JPS6072233A - 半導体ウエ−ハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPS6072233A JPS6072233A JP58179949A JP17994983A JPS6072233A JP S6072233 A JPS6072233 A JP S6072233A JP 58179949 A JP58179949 A JP 58179949A JP 17994983 A JP17994983 A JP 17994983A JP S6072233 A JPS6072233 A JP S6072233A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bath
- chemical solution
- cleaning
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H10P72/0416—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハ（単結晶から切り出したものか
ら、酸化、拡散等のウェーハエ程を経たものまでを含む
）の表面汚染物を除去する半導体ウェーハの洗浄装置に
関する。
ら、酸化、拡散等のウェーハエ程を経たものまでを含む
）の表面汚染物を除去する半導体ウェーハの洗浄装置に
関する。
近年、半導体デバイスの高性能化、高密度化に伴い、ま
すます高精度の微細加工技術が要求されている。ところ
で、ウェーハ処理工程で混入、残存する微粒子状耐着物
、被膜状附着物等の表面汚染物は、プロセス加工精度の
低減、デバイス特性の信頼性低下等を招（ため、それら
表面汚染物除去はデバイスの歩留り向上のために不可欠
になっている。
すます高精度の微細加工技術が要求されている。ところ
で、ウェーハ処理工程で混入、残存する微粒子状耐着物
、被膜状附着物等の表面汚染物は、プロセス加工精度の
低減、デバイス特性の信頼性低下等を招（ため、それら
表面汚染物除去はデバイスの歩留り向上のために不可欠
になっている。
従来のウェーハ洗浄工程は、下記■〜■の素工程の単な
る組合せにより成っている。すなわち、■有機溶剤処理
による表面有機物汚染除去、■酸化性酸、アルカリ処理
による表面有機物汚染除去、■稀フッ酸処理による自然
酸化膜除去、■酸化性酸処理による表面残存重金属除去
、■界面活性剤、アルカリまたは機械的作用等の併用に
よる微粒子除去、■純水洗浄等である。そして、半導体
ウェーハの洗浄装置もこれらの目的に即したものが実用
化されている。
る組合せにより成っている。すなわち、■有機溶剤処理
による表面有機物汚染除去、■酸化性酸、アルカリ処理
による表面有機物汚染除去、■稀フッ酸処理による自然
酸化膜除去、■酸化性酸処理による表面残存重金属除去
、■界面活性剤、アルカリまたは機械的作用等の併用に
よる微粒子除去、■純水洗浄等である。そして、半導体
ウェーハの洗浄装置もこれらの目的に即したものが実用
化されている。
しかし、上記の如き従来技術では、有機性表面汚染物を
十分に行なうことはできない。すなわち、有機溶剤中に
ウェーハを浸漬するという物理的洗浄脱離、溶解のみで
は、強固な表面耐着物を完全には除去できない。また、
有機物除去処理に使用さｎる有機溶剤自体、あるいはそ
れに続いてなされる一連の素工径での有機性成分の混入
（例えば、酸、アルカリ薬液中の有機物、作業環境等か
らの汚染物）により附着する炭素成分についても、従来
技術では除去が十分になしえない。
十分に行なうことはできない。すなわち、有機溶剤中に
ウェーハを浸漬するという物理的洗浄脱離、溶解のみで
は、強固な表面耐着物を完全には除去できない。また、
有機物除去処理に使用さｎる有機溶剤自体、あるいはそ
れに続いてなされる一連の素工径での有機性成分の混入
（例えば、酸、アルカリ薬液中の有機物、作業環境等か
らの汚染物）により附着する炭素成分についても、従来
技術では除去が十分になしえない。
ところが、半導体ウェーハに附着した炭素原子は、結晶
、酸化膜中あるいは界面で析出したり、結晶欠陥やＳｉ
Ｃを形成したりして、絶縁耐圧の低下、リーク電流の増
大、接合特性の劣化をもたらすことになる。また、Ｓｉ
Ｃ周辺の結晶歪みには重金属が固定化され、特性不良を
生じるなどの欠点が生じる。
、酸化膜中あるいは界面で析出したり、結晶欠陥やＳｉ
Ｃを形成したりして、絶縁耐圧の低下、リーク電流の増
大、接合特性の劣化をもたらすことになる。また、Ｓｉ
Ｃ周辺の結晶歪みには重金属が固定化され、特性不良を
生じるなどの欠点が生じる。
本発明は上記の従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
、半導体ウェーハの表面に附着した有機性汚染物を効果
的に除去することのできる半導体ウェーハの洗浄装置を
提供することを目的とする。
、半導体ウェーハの表面に附着した有機性汚染物を効果
的に除去することのできる半導体ウェーハの洗浄装置を
提供することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、半導体ウェーハを
洗浄用の薬液に浸漬するウェーハ洗浄槽に超音波発生器
と紫外線照射器を設け、ウェー７１表面の有機物を容易
に除去できるようにした半導体ウェーハの洗浄装置を提
供するものである。
洗浄用の薬液に浸漬するウェーハ洗浄槽に超音波発生器
と紫外線照射器を設け、ウェー７１表面の有機物を容易
に除去できるようにした半導体ウェーハの洗浄装置を提
供するものである。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例を説明する
。第１図は同実施例の構成図である。洗浄さｎるべぎ半
導体ウェーハ１はウェーハキャリア２に保持さｎて、透
明石英製のウェーッ・洗浄槽３に入れられる。洗浄用の
薬液は薬液供給口４゜５．６．７から矢印の如（ウェー
ハ洗浄槽３に供給され、たまった薬液８中に半導体ウェ
ーッ・１が浸漬させられる。また、ウェーハキャリア２
の側面部には複数の紫外線灯９が取り付けらＲ、ウェー
ハ洗浄槽３の下部には超音波発生器１０が設けられる。
。第１図は同実施例の構成図である。洗浄さｎるべぎ半
導体ウェーハ１はウェーハキャリア２に保持さｎて、透
明石英製のウェーッ・洗浄槽３に入れられる。洗浄用の
薬液は薬液供給口４゜５．６．７から矢印の如（ウェー
ハ洗浄槽３に供給され、たまった薬液８中に半導体ウェ
ーッ・１が浸漬させられる。また、ウェーハキャリア２
の側面部には複数の紫外線灯９が取り付けらＲ、ウェー
ハ洗浄槽３の下部には超音波発生器１０が設けられる。
また、純水はパルプ１１および導管１２を介してウェー
ハ洗浄槽３に送られる。そして、上記の装置は筐体１３
に収容される。
ハ洗浄槽３に送られる。そして、上記の装置は筐体１３
に収容される。
次に、第１図に示す装置の動作を説明する。一連の洗浄
工程は前述の■〜■の素工径の組合せによりなり、その
際に必要な高純度薬液（例えば７ツ酸、過酸化水素水、
塩酸、アンモニア水等）は薬液供給口４〜７より供給さ
れる。
工程は前述の■〜■の素工径の組合せによりなり、その
際に必要な高純度薬液（例えば７ツ酸、過酸化水素水、
塩酸、アンモニア水等）は薬液供給口４〜７より供給さ
れる。
表面に附着した有機性汚染物の除去も、上記の素工径の
ひとつとしてなされる。すなわち、薬液供給ロアより過
硫酸と純水の混液が供給さｎ、紫外線灯９からは紫外線
が照射され、かつ超音波発生器からは超音波振動が与え
らｎる。このようにすると、紫外線による活性化作用と
、超音波振動による物理的洗浄作用および過硫酸（活性
硫酸基）による化学的洗浄作用の相乗によって大ぎな洗
浄効果かえられる。
ひとつとしてなされる。すなわち、薬液供給ロアより過
硫酸と純水の混液が供給さｎ、紫外線灯９からは紫外線
が照射され、かつ超音波発生器からは超音波振動が与え
らｎる。このようにすると、紫外線による活性化作用と
、超音波振動による物理的洗浄作用および過硫酸（活性
硫酸基）による化学的洗浄作用の相乗によって大ぎな洗
浄効果かえられる。
上記の洗浄作用の概略は下記の通りである。まず、過硫
酸液中の過硫酸イオンは紫外線によって活性硫酸基とな
り、ウェーハ表面の有機性汚染物は励起される。励起さ
ｎた有機物は活性硫酸基により酸化され、炭素は炭酸ガ
スとなって取り除かれる。上記の反応を化学式で示すと
、下記のようになる。
酸液中の過硫酸イオンは紫外線によって活性硫酸基とな
り、ウェーハ表面の有機性汚染物は励起される。励起さ
ｎた有機物は活性硫酸基により酸化され、炭素は炭酸ガ
スとなって取り除かれる。上記の反応を化学式で示すと
、下記のようになる。
５２ｏ８”−＋ｈ、−→２８０．”
Ｒ＋ｈ、−→Ｒ”
Ｒ％＋２ ＳＯ４” ＋Ｈ２Ｏ−＋ｎｃ０２＋−・・こ
のような活性化、化学的洗浄作用の際に、超音波撮動が
与えられるので、洗浄作用の均一化、脱塵の容易化が図
られる。
のような活性化、化学的洗浄作用の際に、超音波撮動が
与えられるので、洗浄作用の均一化、脱塵の容易化が図
られる。
なお、こ扛ら素工径の間では薬液の除去等のために、純
水洗浄がなさｎる。純水はバルブ１１および導管１２を
介して供給され、ウェーッ・洗浄槽３を越えて筐体１３
内にあふｎる。
水洗浄がなさｎる。純水はバルブ１１および導管１２を
介して供給され、ウェーッ・洗浄槽３を越えて筐体１３
内にあふｎる。
第２図は第１図の実施例によってＳｉウェーッ１を処理
したときの汚染除去効果を説明するグラフで、第２図（
ａｊは従来装置によるとぎ、第２図（ｂ）は本実施例に
よるときを示している。第２図（ａ）に示す如（、従来
装置ｆｔ、ＶＣよってＳｉウェーハを洗浄したのち、厚
さ３００へのＳ ＋ ０２膜を形成し、その酸化膜の耐
圧を測定すると、耐圧は３〜９Ｍ■伺となる。これに対
し第２図（１））に示す如く、第１図の実施例によって
Ｓｉウェーハを洗浄したのち、厚さ３００ＡのＳｉＯ□
膜を形成し、その耐圧を測定すると８〜９ＭＶ／ｄ程度
の耐圧のものが多（なる。但し、本実施例による洗浄は
、Ｎｌ−１，４０Ｈ： ）ｉｚｏｚ ： ＨｚＯ＝ １
： １＝６混液処理→純水処理→稀ＨＦ処理−純水処
理−−＋ＨＣ１：ｌ−Ｉ２０２ ：Ｈ２Ｏ＝ １ ：
１ ： ６混液処理→純水処理→Ｉｈ５ｚＯｓ ８釈液
（５〜３０％）処理−→純水処理の順になされるものと
する。
したときの汚染除去効果を説明するグラフで、第２図（
ａｊは従来装置によるとぎ、第２図（ｂ）は本実施例に
よるときを示している。第２図（ａ）に示す如（、従来
装置ｆｔ、ＶＣよってＳｉウェーハを洗浄したのち、厚
さ３００へのＳ ＋ ０２膜を形成し、その酸化膜の耐
圧を測定すると、耐圧は３〜９Ｍ■伺となる。これに対
し第２図（１））に示す如く、第１図の実施例によって
Ｓｉウェーハを洗浄したのち、厚さ３００ＡのＳｉＯ□
膜を形成し、その耐圧を測定すると８〜９ＭＶ／ｄ程度
の耐圧のものが多（なる。但し、本実施例による洗浄は
、Ｎｌ−１，４０Ｈ： ）ｉｚｏｚ ： ＨｚＯ＝ １
： １＝６混液処理→純水処理→稀ＨＦ処理−純水処
理−−＋ＨＣ１：ｌ−Ｉ２０２ ：Ｈ２Ｏ＝ １ ：
１ ： ６混液処理→純水処理→Ｉｈ５ｚＯｓ ８釈液
（５〜３０％）処理−→純水処理の順になされるものと
する。
上記の如く本発明によれば、ウェーハ洗浄槽に紫外線照
射器と超音波発生器を設けたので、紫外線による薬液、
汚物の活性化作用と超音波振動による物理的洗浄作用お
よび薬液の化学的洗浄作用を相乗させ、効果的に有機性
の表面汚染物を除去できる半導体ウェーハの洗浄装置を
得ることができる。そして、こｎによってＬＳＩの歩留
り等を向上させることができる。また、本発明に係る装
置によ几ば、他の一連の素工程の中の一工程として有機
性汚染物除去の工程を実行できる。
射器と超音波発生器を設けたので、紫外線による薬液、
汚物の活性化作用と超音波振動による物理的洗浄作用お
よび薬液の化学的洗浄作用を相乗させ、効果的に有機性
の表面汚染物を除去できる半導体ウェーハの洗浄装置を
得ることができる。そして、こｎによってＬＳＩの歩留
り等を向上させることができる。また、本発明に係る装
置によ几ば、他の一連の素工程の中の一工程として有機
性汚染物除去の工程を実行できる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来装置
による汚染物除去効果と第１図の実施例による汚染物除
去効果を比較して説明するグラフである。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ウェーハギヤリア、
３・・・ウェーハ洗浄槽、４，５，６．７・・・薬液供
給口、８・・・薬液、９・・・紫外線灯、１０・・・超
音ど発生器、１１・・・バルブ、１２・・・導管、１３
・・・筐体。 出願人代理人 猪 股 清
による汚染物除去効果と第１図の実施例による汚染物除
去効果を比較して説明するグラフである。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ウェーハギヤリア、
３・・・ウェーハ洗浄槽、４，５，６．７・・・薬液供
給口、８・・・薬液、９・・・紫外線灯、１０・・・超
音ど発生器、１１・・・バルブ、１２・・・導管、１３
・・・筐体。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 洗浄薬液を入れるためのウェーハ洗浄槽と、前記洗浄薬
液に浸漬された半導体ウェーハを保持するウェーハキャ
リアと、 前記ウェーハ洗浄槽内に超音波振動を与える超音波発生
器と、 前記半導体ウェーハに紫外線を照射する紫外線照射器と
を備え、半導体ウェーハの表面に耐着した汚染物を除去
するようにした半導体ウェーへの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179949A JPS6072233A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179949A JPS6072233A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072233A true JPS6072233A (ja) | 1985-04-24 |
Family
ID=16074762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179949A Pending JPS6072233A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072233A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
| JPS6333824A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面洗浄方法 |
| JPH0232525A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置 |
| US4971920A (en) * | 1987-11-28 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for semiconductor wafers |
| US4980300A (en) * | 1987-11-28 | 1990-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for a semiconductor wafer |
| KR100479004B1 (ko) * | 2002-04-19 | 2005-03-31 | 가부시끼가이샤가이죠 | 세정처리방법 및 세정처리장치 |
| EP1434255A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for processing substrate by process solution |
| CN102515555A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-06-27 | 周燕平 | 一种石英坩埚表面处理方法 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58179949A patent/JPS6072233A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
| JPS6333824A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面洗浄方法 |
| US4971920A (en) * | 1987-11-28 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for semiconductor wafers |
| US4980300A (en) * | 1987-11-28 | 1990-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for a semiconductor wafer |
| JPH0232525A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置 |
| KR100479004B1 (ko) * | 2002-04-19 | 2005-03-31 | 가부시끼가이샤가이죠 | 세정처리방법 및 세정처리장치 |
| EP1434255A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for processing substrate by process solution |
| CN102515555A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-06-27 | 周燕平 | 一种石英坩埚表面处理方法 |
| CN102515555B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-04-02 | 周燕平 | 一种石英坩埚表面处理方法 |
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