JPS6067671A - 薄膜作成装置 - Google Patents
薄膜作成装置Info
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- JPS6067671A JPS6067671A JP17520283A JP17520283A JPS6067671A JP S6067671 A JPS6067671 A JP S6067671A JP 17520283 A JP17520283 A JP 17520283A JP 17520283 A JP17520283 A JP 17520283A JP S6067671 A JPS6067671 A JP S6067671A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film forming
- chamber
- forming apparatus
- flexible substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電極を同軸型に配置し、電極間に生起させたプ
ラズマを利用して薄膜全作成する装置に係わシ、特に、
可撓性基板に連続的に薄膜をコーティングする為の薄膜
作成装置に関する。
ラズマを利用して薄膜全作成する装置に係わシ、特に、
可撓性基板に連続的に薄膜をコーティングする為の薄膜
作成装置に関する。
従来、プラズマを利用して薄膜を作成する装置であって
、膜を堆積させる基板を移動できるようにし、薄膜の作
成を連続的に行い得るようにした装置としては、第１図
又は第２図に示したようなものが却られている。
、膜を堆積させる基板を移動できるようにし、薄膜の作
成を連続的に行い得るようにした装置としては、第１図
又は第２図に示したようなものが却られている。
第１図は薄膜作成チャンバ１内に高周波―極２と回転自
在なローラ型の接地電極３を対設すると共に接地電極３
の、一方の側に可撓性基板４を繰り出す送出しリール５
を、他方の側に可撓性基板４を巻取る巻取り Ｉ、１−
ル６を設置し、可撓性基板４を、矢印７の如く、送出し
リール５から巻取シリール６へ移動させるようにしたス
パッタ装置である。又第゛２図は簿膜作成チャンバ１内
に、平行平板型の高周波電極２と接地電極３を対設する
と共に、薄膜作成チャンバ１の、一方のｆｉｌｔｌに送
出しリール５を架設した送出し室８を設け、他方の側に
巻取シリール６を架設した巻取り室９を設けて。
在なローラ型の接地電極３を対設すると共に接地電極３
の、一方の側に可撓性基板４を繰り出す送出しリール５
を、他方の側に可撓性基板４を巻取る巻取り Ｉ、１−
ル６を設置し、可撓性基板４を、矢印７の如く、送出し
リール５から巻取シリール６へ移動させるようにしたス
パッタ装置である。又第゛２図は簿膜作成チャンバ１内
に、平行平板型の高周波電極２と接地電極３を対設する
と共に、薄膜作成チャンバ１の、一方のｆｉｌｔｌに送
出しリール５を架設した送出し室８を設け、他方の側に
巻取シリール６を架設した巻取り室９を設けて。
可撓性基板４を、矢印７の如く、送出しリール５から巻
取１−ル６へ移動させるようにしたプラズマＣＶＤ装置
である。然し乍、これら第１図及び第２図に示した薄膜
作成装置は、何れも平行平板型のプラズマ装置を応用し
た装置であって、プラズマを生起させる為に薄膜作成チ
ャンバ１内に流し込む反応ガスの使用効率若しくはスパ
ッタリング物利用効率の点で不利となる問題点があった
。
取１−ル６へ移動させるようにしたプラズマＣＶＤ装置
である。然し乍、これら第１図及び第２図に示した薄膜
作成装置は、何れも平行平板型のプラズマ装置を応用し
た装置であって、プラズマを生起させる為に薄膜作成チ
ャンバ１内に流し込む反応ガスの使用効率若しくはスパ
ッタリング物利用効率の点で不利となる問題点があった
。
これらの効率の点では、前記高周波電極２と接地電極３
を同軸上に配置した。いわゆる同ｒＭＩ＋型のスパッタ
装置或いはプラズマＣＶＤ装置が優れていることが知ら
れている。然し乍、従来の同軸型の薄膜作成装置におい
ては、膜を堆積させる基板を移動させて、薄膜の作成を
連続的にできるようにしたものが今までに提供されてい
なかった。
を同軸上に配置した。いわゆる同ｒＭＩ＋型のスパッタ
装置或いはプラズマＣＶＤ装置が優れていることが知ら
れている。然し乍、従来の同軸型の薄膜作成装置におい
ては、膜を堆積させる基板を移動させて、薄膜の作成を
連続的にできるようにしたものが今までに提供されてい
なかった。
又、薄膜の作成に当って２例えば用途が太陽電池である
場合のように、薄膜に所定のパターンを描かせる必要が
ある場合には、膜を堆積させる基板にマスクをかけて、
パターニングをすることが行なわれる。然し乍、上述し
た装置においては。
場合のように、薄膜に所定のパターンを描かせる必要が
ある場合には、膜を堆積させる基板にマスクをかけて、
パターニングをすることが行なわれる。然し乍、上述し
た装置においては。
その構造上、パターニングを行えないという問題点もあ
った。
った。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、その目的とする所は２反応ガスの使用効率若しくはス
パッタリング物利用効率の点で優れている同軸型のグラ
ズマ装置全応用した装置であって、薄膜の作成が連続的
に行い得るようにした薄膜作成装置を提供することにあ
る。
、その目的とする所は２反応ガスの使用効率若しくはス
パッタリング物利用効率の点で優れている同軸型のグラ
ズマ装置全応用した装置であって、薄膜の作成が連続的
に行い得るようにした薄膜作成装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は薄膜の作成過程でパターニングので
きる薄膜作成装置を提供することにある。
きる薄膜作成装置を提供することにある。
本発明によれば、薄膜作成ヂャンパ内に収容された電極
を同軸型に配置し、この電極間に生起させプζプラズマ
を利用して基板上に薄膜を作成する装置において、前記
薄膜作成チャンバに隣接して。
を同軸型に配置し、この電極間に生起させプζプラズマ
を利用して基板上に薄膜を作成する装置において、前記
薄膜作成チャンバに隣接して。
薄膜作成に有害なガスが前記薄膜作成チャンバ内に混入
するのを防止する為の予備室を連設し、この予備室よシ
前記薄膜作成チャンバ内の外側電極内周を経て再び予備
室へ至る。被コーテイング物である可撓性基板の通過通
路を形成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ若しくは
スパッタリング薄膜作成装置が得られる。
するのを防止する為の予備室を連設し、この予備室よシ
前記薄膜作成チャンバ内の外側電極内周を経て再び予備
室へ至る。被コーテイング物である可撓性基板の通過通
路を形成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ若しくは
スパッタリング薄膜作成装置が得られる。
又１本発明によれば、薄膜作成チャンバ内の可撓性基板
が通過する通路を、可撓性基板の移動に同期して駆動さ
れるガイド枠を介して構成し、このガイド枠に可撓性基
板と密接するマスク板を配した薄膜作成装置が得られる
。
が通過する通路を、可撓性基板の移動に同期して駆動さ
れるガイド枠を介して構成し、このガイド枠に可撓性基
板と密接するマスク板を配した薄膜作成装置が得られる
。
以下２本発明の実施例を添付の図面を参照して説明する
。
。
第３図は本発明による薄膜作成装置の一実施例の構成を
示した平面図であって２円筒型のチャンバ１１の中心軸
上に高周波電極１２を配置して薄膜作成チャンバ１３を
構成し、薄膜作成チャンバ１３に隣接させて予備室１４
を設置し、薄膜作成チャンバ１３と予備室１４を断面矩
形の通路１５゜１６で連通させると共に、予備室１４に
隣接させてフィルム収納室１７を設置し、予備室１４と
フィルム収納室１７を断面矩形の通路１８．１９で連通
させている。
示した平面図であって２円筒型のチャンバ１１の中心軸
上に高周波電極１２を配置して薄膜作成チャンバ１３を
構成し、薄膜作成チャンバ１３に隣接させて予備室１４
を設置し、薄膜作成チャンバ１３と予備室１４を断面矩
形の通路１５゜１６で連通させると共に、予備室１４に
隣接させてフィルム収納室１７を設置し、予備室１４と
フィルム収納室１７を断面矩形の通路１８．１９で連通
させている。
薄膜作成チャンバ１３．予備室、１４．及びフィルム収
納室１７には夫々真空排気系２０が接続されて、各室１
３ 、’１４ 、及び１７が排気されると共に、各室１
３，１４．及び１７が夫々所定の真空度に保たれるよう
に差動排気構成になっている。
納室１７には夫々真空排気系２０が接続されて、各室１
３ 、’１４ 、及び１７が排気されると共に、各室１
３，１４．及び１７が夫々所定の真空度に保たれるよう
に差動排気構成になっている。
そしてフィルム収納室１７内には、薄膜を堆積させるた
めの基板となる可撓性のフィルム２１の送出しリール２
２と巻取りリール２３が回転自在に架設しである。フィ
ルム２１は送出しリール２２よシ繰シ出されて１通路１
８を通過して予備室１４内に入シ２次いで通路１５を通
過して薄膜作成チャンバ１３内に至り、薄膜作成チャン
バ１３内からは通路１６を通過して再び予備室１４側に
入シ。
めの基板となる可撓性のフィルム２１の送出しリール２
２と巻取りリール２３が回転自在に架設しである。フィ
ルム２１は送出しリール２２よシ繰シ出されて１通路１
８を通過して予備室１４内に入シ２次いで通路１５を通
過して薄膜作成チャンバ１３内に至り、薄膜作成チャン
バ１３内からは通路１６を通過して再び予備室１４側に
入シ。
次いで通路１９を通過して再びフィルム収納室１７内に
入シ１巻取シリール２３で巻取り得るようになっている
。
入シ１巻取シリール２３で巻取り得るようになっている
。
薄膜作成チャンバ１３内には２通路１５に近接して案内
ローラ２４が１通路１６に近接して案内ローラ２５が夫
々立設されていると共に、高周波電極１２の外側同軸上
に、第４図に示したような。
ローラ２４が１通路１６に近接して案内ローラ２５が夫
々立設されていると共に、高周波電極１２の外側同軸上
に、第４図に示したような。
ガイド枠２６が設置してあシ、このガイド枠２６を介し
て、薄膜作成チャンバ１３内に導かれたフィルム２１が
、高周波電極１２と同軸の円周上を通過するように通路
２７が形成されている。然して予備室１４側より通路１
５を通過して薄膜作成チャンバ１３内に入ったフィルム
２１は、薄膜作成チャンバ１３内において、案内ローラ
２４とガイド枠２６の間隙を通９．フィルム２１の縁部
がガイド枠２６に摺接し乍通路２７に沿って薄膜作成チ
ャンバ１３内をほぼ一周する。その後・このフィルム２
１は、薄膜作成チャンノぐ１３内の案内ローラ２５とが
イド枠２６の間隙を通シ１通路１６を通過して予備室１
４側へと移動するようになっている。
て、薄膜作成チャンバ１３内に導かれたフィルム２１が
、高周波電極１２と同軸の円周上を通過するように通路
２７が形成されている。然して予備室１４側より通路１
５を通過して薄膜作成チャンバ１３内に入ったフィルム
２１は、薄膜作成チャンバ１３内において、案内ローラ
２４とガイド枠２６の間隙を通９．フィルム２１の縁部
がガイド枠２６に摺接し乍通路２７に沿って薄膜作成チ
ャンバ１３内をほぼ一周する。その後・このフィルム２
１は、薄膜作成チャンノぐ１３内の案内ローラ２５とが
イド枠２６の間隙を通シ１通路１６を通過して予備室１
４側へと移動するようになっている。
又、第３図において、２８は高周波電源、２９はガイド
枠２６の外側に配置したヒータ、３０はガス導入系、３
１は予備室１４内に設置した予備加熱ランプを示してい
る。更に、第３図及び第４図において点線で示された４
０は、フィルム２１に伴走させるやや剛性のあるフィル
ムであって。
枠２６の外側に配置したヒータ、３０はガス導入系、３
１は予備室１４内に設置した予備加熱ランプを示してい
る。更に、第３図及び第４図において点線で示された４
０は、フィルム２１に伴走させるやや剛性のあるフィル
ムであって。
案内ローラ２４ 、２５ 、テンション付与ローラ４１
に沿い、フィルム２１の裏面及びヒータ２９の外周を走
る。これは、フィルム２１１ｃガイドゞ枠２６に圧着し
て、フィルム２１にしわが発生するのを防止するもので
ある。従ってフィルム２１が充分な剛性をもつときは省
略できる。
に沿い、フィルム２１の裏面及びヒータ２９の外周を走
る。これは、フィルム２１１ｃガイドゞ枠２６に圧着し
て、フィルム２１にしわが発生するのを防止するもので
ある。従ってフィルム２１が充分な剛性をもつときは省
略できる。
以下余日
上記のような構成において、各真空排気系２０゜２０及
び２ｏを駆動させて薄膜作成チャンバ１３゜予備室１４
．及びフィルム収納室１７を排気すると共に、薄膜作成
チャンバ１３内にはガス導入系３０を介して所定の反応
ガス（例えばＳｉＨ４＋Ｈ２＋Ｂ２Ｈ６）を導入し、高
周波電極１２へ高周波電源２８の高周波出力を与えると
、高周波電極１２とチャンバ１１の器壁間に反応ガスの
ノラズマが生起されて、高周波電極１２の周囲に配され
たフィルム２１の表面に所定の薄膜を堆積させることが
できる。そこで、フィルム収納室１７に架設した送出し
リール２２および巻取シリール２３を駆動してフィルム
２１を矢印３２の方向へ順次移動させれば、フィルム２
１の表面に連続的に薄膜を堆積させることができる。こ
のときフィルム２１の表面に堆積された薄膜の厚さは、
薄膜作成チャンバ１３内の圧力、高周波電源２８にょシ
投入されるノ七ワー、およびフィルム２１の移動速度ニ
よって決まる。
び２ｏを駆動させて薄膜作成チャンバ１３゜予備室１４
．及びフィルム収納室１７を排気すると共に、薄膜作成
チャンバ１３内にはガス導入系３０を介して所定の反応
ガス（例えばＳｉＨ４＋Ｈ２＋Ｂ２Ｈ６）を導入し、高
周波電極１２へ高周波電源２８の高周波出力を与えると
、高周波電極１２とチャンバ１１の器壁間に反応ガスの
ノラズマが生起されて、高周波電極１２の周囲に配され
たフィルム２１の表面に所定の薄膜を堆積させることが
できる。そこで、フィルム収納室１７に架設した送出し
リール２２および巻取シリール２３を駆動してフィルム
２１を矢印３２の方向へ順次移動させれば、フィルム２
１の表面に連続的に薄膜を堆積させることができる。こ
のときフィルム２１の表面に堆積された薄膜の厚さは、
薄膜作成チャンバ１３内の圧力、高周波電源２８にょシ
投入されるノ七ワー、およびフィルム２１の移動速度ニ
よって決まる。
尚、フィルム２１は可撓性のものであれば材質的には制
限されず、高分子フィルムや、ステンレスその他の金属
フィルムを薄膜作成用の基板とすることができる。又、
−予備室１４に設置した予備加熱ランプ３１と薄膜作成
チャンバ１３内に設置したヒータ２９は、フィルム２１
に吸蔵されている不純ガスを脱ガスする際に使用される
もので。
限されず、高分子フィルムや、ステンレスその他の金属
フィルムを薄膜作成用の基板とすることができる。又、
−予備室１４に設置した予備加熱ランプ３１と薄膜作成
チャンバ１３内に設置したヒータ２９は、フィルム２１
に吸蔵されている不純ガスを脱ガスする際に使用される
もので。
フィルム２１は、予備室１４内で予備加熱ランプ３１に
よシ予備加熱された後、薄膜作成チャンバ１３内でヒー
タ２９によシ本加熱される。
よシ予備加熱された後、薄膜作成チャンバ１３内でヒー
タ２９によシ本加熱される。
予備室１４（フィルム収納室１７も同様である。）は、
真空排気系２０を接続して薄膜作成チャンバ１３との間
で差動排気構成としたが、要は通路１５．１６を通して
薄膜作成チャンバ１３内へ薄膜作成の作業上有害なガス
（例えば酸素）が侵入しなければ良いのであるから、予
備室１４内に無害なガスを送シ込んで有害なガスを系外
へ追い出すようにしたガスパーン室としても良い。又、
この予備室１４は、後に示す実施例のように、薄膜作成
チャンバ１３の前段側、即ちフィルム供給側と、後段側
、即ちフィルム排出側を分離して別室に構成しても良い
。
真空排気系２０を接続して薄膜作成チャンバ１３との間
で差動排気構成としたが、要は通路１５．１６を通して
薄膜作成チャンバ１３内へ薄膜作成の作業上有害なガス
（例えば酸素）が侵入しなければ良いのであるから、予
備室１４内に無害なガスを送シ込んで有害なガスを系外
へ追い出すようにしたガスパーン室としても良い。又、
この予備室１４は、後に示す実施例のように、薄膜作成
チャンバ１３の前段側、即ちフィルム供給側と、後段側
、即ちフィルム排出側を分離して別室に構成しても良い
。
次に、薄膜作成チャンバ１３内に配置した同軸型の電極
構成については、第３図に示したものは最も一般的な構
成であるが、高周波電極１２の内部に永久磁石を配置し
たり、或いは薄膜作成チャンバ１３の外部にヘルムホル
ツコイル等の電磁石を嵌装して、プラズマ生成空間に磁
界を作用させて、プラズマ密度を制御できるよう゛にし
ても良い。
構成については、第３図に示したものは最も一般的な構
成であるが、高周波電極１２の内部に永久磁石を配置し
たり、或いは薄膜作成チャンバ１３の外部にヘルムホル
ツコイル等の電磁石を嵌装して、プラズマ生成空間に磁
界を作用させて、プラズマ密度を制御できるよう゛にし
ても良い。
前記永久磁石の場合、これを高周波電極１２の軸方向で
移動できる駆動機構を付設して、ゾラズマに作用させる
磁界を変化させるようにしても良い。
移動できる駆動機構を付設して、ゾラズマに作用させる
磁界を変化させるようにしても良い。
状のメツシュ５０を配置しても良い。このメツシー５０
を接地電位にｂくことによって、メツシュ５０の内外を
プラズマ空間なる放電空間と膜堆積空間とに電気的に分
離することができ、膜質の向上並びに生産性の向上が図
れる。第５図において５１は絶縁物である。
を接地電位にｂくことによって、メツシュ５０の内外を
プラズマ空間なる放電空間と膜堆積空間とに電気的に分
離することができ、膜質の向上並びに生産性の向上が図
れる。第５図において５１は絶縁物である。
更にまた。第６図に示す如く、高周波電極１２を１円筒
状メツシュで構成しかつその筒の径を大きくして、接地
円筒状メツシュ５０に同心円状に近接配置せしめるとき
は・、電極１２．５０の狭い間隙では放電を発生せず、
それらの内部５２にて強力な光を伴なう中空陰極放電を
発生する。この場合は、膜堆積空間と放電空間の分離が
一層強力となるほか、膜堆積速度は１強いプラズマ発生
と。
状メツシュで構成しかつその筒の径を大きくして、接地
円筒状メツシュ５０に同心円状に近接配置せしめるとき
は・、電極１２．５０の狭い間隙では放電を発生せず、
それらの内部５２にて強力な光を伴なう中空陰極放電を
発生する。この場合は、膜堆積空間と放電空間の分離が
一層強力となるほか、膜堆積速度は１強いプラズマ発生
と。
光化学的活性化作用の参加によシ更に速度を増す。
しかも膜質は良好である。
次にガイド枠２６は、第７図に示したように。
フィルム２１の縁部との間で係合するようにすることも
できる。即ち、フィルム２１の縁部には係合孔３３，３
３を一定のピッチで穿設すると共に。
できる。即ち、フィルム２１の縁部には係合孔３３，３
３を一定のピッチで穿設すると共に。
ガイド枠２６の当接部にはフィルム２１の係合孔３３．
３３と同一ピッチで係合突起３４．３４を突設して、保
合突起３４．３４が係合孔３３゜３３に順次嵌入掛止す
るようにしである。この場合、ガイド枠２６に対しては
、これに、フィルム巻取りの軽い力で容易に回転しうる
構造を与えるか、又は送出しリール２２（第３図）およ
び巻取シリール２３（第３図）の周速と同期する駆動装
置を設けて、装置の運転中、ガイド枠２６を駆動するこ
とは言うまでもない。このように駆動回転されるガイド
枠２６を介して、フィルム２１の移動通路を構成した場
合、比較的剛性の弱いフィルムでもしわを生ずることな
く搬送できる利点がある。そしてフィルム２１との係合
部を構成した円盤３５，３．５間には１図示した如く、
フィルム２１の内側面に密接するマスク板３６を張設し
ても良い。このマスク板３６は、フィルム２１の移動と
同期して周回するから、フィルム２１に堆積する膜に一
定の・ぐターンを描かせることが可能となる。
３３と同一ピッチで係合突起３４．３４を突設して、保
合突起３４．３４が係合孔３３゜３３に順次嵌入掛止す
るようにしである。この場合、ガイド枠２６に対しては
、これに、フィルム巻取りの軽い力で容易に回転しうる
構造を与えるか、又は送出しリール２２（第３図）およ
び巻取シリール２３（第３図）の周速と同期する駆動装
置を設けて、装置の運転中、ガイド枠２６を駆動するこ
とは言うまでもない。このように駆動回転されるガイド
枠２６を介して、フィルム２１の移動通路を構成した場
合、比較的剛性の弱いフィルムでもしわを生ずることな
く搬送できる利点がある。そしてフィルム２１との係合
部を構成した円盤３５，３．５間には１図示した如く、
フィルム２１の内側面に密接するマスク板３６を張設し
ても良い。このマスク板３６は、フィルム２１の移動と
同期して周回するから、フィルム２１に堆積する膜に一
定の・ぐターンを描かせることが可能となる。
第８図および第９図は、第３図に示し一驕明の実施例の
基本型を拡張して、薄膜作成チャン・ぐを複数室連設し
た実施例である。
基本型を拡張して、薄膜作成チャン・ぐを複数室連設し
た実施例である。
第８図を参照すると、３室の薄膜作成チャン／４１３ａ
ｊ１３ｂ ｒ １３ｃが連設されて、その一方の側に
フィルム収納室１７ 、ａが通路１８を介して配され・
他方の側にはフィルム収納室１７ｂが通路１．９を介し
て配されている。又、各室１３ａ７１３ｂ、１３ｃには
夫に予備室１４ａ、１４ｂ＋１４ｅが通路１５ａ、１６
ａ＋１５ｂ、１６ｂ＋１５ｃ、１６ｃを介して配されて
いる。可撓性を有するフィルム２１は、フィルレム収納
察１７ ａの送出しリール２２から繰り出されて、３室
の薄１１に作成チャンバｉ ３ ａ ｌ １３ ｂ ｌ
１３ Ｃ内を順次通過した後、フィルム収納室１７ｂ
の巻取りリール２３に巻取られる。然して、フィルム２
１には三層の膜を連続して形成させることができる。図
中。
ｊ１３ｂ ｒ １３ｃが連設されて、その一方の側に
フィルム収納室１７ 、ａが通路１８を介して配され・
他方の側にはフィルム収納室１７ｂが通路１．９を介し
て配されている。又、各室１３ａ７１３ｂ、１３ｃには
夫に予備室１４ａ、１４ｂ＋１４ｅが通路１５ａ、１６
ａ＋１５ｂ、１６ｂ＋１５ｃ、１６ｃを介して配されて
いる。可撓性を有するフィルム２１は、フィルレム収納
察１７ ａの送出しリール２２から繰り出されて、３室
の薄１１に作成チャンバｉ ３ ａ ｌ １３ ｂ ｌ
１３ Ｃ内を順次通過した後、フィルム収納室１７ｂ
の巻取りリール２３に巻取られる。然して、フィルム２
１には三層の膜を連続して形成させることができる。図
中。
３７ａ、３７ｂは、フィルム２１の表面（膜堆積面）を
保護する為の保護フィルムである。このように複数の薄
膜作成チャン・ぐを連設する場合、必ずしも同一薄膜作
成方式のみによらず、目的に応じチャンバごとプラズマ
ＣＶＤとツノ々７クリングを使い分けることはもちろん
である。
保護する為の保護フィルムである。このように複数の薄
膜作成チャン・ぐを連設する場合、必ずしも同一薄膜作
成方式のみによらず、目的に応じチャンバごとプラズマ
ＣＶＤとツノ々７クリングを使い分けることはもちろん
である。
又、第９図を参照すると、３室のＰ、’Ｊ膜作成チャン
バ１３ ａ ｒ １３ ｂ ｒ １３ ｃを連設し、各
薄膜作成チャンバ１３ａ、、１３ｂ 、１：ｌｃの前段
側と後段側に別室の予備室１４ａ＋ １４ｂ＋１４ｃ。
バ１３ ａ ｒ １３ ｂ ｒ １３ ｃを連設し、各
薄膜作成チャンバ１３ａ、、１３ｂ 、１：ｌｃの前段
側と後段側に別室の予備室１４ａ＋ １４ｂ＋１４ｃ。
１４ｄを設けてあり、薄膜作成チャンバ１３ａの後段側
の予備室１４ｂが薄膜作成チャンバ１３ｂの前段側の予
備室も兼ね、同様に薄膜作成チャンバ１３ｂの後段側の
予備室１４ｅが薄膜作成チャンバ１３ｃの前段側の予備
室を兼ねている。そして各薄膜作成チャンバ１３ａ ｌ
１３ｂ ｌ １３ｃ内には、夫々高周波電極１２ａ
、１２ｂ ＋ １２ｃが水平に設置されて、水平同軸の
電極配置となっている。この装置の場合、フィルム２１
は、フィルム収納室１７ａＪ：、９予備室１４ａ、薄膜
作成チャンバ１３ａ、予備室１４１）、薄膜作成チャン
バ１３ｂ 、予備室１４Ｃ２薄膜作成チャンバ１３Ｃ予
備室１４ｄの順に通過して、フィルム収納室１７ｂへと
移動して、第８図に示した例と同様に三層膜を連続的に
作成することができる。各薄膜作成チャンバ１３ ａ
＋ １３ ｂ ＋ １３ ｃ内では、フィルム２１に対
する通路２７ａ、２７ｂ、２７ｃが１８０度の角度範囲
に亘って形成されておフ。
の予備室１４ｂが薄膜作成チャンバ１３ｂの前段側の予
備室も兼ね、同様に薄膜作成チャンバ１３ｂの後段側の
予備室１４ｅが薄膜作成チャンバ１３ｃの前段側の予備
室を兼ねている。そして各薄膜作成チャンバ１３ａ ｌ
１３ｂ ｌ １３ｃ内には、夫々高周波電極１２ａ
、１２ｂ ＋ １２ｃが水平に設置されて、水平同軸の
電極配置となっている。この装置の場合、フィルム２１
は、フィルム収納室１７ａＪ：、９予備室１４ａ、薄膜
作成チャンバ１３ａ、予備室１４１）、薄膜作成チャン
バ１３ｂ 、予備室１４Ｃ２薄膜作成チャンバ１３Ｃ予
備室１４ｄの順に通過して、フィルム収納室１７ｂへと
移動して、第８図に示した例と同様に三層膜を連続的に
作成することができる。各薄膜作成チャンバ１３ ａ
＋ １３ ｂ ＋ １３ ｃ内では、フィルム２１に対
する通路２７ａ、２７ｂ、２７ｃが１８０度の角度範囲
に亘って形成されておフ。
フィルム２１に対する膜の堆積は下向の状態で行なわれ
る。この実施例のように電極を水平に配置した場合には
、上向状態で膜を堆積すると、膜中に塵埃の混入等の虞
があシ、膜の特性を損うので。
る。この実施例のように電極を水平に配置した場合には
、上向状態で膜を堆積すると、膜中に塵埃の混入等の虞
があシ、膜の特性を損うので。
膜の堆積を下向で行うよ・うに通路２７ａ、２７ｂ＋２
７ｃを形成することが望ましい。その角度範囲は１８０
度以下ということになるが、空間の利用率を考慮すれば
９０度〜ｉ８０度の範囲が好ましいと考えられる。
７ｃを形成することが望ましい。その角度範囲は１８０
度以下ということになるが、空間の利用率を考慮すれば
９０度〜ｉ８０度の範囲が好ましいと考えられる。
以上、基本型の拡張例について説明したが、」二記以外
にも様々な態様で実施できることはもう１でもない。そ
してこれらの実施装置においても。
にも様々な態様で実施できることはもう１でもない。そ
してこれらの実施装置においても。
基本型で説明した各種の変形例を採用することができる
ことは勿論である。゛ 以上に詳述した通シ１本発明は、同軸型のプラズマ装置
を応用した装置であって、膜を堆積させる基板である可
撓性のあるフィルムを、膜堆積空間に連続的に搬送でき
る装置であるので１反応ｆスの使用効率若しくはス・Ｏ
ツタリング物利用効率を高く維持できると共に、可撓性
のあるフィルムに所望の膜を連続的に形成できる効果か
ある。更に、薄膜作成チャンノ々内のフィルムに対する
ｊ迅路を、フィルムの移動速度に同期して駆動されるガ
イド枠を介して構成し、このガイド枠にフィルムと密接
するマスク板を配することによって、連続的に形成され
る膜に一定の・ぐターンを描かせることもできる効果が
ある。
ことは勿論である。゛ 以上に詳述した通シ１本発明は、同軸型のプラズマ装置
を応用した装置であって、膜を堆積させる基板である可
撓性のあるフィルムを、膜堆積空間に連続的に搬送でき
る装置であるので１反応ｆスの使用効率若しくはス・Ｏ
ツタリング物利用効率を高く維持できると共に、可撓性
のあるフィルムに所望の膜を連続的に形成できる効果か
ある。更に、薄膜作成チャンノ々内のフィルムに対する
ｊ迅路を、フィルムの移動速度に同期して駆動されるガ
イド枠を介して構成し、このガイド枠にフィルムと密接
するマスク板を配することによって、連続的に形成され
る膜に一定の・ぐターンを描かせることもできる効果が
ある。
・第１図は従来装置の一構成例を示した断面図。
第２図は従来装置の他の一構成例を示し７た断面図。
第３図は本発明による薄膜作成装置の一実施例の構成を
示した平面図、第４図は第３図のガイド枠の一実施例の
構造を示した一部破断正面図、第５図は本発明による薄
膜作成装置の薄膜作成チャンバの一実施例の構成を示し
だ概略図、第６図は本発明による薄膜作成装置の薄膜作
成チャンバの他の一実施例の構成を示した概略図、第７
図は第３図のガイド枠の他の一実施例の構造を示した一
部破断圧面図、第８図は本発明による薄膜作成装置の他
の一実施例の構成を示した平面図、第９図は本発明によ
る薄膜作成装置の更に他の一実施例の構成を示した正面
図である。 １２ 、 ｌ ２ ａ 、 １２ ｂ 、 １２ ｃ
＝−高周波電極。 １３＋１３ａ＋１３ｂ、’１３ｃｍ薄膜作成チ１．ンバ
＋１４＋１４ａ、１４ｂ、１４ｃ＋１４ｄ−予備室＋１
５＋ｉｊａ＋ｉｓｂ＋ｉ５ｃ・−通路。 １６．１６ａ＋１６ｂ、１６ｃ 通路、１７゜１７ ａ
、 １７ ｂ−−−フィルム収納室、１８．１９＝通
路、２１・・・フィルム、２２・・・送＋」ｐ Ｌ Ｉ
Ｊ−ル。 ２３・・・巻取、ＩＣ’ｌＪ〜ル、２６・・ガイド枠、
２７゜２７ ａ 、 ２７ ｂ 、 ２７ ｃ−通路、
３１・予備加熱ランプ、３４・・・係合突起、３６・・
・マスク板、５０・・・円筒状メソシュ。 第１図 系２図
示した平面図、第４図は第３図のガイド枠の一実施例の
構造を示した一部破断正面図、第５図は本発明による薄
膜作成装置の薄膜作成チャンバの一実施例の構成を示し
だ概略図、第６図は本発明による薄膜作成装置の薄膜作
成チャンバの他の一実施例の構成を示した概略図、第７
図は第３図のガイド枠の他の一実施例の構造を示した一
部破断圧面図、第８図は本発明による薄膜作成装置の他
の一実施例の構成を示した平面図、第９図は本発明によ
る薄膜作成装置の更に他の一実施例の構成を示した正面
図である。 １２ 、 ｌ ２ ａ 、 １２ ｂ 、 １２ ｃ
＝−高周波電極。 １３＋１３ａ＋１３ｂ、’１３ｃｍ薄膜作成チ１．ンバ
＋１４＋１４ａ、１４ｂ、１４ｃ＋１４ｄ−予備室＋１
５＋ｉｊａ＋ｉｓｂ＋ｉ５ｃ・−通路。 １６．１６ａ＋１６ｂ、１６ｃ 通路、１７゜１７ ａ
、 １７ ｂ−−−フィルム収納室、１８．１９＝通
路、２１・・・フィルム、２２・・・送＋」ｐ Ｌ Ｉ
Ｊ−ル。 ２３・・・巻取、ＩＣ’ｌＪ〜ル、２６・・ガイド枠、
２７゜２７ ａ 、 ２７ ｂ 、 ２７ ｃ−通路、
３１・予備加熱ランプ、３４・・・係合突起、３６・・
・マスク板、５０・・・円筒状メソシュ。 第１図 系２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜作成チャンバ内に収容された電極を同軸型に配
置し、該電極間に生起させたプラズマを利用して基板上
に薄膜を作成する装置において。 前記薄膜作成チャンバに隣接して、薄膜作成に有害なガ
スが前記薄膜作成チャンバ内へ混入するのを防止する為
の予備室を連設し、該予備室よシ前記薄膜作成チャンバ
内の外側電極内周を経て再び予備室に至る。被コーテイ
ング物である可撓性基板の通過通路を形成したことを特
徴とするプラズマＣＶＤ若しくはス・母ツタリング薄膜
作成装置。 ２、 前記予備室が差動排気室である特許請求の範囲第
１項記載の薄膜作成装置。 ３、 前記予備室がガスパーン室である特許請求の範囲
第１項記載の薄膜作成装置。 ４、前記予備室は該予備室を通過する前記可撓性基板を
加熱する為の熱源を有している特許請求の範囲第１項記
載の薄膜作成装置。 ５、 前記予備室が、前記薄膜作成チャンバの前段側と
後段側に別に設けられである特許請求の範囲第１項記載
の薄膜作成装置。 ６、 前記薄膜作成チャンバは前記同軸型電極間に生起
させたプラズマをとじ込める為の磁石を有している特許
請求の範囲第１項記載の薄膜作成装置０ ７、 前記磁石が前記同軸型電極の中心電極内部に配置
された永久磁石である特許請求の範囲第６項記載の薄膜
作成装置。 ８、 前記中心電極内部に配置された永久磁石が。 該中心電極の軸方向に移動可能に配置されている特許請
求の範囲第７項記載の薄膜作成装置。 ９、 前記磁石が前記薄膜作成チャンバの外側に嵌装し
た電磁石である特許請求のｌ１ｉｊｊ囲第６項記載の薄
膜作成装置。 １０、前記薄膜作成チャンバは、前記同ｉｔ＃Ｉ＋型電
極間に生起させたプラズマ空間と前記可撓性基板の通過
通路側の薄膜堆積空間とを電気的に分離する為の筒状メ
ツシュを有している特許請求の範囲第１項記載の薄膜作
成装置。 １１、前記薄膜作成チャンバの前記同軸型電極が。 内部に中空陰極放電空間を有し、外部に前記可撓性基板
の薄膜堆積空間を有する様な、同心円状でかつ筒状メッ
ンーの２高周波電極と該高周波電極に近接する接地電極
とから成る特許請求の範囲第１項記載の薄膜作成装置。 １２、前記薄膜作成チャンバ内のＩ！ｌｉＪ記通過通路
は。 前記可撓性基板の縁部が摺接するガイド枠を介して形成
されている特許請求の範囲第１項記載の薄膜作成装置。 １３、前記薄膜作成チャンバ内の前記通過通路は。 前記可撓性基板の縁部と係合し、かつ該可撓性基板の移
動と同期して駆動されるガイド枠を介して形成されてい
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜作成装置。 １４、前記可撓性基板の移動と同期して駆動されるガイ
ド枠が、前記可撓性基板の縁部との係合間に該可撓性基
板の内側面に密接する様に張設されたマスク板を有する
特許請求の範囲第１３項記載の薄膜作成装置。 １５、前記薄膜作成チャンバ内の前記通過通路が９０度
以上の角度範囲に亘って形成しである特許請求の範囲第
１項記載の薄膜作成装置。 １６、前記薄膜作成チャンバが複数室連設されている特
許請求の範囲第１項記載の薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17520283A JPS6067671A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17520283A JPS6067671A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜作成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067671A true JPS6067671A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH02431B2 JPH02431B2 (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15992075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17520283A Granted JPS6067671A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067671A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266572A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6251172U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-30 | ||
| JPS6255559U (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | ||
| JPS6283471A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法及び装置 |
| EP0205917A3 (en) * | 1985-05-21 | 1989-02-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| JPH06204063A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
| JP2008150677A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Miyako Roller Industry Co | フィルムへの連続コーティング方法及び連続コーティング装置 |
| JP2012188687A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 成膜装置 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP17520283A patent/JPS6067671A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266572A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | スパツタリング装置 |
| EP0205917A3 (en) * | 1985-05-21 | 1989-02-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| JPS6251172U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-30 | ||
| JPS6255559U (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | ||
| JPS6283471A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法及び装置 |
| JPH06204063A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
| JP2008150677A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Miyako Roller Industry Co | フィルムへの連続コーティング方法及び連続コーティング装置 |
| JP2012188687A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02431B2 (ja) | 1990-01-08 |
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