JPS6063368A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6063368A JPS6063368A JP16818883A JP16818883A JPS6063368A JP S6063368 A JPS6063368 A JP S6063368A JP 16818883 A JP16818883 A JP 16818883A JP 16818883 A JP16818883 A JP 16818883A JP S6063368 A JPS6063368 A JP S6063368A
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- Japan
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- tube
- gas
- samples
- reaction
- reactive gas
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45585—Compression of gas before it reaches the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、試料の表面に薄膜を形成するような膜形成技
術に関するもので、たとえば気相成長（ＣＶＤ）に利用
して有効な技術に関するものである。
術に関するもので、たとえば気相成長（ＣＶＤ）に利用
して有効な技術に関するものである。
半導体装置の製造においては、いかに半導体ウェハ表面
に均一なＣＶＤ膜を形成するかが、非宮に重要な問題と
なっている。そこで、反応管内の反応ガス６３゛λ度を
一様にするため、第１図ｆ示すような技術が考えられる
。
に均一なＣＶＤ膜を形成するかが、非宮に重要な問題と
なっている。そこで、反応管内の反応ガス６３゛λ度を
一様にするため、第１図ｆ示すような技術が考えられる
。
この図ｒ（おいて、１は反応ガス排出口５側に近づ（Ｉ
Ｃしたがって反応管１の断面を小さくした反応管、３は
試料でたとえば半導体ウェハ２を載ＩＡした載置台、４
は反応ガス導入管、６は加熱体である。
Ｃしたがって反応管１の断面を小さくした反応管、３は
試料でたとえば半導体ウェハ２を載ＩＡした載置台、４
は反応ガス導入管、６は加熱体である。
このように、反応管ｌが反応ガス排出口５側に近づくに
したがって、反応管５の断面が小さくなっているので、
反応ガスの供給量を一定にすれば、反応ガスの流速は反
応ガス排出１」５に近づくにしたがって増す、そのため
、反応ガスが消費しなければ単位時間に単位面積当りに
通過する反応ガス中のガス分子数が増加する。この増加
の度合は、反応ガスの消費によるガス分子数の減少を相
対的に打ち消す作用を有している。しかしながら、この
ような技術においては、ガス４｝入管４から各ウエノ・
までの距離が異なっているため、ｔた、ガス排出口５に
近づくにしたがって、反応管１の断面積を小さくするこ
とだけでは、反応ガス導入管側と反応ガス排出口側のガ
ス分子数の差を十分に等（〈できなかっ／こ。そのため
、反応ガスの流）１方向のＣＶＤ膜の均一性が惑いとい
う間！ｔ’＋Ｉ点が４１−、するということが本発明者
によって之・きもかＩ／Ｃされブこ６〔発明の目的〕 本発明は試料に均一なｊ摸を形成できる技術を提供する
ことである。
したがって、反応管５の断面が小さくなっているので、
反応ガスの供給量を一定にすれば、反応ガスの流速は反
応ガス排出１」５に近づくにしたがって増す、そのため
、反応ガスが消費しなければ単位時間に単位面積当りに
通過する反応ガス中のガス分子数が増加する。この増加
の度合は、反応ガスの消費によるガス分子数の減少を相
対的に打ち消す作用を有している。しかしながら、この
ような技術においては、ガス４｝入管４から各ウエノ・
までの距離が異なっているため、ｔた、ガス排出口５に
近づくにしたがって、反応管１の断面積を小さくするこ
とだけでは、反応ガス導入管側と反応ガス排出口側のガ
ス分子数の差を十分に等（〈できなかっ／こ。そのため
、反応ガスの流）１方向のＣＶＤ膜の均一性が惑いとい
う間！ｔ’＋Ｉ点が４１−、するということが本発明者
によって之・きもかＩ／Ｃされブこ６〔発明の目的〕 本発明は試料に均一なｊ摸を形成できる技術を提供する
ことである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうら代表的なものの概要
お簡単に説明すれば、下記の通りである。
お簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、反応管内に反応ガス導入管を長手方向に延設
して、各々の試料に反応ガスを供給するととてより、各
々の試料周囲の反応ガス濃度を、一様なものにすること
により、均一な膜をどの試料にも形成できるようにした
ものである。
して、各々の試料に反応ガスを供給するととてより、各
々の試料周囲の反応ガス濃度を、一様なものにすること
により、均一な膜をどの試料にも形成できるようにした
ものである。
本発明の一実施例である膜形成装置を、図面を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は、本発明の一実施例である膜形成装置の横断面
図、鎖３図はその上面断面図である。
図、鎖３図はその上面断面図である。
１は試料で例えば半導体ウエノ・２で載置台３上に載置
されている。５は反応ガス排出口、６は赤外線ランプや
高周波コイル等のヒータである。７は、反応ガス源（図
示せず）から送られてきた反応ガスを反応管１内に供給
するためのガス導入管である。このガス尋人管７ば、反
応管ｌ内に長手方向に延設され、ウェハ表面とほぼ平行
で平板状に形成されており、そのガス導入管７の少なく
ともウェハと対する壁部には、ガス噴出孔８が多数個設
けられており、このガス噴出孔８は、ウエノ・面積より
も広範囲に分布するようにウェハ各々に対向するように
設けている。
されている。５は反応ガス排出口、６は赤外線ランプや
高周波コイル等のヒータである。７は、反応ガス源（図
示せず）から送られてきた反応ガスを反応管１内に供給
するためのガス導入管である。このガス尋人管７ば、反
応管ｌ内に長手方向に延設され、ウェハ表面とほぼ平行
で平板状に形成されており、そのガス導入管７の少なく
ともウェハと対する壁部には、ガス噴出孔８が多数個設
けられており、このガス噴出孔８は、ウエノ・面積より
も広範囲に分布するようにウェハ各々に対向するように
設けている。
次に本実施例の作用を説明する。反応管１内のウェハ載
置台３上面に被処理物であるウエノ・２を載置し、例え
ばＭｏ（モリブデン）膜を形成する場合にはガス導入管
７からガス噴出孔８を通して反応ガスであるＭｏ Ｃ４
＋ Ｈｔからなる混合反応ガスを反応管１内に供給する
。
置台３上面に被処理物であるウエノ・２を載置し、例え
ばＭｏ（モリブデン）膜を形成する場合にはガス導入管
７からガス噴出孔８を通して反応ガスであるＭｏ Ｃ４
＋ Ｈｔからなる混合反応ガスを反応管１内に供給する
。
このとき、反応ガスの流れはウェハ面に対してほぼ垂直
としておシ、しかも、ガス噴出孔８の分布がウェハ面積
よシ広範囲としているため、ウェハの中心部とその周辺
部との膜厚の均一性Ｆｉ極めて向上する。
としておシ、しかも、ガス噴出孔８の分布がウェハ面積
よシ広範囲としているため、ウェハの中心部とその周辺
部との膜厚の均一性Ｆｉ極めて向上する。
（１）反応管内部に、その長手方向へ延びたガス導入管
を設け、その導入管の少なくとも被処理物に対向した壁
部に多数のガス噴出孔を設けることにより、反応管の長
手方向におけるガス濃度の均一性が向上できるので、被
処理物と被処理物との間の表面処理量を一定なものにす
ることができる。
を設け、その導入管の少なくとも被処理物に対向した壁
部に多数のガス噴出孔を設けることにより、反応管の長
手方向におけるガス濃度の均一性が向上できるので、被
処理物と被処理物との間の表面処理量を一定なものにす
ることができる。
（２）反応管内部に、その長手方向へ延びたガス尋人管
を設け、その導入管の少なくとも被処理物に対向した壁
部に多数のガス噴出口を、被処理物の被処理面より広範
囲に分布するようにＭｌ！成したことにより、被処理物
の被処理面に供給される反応ガス量を均一なものにでき
るので、被処理物の中心部とその周辺部との表面処理量
を一定にすることができるという効果が得られる。
を設け、その導入管の少なくとも被処理物に対向した壁
部に多数のガス噴出口を、被処理物の被処理面より広範
囲に分布するようにＭｌ！成したことにより、被処理物
の被処理面に供給される反応ガス量を均一なものにでき
るので、被処理物の中心部とその周辺部との表面処理量
を一定にすることができるという効果が得られる。
以上、本発明者１／（よってなされた発明を実施例にも
とづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
とづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
たとえ−ば、ガス導入管は平板上に限らず、反応管の形
状に適したも゛のであればよい。また、ガス導入管に設
けられたガス噴出孔の個数は、ガス流れ方向に伴なって
異なるようにしてもよい。
状に適したも゛のであればよい。また、ガス導入管に設
けられたガス噴出孔の個数は、ガス流れ方向に伴なって
異なるようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発ｑ
（ｒ−その背景となった利用分野であるＣＶＤＨを形成
する技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、たとえばメタル、メタルミリサ
イドを形成する場合に利用でき、さらに、半導体以外の
物の表面に膜形成する技術にも適用できる。
（ｒ−その背景となった利用分野であるＣＶＤＨを形成
する技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、たとえばメタル、メタルミリサ
イドを形成する場合に利用でき、さらに、半導体以外の
物の表面に膜形成する技術にも適用できる。
第１図は表面処理装置の断面図、
第２図は本発明の一実施例である表面処理袋イ庁の長手
方向断面図、 第３図は本発明の一実施例である表面処理装置の短手方
向断面図。 ■・・・反応管、２・・・ウェハ、３・・・ウエノ・載
置台、４．７・・・ガス樽入管、５・・・反応カス排出
口１．６・・・ヒータ、８・・・ガス噴出孔。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
方向断面図、 第３図は本発明の一実施例である表面処理装置の短手方
向断面図。 ■・・・反応管、２・・・ウェハ、３・・・ウエノ・載
置台、４．７・・・ガス樽入管、５・・・反応カス排出
口１．６・・・ヒータ、８・・・ガス噴出孔。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料に膜を形成する反応管と、前記反応管に収納さ
れてなるものであって、前記反応管に反応ガスを供給す
るガス導入管と、反応ガスを排出する反応ガス排出口を
有する膜形成装置において、前記ガス導入管が反応管の
長手方向Ｋ 延在して配設し、そのガス導入管に多数の
ガス噴出孔を設けてなる膜形成装置。 ２ ガス噴出孔が試料に対して設けられ、かつ前記のガ
ス噴出孔の設ける範囲を、試料の面揖より広範囲に形成
したことを特徴とする特許囲第１項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16818883A JPS6063368A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16818883A JPS6063368A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063368A true JPS6063368A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15863410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16818883A Pending JPS6063368A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276529U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
| CN110527987A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP16818883A patent/JPS6063368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276529U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
| CN110527987A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
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