JPS6070635A - マイクロ波管装置 - Google Patents

マイクロ波管装置

Info

Publication number
JPS6070635A
JPS6070635A JP17859483A JP17859483A JPS6070635A JP S6070635 A JPS6070635 A JP S6070635A JP 17859483 A JP17859483 A JP 17859483A JP 17859483 A JP17859483 A JP 17859483A JP S6070635 A JPS6070635 A JP S6070635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slit
wall
electron beam
circuit
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP17859483A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0457059B2 (ja
Inventor
Katsutoshi Fujita
藤田 勝利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP17859483A priority Critical patent/JPS6070635A/ja
Publication of JPS6070635A publication Critical patent/JPS6070635A/ja
Publication of JPH0457059B2 publication Critical patent/JPH0457059B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の杉術分野〕 この発明はジャイロトロン(ジャ・fロモノトロン)、
ジャイロクライストロン、ジャイロ進行波管、ヘニオト
ロン、ジャイロベニオドロン、として知られるような電
子ザイクロトロンメーサ形のマイクロ波管装置の改良に
関する。
〔発明の技術的背景〕
上述の如き中空電子ビームのザイクロトロンモードと円
筒空胴からなる高周波、I(振回路の所定モードとの結
合を利用し大電力のマイクロ波を発生するマイクロ波管
においては、電子ビームの捕捉を行なう円筒状コレクタ
電極およびその下流に設けられた高周波出力部を介して
高周波エネルギーを伝送し外部にどり出す桁端をイjす
る。このマイクロ波管、%tの動作において、とくに電
子ビームを捕捉するコレクタ電極などからガス放出があ
り、この放出ガスによるイオンが電子銃側に逆行して動
作不安定現象を生じたシする不都合がある。したがって
、動作生石放出ガスを速かに吸収するイオンポンプのL
うなポンプを真空容器を構成する容器壁の一部に接続す
る必要がある。従来jは高周波電流が流れない構造のコ
レクタ電極の鳴きにその先端部に排気管を接4+1jす
るどか、あるいは電子銃部側に設0るのが一般的である
。排気速度を・高めるためには・rオンポンプと接1飢
する’jJi′気管および増刊通気孔の径をなるべく太
きぐすることが肝要である。この排気管及びポンプを動
作中のガス放出がjvも多いコレクタ尤・隙の主要部す
なわち電子ビーム捕捉量の最も多い領1或に取付けるの
が有利であることは当然である。しかし直径の大きい通
気孔をコレクタ電極壁に形成すると、この’:J (/
フタ電極壁が高周波区送回路璧を兼ねている場合、通気
孔のために不所望な高周波モードが発生したシ、排気管
を通してポンプの方に高周波Jエネルギーが漏洩したシ
し′Cきわめて工部ばな現象の発生が考えられる。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、以上の=7V情に基いてなされたも
のであシ、す1気のための通気スリットの排気コンダク
タンスを大きくするごとができ、且つこの通気スリット
からの高周波諦洩を確実に抑制することができる電子ダ
・・fクロトロンメーザの原理に基いでマイクロ波管装
置を提供することである。
〔発明C〕概要〕 この発明は、兵空寝器の一部をなす円筒状高周波伝送回
路部の一部に、この回路壁な内側から外側に11通する
円筒状の微小間wrの通気スリットを形成し、このスリ
ットの外周に空所を形成するチュ;ンパ壁を設りてこの
チェンバ壁の一部にイオンポンプむを接続する排気管を
とシつけたものである。通気スリットは回rt畳の全周
又ははy全周に形成することができるため、’ J、I
r気コンダクタンスを十分大きくすることができ、それ
にもかかわらずこのスリットから高周波エネルギーが漏
洩するのは抑制することができる。
このため排気管を装置の動作におい゛Cガス放出、j が多くなるコレクタ電極部の電子ビーノー 1+1捉葺
の多い領域又はその近彷に取9つけることが可能であり
、装置の安定な動作を得るのにきわめて役立つものであ
る。また通気スリットを回路壁の全周に形成して回路を
直流的に分離する機能と兼ねる構造にすることができ、
これによって回路分離と排気管接続部とを単一の構成に
して装置を比較的簡略にすることができる。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照してその実施例を説明する。
なお同一部分は同一符号であられす。
第1図は本発明をジャイロトロンに実施した例の概略図
である0同図において符号11は中空電子ビームを射出
する電子銃部、12は電子ビーム導入部、13はカット
オフ部、14は円筒状共振空胴部、15は拡大177部
、16はコレクタ電極部、17は回路分離部、18は出
力部、19は誘電体出力窓、20は磁界装置の電子銃部
のソレノイド、21は主ソレノイドをあられしている0
そこでコレクタ電極部16の上流近くに複数の排気管2
2.23およびジヨイント24.25を介して2つのイ
オンポンプ26.27を接続しである。一方の排気管2
3には排気ポンプ28を接続し、これはマ・fクロ波管
の排気工程ののち封止切り部29で切断されるものであ
る。
さて排気管22.23はコレクタ電4べ部の高周波伝送
回路壁を管軸Cを横切る方向に形成した微小間隙のスリ
ット30のまわりに気密に設けた導電体製のチェンバ壁
3ノの一部に接続されている。チェンバ壁31はスリッ
ト3oに連通するリング状の空所32を形成している。
実際的な構造を第2図およびfR3図により説明する0
コレクタ電極16はスリット30により図の左右に分離
された2つの回路壁16a。
16bを有し、一方の回路壁168の外周に円板状のフ
ランジ33が気密接合され、チェンバ壁31がスリット
3θの外周をとりまき空所32を形成するようにこのフ
ランジ33と他方の回路壁16bの外周にそれぞれ気密
接合さ」tている。そして空所32の一部にリング状の
高周波吸収体34が配置さ」tている。チェンバ壁31
の一部に前述の如く2つの排気管22゜23が接続され
外方に延長されている0スリット30は全周にわたって
回路壁の内(illから外側に連通して形成され、その
間隙寸法(7)が基本波モード(1’Eon モード、
nは整数)のダα内波長(λ1−)の数分の1以下の寸
法を有し、半1iJ7面クランク状をなす、Il、−3
に互いに嵌合されてなる通気可能な形状を有する。そし
て内f1)]から外11すに向かうスリットの方向は、
電子ビームの進行方向と逆向きになって」dす、また同
軸状に嵌合しあう部分の寸法(°L)は管内波長λVの
1倍以上、とくに好ましくは3倍以上の寸法を有するよ
うに形成されている。これにJ、ってスリット30から
は高周波が排気管の方に漏出しないようになっており、
また捕捉される電子eがスリット30を通ってチェンバ
壁の方へ逸脱しないようじなっている。勿論共振空胴部
で発振、増幅される高周波J、ネルギーは、この円周状
人すツ)、9(7の存在に妨げられることなく出力部へ
伝送される。またもし万一、不所望なモードの高周波成
分がスリットを通して空所32に至ることがあっても、
吸収体34により吸収、減衰されるので排気管を通って
・fオンづζンブの方へ漏洩することは確実に抑止され
る。
またスリットは全周に形成されているので排気コンダク
タンスは十分大きくとれるとともに、このスリットの外
周にはチェンノ(壁による十分大きな容積の空所32が
設けら1tているので、回路壁の内部にガス放出が起っ
てもきわめて速かにポンプに↓シ排気することができ、
動作中も管内を高真空度に維持することができる。
第4図に示す実施例は、スリン) 301:より回路壁
16&、16bを直流的に分際絶縁する機能を兼ねるよ
うに構成したものである0このためスリット30をとシ
まく空所32を形成するチェンバ壁が、一対のフランジ
33,35、およびこ、ltらフランジ間に気ff1l
妾ばされた封着リング36.3’i、セラミック絶縁リ
ング38、へりアーク溶接用リング39.40によシ構
成され、排気管22.23がとシつけられCいる。
なお図中の勾弓41は両フランジを固定する絶縁ロッド
、42はその固定用対ぜルト、43(よ7貨)jJ水パ
・fプ、44は冷却室、45は絶縁力、・(−をあられ
している。この構造に、治い°で【J1ス1ノット30
、絶縁リング38、絶dロッド4)(二りり、回路壁1
6 a * 16 bを直流的(1分力[[給緑しCお
9、これによって各回路壁ζ:独立の電位を与えで動作
させたり、あるす)は各回路壁(1流れるビーム紙流を
各々独立に検出することカニてきる。そしてJI+気管
は排気コンダクタンスの大きいスリット°お工びモのま
わり(二J[<I戊さλtだ大容積の空所を介して接、
読されているので、管内の放出ガスを能率よくポンプに
導びくこと力;できる。
さてスリット30の形状は、前述の実施5Nの如き形状
に限らず、第5図乃至第8図(=7i: を工うな半1
す1面クランク状に形成′することができるOずなりち
第5図に示すように回路壁のト)i ((1カ・ら外I
FI!lにかけて、途中から斜め方向(二延長したJ形
状としても工く、また第6図(二示す工うC二1・1g
S字形としてもよい。さらに第7図に示すように7字形
としてもよく、また第8図に示すようにロー形に形成し
てもよい。
以上の例ではスリット30を電子ビートの進行方向に対
して逆向きとなる部分をイ]する形状とし、これに上っ
て電子がスリットを通過するのを防止している。これは
コレクター極部のとくに捕捉電子量の多い領域に形成す
るのに適している。しかしこのことは本発明に不可欠の
ことではなく、捕捉電子量がほとんどないか又は比較的
少ない領域に形成する場合(二は、スリットに必らずし
も電子ビーム進行方向と逆向きの延長部分を形成しなく
てもよい。例えば阜に管軸に垂直方向に延びるスリット
であり又もよく、また、第2図に示した如き同軸部分の
寸法りを十分大きく形成すれば以上の実施例とは逆向き
のスリット形状にしてもよい。
さらにまた第一9図および第10図に示すように、回路
壁16のまわシに複数のスリット30゜30・・・を内
局方向に形成してもよい。
以」二の構成を有するこの発明は、回路壁に円周状に形
成した通気スリットおよびその外周に空所を形成するチ
ェンバ壁を介して排気管を接続してなるため、十分大き
な排気コンダクタンスを得ることができる。しかも円周
状のスリ、ットは高周波遮断作用をするので高周波が排
気管の方へ漏洩することがない。このためとくに電子ビ
ーム捕捉と高周波伝送回路を兼ねるコレクタ電極部に排
気管を設けることができ、それによれば動作中漬もガス
放出が多くなるこのコレクク部分からの放出ガスを直接
的に排気することができる。また回路壁の分離絶縁構造
と、排気管取付構造とを一体化した単一の構造とすれば
、これにx、シ装置の簡略化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す概略縦断面図、第2図
はその要部拡大縦断面図、第3図は第2図の3−3にお
ける横断面図、第4図は本発明の他の火飾例各厚ず要部
縦断面図、第5図乃至f3”; 80.Mj 1.;l
、名々さらに他の実力[5例を斤ず要部断面図、第9図
はさらに他の実施例を示す!部企1祝図、第1O図はそ
の横断面図である。 1)・・・匿子銃部、14・・・共振空胴部、16・・
・コレクタ電極部、;l:l、23・・・杉1’ %憤
°、26゜27・・・・fオンポンプ、30・・・通気
スリット1.71・・・チェンバ壁、32・・・空所、
38・・絶縁リング。 出願人代理人 ジ[理士 鈴 江 武 彦第2図 ■ 1 しど−−,,−−−−−J 第3図 第4[71 ↓ 第7図 第8図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 中空の電子ビームを射出する電子銃部と、電子
    ビームに旋回運動エネルギーケ与える磁界装置と、電子
    ビーム路に沿って設けられ電子ビームと高周波相互作用
    を行なう円筒状共振空胴部と、この共振空胴部の下流に
    設けられ高周波エネルギーを外部にとシ出す誘電体製マ
    イクロ波出力窓と、上記共振空胴部および出力窓の間に
    あって電子ビームを捕捉するコレクタ電極部を含み高周
    波エネルギーを伝送する円筒状高周波伝送回路部と、真
    空容器を構成する壁の一部にとシっけられてガス吸収ポ
    ンプを接続する排気管とを具備する電子サイクロトロン
    メーザ形マイクロ波管装置において、上記円筒状高周波
    伝送回路部の一部に、該回路壁を内側から外側に貫通す
    る同局のスリットの外側をとシまいて空所を形成するチ
    ェンバ壁が気密接合されるとともにこのチェンバ壁の一
    部に上記排気管が接続されてなる上記マイクロ波管装置
  2. (2)スリット、チェンバ壁および排気管は、コレクタ
    電極部の電子ビームを捕捉する主要部に設けられてなる
    特許請求の範囲第1項記載のマ・fクロ波管装置。
  3. (3) スリットは、半断面クランク状をなし、該スリ
    ットにより回路壁が分離されてなる特許請求の範囲第1
    項記載のマイクロ波管装置。
  4. (4)スリットは、回路壁の内側から外側に向かうにつ
    れて電子ビームの流JLる方向と逆向きに延びる部分を
    有してなる特許請求の範囲第2項又は第3項記載のマイ
    クロ波管装置。
  5. (5) チェンバ壁は、その一部に気密封着された絶縁
    リングを有し、回路壁がスリット部分て直流的に分離、
    絶縁されてなる特許請求の範vJJ第2項又は第3項記
    載のマイクロ波管装置〇
JP17859483A 1983-09-27 1983-09-27 マイクロ波管装置 Granted JPS6070635A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17859483A JPS6070635A (ja) 1983-09-27 1983-09-27 マイクロ波管装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17859483A JPS6070635A (ja) 1983-09-27 1983-09-27 マイクロ波管装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6070635A true JPS6070635A (ja) 1985-04-22
JPH0457059B2 JPH0457059B2 (ja) 1992-09-10

Family

ID=16051185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17859483A Granted JPS6070635A (ja) 1983-09-27 1983-09-27 マイクロ波管装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6070635A (ja)

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADVANCES IN ELECTRONICS AND ELECTRON PHYSICS=1981 *
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES=1981 *
INT.J.ELECTRONICS=1982 *

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0457059B2 (ja) 1992-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3432721A (en) Beam plasma high frequency wave generating system
US2410054A (en) Electron discharge apparatus
US2508280A (en) Electron tube
US2409693A (en) Electron discharge device
US2226653A (en) Electromagnetic oscillation apparatus
US3346766A (en) Microwave cold cathode magnetron with internal magnet
US3432722A (en) Electromagnetic wave generating and translating apparatus
US3441783A (en) Travelling wave amplifier tubes
JPS6070635A (ja) マイクロ波管装置
US2282856A (en) Magnetron oscillator
US2788464A (en) Traveling wave electron discharge devices
CN105161389B (zh) 一种微波调制冷阴极微型辐射源及其实现方法
US2890373A (en) Retarded wave electron discharge device
US2910613A (en) Electron tube
US2423161A (en) Electron discharge device of the plural cavity resonator type
US2558664A (en) Switch tube
US2925521A (en) Traveling wave tubes
US2638504A (en) High-frequency electrical device having gastight envelopes
US2605443A (en) High-frequency tube structure
US2856555A (en) Traveling wave tube
JP3015450B2 (ja) 電子レンジ用マグネトロン
GB609717A (en) Electron discharge devices using a deflected beam
US3492528A (en) High frequency power tube
JPS6313236A (ja) ミリ波発生装置
US2846618A (en) Magnetron