JPS6064401A - 白金薄膜測温抵抗体 - Google Patents
白金薄膜測温抵抗体Info
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- JPS6064401A JPS6064401A JP58172161A JP17216183A JPS6064401A JP S6064401 A JPS6064401 A JP S6064401A JP 58172161 A JP58172161 A JP 58172161A JP 17216183 A JP17216183 A JP 17216183A JP S6064401 A JPS6064401 A JP S6064401A
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- platinum thin
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
安定な白金薄膜測温抵抗体を製作するためにをま、その
製作及び使用課程で、熱エージング、トリミング、ヒー
)4J“イクル等力1あるため、基体に次のような条件
が要求される。
製作及び使用課程で、熱エージング、トリミング、ヒー
)4J“イクル等力1あるため、基体に次のような条件
が要求される。
(1)白金と膨張係数が近い材料であること。
11i611%係数に大きな差があるときは、ヒートサ
イクルを力Uえると白金膜が剥離する。
イクルを力Uえると白金膜が剥離する。
材質と膨張係数
M、 P、 線膨張係数
pll、771℃ 8.9 X 10−’Affixe
s (アルミナ) 2.oso s、ox1o=(2o
〜1,500℃)Sin、 (石英) 1,710 5
X107’(20〜1,000℃)3八Q、OI・2
SiO+(ムライト) 1.830 4.5X 10当
20〜1,300°C)(2)熱容量が小さく熱伝導率
の良好な材料であること。
s (アルミナ) 2.oso s、ox1o=(2o
〜1,500℃)Sin、 (石英) 1,710 5
X107’(20〜1,000℃)3八Q、OI・2
SiO+(ムライト) 1.830 4.5X 10当
20〜1,300°C)(2)熱容量が小さく熱伝導率
の良好な材料であること。
応答速度を早くするためには、熱容量が小さく(センサ
ーも小型にする)熱伝導率の良好な物質が好ましい。
ーも小型にする)熱伝導率の良好な物質が好ましい。
その点でBeOが最も優れて(?るが毒性があるので問
題がある。
題がある。
材質と熱伝導率(Ca l ’/ cm、sec、℃)
1100℃ 200℃、300℃ 400℃ 500
℃13eOO,550,450300,280,25A
utos O,150,100,080,070,05
840s O,0040,0040,004s O,0
0440,0045(3) 電気絶縁性の良好な材料で
あること。
1100℃ 200℃、300℃ 400℃ 500
℃13eOO,550,450300,280,25A
utos O,150,100,080,070,05
840s O,0040,0040,004s O,0
0440,0045(3) 電気絶縁性の良好な材料で
あること。
(4)表面が平滑で割れ目その他年連続性の生じない材
料であること。
料であること。
白金薄膜の場合、スパック−法(棒状のときは回転式ス
パック−法)、メッキ法(無電解)化学熱分解法等によ
って製作するが。
パック−法)、メッキ法(無電解)化学熱分解法等によ
って製作するが。
表面の凹凸は膜厚のムラ及び不連続膜をつくる原因にな
る。
る。
アルミナ系磁器を使用する場合は十分にラッピングをし
て平滑面にして使用するのであるが、熱エージング、ま
たは、ヒートサイクル中にAム03結晶が動き、結晶間
の傷裂の間に白金%17重粒子が落込み不安定要素をつ
くる。
て平滑面にして使用するのであるが、熱エージング、ま
たは、ヒートサイクル中にAム03結晶が動き、結晶間
の傷裂の間に白金%17重粒子が落込み不安定要素をつ
くる。
透明石英板とアルミナ系磁器板(10し]伽m)上に同
一条件で白金ラスパラターし、ある程度の熱エージング
を加えた後、連続膜の良否を判定する意味で、温度係数
を比較しぞみた。
一条件で白金ラスパラターし、ある程度の熱エージング
を加えた後、連続膜の良否を判定する意味で、温度係数
を比較しぞみた。
420〜470人 3,600〜3.660PPM 2
,700〜2.1300 PPM750〜850 3.
700〜3,760 3.000〜3400900〜1
,000 3,800〜34M0 3,200〜3.3
001.200〜1,300 3.850〜3.870
3.500〜3.560表面状態の差が明確にでてい
ることが解る。また表面の光沢に大きな差が認められる
。
,700〜2.1300 PPM750〜850 3.
700〜3,760 3.000〜3400900〜1
,000 3,800〜34M0 3,200〜3.3
001.200〜1,300 3.850〜3.870
3.500〜3.560表面状態の差が明確にでてい
ることが解る。また表面の光沢に大きな差が認められる
。
また10φX3.2mmのムライト系磁器棒に回転スパ
ッター法によって400〜500℃で白金を約1,00
0λの膜厚になるようにつけ、熱ニーソングによって温
度係数の変化して行く様子を測定してみた。
ッター法によって400〜500℃で白金を約1,00
0λの膜厚になるようにつけ、熱ニーソングによって温
度係数の変化して行く様子を測定してみた。
5putter直後 2,900〜3.300PPM1
.000℃X20Sec 3,200〜3,3001.
000℃X25 3,400〜3,4601.000℃
X 30 3,500〜3,5501.000℃X40
3./100〜3./1701.000℃×503,
200〜3,400 (バラツキが多(なる)以上の実
験結果からも解るように、透明石英上では剥離の問題を
別にすれば、完全に平滑な面であるため、白金膜が連続
膜を1114成し易い。また10φX 3.2mmの磁
器棒では、ある程度の熱エージング条件で白金膜がある
程度連続性ができ、それ以上の条件になるとノ、(体の
結晶が動いて逆に白金膜に偽装を生ぜしめるためと思わ
れる。
.000℃X20Sec 3,200〜3,3001.
000℃X25 3,400〜3,4601.000℃
X 30 3,500〜3,5501.000℃X40
3./100〜3./1701.000℃×503,
200〜3,400 (バラツキが多(なる)以上の実
験結果からも解るように、透明石英上では剥離の問題を
別にすれば、完全に平滑な面であるため、白金膜が連続
膜を1114成し易い。また10φX 3.2mmの磁
器棒では、ある程度の熱エージング条件で白金膜がある
程度連続性ができ、それ以上の条件になるとノ、(体の
結晶が動いて逆に白金膜に偽装を生ぜしめるためと思わ
れる。
白金膜の変化は電子顕微鏡写真でも、膜抵抗のノイズを
測定することによっても確認できた。
測定することによっても確認できた。
白金の温度係数は勿論白金の純度によって支配されるが
(11本JIS規格3,916PPM :外国3.85
0 P PM )簿膜の場合は、膜の連続性に支配され
ていると思われる。
(11本JIS規格3,916PPM :外国3.85
0 P PM )簿膜の場合は、膜の連続性に支配され
ていると思われる。
PL、バルク 3,916PPM
pt薄膜 5%欠陥 3,721 PPM10% 3.
525 ))PM 20% 3,124 PL’M U、’S、A、のロナルド・ゾール・バクスター氏は白
金薄膜について1μm以上になるとバルクと同一の温度
係数を示し、026μmでは3.700−3,750
PPMであり、0.1 μm(1,000人)以上ない
と安定な膜にならないと発表しているが、基体の特性に
ついては明記していない。
525 ))PM 20% 3,124 PL’M U、’S、A、のロナルド・ゾール・バクスター氏は白
金薄膜について1μm以上になるとバルクと同一の温度
係数を示し、026μmでは3.700−3,750
PPMであり、0.1 μm(1,000人)以上ない
と安定な膜にならないと発表しているが、基体の特性に
ついては明記していない。
測温抵抗体として白金薄膜を使用する場合、抵抗値が大
きい程。
きい程。
リード線が2本で使用できたり、ΔR/Δ′1゛が大き
くとれ−C精度が1かり何かと使用上便利である。
くとれ−C精度が1かり何かと使用上便利である。
従って、基体の良好なものを選定し、できるだけ薄い1
模で安定なものを製作することが課題である。
模で安定なものを製作することが課題である。
基体を棒状にして、均一なPI膜が形成されたと仮定し
て、その膜厚と初期抵抗値、トリミングによって製作で
きる抵抗値を算出すると次のような値になる。
て、その膜厚と初期抵抗値、トリミングによって製作で
きる抵抗値を算出すると次のような値になる。
氾
(旦し、R−■τ・I )−102としてtt算した。
磁器寸法 500人 750人 1,000人 1,2
50人20φX 7mm 2,273Ω 1,515Ω
1,136Ω 0.909Ω25φ8 7mlN1.
8+9 1,212 C19090,72725φX
10mm 2,598 1,732 1.299 1.
039また。トリミング機械の倍率は。
50人20φX 7mm 2,273Ω 1,515Ω
1,136Ω 0.909Ω25φ8 7mlN1.
8+9 1,212 C19090,72725φX
10mm 2,598 1,732 1.299 1.
039また。トリミング機械の倍率は。
ダイヤモノドカノター レザーカッター2.0φ ×1
50〜200 X 1,500〜2.00025φ ×
300〜500 x 3,000〜3,500即ち20
φX7mmの素子で1,000人の膜厚で安定ならMa
x2にΩ、2.5φXl0mmなら3にΩの測温抵抗体
が容易に製作できることになる。
50〜200 X 1,500〜2.00025φ ×
300〜500 x 3,000〜3,500即ち20
φX7mmの素子で1,000人の膜厚で安定ならMa
x2にΩ、2.5φXl0mmなら3にΩの測温抵抗体
が容易に製作できることになる。
薄膜センサーの目的は、拐料の節約ばかりでなく、バル
クでは全く不可能な分野を開発することにある。
クでは全く不可能な分野を開発することにある。
以上のような目的と実験結果より、 7J−Qsの単結
晶に注目し。
晶に注目し。
使用口的に合ったAQ20+単結晶(サファイア)の処
理を行った。
理を行った。
実施例
サファイアを一定の1j法に切断したものを購入し、燐
酸または硫酸で表面処理して、できるだけ平泪な而をつ
くり、水洗、焼成処理をして使用する。機械的に研磨し
たのみでは、小さな凹凸があ1月、ooo Aの安定な
膜を製作するには適さない。
酸または硫酸で表面処理して、できるだけ平泪な而をつ
くり、水洗、焼成処理をして使用する。機械的に研磨し
たのみでは、小さな凹凸があ1月、ooo Aの安定な
膜を製作するには適さない。
回転スパック−装置で2.8 kWX 30〜35分間
のスパッターを行い。
のスパッターを行い。
600℃×2〜3時間の予備熱エージングを行った後+
11111反係数を整えるために1,000℃〜1,
100℃×20〜308cc、の連続式熱エージングを
tJう。
11111反係数を整えるために1,000℃〜1,
100℃×20〜308cc、の連続式熱エージングを
tJう。
20φX7mm 1,000ケの試験結果。
初期値 Ro R= 1,120036=18%1.1
00℃x 20 Sec処理 ’I’、C,H,3,8
70111’Mであった。
00℃x 20 Sec処理 ’I’、C,H,3,8
70111’Mであった。
斯くして、できたものをトリミ/グしRo 1,00F
lΩのものを製作しヒーI・サイクル、ノズル等の試験
を行った処、極めて安定であることが実証された。
lΩのものを製作しヒーI・サイクル、ノズル等の試験
を行った処、極めて安定であることが実証された。
これによって従来のアルミナ磁器等では不可能であった
1115度係数と、ヒートサイクル等に対する安定性が
得られるようになった。
1115度係数と、ヒートサイクル等に対する安定性が
得られるようになった。
膜厚の吟味と熱エージング条件を検討することによって
、薄膜でT、 C,Iセ、3.!116も解決できると
思われる。
、薄膜でT、 C,Iセ、3.!116も解決できると
思われる。
この解決によって従来の白金薄膜II+11温抵抗体(
i’、 C,R,が3.100〜3.400 PPM
、アルミナ磁器使用)では、不11丁能であった石油タ
ンクの温度計測管理2合成繊維の温度管理を始め、気体
熱伝導率を用いた砿山用本質安全型メタンガス警報器、
相7.1’ +!la Ii Ii l’ + 固体熱
伝導度式各秤ガスセンサーの安定なものを製作できるI
I丁脂性が濃厚となった。
i’、 C,R,が3.100〜3.400 PPM
、アルミナ磁器使用)では、不11丁能であった石油タ
ンクの温度計測管理2合成繊維の温度管理を始め、気体
熱伝導率を用いた砿山用本質安全型メタンガス警報器、
相7.1’ +!la Ii Ii l’ + 固体熱
伝導度式各秤ガスセンサーの安定なものを製作できるI
I丁脂性が濃厚となった。
第1図は従来のアルミナ系磁器と→」ファイアの表面状
態を比較した電子顕微鏡写真である。 第2図はTJ、S、A、のロナルド・ゾール・ハクスタ
ー氏の発表による白金薄膜の膜厚と温度係数に関する関
係を解り易く図示したものである。 第3図は本発明品で、Ro1、000Ωにトリミングし
−50℃〜150℃用にリード線、塗装処理を行った試
作品である。 I小分−の1生有 FII −TjJ r ’F、K 31;F 芭シc
j ←ノ(1の 、’?−−〜副つ#r )iJ、lh
下堤と1のとろ′フ盲T ;E−1−ろ 〜”7 /
a (j4.J K qプけ−q7$iJ’= 7tt
y3 ブ4、レイと31≧\二凌1;1−・′ヂj石つ
1目−昂つR,!−二・・ルY、?、〆、=qi 名1
!]qづ讐“つら?ζ7−肴、不−斐て゛〉μ。 (f3 ) li4 fii咽F 4LqL?= 7y
;1す’!、4’A & ”’パーソーファイr支山の
年々4の本H> 、、fJ、 6−救オ友U泊稈て−)
5.る、 ?−$*リ &、2 iiy (−A ソ @fjE−
T ’。
態を比較した電子顕微鏡写真である。 第2図はTJ、S、A、のロナルド・ゾール・ハクスタ
ー氏の発表による白金薄膜の膜厚と温度係数に関する関
係を解り易く図示したものである。 第3図は本発明品で、Ro1、000Ωにトリミングし
−50℃〜150℃用にリード線、塗装処理を行った試
作品である。 I小分−の1生有 FII −TjJ r ’F、K 31;F 芭シc
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下堤と1のとろ′フ盲T ;E−1−ろ 〜”7 /
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年々4の本H> 、、fJ、 6−救オ友U泊稈て−)
5.る、 ?−$*リ &、2 iiy (−A ソ @fjE−
T ’。
Claims (1)
- 温度サイクル等に安定で、密着度を向上させ、ト1ノミ
ング法によって広範囲な安定な抵抗値を得るためにアル
ミナ単結晶(サファイア)壺特殊な化学処理して基本と
して使用したことを特徴とした白金薄膜測温抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172161A JPS6064401A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172161A JPS6064401A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064401A true JPS6064401A (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=15936701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172161A Pending JPS6064401A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064401A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01500629A (ja) * | 1986-02-13 | 1989-03-01 | ロ−ズマウント インコ | 高温拡散隔壁を有する薄いフィルム状の白金抵抗温度計 |
| US6819217B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-11-16 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Temperature sensor |
| US8183974B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-05-22 | Heracus Sensor Technology GmbH | 1200° C. film resistor |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58172161A patent/JPS6064401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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