JPS6071038A - 局部的真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は被加工物の局部的真空処理に関し、更にとりわ
け、電子ビームリングラフィ装置での使用に適する局部
的真空エンペロ！装置に関する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

イオンイングランター、電子ビームリソグラフィ装置及
びイオンビームリソグラフィ装置のような粒子ビーム装
置は、粒子ビーム源と取り扱われる被加工物との間の経
路に沿った領域の排気を必要とする。被加工物は直接又
はエアロツクを介して真空チヱンパ中へ導入される。こ
のような装置は高度に複雑であり高価である。加えて、
真空ポンぎング時間は全処理スピードの減少を生じさせ
、市販の半導体処理装置における最も重要な要素である
。これらの問題は局限された真空処理の発展によって、
以下に記載するように軽減される。

ある種の粒子ビーム処理は、その処理の開被加工物の移
動を必要とする。電子ビームリソグラフィでは、極めて
高い精度の極小パターンが被加工物上に露光される。高
い精度を達成するために、電子ビーム偏向場は被加工物
の領域よυもずっと小さい領域に限定される。被加工物
は、一般に半導体ウェファ又はマスクグレートであ）数
インチの大きさにできるが、一方、典型的には電子ビー
ム偏向場は被加工物上で数ミリメートルである。

被加工物の全体を露光するために、電子ビームに関する
被加工物の精確な位置決めが必要とされる。

被加工物の表面上の局部的領域内での真空処理のだめの
装置は、１９８２年１０月１９日出願の係属出願番号第
４３５，１７９号において開示され、本発明の醸受入に
譲渡されている。真空処理装置は、内部処理領域を形成
するエンベロブを有している。エンベロブの先端は、被
加工物の表面の真上に配置され、あらかじめ選択された
間隙だけ被加工物から隔てられている。エンベロブの先
端は被加工物とともに、その内部処理領域と外部環境と
の間に非接触段階的真空シールを形成している。

真空エンペログ装置は、被加工物の表面上に被加工物の
大きさと比べて小さい真空領域を与える。

被加工物の全表面を処理するために、被加工物はエンベ
ロブの先端に関して横方向に移動可能なステージ上に据
え付けられる。電子ビームリソグラフィ装置における迅
速な処理を達成するために、典型的に１乃至１０ｔＭ／
秒のステージ速度が用いられる。この移動の間、エンベ
ロブの先端と被加工物との間の間隙は、特定された限度
内で動的に制御されるべきである。もし間隙が非常に大
きくなると、真空領域の真空度は下がυ、所望の真空レ
ベルに再び到達するまで処理が中断されてしまう。リン
グラフィ装置内で用いられる電子ビームコラムは高真空
範囲の真中で作動されねばならない。典型的には、不十
分な空間はコンダクタンスの高い真空排気を提供するの
に利用できる。このような場合、間隙は比較的小さくな
ければならない。高コンダクタンス性真空排気がもたら
され得るか、或いは低圧力がその処理に許容されるとき
、より大きな間隙が許される。逆に間隙は、エンベロブ
と被加工物との接触が危くなるほどには小さくできない
。半導体ウヱブアのような被加工物は、極めてもろく、
このような接触によって永久的損傷を受け、或いは破壊
される。局部的真空処理の開被加工物に横方向の移動を
与える荷電粒子ビーム装置は係属出願番号第４３５，１
７８号に開示されており、一方、局部的真空処理のだめ
の間隙制御装置は係属出願番号第４３５，１７７号に開
示されており、どちらも１９８２年１０月１９日に出願
され、本発明の瞼受者に譲渡されている。

実用的な局部的真空処理の達成における重大な要素は真
空エンベログ装置の構造である。装置の先端部分は、ウ
ェファと非接触シールを形成するが、電子ビーム偏向場
の大きさと比較して、実用的には小さい面積でなければ
々らない。ウェファを確実かつ平坦に保持する真空チャ
ックの使用を許すと同様、真空をそこなうことなくウェ
ファの端部付近の処理を可能にすることが必要である。

電子ビームリングラフィ装置の場合において、真空エン
ペログ装置はビームの軸線に沿った方向において小さな
大きさを持つべきである。この要件には電子ビーム経路
及び最終レンズの焦点距離の過度の延長は避ける必要が
ある。そのどちらもがビームの収差の増加の原因になる
からである。更に、エンペログ装置がビームの経路に沿
って小さな大きさを有するとき、処理領域の真空レベル
は重大性が減少する。もし電子ビームがその総経路長の
数ノ！−セントを越えた低真空の領域を通過すると、ビ
ームの影響は最小となる。もう１つの要件は、真空エン
ペロブの先端と装置に連結された真空ポンプの各々との
間に最大量のコンダクタンスが与えられることである。

このことは真空エンペログ、とりわけ先端の大きさが小
さいために達成が難しい。装置はガス流、とりわけガス
流が最も制限される先端近くの領域内のガス流をさえぎ
る構造部材は備えるべきでない。エンペロブ装置の望ま
しい特徴は、被加工物と電子ビームコラムの磁気要素と
の間の磁気的シールドを与えることである。このような
シールドが与えられるときは、シールドはビームが真空
エンペログを通過するときの電子ビームの偏向及び収差
を防ぐためにビームの軸線について対称であるべきであ
る。最後に、真空エンペログ装置は組み立てが容易で安
価であるべきである。

本発明全体の目的は、新規が局部的真空エンペロブ装置
を提供することである。

本発明の他の目的は、電子ビームリングラフィ装置での
使用に適する局部的真空エンペロブ装置を提供すること
である。

本発明の更に他の目的は、ビームの軸線方向には小さな
大きさを有し、また、小さな面積の゛先端部分を有する
局部的真空エンペログ装置を提供することである。

本発明の更に他の目的は、相対的に高真空の領域を得る
性能を有する局部的真空エンペログ装置を提供すること
である。

〔発明の概要〕

本発明に従って、被加工物の局部的真空処理のための真
空処理チヱンパへの取付けに適した装置において、上述
の目的が達成される。装置は下方に伸びた第１スリーブ
を貫通するアパーチャを備える底板と底板の周辺で上方
に伸びたフランジを有するハウジング部材から成る。フ
ランジは真空ポンピングのだめの複数のポートを有して
いる。

底板とフランジは組み合ってハウジング部材の内部領域
を形成する。装置は更に、ハウジング部材の内部領域内
に設けられ、ア・９−チャ内に下向きに伸び、第１スリ
ーブの先端と同一面上にある先端を有する下部プレート
を有し、第１スリーブと第２スリーブとの間に第１真空
領域が形成される。

第１真空領域は間にチャネルを介して１つのポートとガ
ス連絡しており、ハウジング部材及び下部プレートの上
方又は双方におけるカットアウト部分によって形成され
る。好適実施例において装置は更に、ハウジング部材の
内部領域内で下部グレートの上に設けられ、アパーチャ
内に下向きに伸び、第１及び第２スリーブの先端と同一
平面上にある先端を有する上部プレートを有し、第２ス
リーブと第３スリーブとの間に第２真空領域が形成され
、第３スリーブの内側に中央高真空領域が形成される。

第２真空領域は間にチャネルを介して別の一一トとがス
連絡しておυ、下部グレート及び上部プレートの一方又
は双方におけるカットアウト部分によって形成される。

高真空領域は上部プレートの上の内部領域の部分を介し
て、別のデートとガス連絡している。本発明の特徴に従
って、スリーブの各々は円錐台形を有する。本発明のも
う１つの特徴によって、下部グレート及び上部プレート
は第１及び第２真空領域並びに真空領域の真空密閉を確
実にするために、！レイソング（ｂｒａｇｉｎｇ）又は
適切な粘着性物質によって連結される。

〔好適実施例〕

被加工物の局部的真空処理を組み入れた粒子ビーム装置
を第１図にブロック図形式で図解する。

電子ビームリソグラフィ装置が電子ビームコラム１２の
出力口に取り付けられた局部的真空エンペログ装置１０
を備えており、その電子ビームコラム１２は電源、縮小
光学系、並びに射出及び偏向光学系を備える。コラム１
２はまた、整形されたビームが用いられるときは、照射
及び整形光学系を備える。好適な電子ビームコラム１２
が、１９８３年３月４日に出願された米国特許出願箱３
５４，８２２号に開示されている。他の適切な電子ビー
ムコラムが当業者に知られている。コラム１２の出力は
、エンペログ装置１０を通過し牛導体つヱファ１６など
のような被加工物に衝突する細く集束された電子ビーム
１４（第２図）である。電子ビーム１４が通過する電子
源とウェファ１６との間の全領域は、コラム１２に連結
された高真空４ン７°１７によって、１０−’　Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空に保たれている。

実際の装置においては、それらの電子光学要素は真空領
域の外側に配置され、電子ビーム１４が通過する中央管
のみが高真空に保たれることは、当業者には明らかであ
る。エンペロブ装置１０は、第１段真空ボンｆ２０、第
２段真空ボンデ２２及ヒ高真空ボンゾ１７に連結されて
いる。ウェファ１６は、ステージ２４上に取り付けられ
た真空チャック１８によって適所に支持され保たれてい
る。

ステージ２４は、作動器２８によってＸ−Ｙテーブル上
に支持され、ウェファ１６のＸ−Ｙ位置の正確な測定の
ための鏡面３０を備え、真空チャック１８がしっかりと
連結されている。ウェファは、自動ウェファ操作装置（
図示せず）によって真空チャック１８の上に置かれ、ま
た、そこから取シ除かれる。Ｘ−Ｙテーブル２６は、Ｘ
−Ｙ駆動装置３４によってＸ−Ｙ平面内を動かされる。

ウェファ１６の正確なＸ−Ｙ位置は、レーザー干渉計装
置３６によって感知され、その干渉計装置は光学信号を
鏡面３０に向ける。２軸３７は概して電子ビーム１４の
経路と一致し、一方、Ｙ軸及びＹ軸はＺ軸に垂直でウェ
ファ１６が移動する平面を形成することが理解される。

完全な電子ビームリソグラフィ装置は更に、制御装置又
はコンピ−タ及び関連した電子装置（第１図中には示さ
ず）であって、コラム１２、駆動装置３４、真空装置及
びウェファ操作装置を制御し、まり、ハターンデータを
記憶し、ビーム制御信号を与える電子装置を有する。

エンペロブ装置１０の頭部とウェファ１６の表面が第２
図において拡大された断面図で図示されている。エンペ
ログ装置１０は同中心のスリーブ部材４０ｍ、４０ｂ、
４０ｅを備え、その各々は円錐台形を有し、スリーブ部
材４０ａ、４０ｂ。

４０ｅの頭部が同一平面に置かれることで形成される先
端４２を備えている。先端４２は処理の間ウェファ１６
のわずか上方に位置する。間隙Ｇは典型的には約３０マ
イクロメータのオーダーであり、先端４２とウェファ１
６の表面との間に形成される。スリーブ部材４０Ｂは高
真空処理域４４を形成する。操作中差動ボンげング手段
は、真空域４４と大気環境との間の間隙領域に段階的真
空シールを形成する。環状ア・千−チャ４６は高真空域
４４と同中心でありスリーブ部材４０ｍと４０ｂとの間
に形成され、環状ア／４’−チャ４８も壕だ高真空域４
４と同中心であり部材４０ｂと４０ｃとの間に形成され
る。環状アパーチャ４８は、第１段真空ポンプ２０に連
結されておシ、その真空ポンプ２０は高真空域４４の周
囲の圧力を低真空レベルに減少させ、第１真空域を作る
。環状ア・臂−チャ４６は、第２段真空ボン７６２２に
連結されておシ、その真空ボン７°２２は高真空域４４
の周囲の圧力を中間の真空レベルに減少させ、第２真空
域を作る。高真空域４４は高真空ポンプ１７に連結され
ている。個々の過程において要求される圧力に依存して
、より多く又はより少ガい数の真空ポンピングステージ
を段階的シールを形成するために用いてもよい。典型的
には、直接書き込み電子ビームリングラフィのだめの先
端４２の外径は約１０〜１５ミリメータであり、一方、
高真空域４４の直径は約３〜５ミリメータである。エン
ペログ装置１０の先端がウェファ１６の表面にきわめて
接近して置かれているとき、高真空域４４において高真
空が維持される。ウェファ１６がエンペログ装置１０の
下で動かされるとき、電子ビーム１４は高真空域４４内
のウェファ表面の領域上を走査する。局限されたエンペ
ログ装置の付加的情報は、出願番号第４３５，１７９号
の係属出願中に与えられている。

本発明に従った局部的真空エンペロブ装置１０の構造が
第３−６図に詳しく示されている。組立てたエンペログ
装置１０が第３図に示されており、一方、エンペロブ装
置の各要素が第４−６図に示されている。組立てたエン
ペロブ装置の平面図が第３Ａ図に示されておシ、第３Ｂ
図は第３Ａ図の３Ｂ−３Ｂ線を通る断面図である。エン
ペロブ装置１０はハウジング部分６０を備えており、そ
のハウジング部材内には下部板６２、上部板６４及び盲
板取付は板６６が据付けられている。エンペロブ装置１
０の上部表面６８は、電子ビーム１４が先端４２を通る
電子ビームコラム１２の取υ付けに適している。エンペ
ロブ装置１０の先端４２は、エンペログ装置の主要部か
ら下方に伸びて被加工物と非接触シールを々している。

真空ポンダ１７．２０及び２２の接続は以下に記載する
ようにエンペロブ装置１０の周りになされている。

第４Ａ及び４Ｂ図を見ると、ハウジング部材６０は、概
して平坦な底板７０とその周りで上方に伸びるフランジ
７２を有している。フランジ７２は、適切な導管を介し
て真空ポンｆ１７，２０．２２に接続するのに適した複
数のポー）７４，７５゜７６．７７が与えられている。

フランジ７２は更にハウジング部材６０を真空密閉して
電子ビームコラム１２に取り付けるだめの複数の据え付
は穴及びＱ　−ＩＪングが与えられている。ポート７４
゜７５．７６．７７の近傍のフランジ７２の部分は、第
４Ｂ図に示されるように、下向きかつ内側に曲げられて
おり、エンペロブ装置１ｏを真空ポンピング装置に取９
付け、また、分解することを容易にしている。底板７ｏ
及びフランジ７２は組み合ってハウジング部材６０の円
筒型内部領域８２を形成する。ス’Ｊ−７″４０ｃは円
錐台形を有し゛、底板７０の中央から下方向に伸びてい
る。スリーブ４０ｃはハウジング部材６０の底部分を貫
いてアｉ！−チャ８４を形成している。

下部プレート６２は、第３Ｂ図に示されるようにハウジ
ング部材６０の下部部分に据え付けられている。第５Ａ
及び５Ｂ図を参照すると、下部プレート６２は内部領域
８２内に据え付けるのに適した概して円形の輪郭を有し
、円錐台形でスリーブ４０ｃ内に納められるところの下
部に伸びるスリーブ４０ｂを有している。下部板６２は
更に、放射状に置かれハウジング部材６０内でポート７
４゜７５．７６．７７の周シに妨げられない領域を与え
るところの複数のカットアウト（ｃｕｔｏｕｔ　）　８
４を有している。各々の構成要素上のアライメントホー
／Ｉ／　（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　ｈｏｌｅｓ　）　８６
が放射状に整列させられると、ハウジング部材６０及び
グレート６２゜６４は適切に整列させられる。チャネル
８８は、スリーブ４０ｂの外側と下部プレート６２の周
囲にあるカットアウト８４の１つとの間の下部プレート
６２の底部表面に割り込められている。チャネル９０は
、スリーブ４０ｂの内側と別のカットアウト８４との間
の下部グレート６２の上部表面に割り込まれている。

第６Ａ及び６Ｂ図を参照すると、上部グレート６４は概
して平坦な底板９２及び円錐台形を有する下方に伸びる
スリーブ４０ａを備える。上部ル−ト６４は更に、底板
９２の周囲で上方に伸びたフランツ９４及び下部ル−ト
６２上のカットアウト８４と並べられた複数のカットア
ウト９６を有する。スリーブ４０ａは下部プレート６２
のスリーブ４０ｂ内でちょうど納まるように置かれてい
る。

第３Ａ及び３Ｂ図に示されるようなブランクオフプレー
ト（ｂｌａｎｋｏｆｆ　ｐｌａｔｅ　）　６６は、平坦
な半円形ディスクでその中央に半円形のカットオフ１０
０を有する。ブランクオフグレート６６は、上部グレー
ト６４の２つのカットアウト９６を真空密閉にシールす
る。上部プレート６４が強磁性体物質であるとき、軸方
向に対称な磁気特性が得られるように反強磁性体のブラ
ンクオフプレート６６が必要とされる。

エンペロブ装置１０は、第３Ａ及び３Ｂ図におけるよう
に、放射状に並んだアラインメントホール８６をもって
、下部グレート６２、上部グレート６４及びハウジング
部材６０内に置かれたブランクオフグレート６６から組
み立てられる。ロウ付はフォイルが接触面の間に置かれ
る。次に組立体はロウ付はフォイルが十分に溶けるだけ
の温度まで加熱され、それにより全接触表面がロウ付け
される。ロウ付けは、様々な真空通路が真空密閉にシー
ルされる。別の組立体技術において、真空密閉シールを
するために接触面の間にエポキシ（ｅｐｏｘｙ　）のよ
うな粘着性物質が用いられる。スリーブ４０　ｍ、　４
０　ｂ、　４０　ｅは同中心であり、それらの先端は同
一平面にあシエンベログ装置１０の先端４２を形成して
いる。真空領域４４はスリーブ４０ｍによって形成され
る。環状アパーチャ４６又は第２真空領域は真空領域４
４と同中心であり、スリーブ４０１及び４０ｂによって
形成される。環状アノＪ？−チャ４８又は第１真空領域
は真空領域４４と同中心であシスリーブ４０ｂ及び４０
ｃによって形成される。

操作中、第１段真空ボンゾ２０は特有の導管によりてポ
ート７４（第４Ａ図）に連結される。環状ア・９−チャ
４８は下部プレート６２とハウジング部材６０との間の
チャネル８８（第５Ａ及び５Ｂ図）を介してポート７４
に連結されている。第２段真空Ｉン７°２２は一一ト７
５（第４Ａ図）に連結されている。環状リング４６は下
部プレート６２と上部プレート６４との間のチャネル９
０（第５Ａ及び５Ｂ図）を介してポート７５に連結され
ている。高真空ボンダ１７は特有の導管によってポート
７６（第４Ａ図）に連結されている。真空領域４４は第
３図に最も良く見られるように上部プレート６４の上の
ハウジング部材６０の内部領域８２を介してｚ　−ドア
　６に連結されている。従って、操作の開先端４２がち
ょうど被加工物の上に位置するとき、真空領域４４と大
気環境との間の間隙領に段階的真空シールが与えられる
。上記のように、領域４４内の所望の真空レベルに依存
して、よシ多くの又はより少ない真空ポンピング段階を
用いてもよい。ポート７７を介して付加的段階を真空ポ
ンプに連結してもよい。他に高真空ポンプ１７がｄ？−
ドア７に連結されてもよく、それによって真空領域４４
と真空＄ｙｆ１７との間に付加的コンダクタンスを与え
る。

ハウジング部材６０は、典型的には鉄のような強磁性材
から製造され、電子ビームコラム１２の磁気要素と被加
工物との間の磁気的シールド機能をなしとげる。好適実
施例では、下部プレート６２はチタンで非磁性材であり
、上部グレート６４は鉄である。エン（ロブ装置１０は
それにより二重の磁気的シールドを与える。磁気シール
ド要素６０゜６４は電子ビーム軸に対して既して対称で
あシ、ビームがエンペログ装置１０を通過するときビー
ムに対する影響を防いでいる。上部グレート６４上の２
つのカットアウト９６は、対称的形状を確実にする以外
の機能は有さない。ブランクオフプレート６６は、非磁
性材であシ、非機能的カットアウト９６を密閉する。

上記のように真空処理がよシ低い真空レベルを可能にし
、空間がよシ高いコンダクタンス真空エンピングを可能
にするとき、エンペログ装置における真空ポンピングス
テージの数は減少できる。

第３Ａ及び３Ｂ図を見ると、開示されたエン４０！装置
は、上部グレート６４を排除し、使用していないポート
を密閉する適切なブランクオフプレートを与え、残った
スリーブ４０　ｂ、４０　ｅを所望の大きさにスケーリ
ング（ｓｃａｌｉｎｇ　）することによって２つのステ
ージに減少させることができる。

スリーブ４０ａ、４０ｂ、４Ｑｃは円錐台形を有するよ
うに示され記載されたが、例えば、円筒スリーブのよう
な他の形状も用いることができることが理解されるであ
ろう。更に、真空領域４４は円形である必要がないばか
シでなく、各々の真空処理で要求されるような細長く伸
びた又は他の任意の形状でもよい。

本発明に従った局部的真空エンペロブ装置の一例におい
ては、電子ビーム軸に沿ったエンペログ装置の大きさは
約１゜２５インチ（３，１７ｃｎ１）である。先端の外
径は約０．５インチ（１，２７ｃＷ１）である。高真空
領域４４において達成される真空は、先端と被加工物と
の間に約２０マイクロメータの間隙をもって約Ｉ　Ｘ　
１０−”　）ルである。

現在考えられた本発明の好適実施例が示され記載されて
きたが、添付した特許請求の範囲によって限定された本
発明の範囲から離れることなく様々な変化や変更態様が
可能なことが当業者には明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に関する装置を組み入れた電子ビーム露
光装置の略示ブロック図である。 第２図は第１図に図示された局部的真空エンペロブ装置
の拡大断面図である。 第３Ａ及び３Ｂ図は、各々本発明に関するエンペロブ装
置の平面図と断面図である。 第４Ａ及び４Ｂ図は、各々エンペロブ装置のハウジング
部材の平面図と断面図である。 第５Ａ及び５Ｂ図は、各々エンペロブ装置の下部グレー
トの平面図と断面図である。 第６Ａ及び６Ｂ図は、各々エンペロブ装置の上部プレー
トの平面図と断面図である。 〔主要符号の説明〕 １０・・・局部的真空エンペロブ装置 １２・・・電子ビームコラム １６・・・半導体ウェファ 】７・・・高真空ポンプ ４２・・・先端 ６０・・・ハウジング部材 ６２・・・下部プレート ６４・・・上部プレート ８２・・・内部領域 特許出願人　ノ々リアン拳アソシエイツやインコーポレ
イテッド ＦＩＧ、５Ｂ ＦＩＧ、６Ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被加工物の局部的真空処理のだめの真空処理チェノ
   ・々の取付けに適した装置でおって、ａ）下方に伸びた
   第１スリーブを有し、それによってアノｆ−チャを有す
   る底板と、該底板の周辺で上方に伸びたフランジとを有
   し、該フランジは真空ポンピングのための複数のポート
   を有し、前記底板と前記フランジが組み合わさって前記
   ハウジング部材の内部領域を形成するところのハウジン
   グ部材と、 ｂ）前記第１スリーブの内側の前記ア・量−チャ内へ下
   方へと伸びる第２スリーブを備え、前記第１スリーブの
   先端と同平面上にある先端を有するハウジング部材の前
   記内部領域内に据え付けられた下部グレートであって、
   第１真空領域が前記第１スリーブと前記第２スリーブと
   の間に形成され、前記第１真空領域が間にチャネルを、
   介して前記ポートの最初の１つとガス連絡され、前記ハ
   ウ−）／グ部材及び前記下部プレートの片方又は双方に
   あるカットアウト部分によって形成されているところの
   下部グレートと、 Ｃ）前記第２スリーブの内側の前記アパーチャ内へ下方
   へと伸びる第３スリーブを備え、前記第１及び第２スリ
   ーブの先端と同平面上にある先端を有するハウジング部
   材の前記内部領域内で前記下部グレートの上方に据え付
   けられた上部グレートであって、 前記第２スリーブと前記第３スリーブとの間に第２真空
   領域が形成され、高真空領域が前記第３スリーブ内に形
   成され、前記第２真空領域は間に第２チヤネルを介して
   前記ポートの第２ポートとガス連絡され、前記下部グレ
   ート及び前記上部プレートの片方又は双方のカットアウ
   ト部分によって形成されておシ、前記高真空領域は、前
   記上部プレートの上の前記内部領域の部分を介して前記
   ポートの第ｒ９　） ３ポートとガス連絡されているところの上部プレート、 から成るところの装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって、 前記第１スリーブ、前記第２スリーブ、前記第３スリー
   ブの各々が、円錐台形状を有するところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であって、 前記第１真空領域及び前記第２真空領域が構造上の部材
   によって妨害されることなく、それによって比較的高い
   真空コンダクタンスを提供するところの装置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって、 前記ハウシング部材上の前記７ランノが、前記装置を前
   記処理チェンバに据え付け、前記装置と前記処理チェン
   バとの間に真空シールをするための手段を有するところ
   の装置。 ５、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって、 前記ハウジング部材が強磁性材で作られ、処理チェンバ
   と被加工物との間に磁気的シールドをなしているところ
   の装置。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された装置であって、 前記上部グレートが強磁性材で作られ、前記下部プレー
   トが低い透磁率の物質で作られ、処理チェノ／？と被加
   工物との間に二重の磁気的シールドをなしているところ
   の装置。 ７、特許請求の範囲第６項に記載された装置であって、 前記高真空領域を通り前記被加工物に達する荷電粒子ビ
   ームの通路に適し、前記荷電粒子ビームへの影響を最小
   にするために前記ハウシング部材及び前記上部ル−トが
   前記高真空領域の中心軸線に関して概して対称であると
   ころの装置。 ８、％許請求の範囲第７項に記載された装置であって、 前記ハウジング、前記下部プレート及び前記上部プレー
   トの接触表面のプレイジングによって組み立てられてい
   るところの装置。 ９、％許請求の範囲第７項に記載された装置であって、 前記ハウジング部材、前記下部プレート及び前記上部プ
   レートの接触表面を粘着性物質でシールすることによυ
   組み立てられているところの装置。 １０、％許請求の範囲第１項に記載された装置であって
   、 前記ハウシング部材の前記内部領域が概して円筒形状を
   有し、その内部の中心に前記第１、第２及び第３スリー
   ブが置かれているところの装置。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載された装置であっ
   て、 電子ビームリソグラフィコラムへの取付けに適するとこ
   ろの装置。 １２、被加工物の局部的真空処理のだめの真空処理チェ
   ンバの取付けに適した装置であって、ａ）下方に伸びた
   第１スリーブを有し、それによってア・ぐ−チャを有す
   る底板と、該底板の周辺で上方に伸びたフランジとを有
   し、該フランツは真空ポンピングのだめの複数のポート
   を有し、前記底板と前記７ランノが組み合わさって前記
   ハウジング部材の内部領域を形成するところのハウジン
   グ部材と、 ｂ）前記アパーチャ内へ下方へと伸びる第２スリーブを
   備え、前記第１スリーブの先端と同平面上にある先端を
   有するハウジング部材の前記内部領域内に据え付けられ
   た下部プレートであって、 第１真空領域が前記第１スリーブと前記第２スＩＪ、−
   、？との間に形成され、高真空領域が・前記第２スリー
   ブの内側に形成され、前記第１真空領域が間にチャネル
   を介して前記ポートの１つとガス連絡され、前記ハウジ
   ング部材及び前記下部プレートの片方又は双方にあるカ
   ットアウト部分によって形成され、前記高真空領域は、
   前記下部プレート上の前記内部領域の部分を介して、別
   の前記ポートとガス連絡しているところの下部プレート
   、から成るところの装置。