JPS6070651A - 焦点合わせ方法およびその装置 - Google Patents
焦点合わせ方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS6070651A JPS6070651A JP58177954A JP17795483A JPS6070651A JP S6070651 A JPS6070651 A JP S6070651A JP 58177954 A JP58177954 A JP 58177954A JP 17795483 A JP17795483 A JP 17795483A JP S6070651 A JPS6070651 A JP S6070651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- reference pattern
- scanning
- signal
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、走査形電子顕微鏡や電子線を用いてＬＳＩや
ＩＣ等の寸法測定全行なう電子線装置に好適な焦点合わ
せ方法およびその装置に関する。
ＩＣ等の寸法測定全行なう電子線装置に好適な焦点合わ
せ方法およびその装置に関する。
従来の走査形電子顕微鏡等における自動焦点合わせの技
術課題はいかに高精度に合焦点の状態を検知できるかで
あった。
術課題はいかに高精度に合焦点の状態を検知できるかで
あった。
通常、焦点状態を検出するために、下記会の手法が用い
られてきた。
られてきた。
即ち、走査形電子顕微鏡等の映像信号が電子線のスポッ
ト径が小さくなるにしたがって、周波数成分が高くなる
％注を利用して、周波数に比例して、重み糸数を乗算し
、加算して出力信号を比較するもので、この回路に微分
回路を用いていることから微分値比較法と呼ばれている
。この方式の欠点は、走査形電子顕微鏡の検出系に光゛
電子増倍管や演算増幅器全使用しているために、パルス
状の雑音が多く、特にＳ／Ｎの悪い試料（特にＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体試料）では雑音の影響を受けて誤動作が
生じやすく、高精度の自動焦点合せができない欠点があ
った。
ト径が小さくなるにしたがって、周波数成分が高くなる
％注を利用して、周波数に比例して、重み糸数を乗算し
、加算して出力信号を比較するもので、この回路に微分
回路を用いていることから微分値比較法と呼ばれている
。この方式の欠点は、走査形電子顕微鏡の検出系に光゛
電子増倍管や演算増幅器全使用しているために、パルス
状の雑音が多く、特にＳ／Ｎの悪い試料（特にＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体試料）では雑音の影響を受けて誤動作が
生じやすく、高精度の自動焦点合せができない欠点があ
った。
本発明は、かかる点に着目してなされたものであり、電
子線の合焦点の状態を高精度に検知可能な焦点合わせ方
法およびその装置を提供するものである。
子線の合焦点の状態を高精度に検知可能な焦点合わせ方
法およびその装置を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明では、試料面上に基
準パターンを形成し、その基準パターン上を電子線走査
して発生する二次電子信号あるいは反射電子信号を検出
し、基準パターンと電子線走査の周期によって周波数変
換を実行し、その基本周波数成分の最大値をめることに
よシ合焦点を検知する如く構成したものである。
準パターンを形成し、その基準パターン上を電子線走査
して発生する二次電子信号あるいは反射電子信号を検出
し、基準パターンと電子線走査の周期によって周波数変
換を実行し、その基本周波数成分の最大値をめることに
よシ合焦点を検知する如く構成したものである。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
ＩＣや＜ＬＳＩの試料において、任意のパターンを作成
する事は容易である。例えば、第１図示す様なラインと
スペースのパターンを作成する（基準パターン■）。こ
こで、ＡとＢは二次電子発生効率σが各々σＡ、σＢを
有する異なった材月壱（ 質で構成され σ１の関係で、等間隔に配置されている
。今、電子ビームを点状態まで集束し、図中の矢印で示
す様に線走査を実施すると、第２図（ａ）に示す様な矩
形波が二次電子検出信号として得られる。線走査を繰シ
返し実行すると第２図（ａ）は周期現象として観桜され
る。その矩形波の繰シ返し周波数ｆｏは、電子線の線走
査の周期Ｔ（ｌｉ１３’：）と電子線の走査領域の基準
パターンＩのラインとスペースの数で決まシ、第１図の
例では、５／Ｔ（Ｈｚ）となる。線走査している電子ビ
ームのスポット径ｄが大きくなると、この矩形波は第２
図（ｂ）に示す様に変化する。線走査線上での相貫Ｂの
幅をＤ／２とすると、スポット径ｄ＜Ｄ、’２という条
件では実線で示す波形が、ｄ々Ｄ／２では点線で示す波
形が、ｄ＞Ｄ／２では一点鎖線で示す味な波形が得られ
る。図の様に、スポット径ｄがＤ／２に比較して、徐々
に大きくなると、検出信号波形は形状が変化すると同時
に振幅Ｖも減少する。そして、ｄ、＞Ｄ／２では振幅Ｖ
が０とナリコントラストのない波形が得らレル。
する事は容易である。例えば、第１図示す様なラインと
スペースのパターンを作成する（基準パターン■）。こ
こで、ＡとＢは二次電子発生効率σが各々σＡ、σＢを
有する異なった材月壱（ 質で構成され σ１の関係で、等間隔に配置されている
。今、電子ビームを点状態まで集束し、図中の矢印で示
す様に線走査を実施すると、第２図（ａ）に示す様な矩
形波が二次電子検出信号として得られる。線走査を繰シ
返し実行すると第２図（ａ）は周期現象として観桜され
る。その矩形波の繰シ返し周波数ｆｏは、電子線の線走
査の周期Ｔ（ｌｉ１３’：）と電子線の走査領域の基準
パターンＩのラインとスペースの数で決まシ、第１図の
例では、５／Ｔ（Ｈｚ）となる。線走査している電子ビ
ームのスポット径ｄが大きくなると、この矩形波は第２
図（ｂ）に示す様に変化する。線走査線上での相貫Ｂの
幅をＤ／２とすると、スポット径ｄ＜Ｄ、’２という条
件では実線で示す波形が、ｄ々Ｄ／２では点線で示す波
形が、ｄ＞Ｄ／２では一点鎖線で示す味な波形が得られ
る。図の様に、スポット径ｄがＤ／２に比較して、徐々
に大きくなると、検出信号波形は形状が変化すると同時
に振幅Ｖも減少する。そして、ｄ、＞Ｄ／２では振幅Ｖ
が０とナリコントラストのない波形が得らレル。
上述した一連の波形をフーリエ変換により周波数分析を
行なうと、第３図（ａ）の様な基本周波数ｆｏ と高調
波成分とに１分けることができる。ここで、基本周波数
ｆ、は線走査の周ル」Ｔと走査領域のラインとスペース
の数によシ決定されるために、スポット径ｄの増大によ
っては変化しない。しかしながら、基本周波数ｆ。の信
号レベル（振幅）の大きさは第３図（ｂ）に示すように
ビーム径が最も小さくなった点すなわち合焦点で最大と
なることが実験で１４７られている。
行なうと、第３図（ａ）の様な基本周波数ｆｏ と高調
波成分とに１分けることができる。ここで、基本周波数
ｆ、は線走査の周ル」Ｔと走査領域のラインとスペース
の数によシ決定されるために、スポット径ｄの増大によ
っては変化しない。しかしながら、基本周波数ｆ。の信
号レベル（振幅）の大きさは第３図（ｂ）に示すように
ビーム径が最も小さくなった点すなわち合焦点で最大と
なることが実験で１４７られている。
したがって、基本周波数ｆｏの信号を検出し、振幅が最
大になるように、対物レンズの励磁電流を制御すれば最
適な電子ビームスポット径が得られる。上記した様に、
本発明はｄとＤ／２の相対的な関係と依存して検出する
方式であるから、うインとスペースの幅Ｄ／２の大きさ
によシ最適電子ビームスポット径ｄは決まってしまう。
大になるように、対物レンズの励磁電流を制御すれば最
適な電子ビームスポット径が得られる。上記した様に、
本発明はｄとＤ／２の相対的な関係と依存して検出する
方式であるから、うインとスペースの幅Ｄ／２の大きさ
によシ最適電子ビームスポット径ｄは決まってしまう。
更に、ビームスポット径を小さくするためには第２図に
示す様にＤ／２が小さなパターンへと線走査を移動させ
ることにより実現できる。線走査の領域をラインとスペ
ースの縮小率に比例して減少させ図中の番号順１〜５に
移動する。すると、高精度の合焦点の検出が可能となる
。
示す様にＤ／２が小さなパターンへと線走査を移動させ
ることにより実現できる。線走査の領域をラインとスペ
ースの縮小率に比例して減少させ図中の番号順１〜５に
移動する。すると、高精度の合焦点の検出が可能となる
。
上記のラインとスペースのパターンハ、電子ビームに非
点収差が存在しない場合に特に有効であるが、電子ビー
ムに非点収差が存在する場合は第４図に示す様な放射状
パターン（基準パターン■）を作成すれば良い。そして
、電子ビームは放射状パターンの中心を中心として図中
の矢印で示す様に円走査を実施する。検出信号波形は第
２図（ａ）と同様の矩形波が得られ、その時の繰シ返し
周波数ｆｏは、第４図の例では８／Ｔ（Ｈｚ）となる。
点収差が存在しない場合に特に有効であるが、電子ビー
ムに非点収差が存在する場合は第４図に示す様な放射状
パターン（基準パターン■）を作成すれば良い。そして
、電子ビームは放射状パターンの中心を中心として図中
の矢印で示す様に円走査を実施する。検出信号波形は第
２図（ａ）と同様の矩形波が得られ、その時の繰シ返し
周波数ｆｏは、第４図の例では８／Ｔ（Ｈｚ）となる。
前述した様に、高精度の小さな電子ビームスポット径を
得るためには円走査の領域を放射状パターンの中心部即
ちパターン形状の小さい部分へ移動以上、試料上に作成
したラインとスペースのパターンなどに放射状パターン
は二次電子発生効率σの異なった２種類の材質Ａ、Ｂで
構成されていたが、同一材質においても本発明を実現す
ることが１ｌｌｉ丁能である。例えば第１図のＡ部、８
部に、凹凸の差を設けると、凸部から発生した二次電子
は検出器に到達し易くなシ、四部から発生した二次電子
は検出器に到達しにくくなるため、第２図（ａ）と同様
な矩形波を得ることができる。
得るためには円走査の領域を放射状パターンの中心部即
ちパターン形状の小さい部分へ移動以上、試料上に作成
したラインとスペースのパターンなどに放射状パターン
は二次電子発生効率σの異なった２種類の材質Ａ、Ｂで
構成されていたが、同一材質においても本発明を実現す
ることが１ｌｌｉ丁能である。例えば第１図のＡ部、８
部に、凹凸の差を設けると、凸部から発生した二次電子
は検出器に到達し易くなシ、四部から発生した二次電子
は検出器に到達しにくくなるため、第２図（ａ）と同様
な矩形波を得ることができる。
以上の方法に基づき本発明を一例として走査電子顕微鏡
に通用した場合における具体的な構成例を第５図に示す
。陰極ｌから放射された電子ビーム２は対物レンズ４に
より集束し、試料５上に照射する。試料５には第４図の
放射状パターンをあらかじめ作成しておく。円走査発撮
器８からの信号をスイッチＳｗと偏向増幅器９を通して
、偏向コイルＸ、Ｙに供給し、試料の放射状基準パター
ン面上で円走査を行なう。試料から発生した二次電子は
検出器６で捕獲され、前置増幅器１２を通し、基本周波
数ｆ。の成分だけに利得をもつバンドパスフィルター１
３に入力する。その出力を２乗平均増幅回路１４に入力
し、信号の１色対直を検出し、任意の時間積分する積分
回路１５に入力する。積分した信号をアナログ・ディジ
タル変換回路１６でディジタル量に変換し、最初にレジ
スタ１７Ａに記憶する。次に、対物レンズ電流をΔＩだ
け増加し、同様の順路で二次電子を検出し、レジスタ１
７Ｂに記憶する。
に通用した場合における具体的な構成例を第５図に示す
。陰極ｌから放射された電子ビーム２は対物レンズ４に
より集束し、試料５上に照射する。試料５には第４図の
放射状パターンをあらかじめ作成しておく。円走査発撮
器８からの信号をスイッチＳｗと偏向増幅器９を通して
、偏向コイルＸ、Ｙに供給し、試料の放射状基準パター
ン面上で円走査を行なう。試料から発生した二次電子は
検出器６で捕獲され、前置増幅器１２を通し、基本周波
数ｆ。の成分だけに利得をもつバンドパスフィルター１
３に入力する。その出力を２乗平均増幅回路１４に入力
し、信号の１色対直を検出し、任意の時間積分する積分
回路１５に入力する。積分した信号をアナログ・ディジ
タル変換回路１６でディジタル量に変換し、最初にレジ
スタ１７Ａに記憶する。次に、対物レンズ電流をΔＩだ
け増加し、同様の順路で二次電子を検出し、レジスタ１
７Ｂに記憶する。
次に、レジスタ１７Ａと１７Ｂの内容を比較回路１８で
比較し、１７Ａ（１７Ｂならば対物レンズ電流を増加さ
せる方向に対物レンズ制御回路１１にＵＰ倍信号入力し
、レンズ電源１０を通して更にｆＩだけ電流を増加させ
る。順次この動作を繰シ返し、レジスタの内容の小さい
方を１き替えて比較する。対物レンズの励磁電流と検出
される信号との関係は第３図（ｂ）に示した様に、電子
ビームのスポット匝が最小になる励磁電流Ｉｆの時に最
大の検出信号となる。したがって第３図（ｂ）よシ、順
次励磁電流をΔ■だけ増加して検出信号をレジスタに記
憶すると、対物レンズの励磁電流は合焦点に到達するま
でレジスタ１７Ａと１７Ｂを交互に書き替えな、がらＩ
ｔまで増加することになる。今、時刻ｔｏの時、励磁電
流がＩｔとなシ、その時の信号はレジスタ１７Ａに入力
される。レジスタ１７Ｂにｔｏ−１時刻の信号が記憶さ
れているために、１７ Ａ＞ １７ Ｂとなり更にｔｏ
＋１の時刻でΔ■だけ増加し、レジスタ１７Ｂに人力さ
れる。その結果、１７Ａ＞１７Ｂとなるために、対物レ
ンズ制御回路１１にｄ□ｗｎ信号を入力し、対物レンズ
電流をΔＩだけ減少させる。すると、次の時刻ｔｏ＋２
では励磁電流はＩｔとなるため、レジスタ１７Ａと１７
Ｂの内容は１７Ａ＝１７Ｂとなシ、比較回路１８からは
”Ｉ）Ｉ ｄｏｗｎ信号は出力されず、対物レンズ電流
は固定され検出信号の最大値をめることができる。
比較し、１７Ａ（１７Ｂならば対物レンズ電流を増加さ
せる方向に対物レンズ制御回路１１にＵＰ倍信号入力し
、レンズ電源１０を通して更にｆＩだけ電流を増加させ
る。順次この動作を繰シ返し、レジスタの内容の小さい
方を１き替えて比較する。対物レンズの励磁電流と検出
される信号との関係は第３図（ｂ）に示した様に、電子
ビームのスポット匝が最小になる励磁電流Ｉｆの時に最
大の検出信号となる。したがって第３図（ｂ）よシ、順
次励磁電流をΔ■だけ増加して検出信号をレジスタに記
憶すると、対物レンズの励磁電流は合焦点に到達するま
でレジスタ１７Ａと１７Ｂを交互に書き替えな、がらＩ
ｔまで増加することになる。今、時刻ｔｏの時、励磁電
流がＩｔとなシ、その時の信号はレジスタ１７Ａに入力
される。レジスタ１７Ｂにｔｏ−１時刻の信号が記憶さ
れているために、１７ Ａ＞ １７ Ｂとなり更にｔｏ
＋１の時刻でΔ■だけ増加し、レジスタ１７Ｂに人力さ
れる。その結果、１７Ａ＞１７Ｂとなるために、対物レ
ンズ制御回路１１にｄ□ｗｎ信号を入力し、対物レンズ
電流をΔＩだけ減少させる。すると、次の時刻ｔｏ＋２
では励磁電流はＩｔとなるため、レジスタ１７Ａと１７
Ｂの内容は１７Ａ＝１７Ｂとなシ、比較回路１８からは
”Ｉ）Ｉ ｄｏｗｎ信号は出力されず、対物レンズ電流
は固定され検出信号の最大値をめることができる。
次に、円走査の領域を放射状ノくターンの中心部に移動
させ同様の操作を繰シ返し実行する。このようにして、
基本周波数ｆｏ酸成分最大値をめる事によシ、゛電子ビ
ーム径の最小１直を自動的に検出することができる。
させ同様の操作を繰シ返し実行する。このようにして、
基本周波数ｆｏ酸成分最大値をめる事によシ、゛電子ビ
ーム径の最小１直を自動的に検出することができる。
なお、本例では、電子ビームに非点収差が存在する場合
の円走査について主体的に説明したが、非点収差が存在
しない場合には、第５図に示すＸＹ走査発振器７からの
信号によシ前述したラインとスペースの基準パターン面
上を線走査することによって合焦点状態を高精度に検知
できる。
の円走査について主体的に説明したが、非点収差が存在
しない場合には、第５図に示すＸＹ走査発振器７からの
信号によシ前述したラインとスペースの基準パターン面
上を線走査することによって合焦点状態を高精度に検知
できる。
更に、上述した例えば、対物レンズ電流をステップ状に
変化させる方式であったが、その他のやシ方としては、
対物レンズ電流を数点だけ変化させ、その時の信号レベ
ルを検出して、対物レンズ電流と検出信号の関係をめ、
ｎ次多項式で近似し、最適焦点をめるいわゆる関数近似
法を採用できることは明らかである。また、本実施例で
は基本波周波数だけを検出し比較したが、第３図（ａ）
に示す様に、基本波周波数の高調波をも同時に検出し加
算することによシ更に高精度の自動焦点合わせができる
ことは言うまでもない。
変化させる方式であったが、その他のやシ方としては、
対物レンズ電流を数点だけ変化させ、その時の信号レベ
ルを検出して、対物レンズ電流と検出信号の関係をめ、
ｎ次多項式で近似し、最適焦点をめるいわゆる関数近似
法を採用できることは明らかである。また、本実施例で
は基本波周波数だけを検出し比較したが、第３図（ａ）
に示す様に、基本波周波数の高調波をも同時に検出し加
算することによシ更に高精度の自動焦点合わせができる
ことは言うまでもない。
以上詳述したように、本発明によれば、電子線
第１図は試料面上に作成された基準ノくターンの一例を
示す図、第２図（ａ）は検出された信号波形を示し、第
２図（ｂ）は電子ビームスポット径ｄと試料の幅Ｄ／２
との相対関係による信号波形の変化を示す図、第３図（
ａ）は第２図（ａ）の信号波形の分析結果を示し、第３
図（ｂ）は基本周波数ｆｏの振幅と電子ビームスポット
径ｄの関係を示す図、第４図は試料面上に作成された基
準パターンの他の例を示す図、２よひ第５図は実施した
装置の構成例を示す図である。 １・・・陰極、２・・・′電子ビーム、３Ｘ、ａＹ・・
・偏向コイルＸ、Ｙ、４・・・対物レンズ、５・・・試
料、６・・・二次電子萩出器、７・・・Ｘ、Ｙ走査元伽
器、８・・・内定を発振器、９・・・偏向増幅器、１０
・・・対物レンズ電源、１１・・・対物レンズ制御回路
、１２・・・前置増幅器、１３・・・バンドパスフィル
ター、１４・・・２乗平均増幅回路、１５・・・積分回
路、１６・・・ｒナログ・ディジタル変換回路、１７Ａ
、１７Ｂ・・・レジスタ、第 １ 目 第２図 （（２−） ｍ−〉ｔ （ｂ） （え） （ｂ） で Ｔ予 →１ｊ７ａｔ、’、−ｙ、４ｊｊｆｉｆｉ電；Ｌｒｕｎ
第 ４ 図 第 １ 図
示す図、第２図（ａ）は検出された信号波形を示し、第
２図（ｂ）は電子ビームスポット径ｄと試料の幅Ｄ／２
との相対関係による信号波形の変化を示す図、第３図（
ａ）は第２図（ａ）の信号波形の分析結果を示し、第３
図（ｂ）は基本周波数ｆｏの振幅と電子ビームスポット
径ｄの関係を示す図、第４図は試料面上に作成された基
準パターンの他の例を示す図、２よひ第５図は実施した
装置の構成例を示す図である。 １・・・陰極、２・・・′電子ビーム、３Ｘ、ａＹ・・
・偏向コイルＸ、Ｙ、４・・・対物レンズ、５・・・試
料、６・・・二次電子萩出器、７・・・Ｘ、Ｙ走査元伽
器、８・・・内定を発振器、９・・・偏向増幅器、１０
・・・対物レンズ電源、１１・・・対物レンズ制御回路
、１２・・・前置増幅器、１３・・・バンドパスフィル
ター、１４・・・２乗平均増幅回路、１５・・・積分回
路、１６・・・ｒナログ・ディジタル変換回路、１７Ａ
、１７Ｂ・・・レジスタ、第 １ 目 第２図 （（２−） ｍ−〉ｔ （ｂ） （え） （ｂ） で Ｔ予 →１ｊ７ａｔ、’、−ｙ、４ｊｊｆｉｆｉ電；Ｌｒｕｎ
第 ４ 図 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料面上に基準パターンを形成し、その基準パター
ン上を電子線走査して発生する二次電子信号もしくは反
射電子信号を検出し、前記基準パターンと電子線走査の
周期によって周波数変換を実行し、その基本周波数成分
の最大値をめることによシ合焦点を検知する如く構成し
たことを特徴とする焦点合わせ方法。 ２、電子線を円形もしくは線状に走査する電子線走査手
段と、該電子線を試料上に集束させる集束手段と、前記
試料上にあらかじめ作成した基準パターンと、該基準パ
ターン上を前記電子線で照射し、発生する二次電子もし
くは反射電子を検出する。検出器を備えた装置において
、前記電子線の走査周期と前記電子線の走査領域におけ
る基準パターンの形状によシ定まる周波数成分だけの情
報を検出して合焦点を検知する如く構成したことを特徴
とする焦点合わせ装置。 ３゜前記試料上から発生した二次電子もしくは反射電子
信号の中で、前記電子線の走査周期と前記電子線の走査
領域における前記基準パターンの形状とによって定まっ
た周波数成分の検出に、狭Ｗ域（７）バンドパスフィル
ターを用いて合焦点を検知する如く構成したことを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の焦点合わせ装置。 ４、前記基準パターンを、ラインとスペースの組合わせ
で形成し、前記電子線を任意の周期で線走査し、前記電
子線の走査領域における前記ラインとスペースの形状と
該周期とによシ定まる周波数成分だけの情報を検出して
合焦点を得る如く構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第２項または第３項記載の焦点合わせ装置。 ５、前Ｈｅ基準パターンを放射状のラインとスペースの
組合わせで形成し、前記電子線を任意の周期で円走査し
、前記電子線の走査領域における前記ラインとスペース
の形状と該周期とによシ定まる周波数成分だけの情報を
検出して合焦点をｆｑる如く構成したことを特徴とする
特許請求の範四第２項または第３項記載の焦点合わせ装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177954A JPS6070651A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 焦点合わせ方法およびその装置 |
| US06/654,457 US4605860A (en) | 1983-09-28 | 1984-09-26 | Apparatus for focusing a charged particle beam onto a specimen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177954A JPS6070651A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 焦点合わせ方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070651A true JPS6070651A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16039983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177954A Pending JPS6070651A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 焦点合わせ方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4605860A (ja) |
| JP (1) | JPS6070651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198482A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Canon Inc | 光学走査装置及びその光量制御方法、並びに画像形成装置 |
| JP2013164409A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | National Synchrotron Radiation Research Center | ポジショニングシステム、および、その方法とそれを使用する照準パターン |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0226913A3 (de) * | 1985-12-17 | 1988-10-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur Lokalisierung und/oder Abbildung der ein bestimmtes zeitabhängiges Signal führenden Punkte einer Probe |
| JPH0689687A (ja) * | 1990-12-27 | 1994-03-29 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡における自動焦点合わせ装置 |
| US6521891B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Focusing method and system |
| JPWO2007086400A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2009-06-18 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面検査方法及び検査装置 |
| US12525429B2 (en) * | 2020-03-26 | 2026-01-13 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1435143A (en) * | 1973-06-16 | 1976-05-12 | Ass Elect Ind | Scanning electron microscopes |
| GB1477030A (en) * | 1973-12-24 | 1977-06-22 | Jeol Ltd | Method and apparatus for the automatic focussing of electron beams in electron optical apparatus |
| JPS527670A (en) * | 1975-07-08 | 1977-01-20 | Victor Co Of Japan Ltd | Automatic focus control method for electron beams |
| GB2118009B (en) * | 1982-03-02 | 1985-09-04 | Cambridge Instr Ltd | Improvements in and relating to electron beam focussing |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58177954A patent/JPS6070651A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-26 US US06/654,457 patent/US4605860A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198482A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Canon Inc | 光学走査装置及びその光量制御方法、並びに画像形成装置 |
| JP2013164409A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | National Synchrotron Radiation Research Center | ポジショニングシステム、および、その方法とそれを使用する照準パターン |
| TWI447348B (zh) * | 2012-02-10 | 2014-08-01 | Nat Synchrotron Radiation Res Ct | 平台定位系統及其方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4605860A (en) | 1986-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2602287B2 (ja) | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 | |
| US7439504B2 (en) | Pattern inspection method and apparatus using electron beam | |
| US8604430B2 (en) | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam | |
| JPS59163506A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 | |
| JP3238705B2 (ja) | 粒子ビーム装置における表面電荷の影響を減少させるためのスキャニング技術 | |
| JP2002134048A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPS6070651A (ja) | 焦点合わせ方法およびその装置 | |
| US20230343549A1 (en) | Charged Particle Beam Device and Specimen Observation Method | |
| JP3101114B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2001110347A (ja) | 荷電粒子線装置における自動焦点合わせ方法 | |
| JPS58137948A (ja) | 走査電子顕微鏡等の焦点合わせ方法 | |
| JPH07245075A (ja) | 自動焦点合わせ装置 | |
| JP2824328B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPS63119147A (ja) | 荷電粒子線の集束状態を検出する装置 | |
| JPH0269692A (ja) | 荷電粒子ビームのエネルギーの球状ミラー分析器 | |
| JPS63202835A (ja) | 荷電ビ−ムの自動調整方法および自動調整装置 | |
| RU2713090C1 (ru) | Способ обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком | |
| JP2653967B2 (ja) | 分析電子顕微鏡 | |
| JP2005276881A (ja) | パターン評価方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH0963937A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JP3114416B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法 | |
| JPS61156627A (ja) | 試料電圧測定装置 | |
| Rajopadhye et al. | New method for directly monitoring the electron beam intensity profile in a scanning electron microscope | |
| JPH04522Y2 (ja) | ||
| JPH0831364A (ja) | 走査電子顕微鏡 |