JPS6066879A - 光通信用半導体装置 - Google Patents
光通信用半導体装置Info
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- JPS6066879A JPS6066879A JP58176581A JP17658183A JPS6066879A JP S6066879 A JPS6066879 A JP S6066879A JP 58176581 A JP58176581 A JP 58176581A JP 17658183 A JP17658183 A JP 17658183A JP S6066879 A JPS6066879 A JP S6066879A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
このづマ゛明６：ｔ Ｓ光通イご用半導体装置に関する
。
。
〔発明のｊ．＋＜δ１、Ｊ的背邦とその問題点〕光逆信
で（コ、一♂″”１：に賞．気信郵を光信ぞに変換する
ＬＥＤ（グご，ｆｉ．ダイメード）をＬＩ）（レーザダ
イオード）の発光ノ、子を、又イ１：勤に光・１Ｈ号を
電気イ１）刊に変換するＰＤ（フォトダイオード）やＡ
ＰＤ（アバランジエ７第１・ダイオード）を［ｂき、両
Ｖ，ｉｊ：曲を光ファイバで結合（７て通イ言をイｊな
う。少：、ｍ６店ｉ＃ ＩＩ！Ｉで相互（・こ信駕のや
りとりをする縮合には Ｊｌ６１に発光テ９とダｙｌ÷
子を、又他端にも同様に発光素仔と受光素子を門き、両
・端部の発光ｆ不一受光素子及び受九せう子一発光紫子
間をそれぞね５１１′フアイバで結合する。
で（コ、一♂″”１：に賞．気信郵を光信ぞに変換する
ＬＥＤ（グご，ｆｉ．ダイメード）をＬＩ）（レーザダ
イオード）の発光ノ、子を、又イ１：勤に光・１Ｈ号を
電気イ１）刊に変換するＰＤ（フォトダイオード）やＡ
ＰＤ（アバランジエ７第１・ダイオード）を［ｂき、両
Ｖ，ｉｊ：曲を光ファイバで結合（７て通イ言をイｊな
う。少：、ｍ６店ｉ＃ ＩＩ！Ｉで相互（・こ信駕のや
りとりをする縮合には Ｊｌ６１に発光テ９とダｙｌ÷
子を、又他端にも同様に発光素仔と受光素子を門き、両
・端部の発光ｆ不一受光素子及び受九せう子一発光紫子
間をそれぞね５１１′フアイバで結合する。
これらラ゛（−辿イ１１に使用さノ１，る半ｄ一体装訃
゛とＵ７て、第１図に示すように発光辛子２及びそＪｌ
を駆動する１．ｉ ｑｊｌ．１回路をＩＣ什したナツプ
４をそれぞれリードフ１７−ム６に固定し７、ホンディ
ングワイヤ８で所定の結線をした後、透明なグラスチッ
クノ０でモールドした送信用の光半導体装ＩＫ１が知ら
力，ている。父、同様に受光零仔及びそのｌｌＸ力信号
を増幅再生するレシーバ回路ｉ− Ｉ Ｃ化したチ゛ン
フ″をり−１・゛フｉ／一ノ・に１−・１定Ｌ７、透１
（ノ＋７１Ｔフ゛ラスチツクでモールドした受信用の光
半導体装Ｖ１も知らノ１ている。
゛とＵ７て、第１図に示すように発光辛子２及びそＪｌ
を駆動する１．ｉ ｑｊｌ．１回路をＩＣ什したナツプ
４をそれぞれリードフ１７−ム６に固定し７、ホンディ
ングワイヤ８で所定の結線をした後、透明なグラスチッ
クノ０でモールドした送信用の光半導体装ＩＫ１が知ら
力，ている。父、同様に受光零仔及びそのｌｌＸ力信号
を増幅再生するレシーバ回路ｉ− Ｉ Ｃ化したチ゛ン
フ″をり−１・゛フｉ／一ノ・に１−・１定Ｌ７、透１
（ノ＋７１Ｔフ゛ラスチツクでモールドした受信用の光
半導体装Ｖ１も知らノ１ている。
上述の光半導体装芥を用いて２つの鼎１間で相互に通信
を行なうための双方向モジュールは、例えば第２図及び
第３図に示さ力るように、送化゛用及び受信Ｊ−０のｙ
ｔコネクタが「；合する四部１２、１４を仏えた光不兄
シＩ′ＩグラスチックＥ −ルドｌ６内に、送イに用半
導体装ｆｆ？； １ ８及び勺信用半導体装昭２０を接
着剤２２で１・１定（２てなっている。この双ブＪ向モ
シニノー−ル（、才、】欠（Ａ１’ ｆｉｌ） ト’１
信部が同一のプラスチックセール）’ ７ ６ 内［パ
ッケージきノ１、ているのでＩＲ Ｊｌい易く、又、光
ファイバが２本並設されたプラグを用いることによりモ
ジュールとプラグの接続が汎即に行なえるというオリ点
を有している。
を行なうための双方向モジュールは、例えば第２図及び
第３図に示さ力るように、送化゛用及び受信Ｊ−０のｙ
ｔコネクタが「；合する四部１２、１４を仏えた光不兄
シＩ′ＩグラスチックＥ −ルドｌ６内に、送イに用半
導体装ｆｆ？； １ ８及び勺信用半導体装昭２０を接
着剤２２で１・１定（２てなっている。この双ブＪ向モ
シニノー−ル（、才、】欠（Ａ１’ ｆｉｌ） ト’１
信部が同一のプラスチックセール）’ ７ ６ 内［パ
ッケージきノ１、ているのでＩＲ Ｊｌい易く、又、光
ファイバが２本並設されたプラグを用いることによりモ
ジュールとプラグの接続が汎即に行なえるというオリ点
を有している。
しかしながら、上述の双方向モジュールで（、１１次の
欠点がある。
欠点がある。
■ 光受侶用半導体装置は数百ｎＡという受光素子から
の微弱な信乞を１４１にうたλイ）、外部雑音の影響を
受け易く、特に送信相半ラ♂１体装置Ｆ”では発光素子
で数十ｒｎ Ａという大電涼ζ・扱うため、この篭ｖｉ
Ｌのスイッチングに起因する雑務が発生し、送信用半鴎
体Ｎ＝’＜ ｉ＝と近接装置さカる受侶用竿４Ｆｊ体峠
５・１へ飛び込み、受信／ＴｅｌＴｅｌ半体７．体装置
動作式 ゼ ン）。
の微弱な信乞を１４１にうたλイ）、外部雑音の影響を
受け易く、特に送信相半ラ♂１体装置Ｆ”では発光素子
で数十ｒｎ Ａという大電涼ζ・扱うため、この篭ｖｉ
Ｌのスイッチングに起因する雑務が発生し、送信用半鴎
体Ｎ＝’＜ ｉ＝と近接装置さカる受侶用竿４Ｆｊ体峠
５・１へ飛び込み、受信／ＴｅｌＴｅｌ半体７．体装置
動作式 ゼ ン）。
■ 省ｐ４ｒ， ｚ，ｑ体を°口り′は、透明プラスチ
ックによりモール１−ゐｉｌ−ていＺ７ので、侶箔ｉ
ｉ’＝ｉ：特に耐湿性が耐，いｃ，（夕：えば、ブレラ
シャフンカブスト（１２１’０ ％ ２ ａｊｎｌ ）
では数萌１ｆｌで故１ｉ？５ して［、虞う。
ックによりモール１−ゐｉｌ−ていＺ７ので、侶箔ｉ
ｉ’＝ｉ：特に耐湿性が耐，いｃ，（夕：えば、ブレラ
シャフンカブスト（１２１’０ ％ ２ ａｊｎｌ ）
では数萌１ｆｌで故１ｉ？５ して［、虞う。
Ｃ（） シ・ｒ、７つ′イバと発ラ°Ｃ素子、受Ｘ夛士
子とは効率よ〈ブ（、Ｉ：１合きせるために、光軸７５
ｌＡ＆に一致している必豊かあるが、発ツＬ素子、受光
素子はリードｉｉ．１．ｊ上にマウントσｊ１でいるた
め、リードフ１／ − Ａのそりや徐少な変形により光
Ｑ：Ｉずｉｉを起し易い。更に光年？’ｉ ３１φプラ
スチツクモールトｌ６内に送信用半導体装置及び受イご
用半導体装置をそれぞれ個別に固定しているので、ｊ（
ｌファイバが２木並設−ｐ ｉｔたプラグとのＴｌ泡゛
、公差により光軸ずれが起り易い。
子とは効率よ〈ブ（、Ｉ：１合きせるために、光軸７５
ｌＡ＆に一致している必豊かあるが、発ツＬ素子、受光
素子はリードｉｉ．１．ｊ上にマウントσｊ１でいるた
め、リードフ１／ − Ａのそりや徐少な変形により光
Ｑ：Ｉずｉｉを起し易い。更に光年？’ｉ ３１φプラ
スチツクモールトｌ６内に送信用半導体装置及び受イご
用半導体装置をそれぞれ個別に固定しているので、ｊ（
ｌファイバが２木並設−ｐ ｉｔたプラグとのＴｌ泡゛
、公差により光軸ずれが起り易い。
〔発明の目的］
この発明の目的は、上述の問題点を解；′１″！Ｊする
ものであり、特に卆ｒ音による誤動作４防止するように
工夫さ力，た光通信用半樽体装呂を４２倶することであ
る。
ものであり、特に卆ｒ音による誤動作４防止するように
工夫さ力，た光通信用半樽体装呂を４２倶することであ
る。
この発明は、第１の開孔〆１（と８１ル２の開孔１′！
ンを有する第１のセラミック基イルと、この第１ （ｒ
＞・ピラミック部枦のｙ１而に固着式れた第２グ）セラ
ミック基板と、上記第１の開孔部に対比、した上記第２
のセラミック基板上に固定された発光素子と、上記：第
２の開孔＋”ｉＳ＋．て対し１τ’． Ｌ．、 ｙこ−
［；バ〔：第２のセラミック基板−ヒに固ζ１でされた
受光素子と、上記第１のセラミックス！．オ，・・７の
表面に気密的に制光さｈ上記発光素子及び受光メ８子と
対向するｉ；！ｊ ／Ｊｉに透孔宕を有する金蔵ν″ｊ
ジェルと、上記第１及び第２の開孔部の少なくとも一方
の内面に形成された第１のシールド用４電層と、上記第
２のセラミック基板の表ｎＩｊ上の大部分を鉛うように
形成をれた第２のシールド用溝Ｎ層と、上記第２のセラ
ミック基板のに二面上の大部分を杖うよう（ｉ二形成心
）１．た概３のシールド用また電Ｊｅ）□ｊとカ・らな
る光山二ノ信用牛治、イ（−装色′Ｓである。
ンを有する第１のセラミック基イルと、この第１ （ｒ
＞・ピラミック部枦のｙ１而に固着式れた第２グ）セラ
ミック基板と、上記第１の開孔部に対比、した上記第２
のセラミック基板上に固定された発光素子と、上記：第
２の開孔＋”ｉＳ＋．て対し１τ’． Ｌ．、 ｙこ−
［；バ〔：第２のセラミック基板−ヒに固ζ１でされた
受光素子と、上記第１のセラミックス！．オ，・・７の
表面に気密的に制光さｈ上記発光素子及び受光メ８子と
対向するｉ；！ｊ ／Ｊｉに透孔宕を有する金蔵ν″ｊ
ジェルと、上記第１及び第２の開孔部の少なくとも一方
の内面に形成された第１のシールド用４電層と、上記第
２のセラミック基板の表ｎＩｊ上の大部分を鉛うように
形成をれた第２のシールド用溝Ｎ層と、上記第２のセラ
ミック基板のに二面上の大部分を杖うよう（ｉ二形成心
）１．た概３のシールド用また電Ｊｅ）□ｊとカ・らな
る光山二ノ信用牛治、イ（−装色′Ｓである。
〔発明の天が１１を１〕
この光り」の９゛Ｃ４Ｃ４帆化渚休装訂は第４図に示す
ように４１；； 、ｌＪ（：芒わ、第１のセラミック基
板３）には第１の開孔７：Ｂ 、？ ；？と第２の開孔
部３４が穿だ几でいる。この両開孔Ｔ１１ζ３．？、、
？４のうち少４［くとも一方１シリえば第２の開孔部３
４の内面にはａ器、１のシールド′用冶′ガ層、７８が
形１．ニー！ζわている。又、」二Ｈ己第１のセラミッ
ク基、１（反３〕の裏１７ｔｉにｉｌな、２のセラミッ
クマド；叛３２が固ス゛ｆされている。このハ２のセラ
ミック基ｑ；ｖ 、９２上のうち上記第１の開孔部３３
に′ｙ’ｊ １６ Ｌ ２こ勺り゛ジには発光素子５２
が固定ζノ１、上記第２の開孔７７（≦３４に対応した
位１６には受デ素子３０がＰ、）定嘔ｆ″１２ている。
ように４１；； 、ｌＪ（：芒わ、第１のセラミック基
板３）には第１の開孔７：Ｂ 、？ ；？と第２の開孔
部３４が穿だ几でいる。この両開孔Ｔ１１ζ３．？、、
？４のうち少４［くとも一方１シリえば第２の開孔部３
４の内面にはａ器、１のシールド′用冶′ガ層、７８が
形１．ニー！ζわている。又、」二Ｈ己第１のセラミッ
ク基、１（反３〕の裏１７ｔｉにｉｌな、２のセラミッ
クマド；叛３２が固ス゛ｆされている。このハ２のセラ
ミック基ｑ；ｖ 、９２上のうち上記第１の開孔部３３
に′ｙ’ｊ １６ Ｌ ２こ勺り゛ジには発光素子５２
が固定ζノ１、上記第２の開孔７７（≦３４に対応した
位１６には受デ素子３０がＰ、）定嘔ｆ″１２ている。
そして、卯、２のセラミック基板３２の表面には、その
大部分を覆うように第２のシールド用導電層３９が形成
され、裏面にはその大部分を覆うように第３のシールド
用縛、電層４０が形成これている。更に上記第１のセラ
ミツクツｉ・１板３１の表面には、上記発光素子５２及
び」二紀伎・光紫子３０と対向する１にＩＰｊ）］にそ
ｔしぞノ］、汐？男、２３６９３７を有する金属製シェ
ル３５の周辺部が気密的に直接鑞付けにより刺着されて
いる。
大部分を覆うように第２のシールド用導電層３９が形成
され、裏面にはその大部分を覆うように第３のシールド
用縛、電層４０が形成これている。更に上記第１のセラ
ミツクツｉ・１板３１の表面には、上記発光素子５２及
び」二紀伎・光紫子３０と対向する１にＩＰｊ）］にそ
ｔしぞノ］、汐？男、２３６９３７を有する金属製シェ
ル３５の周辺部が気密的に直接鑞付けにより刺着されて
いる。
さて動作時には、発光素子５２から発ブＣした光は第１
の透光窓３６を通って外部に出射さり］、出射した光は
光ファイバによって伝ｉ７： 孕；Ｍ−る。
の透光窓３６を通って外部に出射さり］、出射した光は
光ファイバによって伝ｉ７： 孕；Ｍ−る。
一方、別の光ファイバによって伝ｊｙ−さ力でベフを光
は、第２の透光窓、？７７））ら入射Ｕ５て受光素子３
０に入り、電流に変換される。
は、第２の透光窓、？７７））ら入射Ｕ５て受光素子３
０に入り、電流に変換される。
この発明によねば、受光素子３０は夷電ｊ仲によりシー
ルドサネでいるので、数百ｒ−＋ 、Ａという微弱な充
電流を扱うテ；受信部（７を比穀的太算・流を高速でス
イツＴングシ１、雑音を発生する介送信部に隣接して設
けられていても、雑音による８１′（動作を起こす問題
がなくなった。又、夕ｔ、 ａ器は、セラミック、金属
、カラスを用いた気密シール悄造となっているため、耐
高低温％性、耐湿性はプラスチックでモールドされた従
来例のものに比べ格段に向上した。例えばプレッシャフ
ッカテスト５０時曲経鍋後も伺め異状も認められなかっ
た。更に、この発明によれば、５’ｅ；送受信Ｔ；［１
が１つのセラミックＺ ’□？）、？ ２上に段けられ
ているため、光送信器とうＹ、受信器を個別に用いるも
のに比べ、光ファイバとの軸ズレを少なくすることがで
きた０− 〔他の実施例〕 第５図乃至第１０図は、この発明の（ｊｉｊの実か籠セ
１１を示１．たもので、上記実施例と同様効果が得られ
る。
ルドサネでいるので、数百ｒ−＋ 、Ａという微弱な充
電流を扱うテ；受信部（７を比穀的太算・流を高速でス
イツＴングシ１、雑音を発生する介送信部に隣接して設
けられていても、雑音による８１′（動作を起こす問題
がなくなった。又、夕ｔ、 ａ器は、セラミック、金属
、カラスを用いた気密シール悄造となっているため、耐
高低温％性、耐湿性はプラスチックでモールドされた従
来例のものに比べ格段に向上した。例えばプレッシャフ
ッカテスト５０時曲経鍋後も伺め異状も認められなかっ
た。更に、この発明によれば、５’ｅ；送受信Ｔ；［１
が１つのセラミックＺ ’□？）、？ ２上に段けられ
ているため、光送信器とうＹ、受信器を個別に用いるも
のに比べ、光ファイバとの軸ズレを少なくすることがで
きた０− 〔他の実施例〕 第５図乃至第１０図は、この発明の（ｊｉｊの実か籠セ
１１を示１．たもので、上記実施例と同様効果が得られ
る。
先ず８ｒ１．５図は、第１のセラミック卑゛Ａル３１上
の周トＣ５にウェルドリンク４１ｆ卸付け［７、このウ
ェルドリング４１にシェル３５を溶接したものである。
の周トＣ５にウェルドリンク４１ｆ卸付け［７、このウ
ェルドリング４１にシェル３５を溶接したものである。
次に第６図は、第５図における先送イ言部と光受信部の
中間のシェル３５と第１のセラミック基板３）の隙間に
、光送信部側からの光が光受信部側に入らないようにす
るための光不透過物体４２を固定し−た例である。
中間のシェル３５と第１のセラミック基板３）の隙間に
、光送信部側からの光が光受信部側に入らないようにす
るための光不透過物体４２を固定し−た例である。
次に卯７図は、受光素子３０かｒつ出力σｔ］る電流を
増幅するための受信用ｔ＋二に：１回踪■パ子１３がへ
す２の開孔部３４中に［・！１定σｉ］たものてイ・・
る０ご（に彫８図は、第７図における）イニ送（ｉ部（
ｉｉｉにも、発光金子２を駆動するだめのＪ、１ム月ロ
１ユ槓回路素子４４が￥Ｊの［５：４孔部３３中にＩＩ
・ｌ宇′Ｃ王オ］、史に第２の一１ニラミ′ンク弐Ｙフ
ル３２シ’＜ ｊ？ｉに設けられた配線を右・うための
第３のセラミツクツ１（叛４５を固着させた例である。
増幅するための受信用ｔ＋二に：１回踪■パ子１３がへ
す２の開孔部３４中に［・！１定σｉ］たものてイ・・
る０ご（に彫８図は、第７図における）イニ送（ｉ部（
ｉｉｉにも、発光金子２を駆動するだめのＪ、１ム月ロ
１ユ槓回路素子４４が￥Ｊの［５：４孔部３３中にＩＩ
・ｌ宇′Ｃ王オ］、史に第２の一１ニラミ′ンク弐Ｙフ
ル３２シ’＜ ｊ？ｉに設けられた配線を右・うための
第３のセラミツクツ１（叛４５を固着させた例である。
次に第９図は、第１のセラミック４．１板３）に穿たわ
たハ′３の開１ｉ−潴（４フイリイ１し、その（ｌｉｌ
ｉ而ｉｔ面４の甥ハ用導電層４Ｇで七・、わ〕）てい・
て、ぐσ）中に５；′／、−Ｓ用集積回路素子４３でｂ
１定びＺｌてシ′）るイ’ｙｌで多・ろ。上記第７図及
び−７８図の１し・・ｌで（ハ少′光素子３０と受信用
集相回路妬子４３か同−Ｎ孔部中に固定ζわているが、
Ｊ）３うイ１．チのスピードが早くなると、受信用り、
λ、（回路素子４３からの電磁ノイズが受光素子３０の
表面を通して帰還（７、誤動作し７たり、蜀、振したり
することがｐ）るカベ第９図のような肖造にすることに
Ｊニリ、受光素子３０と受信用共！；’ｒ回路累子４
、？ ｌ＋４ｊも辿ｌＩしてきるために、更に安定（７
だ動作が可能となるＯ 最後に第１０図は、シェルが第１の透光將５０を翁する
第１のシェル４８と第２の淡、光詩５）そ有する第２の
シェル４９とから牛１η成ζねた例である。
たハ′３の開１ｉ−潴（４フイリイ１し、その（ｌｉｌ
ｉ而ｉｔ面４の甥ハ用導電層４Ｇで七・、わ〕）てい・
て、ぐσ）中に５；′／、−Ｓ用集積回路素子４３でｂ
１定びＺｌてシ′）るイ’ｙｌで多・ろ。上記第７図及
び−７８図の１し・・ｌで（ハ少′光素子３０と受信用
集相回路妬子４３か同−Ｎ孔部中に固定ζわているが、
Ｊ）３うイ１．チのスピードが早くなると、受信用り、
λ、（回路素子４３からの電磁ノイズが受光素子３０の
表面を通して帰還（７、誤動作し７たり、蜀、振したり
することがｐ）るカベ第９図のような肖造にすることに
Ｊニリ、受光素子３０と受信用共！；’ｒ回路累子４
、？ ｌ＋４ｊも辿ｌＩしてきるために、更に安定（７
だ動作が可能となるＯ 最後に第１０図は、シェルが第１の透光將５０を翁する
第１のシェル４８と第２の淡、光詩５）そ有する第２の
シェル４９とから牛１η成ζねた例である。
＋１． ＩＭ！ １７ｒ−ｊのｆ；ｉ’、ｉ 、ｉＰ、
ｆｉ Ｆｆｆｉ ＦＦＪ＆７１１図（ま従来の光う！
９信用生導体架Ｓを示す平面［゛ｈ１第２図及び第３図
は光通イ８用モジュールの一例を示す正面図と断面図、
谷１４図（才この発明の一実施９１１に係る光１（’
イｉｊ用半埠体１娼らを示ず断面図、第５図乃至第１０
図１はこの発明の能の実施例を示す断面図である。
ｆｉ Ｆｆｆｉ ＦＦＪ＆７１１図（ま従来の光う！
９信用生導体架Ｓを示す平面［゛ｈ１第２図及び第３図
は光通イ８用モジュールの一例を示す正面図と断面図、
谷１４図（才この発明の一実施９１１に係る光１（’
イｉｊ用半埠体１娼らを示ず断面図、第５図乃至第１０
図１はこの発明の能の実施例を示す断面図である。
、９０・・・受光素子、３１・・・第１のセラミック基
ｌ１反、′？２・・・第２のセラミック基板、３３・・
・第１の開孔部、３４・・第２の開孔部、３５・・・シ
ェル、３６．３７・・・透光窓、３８・・・第１のシー
ルド用導電層、３９・・・第２のシールドＪ［１汎電層
、４０・・・第３のシールド用溝％層、５Ｚ・・・発光
素子。
ｌ１反、′？２・・・第２のセラミック基板、３３・・
・第１の開孔部、３４・・第２の開孔部、３５・・・シ
ェル、３６．３７・・・透光窓、３８・・・第１のシー
ルド用導電層、３９・・・第２のシールドＪ［１汎電層
、４０・・・第３のシールド用溝％層、５Ｚ・・・発光
素子。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
？
第４Ｎ
第５図
方
第６図
２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１ンＥ’＋ １の開孔部と第２の開孔部を有する第１
のセラミックス！゛イνと、この第１のセラミック￥、
イ′ｊこのｒ而に固できれた第２のセラミック基４］、
と、上記り１，１の開孔部に対応した上記第２のセラミ
ック基板上に固定された発光素子と上記第２の開孔部に
対応した上記第２のセラニックノル板上に１も１定され
た受ｉ ｙ、”子と、上記第１のセラミック、２１．板
の表面に気密的に封着き力、上記発光素子及び受光素子
と対向する１゛、・’、 ｒ’；に正光ネを有する金屑
製シェルと、上記着’ｒ １． ｌ／−０’ （４Ｔ
２の開孔部の少なくとも一方の内ｉｊ’；ｉ ＶＣ形戊
坏・１１．た第１のシールド用砺、電層と、上記第２の
セラミック基板の表面上の大部分・２件うよ・う：て形
成きれた第２のシールド用層’ｔ’ｊ、 Ｊｉ５と、上
記第２のセラミック基板の裏面上の大部分を件うように
形成ζ）１．た泥３のシールド用溝１に層とを具備する
ことを特徴とした九 研Ｊ イ凸 月」 ≧１′ ξ）
イ本 装置Ｆ’ 。 （２）上記第２のＧＦＩ孔部に対応した上記第２のセラ
ミック蟇イ及上に、上記受光素子と眠気的に接続さノし
た受価用集ａＪｒ回・路素子を１．’ｉＪ定した特許請
求の範囲第（１）Ｑ記、ｊ；ｊ：の元辿信用半導体装置
０ （３）上記第１のセラミック基板に第３の開孔部を設Ｑ
フ、このε３３の開孔Ｈｔ＋の内面に第４のシールド用
２Ａ’ｉ８二ＰＪを形成し、−１つ第３の開孔部に対比
、した上記５゛二２のセラミック基板上に上記受光素子
と電気的に接続された受信用集積回路素子を固定した特
許請求の範囲第１項記載の九通伯用半尋体装伺。 （４）上記シェルは、上記発光素子に対向するτ１ｉ］
に第１の透光窓を有する第１のシェルと、上記受光素子
に対向する面に第２の透光窓を有する第２のシェルとか
らなっている特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項
記載の光通信用半２６体装ｈ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176581A JPS6066879A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光通信用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176581A JPS6066879A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光通信用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066879A true JPS6066879A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16016060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176581A Pending JPS6066879A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光通信用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273652U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-12 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58176581A patent/JPS6066879A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273652U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-12 |
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