
れた。この注入量は、シランの圧力を増加させることに
よって、又はイオン・ビーム露光の後にグラフティング
を行なうことによって、著しく減少される。
酸素プラズマでエツチングできる全ての種類の重合体の
被膜を用いることができる。ポリ（メタクリル酸メチル
）は、イオン・ビーム露光の後の湿式現像に於ては、ポ
ジティブ型のパターンを生じる。本発明の方法を用いた
、酸素プラズマ・エツチング又は反応性イオン・エツチ
ングによる乾式現像に於ては、ネガティブ型の重合体の
パターンが得られる。その付着されたポリ（テトラビニ
ルシラン）の被膜は、酸素プラズマ・エツチングのだめ
の障壁層として働いた。
被膜を用いることができる。ポリ（メタクリル酸メチル
）は、イオン・ビーム露光の後の湿式現像に於ては、ポ
ジティブ型のパターンを生じる。本発明の方法を用いた
、酸素プラズマ・エツチング又は反応性イオン・エツチ
ングによる乾式現像に於ては、ネガティブ型の重合体の
パターンが得られる。その付着されたポリ（テトラビニ
ルシラン）の被膜は、酸素プラズマ・エツチングのだめ
の障壁層として働いた。
重合体のパターンは、酸素プラズマ・エツチング又は酸
素による反応性イオン・エツチングに於て現像され、本
発明の方法を用いた反応性イオン・エツチング条件に於
ては、１０−０μＴｏｒｒの酸素圧力、４ ｓｅｃｍの
流量、−２５、ＯＶのウェハへのバイアス電位、及び２
μｍの厚さの場合に２０分間のエツチング時間が用いら
れた。
素による反応性イオン・エツチングに於て現像され、本
発明の方法を用いた反応性イオン・エツチング条件に於
ては、１０−０μＴｏｒｒの酸素圧力、４ ｓｅｃｍの
流量、−２５、ＯＶのウェハへのバイアス電位、及び２
μｍの厚さの場合に２０分間のエツチング時間が用いら
れた。
本発明の方法の他の実施例に於ては、ポリスチレンの被
膜を付着するための基板として、シリコン・ウェハが用
いられた。マスクとして、２レベルの銅のワイヤ格子が
用いられ、各レベルは相互に少なくとも２００μｍだけ
離隔されており、それらを僅かにずらして配置すること
によって、極めて細い線が画成された。
膜を付着するための基板として、シリコン・ウェハが用
いられた。マスクとして、２レベルの銅のワイヤ格子が
用いられ、各レベルは相互に少なくとも２００μｍだけ
離隔されており、それらを僅かにずらして配置すること
によって、極めて細い線が画成された。
平滑な表面を育するスチレンの重合体の被膜が、Ｈ＋ビ
ームにより支援された重合に於て、良好に画成されたパ
ターン状に付着された。
ームにより支援された重合に於て、良好に画成されたパ
ターン状に付着された。
〔発明の効果〕
本発明の方法に於ては、極めて単純なプロセスによって
、イオン・ビーム露光、付着及び乾式エツチングを実施
することができるとともに、それらの工程を単一のチェ
ンバ内で同時に行うことができる。
、イオン・ビーム露光、付着及び乾式エツチングを実施
することができるとともに、それらの工程を単一のチェ
ンバ内で同時に行うことができる。
出願人インターナショプフいビジネス・マシーノズ・コ
づＦレーション代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
づＦレーション代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
Claims (2)
- （１）単量体の気体を封入した閉鎖チェンバ内に配置し
た基板に対して重合体被膜の付着及びイオン・ビームに
よるパターン状露光を行う工程と、上記重合体被膜を酸
素プラズマ・エンチングする工程とを含む、パターン状
重合体被膜の伺着方法。 - （２） イオン・ビームが陽子のビームである特許請求
の範囲第（１）項記載のパターン状重合体被膜の付着方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US529458 | 1983-09-06 | ||
| US06/529,458 US4460436A (en) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Deposition of polymer films by means of ion beams |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062123A true JPS6062123A (ja) | 1985-04-10 |
Family
ID=24110001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097638A Pending JPS6062123A (ja) | 1983-09-06 | 1984-05-17 | パタ−ン状重合体被膜の付着方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4460436A (ja) |
| EP (1) | EP0136421B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6062123A (ja) |
| DE (1) | DE3483862D1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182726A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜形成方法 |
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| US4601913A (en) * | 1984-06-27 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Underlay surface modification to control resin glass polymerization |
| US4698236A (en) * | 1984-10-26 | 1987-10-06 | Ion Beam Systems, Inc. | Augmented carbonaceous substrate alteration |
| US4551418A (en) * | 1985-02-19 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Process for preparing negative relief images with cationic photopolymerization |
| JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
| US4613398A (en) * | 1985-06-06 | 1986-09-23 | International Business Machines Corporation | Formation of etch-resistant resists through preferential permeation |
| EP0233747B1 (en) * | 1986-02-10 | 1992-12-02 | LOCTITE (IRELAND) Ltd. | Vapor deposited photoresists of anionically polymerizable monomers |
| US5064681A (en) * | 1986-08-21 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Selective deposition process for physical vapor deposition |
| US5273849A (en) * | 1987-11-09 | 1993-12-28 | At&T Bell Laboratories | Mask repair |
| US4968582A (en) * | 1988-06-28 | 1990-11-06 | Mcnc And University Of Nc At Charlotte | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
| US5114827A (en) * | 1988-06-28 | 1992-05-19 | Microelectronics Center Of N.C. | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
| US5173452A (en) * | 1989-02-15 | 1992-12-22 | Dobuzinsky David M | Process for the vapor deposition of polysilanes photoresists |
| CA1334911C (en) * | 1989-02-15 | 1995-03-28 | David M. Dobuzinsky | Process for the vapor deposition of polysilanes |
| IE892044A1 (en) * | 1989-06-23 | 1991-01-02 | Loctite Ireland Ltd | Photoresists formed by polymerisation of di-unsaturated¹monomers |
| CA2019669A1 (en) * | 1989-11-21 | 1991-05-21 | John Woods | Anionically polymerizable monomers, polymers thereof, and use of such polymers in photoresists |
| DE4202652C2 (de) * | 1992-01-30 | 1996-03-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen einer UV- und/oder elektronenstrahlempfindlichen Lackschicht |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633827A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Seiko Epson Corp | Photo etching method including surface treatment of substrate |
| JPS57180129A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-06 | Rockwell International Corp | Method and device for forming polymerized resist |
| JPS586133A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3113896A (en) * | 1961-01-31 | 1963-12-10 | Space Technology Lab Inc | Electron beam masking for etching electrical circuits |
| US4348473A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-07 | Xerox Corporation | Dry process for the production of microelectronic devices |
-
1983
- 1983-09-06 US US06/529,458 patent/US4460436A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59097638A patent/JPS6062123A/ja active Pending
- 1984-07-11 DE DE8484108095T patent/DE3483862D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-11 EP EP84108095A patent/EP0136421B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633827A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Seiko Epson Corp | Photo etching method including surface treatment of substrate |
| JPS57180129A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-06 | Rockwell International Corp | Method and device for forming polymerized resist |
| JPS586133A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0136421A3 (en) | 1987-04-15 |
| EP0136421A2 (en) | 1985-04-10 |
| EP0136421B1 (en) | 1990-12-27 |
| US4460436A (en) | 1984-07-17 |
| DE3483862D1 (de) | 1991-02-07 |
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