JPS6070575A - メモリ−回路 - Google Patents

メモリ−回路

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JPS6070575A
JPS6070575A JP59180870A JP18087084A JPS6070575A JP S6070575 A JPS6070575 A JP S6070575A JP 59180870 A JP59180870 A JP 59180870A JP 18087084 A JP18087084 A JP 18087084A JP S6070575 A JPS6070575 A JP S6070575A
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cell
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アラン フアング
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AT&T Corp
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    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F7/00Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F7/76Arrangements for rearranging, permuting or selecting data according to predetermined rules, independently of the content of the data
    • G06F7/78Arrangements for rearranging, permuting or selecting data according to predetermined rules, independently of the content of the data for changing the order of data flow, e.g. matrix transposition or LIFO buffers; Overflow or underflow handling therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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    • G06F5/06Methods or arrangements for data conversion without changing the order or content of the data handled for changing the speed of data flow, i.e. speed regularising or timing, e.g. delay lines, FIFO buffers; over- or underrun control therefor
    • G06F5/10Methods or arrangements for data conversion without changing the order or content of the data handled for changing the speed of data flow, i.e. speed regularising or timing, e.g. delay lines, FIFO buffers; over- or underrun control therefor having a sequence of storage locations each being individually accessible for both enqueue and dequeue operations, e.g. using random access memory

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は記憶せル、特にFIFO(ファーストイン−フ
ァーストアウト)あるいはLIFO(ラストイン−ファ
ーストアウト)メモリーの一部として1吏用するだめの
モジュール的データ記憶セルに関する。
背景技術 従来技術のFIFOはシフトレジスタ構造によって作ら
れている。この方法のひとつの困難は、データを読み出
す1でにデータはシフトレジスタの全長を通って伝わら
なければならないということである。このためには固定
した遅れ、すなわちフォールスル一時間を要する。他の
困難はこのようなメモリーでは同時に1き込みおよび読
み出しを行なわなければならないことである。
他のII I F Oメモリーは情報を記憶するだめの
ランダムアクセスメモリ(Iz A M )と、待行列
の先頭を指すカウンタと、その末尾を指すカウンタを用
いて構成される。このタイプのIi” I l” Oで
はフォールスル一時間は短いが、メモリーは共用されて
いるため、入力の暑き込みと出力の読み出しは同時に行
なうことができる。しかし、この問題は二重形のメモリ
ーを月J I/IJLばさけら才しる。このようなメモ
リーは追加のアドレス復号とバス構造と論理回路を必要
とするからより複にイr、なものになる。
同様にLIFOメモリーは両方向シフトレジスタあるい
は情報を記憶するRAMメモリーとリストの先頭を指す
アップ/ダウンカウンタを用いて実現される。
従って、高速の読み書きを実行することができるよシ簡
単な非同期FIFOメモリーおよびLIFOメモリーの
設計法の改善は常に望まれている。
発明の概要 本発明に従えば、F I FO/L I FOメ−Eリ
ーはループ構成になった同様のセルを用いて実現され、
各セルは記憶セクションと、ステータスセクションと、
制御セクションから成っている。記憶セクションは入力
バスから受信されたデータを記憶し、また出力バスに対
してデータを出力するだめのラッチを含んでいる。制御
セクションは占有ビットと、位置アドレス回路と若干の
制御論理を含んでいる。占有セクションはセルの記憶セ
クションがデータを保持しているかどうかを示す。位置
アドレス回路はセルの占有ビットと@接したセルの占有
ビットを使用して、データ待行列の中の相対位置を決定
する。制御論理は読み出し書き込みコマンドにセルか応
答するのを判定するために、位置アドレスとデータ行列
のいずれの端に書き込み読み出しを行なうべきかを指示
する情報を使う。セルのステータスセクションはF I
 FO/L I FOメモリーのステータスバスのだめ
の占有ステータス情報を発生する。空のF I FO/
L I FOメモリーをプライムするために仮想的満杯
セル状態を設定する初期化回路も含まれている。
本発明の完全なる理解は図面に示された図示の実施例か
ら完全に理解されるものである。
全体的説明 第1図を参照すれば、基本的FIFO/LIFO集積回
路チップ10のアーキテクチャは多数の同等のセル(第
1のセル1、中間セル2、明白には示していない中間セ
ル3乃至N−1および最後のセルN)を含み、各セルは
ステータスセクション(例えば、11ン、制御セクショ
ン(例えば、12)および記憶セクション(例えば、1
3)から成っている。
ステータスセクションはステータスバス101に接続さ
れてお如、データ待行列のステータスに関連する情報(
ONE、COMPX空、塞)を発生する。制御セクショ
ンは若干の制御論理と、位置アドレス回路と、占有ビッ
トメモリーを含み、二つの隣接したセルの占有ステータ
ス信号(CN、i+1 ; CN、i−1)と制御バス
103に接続されている。隣接したセルの間の典型的な
占有ステータス信号の相互接続は102に示されており
、ここでは端子CI、iはセル1の占有ビットステータ
スと端子C2,1−1からセル2に出力し、ここで隣接
したセル2の占有ビットステータスは端子C2、iを経
由して端子C1、i +1を通してセル1に出力される
。各セルの占有ステータス信号あるいはビットはそのセ
ルの関連した記憶セクションがデータを保持しているか
どうかを示す。
本発明に従えば、この占有ビットと隣接しプこセルの占
有ビットはデータ待行列中のセルの相対位置を判定する
のに用いられる。コマンドあるいは制御バス103に対
する接続によって各セルに対して、書き込み要求の間に
待行列のいずれの端を処理するか(書き込みA/B)読
み出し要求の間に待行列のいずれの端を処理するか(読
み出しA/B)に関する情報と共に各セルに対して書き
込み要求(WRITE CLK)、と読み出し要求(R
EADCLK) について知らせる。制御詭理はコマン
ドバス103およびその位置アドレス回路からの情報を
使用して、入力バスからのデータを記憶するか、セルの
データを出力バスに与えるか、あるいはいずれも実行し
ないかを決定する。記憶セクション13は入力バス10
4からのデータを記憶するJデータラッチとJランチか
らのデータを出力バス105に接続するプこめのバスゲ
ートを含んでいる。
位置アドレスとステータス情報 第2図を参照すれば、F I FO/L I FOメモ
リーの適切なセルに対して読み出しおよび書き込みイム
号の位置アドレスを行なうだめに与えられたセルの占有
ステータスと隣接したセルの占有ステータスを本発明で
いかに利用しているかを理解する助けになる。−例とし
て、第2図には8個のセルの占有ビット(データ待行列
の占有状態を表わす)が示されており、そとには201
.202および203で異るデータ待行列が含捷れてい
ることになる。201には1セルのデータ待行列が示さ
ハており、202には3セルのデータ待行列が示されて
おり、203には7セルのデータ待行列が示されている
。201.202および203には空きのセルばEとし
て、満杯のセルはFとして示され、データの流れの一端
はAとしてデータの流れの他端はBとして示されている
。■セルのデータ待行列201はA、 / Bとして示
されている。表204は第1図のメモリー回路あるいは
レジスタの三つの連続したセルC,iとCX i−1と
C11十1からの生じ得る占有ステータス信号を示して
いる。
一般に問題となるセルはCX iで示され、その直前の
セルはC,i−1でその直後のセルはC,i+1として
参照される。インデクスlはAと呼ばれる待行列の一端
から、Bと呼ばれる待行列の他端に向って増大してゆき
、このときにはセルAはセルC,i−]−空、セルC,
i−塞、セルC+ i十i−塞りであることによって識
別される。従って202ではセルAは202のセル3で
ある。セルBはC,1−1=塞、C,i−塞でセルC2
1十]−空であることによって識別される。(例えば2
02ではセルB−セル5である。)セルAの隣の空きの
セルはセルC,i+1−空、セルC,i−空、セルC,
i+1−塞(例えば202のセル2)で識別される。セ
ルBの隣の空きのせルはセルC21−1−塞、セルC,
j−空、セルC,i+1−空(例えば202のせル6)
で識別される。
セルの占有ステータスはまたある種の情報を提供するこ
とができる。例えば、C,1−1−塞でC,i−空、C
,i+1−塞(例えば203のせル8)であれば、その
ときにはセル8は最後の空きセルで、待行列は完全に一
杯であることを示すことになる。もしC11−1−空、
C,i−塞、c、i+1−空(例えば201のセル5)
であれば、これはセル5が待行列の最後であるか最初で
あるかのいず7Lかであることがわかる。最後にもしC
,1−1−塞、C,i−塞、C,i+1=塞(例えば2
03のせル3)であれば、これはセルは待行列の中のエ
レメント(例えば、その中にデータを含む)であること
を示す。
ファーヌトイン・ファーストアウト待行列本発明に従え
ば、FIFo待行列を実現するための例えば第2図でセ
ルのループのためには、データ待行列のA端あるいはB
端の隣の空きのセルは待行列の末尾として機能しなけれ
ばならず、入力バスからの新らしいデータ項目(1ビツ
トあるいはそれ以」二のデータ)を記憶し2、現在のデ
ータ書き込みサイクルの後で次のデータ書き込みクロッ
クの前にその占有ビットをセットするように動作しなけ
ればならない。同時に、待行列の他端は待行列の先頭と
して機能しなければならず、そのデータを出力バスに与
え、現在データ読み出し7サイクルの後で次のデータ読
み出しクロックのniJにその占有ビットをリセットし
なけjzばならない。例えば202においては、その頭
がAにあり、I3に向けて成長するFIFOはセルAを
読み(202のセル3)、13(202のセル6)隣の
空セルに書き込むことによって実現できる。同様に、B
が頭であり、Aに向けて成しするFIFOはセルBを読
み、Aの隣の空きセルに書き込むことによって実現でき
乙。頭の14の空きセルの占有ビットを変化することは
待行列の先頭の次の空きセルの位置を知らせるだけであ
り、末尾のセルの占有ビットを変更することは待行列の
末尾の位置を知らせるだけであることに注意しておく。
待行列の先頭と末尾の間((は干渉は存在しないので、
んCみ出しと書き込みの操作は非同期的に生ずる。すな
わち、FIFoとの間の書き込みと読み出しは相互に任
意の時点で行なうことができる。先頭の隣の空きセルの
占有ビットの変化は書き込みクロックの後までは何の影
響もないこと、末尾のセルの占有ビットの変化は読み出
しクロックの後まで何の影響もないことは回路によって
保証される。これは隣接したセルが同時に先頭の隣ある
いは末尾の隣の新らしい空きセルになったことを瞬時に
考え、それに従って動作する将棋だおし効果を防止する
のに必要である。最後に、待行列の初期化あるいはリセ
ットのためには、各セルはまたクリア信号によってその
占有ビットをリセットするようにしなければならない。
ラストイン−ファーストアウト待行列 本発明に従えば、メモリー例えば第2図の202がLI
FO待行列として動作するためには、書き込み動作の間
にAあるいはBの隣の空きセルは待行列の先頭として動
作し、入力バス上の新らしいデータ項目を記憶し、現在
の書き込みクロックの後で次の書き込みクロックの前に
その入力バス上の新らしいデータ項目を記憶しなければ
ならない。読み出し動作の間には、先頭のセルはそれに
記憶されたデータを出力バスに与え、現在の、洸み出し
クロックの後で次の読み出しクロックの1iilにその
占有ビットをリセットするように動作する。LIFOは
AあるいばBを先頭とし、Aの隣の空きセルに書き込み
を行ないAから読み出すか、あるいはBの隣の空きセル
に書き込み、Bから読み出すかのいずれかによって実現
することができる。先頭の隣の空きセルの占有ビットを
変更することは頭の位置を知らせるだけであり、先頭の
セルの占有ビットを変更することによって先頭の隣の空
きセルの位置を変化することに注意されたい。これによ
ってLIFOの待行列を同時に読み聰きすることは不可
能になる。しかしLIFO待行列の同時読み書きはLI
FO侍行列の正常な動作としては行なわれないので、こ
の結果として生ずる影響は存在しない。
先頭の次の空きセルの占有ビットのどのような変化も書
き込みクロックの後になるまでは何の効果もないことと
先頭のセルの占有ビットのどのような変化も読み出しク
ロックの後になるまでは何の効果もないことは回路によ
って保証されている。この場合も隣接したセルが同時に
それが先頭の次の新らしい空セルになったことあるいは
新らしい先頭のセルになったと考えそれに従って動作す
るような将棋だおし効果を防止するために必要である。
待行列を初期化あるいはリセットするために、各セルは
まだクリア信号でその占有ビットをリセットできるよう
にしておくことが必要である。
241図を参照すれば、図にはクリアおよび初期化回路
が示されている。FIFOあるいはLIFO待行列を初
期化するだめには、クリア信号(CL)ですべてのセル
の占有ビットをリセットし、すべてのセルが空きである
ときに次に1−き込むだめの待行列のせルをプライムす
るだめに仮想的な塞りのセルを作るために右側の隣接セ
ルのC,i−]入力と左側の隣接セルC,i+1人力に
セル基り信号を一時的に与える。
第2図を参照すれば、本発明に従ってFTFOあるいは
LIFO動作の間にセルはデータ待行列のAあるいはB
のい゛ノ4れかに招き込捷れたり読み出されたりするこ
とに注意していただきたい。待行列にデータが存在しな
ければ、(すなわちメモリーが空であれば)待行列中に
はセットされている占有ビットは存在せず、従って現在
位i6アトレス回路は最初のデータ項目をメモリーのど
こに−111:けば良いかわからないことになる。第1
図と第2図の両方を参照すれば、メモリー200のルー
プ路205の挿入ゲート105および106によって設
定される仮想的塞りセルを有いてこの問題がj9イ決さ
れる。
第1図において、ループ路は二つの接続10γと108
を持っている。経路108はチップ10上のセルNの占
有どット出カである端子CNを2人カORゲートios
の一方の人力である端子ci−1に接続する。経路10
1は占有ビットのせ九Nへの入力である端子CN+lを
端子Ciに接続する。チップ10のセル1−Nにはデー
タは存在しないので、セル1−Nのワイヤドオア出カ、
すなわち空リードは抵抗109を面して正の電圧Vに接
続され、初期化端子INITに対して論理°′ビ′の空
きメモリー信号を与える。端子INTに対するこの論理
゛1パ入カはORゲート105を動作して、セル1の入
力c1゜i−]に対して論理” 1 ”信号を与え、O
Rゲート106を動作して、チップ1oの出力C1に対
して論理” l ”を与える。初期化回路(105,1
06)のこの信号条件がNとセルフの間に仮想的な塞状
態のセルが存在することを桟贋することになる。このよ
うをば号接続において、チップ1oのセル1の制御回路
は自、1−1−塞、C,i−空、C,i+]−塞と見る
ことになる。第2図の206に従って、セル1はデータ
待行列のB端の次の空セルであると考えられる。さらに
、チップ10のセルNの制御回路からはC,1−1−空
、C,i−空、C+ i+]−塞であると見え、第2図
の207に従って、セルNをデータ待行列のA端の次の
空セルであると見ることになる。
仮想的な塞状態のセル、ゲート1o5および106はそ
れに隣接したセル1とセルNに古鳴fット(CI、4=
O,Ci ]=0)を見ることになり、従って第2図の
データ待行列208の最初と最後のセルであるように見
えることになる。従って、初期化の後でメモリーに招き
込1れるj′役初のデータはA端あるいはB端のいずれ
からデータ待行列が成長するかに応じてセル1あるいは
セルNのいずれかに書き適寸れることになる。
データがいずれかのセルに一度書き込まれると、空きリ
ードは論理0となる。これによってCN、i+1とCI
、i−1にはもはや論理“1″°が与えられていないよ
うになるから、仮想セルは消え去ることになる。端子C
NはOR’7’ −ト105を経由して(4,i−1に
接続され、出力C1,iはORゲート106を経由して
端子CN+1に接続されているからセルはループ構成に
接続されていることになる。
第3図にはチップ1乃至Mを含む多チツプ構成に必要な
接続が示されている。図示のように、多チツプループは
チップMの端子CNをチップ1の端子C1−1に接続し
、チップ1の端子CiをチップMの端子C,N+1に接
続することによって構成される。チップ]−Mの空端子
のワイヤドオア接続は抵抗303全通して電圧十■とチ
ップ1の端子INITに接続されている。
第3図に示した多チツプ接続において、仮想ビットはチ
ップMとチップlの間にだけ現われる必要があるから、
チップ2−MのINIT端子ば論理“′0″の接地電圧
に接続されている。隣接したチップの間の占有ステータ
スの相互接続CNからC,i−1へ、C,N十1からC
,iへは第1図に示したチップlOの隣接したセルの間
について述べだのと同様であることに注意していただき
たい。この場合も、もしチップトMのすべてのセルが空
であれば、そのときにはチップMと1の間に仮想的な塞
りのせルが設定されることになる。この条件においては
、入力された第1のデータはチップ1のセル1あるいは
チップMのセルNに対してデータ待行列がAあるいはB
のいずれから成長するようになっているかに応動して書
き込まれる。第1のデータ項目が、先に述べたようにチ
ップトMの任意のせルに書き込1れると、リード空は0
となり、仮想占有ビットが消えることになる。最後のデ
ータ項目がチップl −Mのセルから読み出され、これ
によって次の書き込み動作のためにセルのループをプラ
イムしたときに仮想占有ビットが再び現われることに注
意していただきだい。
セルの実現 第1図に示されるように、基本FIFO/LIFOセル
、例えば10はステータスセクション11、制御セクシ
ョン12および記憶メモリーセクション13から成って
いる。これらのセクションはこれらが第1図に示すよう
に柱状にスタックされるように設剖されている。第13
図はステータスセクション第4図、制御セクション第5
図および記憶セクション第12図の詳細な図の関係を図
示している。
ステータスセクションは第4図に詳述されており、論理
およびバッファゲートで構成さ、れている。IJ ON
 E上の信号は信号ONEの反転版であり、これが接地
になるとセルC11が塞シ(論理゛°1”)であり、隣
接したセルC,i−1およびC,i+1が空(論理″0
′”)であることを示す。インバータ401.402と
3人力のオープンコレクタNANDゲート403は、抵
抗306(第3図)と共に線ONE上に信号を発生する
。線ONEはチップ1.0 」二のすべてのメモリーセ
ル1−Mに対してワイヤドオア接続される。線COMP
上の信号は信号COMPの反転版であり、地気状態にな
ってセルC,iが空きであり、隣接セルC,i−1およ
びC,i+1が塞であることを示す。インバータ404
と3人力のオープンコレクタのNANDゲート405は
抵抗305(第3図)と共に線COMP、J二の信号を
発生する。線COMPは1だチップ10上のすべてのメ
モリーセルl−Mに対してワイヤ上OR接続される。
各セル上の空きの2進信号は各セルC,iにその占有ビ
ットステータスCI、iをチェックさぜることによって
発生される。もし占有セルが基りであれば(CI、1=
1)、オープンコレクタのインバータ406は空きステ
ータス線を接地する。この出力は外部プルアップ抵抗3
03(第4図)と関連して、メモリー回路の各セルが空
のときだけ論理°“1°゛の空き信号を発生する。
各セルの塞信号はセルC1■の各々にその占有ステータ
スCI、iをチェックさせることによって発生される。
もしセルが空きすなわち占有されていないと(cl、+
=O)、そのときにはオープンコレクタのインバータ4
07は基ステータス線を接地する。この出力は外部プル
アップ抵抗304と共にメモリー回路の各セルが塞りで
あるときだけ、論理“1″の塞シ信号を発生する。
FIFO/LIFOセルの制御セクション12は第5図
に図示されている。一般に、制御回路12はコマンドバ
ス103とそれ自身(CN、i)と両側の隣接セル(C
N、i −1’。
CN、i+1) の占有状況を監視する。その佇。
報から、制御回路はそのセルのデータ侍行列におけるセ
ルの相対位置を判定し、占有ビットを維持し、人力バス
上のデータを記憶するか、記憶されたデータを出力バス
に与えるかあるいはそのいずれをも実1テシないかを決
定する。
制御セクション12は読み出し制御回路(500−50
7L1月き込みIυ御回i、j75(511−517)
および占有ステータス回路(50B−510,518)
から成っている。制御セクションへの制御線はデ〜り待
行列のA端あるいはB端のいずれから読み出すかを示す
読み出しA/B信号、いつ読み出しを行なうかを示す読
み出しクロック伝号、(−1行列の次のA端あるいはB
端の空きセルのいずれにbき込むかを示す書き込みA 
/ B も号、いつ淋き込みを行なうかを示す書き込み
クロック信号および占有ビットフリップフロップ508
をリセットする全体クリアイ1j−号を含んでいる。
第10図を参照すれば、図にはFIFOあるいはLIF
Oを実現するために制御線読み出しA/Bおよび書き込
みA/Bに要求される信号を示している。端A(第2図
の線602)に書き込み、端Bから読み出すFIFOを
実現するには、リード上の信号は読み出しA/B−ON
 ?!’き込みA/B=0である。読み出しA/B線と
1き込みA/B線上の信号を反転すれば、FIFOは端
Bに1き込み、端Aから読み出すように変更できる。端
Aから読み出し、書き込みを行なうLIFOを実現する
には読み出しA/B、、書き込みA/Bは共に論理“0
″にしなければならない。従って、リードA/Bおよび
WRITE A/B上の信号の四つの組合せによって、
二つの異るタイプのメモリー(FIFOとLIFO)に
ついて二つの異る動作モード(A端あるいはB端)を指
定することができる。第10図の動作を実現する回路は
第5図の一部である。
第2図、第5図および第10図を参照すれば、端Aから
読み出し端BK書き込みPIFOloolの動作例が示
されている。リード読み出しA/B上の論理“0′”の
信号によってインバータ501を通してA N l)ゲ
ート502を付勢し、ANDゲート503を消勢する。
第6図に示しているのは端Aから読み出し端BK書き込
むIi” I F Oを形成する第5図の付勢回路の論
理的等画回路である。
第2図の209に図示されるように、位置アドレス方式
ではセルC,i−1の論理パO′”(空)ステータスと
セルC,iの論理” l ”(塞)ステータスによって
データ待行列のA端が識別される。セルC,i+1のス
テータスはC1iがデータ待行列(第2図の208)の
最初/最後のセルのいずれであるかについての追加の情
限を提供するだけであることに ′注意しておく。この
追加のC,i+]情報は読み出しあるいは書き込み動作
には重要ではないから、これは利用されない。
セルCN、i−1からの論理” o ”はインバータ5
04によって反転され、ANDゲート502によってゲ
ートされてORゲート505に行く。CN、iは論理”
 1 ”であり、ゲート505の出力は論理” i ”
であるから、ANDゲート506の出力;従って読み出
しラッチ507の入力りは論理゛1′にある。
第5図と第1図のタイミング図の両方を参照すれば、読
み出し制御信号の相対的タイミンクについて述べられて
いる。上述したように、時刻t1で読み出しラッチ50
7のD入力は論理“′1′に々る。読み出しラッチ50
7は付勢リードEが論理“O“′であるときに、出力Q
が入力りに従い、Eが論理” 1 ”になるときに(立
」二りで)出力Qがその現在の論理状態にラッチされる
ような装置である。従って読み出しラッチ507の出力
Qは時勿jt1からt2の間入力りに従って変化する。
ここではデータ待行列の端Aからの読み出しが望ましい
としているから、読み出すべきFIFO中のデータが存
在することを示すフリップ−フロップ50Bの占有ビッ
トは初めからセットされており、(塞状態になっている
。)、これによって出力QとリードCN。
1が論」呈゛I′”になっている。fileみ出しクロ
ック信号の前縁の時刻E2で、読み出しラッチ50γの
出力Qは入力りの現在の状態である論理“1゛′に固定
される。、読み出しラッチ507の出力Qは出力付勢リ
ードであり、これは後述するように、データ記憶セクシ
ョン(第1図のB)からの読み出し動作を伺勢する。
読み出しクロック信号は寸だ読み出しう゛フチ50フの
出力Qとゲート509でANDされて、時刻t2で占有
ピットフリップフロ゛ノブ508のリセット端子Rに与
えられるORゲート510からのリセット信号を形成す
る。
占有フリップ゛20ツブ508かリセットしたときには
、その出力Qは論理1! ” O”になり、これはリー
ド゛C,iJ二のデータを変化し、それによってデータ
待行列中のセルの相対位置を示すことに注意していただ
きたい。リードCN、iが論理” 1 ”になったとき
に、ゲート506は消勢されて読み出しランチ507へ
の入力りはゲート遅延t2−t3の後の時刻t3で論理
” o ”になる。しかし、リードDのこの変化は、ラ
ッチは読み出しクロック信号の立上りでしか入力に応動
しないので、読み出しラッチ507の内容に影響を与え
ない。このような読み出しラッチ507と占有ビットフ
リップフロップ508の間のマスター・スレーブ関係は
先に述べた将棋だおし効果を防止するために必要である
。明らかに、本発明に従って他のマスタースレーブフリ
ップ−フロップ装置を使用することもできる。
時刻t4で読み出しクロック信号が論理°°0“に戻つ
たときに、読み出しラッチ507の出力Qは再びD入力
に従って、論理” o ”になる。
FIFOに対して、端Bからの書き込みを付勢するには
、第10図の1001に示すようにリード証き込みA/
Bは論理” 1 ”になる。リード澹き込みA / B
上の論理゛°1“信号はANDゲート511を付勢し、
インバータ513を経由してANDゲート512を消勢
する。従って、セルCN、i−1の占有ステータスが考
慮され、セルCN、i+1のステータスは前照されない
ことになる。第2図の210に示されるように、データ
待行列のB端に対する1き込み動作のだめにはBの次の
空きセルが必要である。この条件のだめには隣接セルC
N、i−1に塞り状態が、セルCN、iに空きの論理”
 o ”状態が必要である。この場合も、この書き込み
動作のだめには、これが最後の空きセルであるかどうか
は重要ではない。従ってANDゲート511からの論」
里“1″出力のためにはり−ドCN。
i −11の論理“1″信号が必要である。
ANDケート511の論理′°】“出力はORゲート5
14を通してANDゲート515に与えられる。リード
CN、i上の論理“0″′はインバータ516によって
反転されてANDゲート515の他方の入力に与えられ
る。
ANDゲート515の出力は時刻t5で論理°°1″″
になり、書き込みデータラッチ517をセットして、時
刻t5で出力Qを論理“1パにする。書き込みデータラ
ッチ517は読み出しラッチ507と同様であるから、
これは同様に動作し、従って書き込みクロック信号の前
縁で出力Qは入力りの現在の状態にt5においてラッチ
されることになる。
■き込みデータラッチ517のQ出力は捷だANDゲー
ト518で書き込みクロックと共にANDされ、時刻t
6で占有ビットフリップフロップ508をセットするの
に使用される。出力CN、rは時刻t1で論理°“J“
となり、時刻t7で書き込みラッチ51γのリードDを
論理゛0″′にする。再び゛書き込みデータラッチ51
7と占有ビットフリップフロップ508の間のマスター
スレーブ動作によって誤つンク将棋だおし動作が生ずる
のを防止する。時刻L8で書き込みクロックが論理” 
o ”になったときに、書き込みラッチ517の出力Q
はその人力りに追随して論理°“0″になる。
第グ図と第1O図の両方を参照すれば、端Aから書き込
み、端Bから読み出すFIFOを実現するだめには、読
み出しA/B=1で書き込みA/B=0とする。第5図
を参照すれば、読み出しA/B=1であれば、ANDゲ
ート503が付勢され、ANDゲート502が消勢され
る。第7図に例示されているのは端Bから読み出し、端
Aに書き込むFIFOを形成する第5図で付勢された回
路の論理的等価回路である。
従って、第2図の線210に示されるように、データ待
行列のB端から読み出しを行なうにばC,1−1−1−
空、C,i−塞の信号が必要である。この場合も、端A
の読み出し動作について前述したのと同様の方法で、第
5図の占有フリップフロップ508がセットされる。端
Aに対する糊き込み動作を実行するために、信号書き込
みA/B=OはANDゲート512をイて1勢し、AN
Dゲート511を消勢する。従って第2図の線207に
示すようにデータ待行列のA端に書き込みを行なうには
、信号C,i+l−塞、C,i−空が必要になる。この
場合にも、先に、如べ/このと同様の方法で、第5図の
書き込みデータラッチ517と占有ビットフリップフロ
ップ508はそれぞれクリアされてセットされる。
再び第5図と第10図を参照すれば、端へ603から書
き込み、読み出しを行なうLIFOを実現するには、リ
ード読み出しA/B表書き込みA / Bが共に論理+
10++になっている必要がある。第5図を参照すれば
、読み出しA/B=0であれば、ANDゲート502は
付勢され、ANDゲート503は消勢される。第8図に
は端Aから読み出し、端Aに書き込むLIFOを形成す
る第5図の結果として得られた回路の論理的等価回路が
示されている。
端AK書き込むPIFOVC対する読み出しAの動作も
先に述べたように実行され、招き込みA/Bが論理゛0
“であるとANDケート512が47]勢されANDゲ
ート511が消勢される。この動作は端Aに一部き込む
FIFOについて先(て述べた場合と同様である。
最後に、端Bから読み書きするLIFO(第10図の6
04)を実現するには両方のリード読み出しA/13と
摺、き込みA/Bは共に論理” ]“になっている必要
がある。第5図を参照すれば、読み出しA/B=1では
ANDゲート503が付勢されANDゲート502が消
勢される。第9図に図示しているのはこの結果得られる
端Bから読み書きするLIFOを形成する第5図の回路
の論理的等副回路である。
動作はFIFOに対する読み出しBの動作について先に
述べたのと同様に動作する。端Bに1き込むには、1゛
き込みA/Bは論理°“i ”で、これはANDゲート
511を付勢し、ANDゲート512を消勢する。この
動作はFIFOに対する先に述べた書き込みB動作と同
様である。
同一のセルは同時に読み出したり書き込んだりすること
はできないから、FIFoのように同時に占有ビットを
セット、リセットすることは不可能であることに注意し
ておく。
しかしこのような同時読み書きは正常のLIFOの動作
の一部ではないから、正常のLIFOとしての動作の間
ではセルの占有ビットの同時セット リセットは可能で
ある。
全体クリア信号(CL)が制御セクション12に力えら
れたときには占有ビットフリップフロップ508がリセ
ットされる。全体クリア信号は初期化ステップの間にす
べてのセルを空にするように使用される。
F I FO/L I FOセルの記憶セクション13
が第12図に図示されている。先に述べたように、記憶
セクションは任意の大きさのデータ項目を入ノJおよび
出力するように任意の数のラッチJで構成すればよく、
これに対応して、入力バスINと出力ハスOUTも寸た
Jビワ8幅になる。従って第12図にはD形フリップフ
ロップ801−1乃至8o1−Jと3状態バッファ80
2−1乃至802−Jが設けられている。フリップフロ
ップの各入力Dlよそれに関連する入力リードに接続さ
れ、一方各出力Qは関連するバッファを心して出力バス
OUTの出力リートに接続されている。占有ステータス
信号CN、iはラッチのクロックリードCK接続されて
いる。情報は第5図の占有フリップフロップ508の出
力Qである信号CN、iの前縁でデータラッチ801−
1乃至801−Jに書き適寸れる。
従って、占有フリップフロップ508CN。
1は占有ステータスの表示としての他うッチイー]勢信
号としても使用されることになる。情報は出力伺勢信号
OUT ENが13里” ] ”であるときに、データ
ラッチ801−1乃至801−Jから読み出される。3
状態バッファ802−1乃至802−Jは共通の付勢信
号OUT ENが論理“′0パであるときオープンコレ
クタ出力となる。出力付勢信号OUT ENが論理゛′
1′″になったときに、各データラッチ801−1乃至
801−Jの出力は、3状態バッファ802−1乃至8
02−Jの関連したものによって、それぞれの出力リー
ド0UTX l乃至OUT、Jにゲートされる。
本発明の回路と機能を実現するためには、多数の池の周
知の回路が利用できることは予想される。本発明のメモ
リー回路は相補メタルオキサイド半導体(CMO8)技
術を使って実現されるが、周知のディスクリート、ハイ
ブリッドあるいは集積回路手法のいずれを用いてだ他の
実施例も可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に従うNセルのFIFO/LIFOメモ
リーチップとそれに対する外部接続のブロック図; 第2図は位置アドレスと待行列状態を決定するためにど
のように隣接セルを使用するかを示す表と一例を示す図
; 第5図は第1図に示したタイプのMメモリーのチップの
相互接続の図; 第4図はFiFO/LIFOセルのステータスセクショ
ンの回路図; 第5図はF I F O/ L I F Oセルの制御
セクションの回路図: 第6図は端穴から読み出し、端Bに吉き込むl” i 
1” 0を形成する第5図の付勢回路の論理的等価回路
図; 第7図は端Bから読み出し、端Aに書き込むl” L 
li’ Oを形成する第5図の付勢回路の論理的等価回
路図; 第8図は端Aから読み出しpEil:Aに♂き込みを行
なうLiFOを形成する第5図の付勢回路の論理的等価
回路図; 第9図は端Bから読み出し、端Bに書き込みを行なうL
IFOを形成する第5図の付勢回路の論理的等価回路図
; 第10図は本発明のF I FO/L I FOメモリ
ーの設計の種々の動作モードを示す図;第11図はF 
I FO/L I Foセルの読み出しおよび書き込み
タイミングの図; 第12図はFIFO/LIFOセルの記憶セクションの
回路図; 第16図は第4図、第5図および第12図の関連を示す
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 メモリー回路・・・10 初期化回路・・・105,106 制御回路・・・12 占有ステータス信号手段・・・508 書き込み制御手段・・・517 読み出し制御手段・・・507 第2の出力信号・・・107

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 初期化回路と、最初、最後および少くとも−の中間
    のメモリーセルとを含むメモリー回路において、 各メモリーせルは、 データを記憶し、データを出力するデータ蓄積手段と、 データ占有ステータス信号手段と書き込み制御手段を含
    む制御回路とを有し、 該最初のメモリーセルの該書き込み制御手段は該第1の
    メモリーセルからのデータ占有ステータス信号の補数と
    該初期化回路からの出力信号に応動して関連するデータ
    蓄積手段にデータを書き込むのを制御し、該受くともひ
    とつの中間のメモリーセルの書き込み制御手段は、該受
    くともひとつの中間のメモリーセルからのデータ占有ス
    テータス信号の補数とその直前に隣接したメモリーセル
    からのデータ占有ステータス信号とに応動して、関連す
    るデータ蓄積手段へのデータ書き込みを割面1し、 該最後のメモリーセルの一山き込み制御手段は、該最後
    のメモリーセルからのデータ占有信号の補数とその直前
    の隣接しノζメモリーセルからのデータ占有ステータス
    信号とに応動じ一〇関連したデータ蓄4)11手1′!
    iへのデータの書き込みを制御し、 該初期化回路は該最後のメモリーセルあるいはすべての
    メモリーセルの空き信号に応動して該第1のメモリーセ
    ルに対する該出力信号を発生する ことを特徴とするメモリー回路。 2、特許請求の範囲第1項に記載のメモリー回路であっ
    て、各制御回路は読み出し制御手段を含み、さらに 該第1のメモリーセルの該読み出し制御手段は該第1の
    メモリーセルからの該データ占有ステータス信号と該初
    期化回路からの該出力信号の補数とに応動して、関連す
    るデータ蓄積手段に対するデータの読み出しを制御し、 該受くともひとつの中間のメモリーセルの該読み出し制
    御手段は該受くともひとつの中間のメモリーセルからの
    該データ占有ステータス信号と直前の隣接したメモリー
    セルからの該データ占有ステータス信号の補数として応
    動して、関連するデータ蓄積手段に対するデータの読み
    出しを制御し、該最後のメモリーセルの該データ制御手
    段は該最後のメモリーセルからの該データ占有ステータ
    ス信号と直前の隣接した中間のメモリーセルからの該デ
    ータ占有ステータス信号とに応動して関連するデータ蓄
    積手段に対するデータの読み出しを制御することを特徴
    とするメモリー回路。 3、特許請求の範囲第1項に記載のメモリー回路におい
    て、該初期化回路はさらに 該最初のメモリーセルあるいはすべてのメモリーセルの
    空き信号に応動して該最後のメモリーセルに対して第2
    の出力信号を発生する手段を 含むことを特徴とするメモリー回路。 4、%許請求の範囲第3項に記載のメモリー回路におい
    て、各制御回路は読み出し制御手段を含み、 該最初のメモリーセルの該読み出し制御手段は該最初の
    メモリーセルからの該占有ステータス信号と次に隣接し
    た中間のメモリーセルからの該データ占有ステータス信
    号の補数に応動して関連するデータ蓄積手段のデータの
    読み出しを制御し、 該受くともひとつの中間のメモリーセルの該読み出し制
    御手段は、該受くともひとつの中間のメモリーセルと、
    その直後の隣接したメモリーセルからのデータ占有ステ
    ータス信号に応動して関連するデータ蓄積手段のデータ
    読み出しを制御し、 該最後のメモリーセルの該読み出し制御手段は該メモリ
    ーセルの該データ占有ステータス信号と該初期化回路か
    らの該第2の出力信号の補数に応動して関連するデータ
    記憶手段からのデータの読み出しを制御する ことを特徴とするメモリー回路。
JP59180870A 1983-08-31 1984-08-31 メモリ−回路 Granted JPS6070575A (ja)

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US06/527,982 US4592019A (en) 1983-08-31 1983-08-31 Bus oriented LIFO/FIFO memory
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JPS6070575A true JPS6070575A (ja) 1985-04-22
JPS6350797B2 JPS6350797B2 (ja) 1988-10-11

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