JPS6070637A - マイクロ波管装置 - Google Patents
マイクロ波管装置Info
- Publication number
- JPS6070637A JPS6070637A JP17859383A JP17859383A JPS6070637A JP S6070637 A JPS6070637 A JP S6070637A JP 17859383 A JP17859383 A JP 17859383A JP 17859383 A JP17859383 A JP 17859383A JP S6070637 A JPS6070637 A JP S6070637A
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- JP
- Japan
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- circuit
- electron beam
- section
- wall
- electron
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/025—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators with an electron stream following a helical path
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- Microwave Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ジャイロトロン（ジャイロモノトロン）、
ジャイロクライストロン、ジャイロ進行波管、ベニオド
ロン、ジャイロベニオドロンとして知られるような電子
サイクロトロンメーザ形のマイクロ波管装置の改良に関
する。
ジャイロクライストロン、ジャイロ進行波管、ベニオド
ロン、ジャイロベニオドロンとして知られるような電子
サイクロトロンメーザ形のマイクロ波管装置の改良に関
する。
上述の如き中空電子ビームのサイクロトロンモードと円
筒空胴からなる高周波共振回路の所定モードとの結合を
利用し大電力のマイクロ波を発生するマイクロ波管にお
いては、電子ビームの捕捉を行なう円筒状コレクタ電極
およびその下流に設けた高周波出力部を介して高周波エ
ネルギーを伝送し外部にとり出す構造を有する。
筒空胴からなる高周波共振回路の所定モードとの結合を
利用し大電力のマイクロ波を発生するマイクロ波管にお
いては、電子ビームの捕捉を行なう円筒状コレクタ電極
およびその下流に設けた高周波出力部を介して高周波エ
ネルギーを伝送し外部にとり出す構造を有する。
電子ビームはコレクタ電極に大部分捕捉されるが、出力
部を構成］−る回路壁などＧこも一部流入する場合があ
る。このため、このマイクロ波管装置の組立、調整や、
動作監視のうえで、コレクタ電極や出力部からなる高周
波伝送回路壁の各部分、部分をこ電子ビームがどの程度
流入しているかを知ることが必饅である。また例えば出
力部の一部を構成する回路壁やコレクタ龜極の下流部分
を、コレクタ電極の上流部分もしくはさらにその上流の
空胴共振回路近傍の回路壁よりも低電位に保って電力効
率を高めたり出力窓への電子の衝撃を防止することも有
効である。
部を構成］−る回路壁などＧこも一部流入する場合があ
る。このため、このマイクロ波管装置の組立、調整や、
動作監視のうえで、コレクタ電極や出力部からなる高周
波伝送回路壁の各部分、部分をこ電子ビームがどの程度
流入しているかを知ることが必饅である。また例えば出
力部の一部を構成する回路壁やコレクタ龜極の下流部分
を、コレクタ電極の上流部分もしくはさらにその上流の
空胴共振回路近傍の回路壁よりも低電位に保って電力効
率を高めたり出力窓への電子の衝撃を防止することも有
効である。
このような目的のためにこれら回路壁を軸方向にわたっ
て複数に＠流的をこ分離することが考えられている。例
えば実開昭５７−５３６８号や４？、開昭５８−１０２
４３８号公報には、回路壁をリング状セラミックにより
分離する構造が示されている。しかし具体的構造として
は回路壁を単に軸に垂直に切断しリング状セラミックあ
るいはその表面に高周波損失体を被着したセラミックス
ペーサをぽさんで結合したものが提案されているにすぎ
ない。こイｔらの電子管装置は当然のこと一部からｔＳ
短波長、大雪分用として有効なものであるだけに、この
回路分離部からの高周波の漏洩を完全に抑制する必要が
あり、上記公報に提案される構造では高周波漏洩や損失
体への高周波吸収による過熱のおそれ、あるいはセラミ
ック面への電子の帯電による不都合などが考えられる。
て複数に＠流的をこ分離することが考えられている。例
えば実開昭５７−５３６８号や４？、開昭５８−１０２
４３８号公報には、回路壁をリング状セラミックにより
分離する構造が示されている。しかし具体的構造として
は回路壁を単に軸に垂直に切断しリング状セラミックあ
るいはその表面に高周波損失体を被着したセラミックス
ペーサをぽさんで結合したものが提案されているにすぎ
ない。こイｔらの電子管装置は当然のこと一部からｔＳ
短波長、大雪分用として有効なものであるだけに、この
回路分離部からの高周波の漏洩を完全に抑制する必要が
あり、上記公報に提案される構造では高周波漏洩や損失
体への高周波吸収による過熱のおそれ、あるいはセラミ
ック面への電子の帯電による不都合などが考えられる。
この発明の目的は、以上のような従来構造の不都合を解
決し、回路分離部からの高周波漏洩や電子の帯電等を確
実に防止し、分離された各回路壁に独立に電位を与えた
りあるいは独立にビーム電流を検出することが可能なジ
ャイロトロンのような電子サイクロトロンメーザの原理
に基づくマイクロ波管装ｆＲｆ提供することである。
決し、回路分離部からの高周波漏洩や電子の帯電等を確
実に防止し、分離された各回路壁に独立に電位を与えた
りあるいは独立にビーム電流を検出することが可能なジ
ャイロトロンのような電子サイクロトロンメーザの原理
に基づくマイクロ波管装ｆＲｆ提供することである。
この発明は、分離を必要とする回路壁を管軸を横切る方
間に半断面クランク状の微小間隙を保って円周方向に互
いに嵌合し合い、且つ微小間隙を弁して隣り合う両回路
壁の外周面を絶縁リングを介して気密封止した分離部を
有するものである。これによって基本モードであるＴＥ
ｏｎモード（ｎは整斂）はそのまま回路上を出力部方向
に伝送されまた基本モード及びそれ以外の他の不要モー
ドをクランク状の微小間隙により分離部を通して外部へ
漏洩するのを確実に抑止し、分離された各回路壁を直流
的に絶縁することができる。
間に半断面クランク状の微小間隙を保って円周方向に互
いに嵌合し合い、且つ微小間隙を弁して隣り合う両回路
壁の外周面を絶縁リングを介して気密封止した分離部を
有するものである。これによって基本モードであるＴＥ
ｏｎモード（ｎは整斂）はそのまま回路上を出力部方向
に伝送されまた基本モード及びそれ以外の他の不要モー
ドをクランク状の微小間隙により分離部を通して外部へ
漏洩するのを確実に抑止し、分離された各回路壁を直流
的に絶縁することができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお同
一部分は同一符号であられす。
一部分は同一符号であられす。
第１図はジャイロトロンに本発明を実施した概１１１８
図である。同図において符号１１は中空゛電子ビームを
射出する唾、子統都、１２は電子ビーム尋人部、１３は
カットオフ郡、Ｚ４は円筒共振空胴部、Ｊ５は拡大テー
パ品、１６はコレクタ頚極部、Ｚ７は出力ｆ！、ｉ ｓ
はａ）電体出力窓、１９は磁界装置の電子銃部ソレノイ
ド、２０は電子ビームに旋回運動エネルギーを−りえる
主ソレノイドをあられしている。そこでコレクタ電極部
１６の上流部分、および出力部近傍に回路分離部２１．
２２が設けられ、回路壁が管、Ｊ（：を４か切る方向に
０区切られて直流的に分離され、且つ絶縁リング２３．
２４により気密接合されている。これにまって分離さイ
ｔた回路壁には独立に電位を与えることができ、あるい
は独立にビーム電流を１ｉｉｊｌ定することが可能とな
っている。
図である。同図において符号１１は中空゛電子ビームを
射出する唾、子統都、１２は電子ビーム尋人部、１３は
カットオフ郡、Ｚ４は円筒共振空胴部、Ｊ５は拡大テー
パ品、１６はコレクタ頚極部、Ｚ７は出力ｆ！、ｉ ｓ
はａ）電体出力窓、１９は磁界装置の電子銃部ソレノイ
ド、２０は電子ビームに旋回運動エネルギーを−りえる
主ソレノイドをあられしている。そこでコレクタ電極部
１６の上流部分、および出力部近傍に回路分離部２１．
２２が設けられ、回路壁が管、Ｊ（：を４か切る方向に
０区切られて直流的に分離され、且つ絶縁リング２３．
２４により気密接合されている。これにまって分離さイ
ｔた回路壁には独立に電位を与えることができ、あるい
は独立にビーム電流を１ｉｉｊｌ定することが可能とな
っている。
さて、回路分離部Ｌユは、第２図に示すようにコレフグ
電極部１６の回路”Ｊ４１６ａ、１６ｂか半断面クラン
ク状の微小間Ｉ卵２５のダつＣ互いに同軸的にｆｆ、（
会しあうようにリック壮のフランジ２６．２７およびｆ
ｆ ａｉｌＪの肥昼ロッド２８゜２８・・・によって連
結されている。クランク状微小間隙２５の同軸状０ζ重
４１′り合い・ｔｌｂに沿って延長さイＬでいる部分の
長さＬ（才、基本モード波の管内波長λりの１餡り、上
、と（【こ奸ましくは３倍以上の長さを有し、才た間１
章寸法１は管内波長の数分の１以下に設定さ（１，’Ｃ
Ｌ）２・。区１示のように、微小１ｔ６隙２５１才好ま
しくは回路壁の１倶ｌ／］１ら外１１’、ｌ＋へ向か−
１につ几Ｃ市イビームの流れる方向と逆向きに延長さＩ
Ｅ、た部分を有している。これによって、コレクダ電極
に捕捉される電子Ｃが１微小間隙２５Ｐ拍って口路壁ス
）外１１１°へ逸脱するこさがないよう屹フロ（つてい
る。このクランク状微小間［喰２５の４ｔｔ周には、ｎ
路壁／Ａ周面に気密接合されたフランジ２７にさらに気
’、！ｌ’ｉ接合されたコバール１浸封着金ｆｉ ＩＪ
ソング９、セラミック絶縁リング２３、コバール製リン
グ３０、外周縁がへりアーク溶接された一対の溶接用リ
ング３１．３２が縦列に気密接合されている。これによ
って両回路壁１６ａ、１６ｂは直流的に分離され且つこ
の分ａｌＩＦ部の伺周力３Ｍ力縁リング２３を弁して気
密接合さイ１−ている。また絶縁リング２３の外側には
、４１体円鋪３３が配置され、その一端３３ａがフラ：
／ジ２７４こねじ止めされ、他端の平面部３．９ｂが静
市容沙を形成−１−るための薄いＫ ；ｔｘ ’Ｅ体ロ
リング３４弁じてフランジ２６に近接されている。そし
て１伊１１に高周波吸収体のリング３５が伝熱的ζこ配
設されている。なおこれら導桑°体円筒や吸収体リンク
（オ木発明に不σ■欠ｆ、ｃ棹′を成部品ではないが、
木実節制によれば、万一、微小間隙２５を・Ｆさって不
所嗜ｆｆ高周波が外部へ２着れようとしてもこれを！有
天に吸収、減衰することができ、例えば超大電力即゛作
時でも安定な動作を得ることができる。なおこの吸収体
リンク３５は、絶縁リング２３の内４１！１１の空１１
０内ζこ配置詮り、でもよい。なお同図において、符ｇ
３６は進イ≠ロッド２８を１０定するボルトを示してお
り、これらにまって両フランジ２６．２７の間隔を微調
整でき、両回路は１６ａ。
電極部１６の回路”Ｊ４１６ａ、１６ｂか半断面クラン
ク状の微小間Ｉ卵２５のダつＣ互いに同軸的にｆｆ、（
会しあうようにリック壮のフランジ２６．２７およびｆ
ｆ ａｉｌＪの肥昼ロッド２８゜２８・・・によって連
結されている。クランク状微小間隙２５の同軸状０ζ重
４１′り合い・ｔｌｂに沿って延長さイＬでいる部分の
長さＬ（才、基本モード波の管内波長λりの１餡り、上
、と（【こ奸ましくは３倍以上の長さを有し、才た間１
章寸法１は管内波長の数分の１以下に設定さ（１，’Ｃ
Ｌ）２・。区１示のように、微小１ｔ６隙２５１才好ま
しくは回路壁の１倶ｌ／］１ら外１１’、ｌ＋へ向か−
１につ几Ｃ市イビームの流れる方向と逆向きに延長さＩ
Ｅ、た部分を有している。これによって、コレクダ電極
に捕捉される電子Ｃが１微小間隙２５Ｐ拍って口路壁ス
）外１１１°へ逸脱するこさがないよう屹フロ（つてい
る。このクランク状微小間［喰２５の４ｔｔ周には、ｎ
路壁／Ａ周面に気密接合されたフランジ２７にさらに気
’、！ｌ’ｉ接合されたコバール１浸封着金ｆｉ ＩＪ
ソング９、セラミック絶縁リング２３、コバール製リン
グ３０、外周縁がへりアーク溶接された一対の溶接用リ
ング３１．３２が縦列に気密接合されている。これによ
って両回路壁１６ａ、１６ｂは直流的に分離され且つこ
の分ａｌＩＦ部の伺周力３Ｍ力縁リング２３を弁して気
密接合さイ１−ている。また絶縁リング２３の外側には
、４１体円鋪３３が配置され、その一端３３ａがフラ：
／ジ２７４こねじ止めされ、他端の平面部３．９ｂが静
市容沙を形成−１−るための薄いＫ ；ｔｘ ’Ｅ体ロ
リング３４弁じてフランジ２６に近接されている。そし
て１伊１１に高周波吸収体のリング３５が伝熱的ζこ配
設されている。なおこれら導桑°体円筒や吸収体リンク
（オ木発明に不σ■欠ｆ、ｃ棹′を成部品ではないが、
木実節制によれば、万一、微小間隙２５を・Ｆさって不
所嗜ｆｆ高周波が外部へ２着れようとしてもこれを！有
天に吸収、減衰することができ、例えば超大電力即゛作
時でも安定な動作を得ることができる。なおこの吸収体
リンク３５は、絶縁リング２３の内４１！１１の空１１
０内ζこ配置詮り、でもよい。なお同図において、符ｇ
３６は進イ≠ロッド２８を１０定するボルトを示してお
り、これらにまって両フランジ２６．２７の間隔を微調
整でき、両回路は１６ａ。
Ｊ６ｂの軸合わセや、分離部の微小間隙の寸法１又はＬ
の做調歪をすることかでさる。
の做調歪をすることかでさる。
第３図に示す実施例は、コレクタ竜極都Ｉ６の出力部に
近い部分に設＋−ｊた回路分ち一部だの構造である。半
断面ククンク状の微小間隙３７の外周に、絶縁リング２
４、コバール製封着リンク３８．３９を、０路壁外局に
気密接合してなる。なお同図１において符号１６ｃは出
力部１ｆｌ！＋の回路壁、４０，４１４ま各々冷却水パ
イプをあられし、回路壁の外周に設けた冷却室４２゜４
２・・・、４３に矢印の如く冷却水をｖＩ仁通させるも
のである。才た７７ａは出力導波管フランジをあらオ）
している。
近い部分に設＋−ｊた回路分ち一部だの構造である。半
断面ククンク状の微小間隙３７の外周に、絶縁リング２
４、コバール製封着リンク３８．３９を、０路壁外局に
気密接合してなる。なお同図１において符号１６ｃは出
力部１ｆｌ！＋の回路壁、４０，４１４ま各々冷却水パ
イプをあられし、回路壁の外周に設けた冷却室４２゜４
２・・・、４３に矢印の如く冷却水をｖＩ仁通させるも
のである。才た７７ａは出力導波管フランジをあらオ）
している。
第４図に示ず芙が１５−列は、回路壁の内１ｊｉｌｌか
ら外側へ延びる十＃面りランク状の砿小間帥３７を、電
子ビームの進行方向と同じ方向に延長じて形成した例で
ある。同軸的に重なり合う部分の長さＬが管内波長λｙ
に対して十分長い場合や、′電子ビームの被捕捉量がほ
とんどなＧ）力Ｓ又（ま比≦１り的少ない部分に形成す
るのに適してＧ）る。
ら外側へ延びる十＃面りランク状の砿小間帥３７を、電
子ビームの進行方向と同じ方向に延長じて形成した例で
ある。同軸的に重なり合う部分の長さＬが管内波長λｙ
に対して十分長い場合や、′電子ビームの被捕捉量がほ
とんどなＧ）力Ｓ又（ま比≦１り的少ない部分に形成す
るのに適してＧ）る。
なお、回路分離部の半断面クランク状の微小間隙２５、
（父は３７）は、第５図に示すように内側から外側に向
けて途中から斜め方向Ｏこ廷びる形状であってもよく、
またＺ ６１ＸＩに示すように略Ｓ字形の間隙形状であ
ってもよい。さらに才た第７図に示すように陥ｖ：：、
〕ｉ＋こ形成してもよいし、あるいは第８図に示すよう
に、ロー形に形成してもよい。このように霜、子ビーム
の進行方向に対して便同きに延ひる部分を弔する間隙形
状をこ形成する。
（父は３７）は、第５図に示すように内側から外側に向
けて途中から斜め方向Ｏこ廷びる形状であってもよく、
またＺ ６１ＸＩに示すように略Ｓ字形の間隙形状であ
ってもよい。さらに才た第７図に示すように陥ｖ：：、
〕ｉ＋こ形成してもよいし、あるいは第８図に示すよう
に、ロー形に形成してもよい。このように霜、子ビーム
の進行方向に対して便同きに延ひる部分を弔する間隙形
状をこ形成する。
この発明によれは、回路分陰部として回路壁を半断面ク
ランク状の微小間隙を保ち円周方向に互いに嵌合し合い
、且つこの間ＩＩ９の外周を絶縁リンクを弁じて気密接
合してなるため、この間隙内に商周波吸収材などを充填
しなくても基本モードや年少モードの高同波エネルギー
が分離部から外部に掘洩することを抑制することができ
る。そして電子ビームの一部がこの間隙から外へ逸脱す
ることも確実に抑止できるので、とくにコレクタ電極部
にこの分離部を形成しても安定動作を得ることができる
。このようにして、分離した各回路壁に独立に電位を与
えたり、あるいはビーム電流を独立に検出することがで
きる。
ランク状の微小間隙を保ち円周方向に互いに嵌合し合い
、且つこの間ＩＩ９の外周を絶縁リンクを弁じて気密接
合してなるため、この間隙内に商周波吸収材などを充填
しなくても基本モードや年少モードの高同波エネルギー
が分離部から外部に掘洩することを抑制することができ
る。そして電子ビームの一部がこの間隙から外へ逸脱す
ることも確実に抑止できるので、とくにコレクタ電極部
にこの分離部を形成しても安定動作を得ることができる
。このようにして、分離した各回路壁に独立に電位を与
えたり、あるいはビーム電流を独立に検出することがで
きる。
なお前述のように、微小間隙を回路壁の内側から外側に
向けて電子ビームの進行方向と逆向きに延びる部分を有
する形状にすれば、電子の逸脱を一層確実に阻止でき、
この構造は捕捉電子密度の高いコレクタ領域に分離部を
設ける場合に好適する。また間隙の外周を間に高周波吸
収体を配置すれば、より一層確実に高周波漏洩防止作用
を得ることができ、とくｃこ超大゛電力用途などに適す
る。なおまた、分離部は、管軸に対して斜めに横切るよ
うに微小間隙を形成しても差支えなく、才た共振空胴部
から出力部に至る高周波伝送回路の途中任意の位置に形
成することができる。
向けて電子ビームの進行方向と逆向きに延びる部分を有
する形状にすれば、電子の逸脱を一層確実に阻止でき、
この構造は捕捉電子密度の高いコレクタ領域に分離部を
設ける場合に好適する。また間隙の外周を間に高周波吸
収体を配置すれば、より一層確実に高周波漏洩防止作用
を得ることができ、とくｃこ超大゛電力用途などに適す
る。なおまた、分離部は、管軸に対して斜めに横切るよ
うに微小間隙を形成しても差支えなく、才た共振空胴部
から出力部に至る高周波伝送回路の途中任意の位置に形
成することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略縦断面図、第２
図はその要部拡大縦断面図、第３図は同じくその要部断
面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す要部半断面
図、第５図乃至第８図は各々さらに他の実施例を示す要
部概略縦断面図である。 ＪＪ−°・電子銃部、１４・・・共振空胴部、１６・・
・コレクタ電極部、１７・・・出力部、Ｉ８・・・出力
窓、１６ａ、Ｚ６ｂ、１６ｃ・・・回路壁、２１．２２
・・・回路分離部、２３．２４・・・絶縁リング、２５
゜３７・・・クランク状微小間隙、Ｃ・・°管軸。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 ↓ １ 第４図
図はその要部拡大縦断面図、第３図は同じくその要部断
面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す要部半断面
図、第５図乃至第８図は各々さらに他の実施例を示す要
部概略縦断面図である。 ＪＪ−°・電子銃部、１４・・・共振空胴部、１６・・
・コレクタ電極部、１７・・・出力部、Ｉ８・・・出力
窓、１６ａ、Ｚ６ｂ、１６ｃ・・・回路壁、２１．２２
・・・回路分離部、２３．２４・・・絶縁リング、２５
゜３７・・・クランク状微小間隙、Ｃ・・°管軸。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 ↓ １ 第４図
Claims (2)
- （１）中壁の電子ビームを射出する電子銃部さ、電子ビ
ームに旋回運動エネルギーを与える磁界装置と、電子ビ
ーム路に沿って設けられ電子ビームと高周波相互作用を
行う円筒状共廉空胴部と、この共振空胴部の下流に設け
られ上記電子ビームを捕捉するとともに高周波エネルギ
ーを伝送する円筒状コレクタは極部と、このコレクタ電
極部の下流に設けられ誘電体製出力窓を有するマイクロ
波出力部とを具備し、上記共振空胴部から出力部までの
間の高周波エネルギー伝送回路壁の一部を管軸を横切る
方向に分離し直流的に絶縁した回路分離部を有する電子
サイクロトロンメーザ形マイクロ波管装置において、上
記回路分離部は、その回路壁が半断面クランク状の微小
間隙を保って円周方向に互いに吠合し合い、且つ上記微
小間隙を介して隣り合う両回路壁の外周面が絶縁リング
を介して気密封止さｎてなる上記マイクロ波管装置。 - （２）回路分離部は、その微小間隙が回路壁の内側から
外側へ向かうにつれて電子ビームの流れる方向と逆向き
Ｋ Ｉｔ、ひる部分を有してなる特許請求の範囲第１項
記載のマイクロ波管装置。 （３ン 回路分離部は、その微小間隙が管軸に平行に延
びる平行延長部分を有し該平行延長部分の長さが基本モ
ードの高周波管内波長の１倍以上の長さ寸法を４１して
なる特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859383A JPS6070637A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マイクロ波管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859383A JPS6070637A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マイクロ波管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070637A true JPS6070637A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0457060B2 JPH0457060B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=16051169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17859383A Granted JPS6070637A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マイクロ波管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187736A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-27 | Japan Atom Energy Res Inst | ジャイロトロン |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP17859383A patent/JPS6070637A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| INT J ELECTRONICS=1982 * |
| INT.J INFRARED AND MILLIMETER WAVES=1982 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187736A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-27 | Japan Atom Energy Res Inst | ジャイロトロン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457060B2 (ja) | 1992-09-10 |
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