JPS6063919A - 表面処理装置 - Google Patents

表面処理装置

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Publication number
JPS6063919A
JPS6063919A JP58172798A JP17279883A JPS6063919A JP S6063919 A JPS6063919 A JP S6063919A JP 58172798 A JP58172798 A JP 58172798A JP 17279883 A JP17279883 A JP 17279883A JP S6063919 A JPS6063919 A JP S6063919A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
discharge
electrode
plasma
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58172798A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hiraga
隆 平賀
Atsushi Sekiguchi
敦 関口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Anelva Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp, Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Priority to JP58172798A priority Critical patent/JPS6063919A/ja
Publication of JPS6063919A publication Critical patent/JPS6063919A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32596—Hollow cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は所定の気体を放電によシ分解・活性化し、基板
表面で薄膜の作成９食刻、清浄化１表面改質などの固体
表面処理を行う気体放電装置の改良に関する。
以下図を用いて説明する。
第１図は、同筒状基板に膜堆積２食刻、清浄化。
表面改質などの処理（以下では膜堆積で代表させる）に
用いられる従来の装置の概念図である。被処理基板１は
接地されて真空容器８に電気的に接続されておシ、その
外側に円筒状の高電圧印加電極２が配置されている。反
応気体導入系３によシ所定の気体を導入し、排気系４に
より排気して。
反応室内を所定の圧力に設定する。
被処理基板１は７を加熱電源とする加熱用ヒーター５に
よシ加熱される。電極１，２に電源６よ、９ＤＣ，ＡＣ
又はＲＦの高電圧を印加すると両電極間に放電が発生し
、導入気体が分解され活性化して基板１上に堆積する。
この際、基板１は電極の一方であるため、その表面に対
して荷電粒子の激しい流入・出があシ、基板はこれによ
って衝撃損傷を受ける。この衝撃損傷を低減するには投
入電力殊に電圧を小さくすればよいのであるが、成膜速
度を大きくするには、投入電力を太きくしなければなら
ない。損傷と成膜速度とは互に相矛盾する関係にある。
また、均一な膜質、膜厚を得るためには、基板１を回転
又は往復動させる必要がちシ、基板への電力印加、基板
の温度測定等を困難にし、装置を徒らに複雑高価にして
いた。
本発明は、この問題の解決を目的とする。即ち。
無損傷の表面処理を高速に行なう装置の提供を目的とす
る。
本発明はまた。被処理物が導電体、絶縁物の何れの場合
でも、更にまた基板が如何なる形状であろうとも、これ
に均一で高品質の表面処理を行うことのできる新規の装
置の提供を目的とする。
第２図は本発明の実施例の前者同様の図である。
図中同符号は同部材を示す。第２図が第１図と異なる点
は円筒状基板１ａが電極の一方ではなくなυ、絶縁物１
０を介して容器８に固定されξこと＼、容器８に接続す
る円筒状電極８０が設けられて、ヒーター５がその周囲
に巻かれたことである。
このため装置は典型的な中空陰極放電型装置となってい
る。新設された浮遊電位遮蔽板２９は、電次 極２の上端部と容器８の上側内面の間に枚電の発生する
のを抑止し、放電を均一にする働きをする。
基板１ａの電位は放電プラズマの中に浮遊するようにな
っている。斯くするときは、基板集の電位は周辺のプラ
ズマの電位に追随した電位をとるため、プラズマ中の荷
電粒子の加速はなくなシ、衝撃損傷は大いに軽減する。
また、基板１ａの周辺に電位の影ないし障壁を生じない
ため基板の回転。
往復動なしでも任意形状の導体、絶縁体の基板１ａに対
しその全周辺に一様な表面処理を行うという効果を生ず
る。即ち前述した問題は一挙に解決される。第４図には
本装置で基板ｌａ上に作成した水素化アモルファスシリ
コン膜の赤外吸収スペクトルを示す。基板温度は２５０
℃、ガスにはシラン、ジシランを用いている。Ｓ　ｉＨ
２結合の少い良質の水素化アモルファスシリコン膜Ｖ得
られることがわかる。なおこの膜の膜厚の分布は充分に
均一で絶縁抵抗は高くその空間的なバラツキも従来に比
し極めて小さいものであった。従来の装置と較べると約
３倍の電力印加によって１０倍以上の成膜速度を得てい
る。なお、真空容器８の外側に磁場発生用コイル３０を
設置することでプラズマ密度を一層上げることができる
。
第３図には本発明の他の実施例を示す０薄円板数 状の基板１ｂ、ｌｃ、ｌｄ・・・・・・は復路の絶縁性
の支持柱９ａ、９ｂ、・・・・・・の凹溝１１を利用し
て適宜の間隔１２をもって積み上げられておシ９反応ガ
ス及びプラズマはこの間隔１２内に自由に出、入シでき
るようになっている。接地電極苧Ｏの外側に加熱用ヒー
ター５が配置される。このようにすると同筒８０内の温
度分布はほぼ均一となる。円筒状電極２と真空容器８０
間に高電圧を印加すると。
中空陰極放電が円筒状電極２の内部空間に発生し。
放電分解されたプラズマによって基板１ｂ、ｌｃ。
・・・・・・が表面処理される。間隔１２の大きさを適
当にするとき表面処理は基板の両面において同時に。
かつ均一に進行する。この場合の基板１ｂ、ｌｃ。
・・・・・・も導電体、絶縁物の何れでもよい。
なお、上記は実施例として円筒状電極の場合をか＼げた
が、平行平板状電極の場合も本発明は有効に実施できる
。
本発明の装置は以上の通シであって、被処理基板を放電
プラズマの中に浮遊電位の状態に置くことをその特徴と
するものである。これによって基板の衝撃損傷は大巾に
軽減し高品質の処理を行なうことができる。被処理基板
が凹凸の複雑な形状の場合も表面の処理の均一性が高（
、ｔＡ３図の実施例のように小容績の装置の中に従来よ
りもはるかに多量の基板を投入することができる。しか
も高電力による高速処理が可能である。
本発明の装置が半導体製造等の工業に寄与するところは
大きく、極めて有用な発明ということができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来の円筒基板成膜装置であシ、第２図はこれ
を改良した本発明の円筒基板成膜装置。 第３図は９円筒基板以外の成膜１表面処理に用いる装置
である。第４図は第２図の装置で１Ｕられた水素化アル
モファスシリコン膜の赤外吸収スペクトルの図。 １、ｌａ、ｌｂ、ｌｃ、・・・基板　２・・・高電圧印
加電極　３・・・反応気体導入系　４・・・排気装置　
５・・・基板加熱ヒーター　６・・・電極７・・・加熱
電源　８・・・真空容器　８ｏ・・・８に接続される電
極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）所定の気体を放電にょ勺分離・活性化し、基板表
    面に所定の処理を施す装置であって、該基板を該放電で
    生ずるプラズマ空間内に、基板電位を浮遊せしめて置い
    たことを特徴とする表面処理装置。
  2. （２）該装置が中空陰極放電型装置である第１項記載の
    表面処理装置。
JP58172798A 1983-09-17 1983-09-17 表面処理装置 Pending JPS6063919A (ja)

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JP58172798A JPS6063919A (ja) 1983-09-17 1983-09-17 表面処理装置

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JPS6063919A true JPS6063919A (ja) 1985-04-12

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0247030U (ja) * 1988-09-26 1990-03-30
US5336326A (en) * 1990-09-14 1994-08-09 Balzers Aktiengesellschaft Method of and apparatus for a direct voltage arc discharge enhanced reactive treatment of objects
US5580384A (en) * 1989-09-22 1996-12-03 Balzers Aktiengesellschaft Method and apparatus for chemical coating on opposite surfaces of workpieces

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0247030U (ja) * 1988-09-26 1990-03-30
US5580384A (en) * 1989-09-22 1996-12-03 Balzers Aktiengesellschaft Method and apparatus for chemical coating on opposite surfaces of workpieces
US5336326A (en) * 1990-09-14 1994-08-09 Balzers Aktiengesellschaft Method of and apparatus for a direct voltage arc discharge enhanced reactive treatment of objects

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