JPS6072289A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6072289A JPS6072289A JP58181045A JP18104583A JPS6072289A JP S6072289 A JPS6072289 A JP S6072289A JP 58181045 A JP58181045 A JP 58181045A JP 18104583 A JP18104583 A JP 18104583A JP S6072289 A JPS6072289 A JP S6072289A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はディジタル・オーディオ・ディスク。
ビデオディスク等のコヒーレント光源全始めとして、各
種電子機器の光源として用−ら几る半導体し〜ザ装置に
ｒＶ３づ“Ｘｄ、のである。
種電子機器の光源として用−ら几る半導体し〜ザ装置に
ｒＶ３づ“Ｘｄ、のである。
従来例の構成とその問題点
電子機器の光源として、半導体レーザに要求されるもの
の１つとして、単一スポットでの発振、すなわち、単−
横モード発掘がある。これを実現するためには、活性領
域付近に、光と電流を閉じ込める必要がある。光の閉じ
込めに関しては、二重へテロ構造で活性層をはさみ、そ
ｆＬ全爪直な方向にも屈折率さ全設けて閉じ込めたり、
或いは、活性層中の一部に電流が流れる様にして、光増
幅率に活性層中で分布金持たせて閉じ込める方法がある
。
の１つとして、単一スポットでの発振、すなわち、単−
横モード発掘がある。これを実現するためには、活性領
域付近に、光と電流を閉じ込める必要がある。光の閉じ
込めに関しては、二重へテロ構造で活性層をはさみ、そ
ｆＬ全爪直な方向にも屈折率さ全設けて閉じ込めたり、
或いは、活性層中の一部に電流が流れる様にして、光増
幅率に活性層中で分布金持たせて閉じ込める方法がある
。
電流の閉じ込め、つまりキャリアの閉じ込めに関しては
、二重へテロ構造で活性層全はさみ、半導体中の電子の
エネルギーバンドの構造により閉じ込め、二重へテロ構
造と垂直な方向では、活性領域付近にのみ電流が流れる
様に、ストライプ状の電流狭さく領域を設けるのが通常
の方法である。
、二重へテロ構造で活性層全はさみ、半導体中の電子の
エネルギーバンドの構造により閉じ込め、二重へテロ構
造と垂直な方向では、活性領域付近にのみ電流が流れる
様に、ストライプ状の電流狭さく領域を設けるのが通常
の方法である。
第１図ａ −Ｃに、従来の代表的なストライプ構造レー
ザを示す。これらの図において、１０は＋ ｎ−ＧａＡｓ基板、１１はｎ −Ａ １ｘＣｒｈ１−ｘ
Ａｓ層、１２はＡｌｘＧａ１．Ａｓ （０＜ｙ＜ｘ ）
層、１３けＰ−ＡｌｘＧａ１ 、Ａｓ 層、 １４はＰ
−ＧａＡＳＩｉｉ 、１５は活性領域、１６はストラ
イプ部、１７はｎ−ＧａＡｓ層・２１はプロトン全照射
した高抵抗領域、２２はＺｎ拡散領域、２３ばＳｉＯ２
膜である。
ザを示す。これらの図において、１０は＋ ｎ−ＧａＡｓ基板、１１はｎ −Ａ １ｘＣｒｈ１−ｘ
Ａｓ層、１２はＡｌｘＧａ１．Ａｓ （０＜ｙ＜ｘ ）
層、１３けＰ−ＡｌｘＧａ１ 、Ａｓ 層、 １４はＰ
−ＧａＡＳＩｉｉ 、１５は活性領域、１６はストラ
イプ部、１７はｎ−ＧａＡｓ層・２１はプロトン全照射
した高抵抗領域、２２はＺｎ拡散領域、２３ばＳｉＯ２
膜である。
（ａ）はＰ−ＧａＡｓ層１４の上からプロトン全照射す
る事により、ストライプ部１６を形成したレーザである
。 （ｂ）は Ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ 層１３上に
・ｎ−ＧａＡｓ層１７全成長し、ｎ−ＧａＡｓ層１７上
から、Ｚｎを拡散する事により、ｎ−ＧａＡｓ層１７中
に電気流入用のストライプ部６を形成した。Ｚｎ＋ 拡散形ストライプ構造レーザである。＜Ｃ＞ばＰ−Ｇａ
Ａｓ層１４上［５ｉＯｚ膜等の絶縁膜２３を設ける事に
より、電流注入用のストライプ１６全形成シタレーザで
ある。
る事により、ストライプ部１６を形成したレーザである
。 （ｂ）は Ｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ 層１３上に
・ｎ−ＧａＡｓ層１７全成長し、ｎ−ＧａＡｓ層１７上
から、Ｚｎを拡散する事により、ｎ−ＧａＡｓ層１７中
に電気流入用のストライプ部６を形成した。Ｚｎ＋ 拡散形ストライプ構造レーザである。＜Ｃ＞ばＰ−Ｇａ
Ａｓ層１４上［５ｉＯｚ膜等の絶縁膜２３を設ける事に
より、電流注入用のストライプ１６全形成シタレーザで
ある。
第１図のａ〜Ｃは、何れもストライプ部１６により電流
が流れる領域を制限し、半導体レーザの発撮しきい値を
低減するとともに、活性層Ａ７アＧａ１ 、Ａｓ層（０
＜ｙ＜ｘ）１２中での発振領域（以下、活性領域１５と
する。、）全制限して、その形状効果により、高次横モ
ードの発振全抑え、単−横モード発振が実現される、 しかしながら、上記のストライプ構造全作製する方法に
は、以下に述べる欠点がある。
が流れる領域を制限し、半導体レーザの発撮しきい値を
低減するとともに、活性層Ａ７アＧａ１ 、Ａｓ層（０
＜ｙ＜ｘ）１２中での発振領域（以下、活性領域１５と
する。、）全制限して、その形状効果により、高次横モ
ードの発振全抑え、単−横モード発振が実現される、 しかしながら、上記のストライプ構造全作製する方法に
は、以下に述べる欠点がある。
（１）第１図ａにおいては・プロトン等のイオン全電磁
界により加速し、作製された二重へテロ構造半導体ウェ
ハに照射する。この時、半導体ウェハの照射さ力、た領
域は、加速されたイオンが通過する事により、損傷を受
ける。しかも、活性領域付近または活性領域直上付近の
プロトン照射領域に近いところでは、ＧａＡｓ層、Ｇａ
Ａ、ｄＡｓ層の結晶が損傷を受け、半導体レーザの電気
特性、光学特性、信頼性等を損う、と才りを回避するた
めには、プロトン照射後、高温でアニールを行なう必要
があり、工程が多くなるばかりかアニールされる層中に
、Ｚｎ等の熱拡散係数の高いドーパントが存在すると、
これらが動き、キャリア濃度の制御性の良い多層構造が
結果的に得られにくくなる。
界により加速し、作製された二重へテロ構造半導体ウェ
ハに照射する。この時、半導体ウェハの照射さ力、た領
域は、加速されたイオンが通過する事により、損傷を受
ける。しかも、活性領域付近または活性領域直上付近の
プロトン照射領域に近いところでは、ＧａＡｓ層、Ｇａ
Ａ、ｄＡｓ層の結晶が損傷を受け、半導体レーザの電気
特性、光学特性、信頼性等を損う、と才りを回避するた
めには、プロトン照射後、高温でアニールを行なう必要
があり、工程が多くなるばかりかアニールされる層中に
、Ｚｎ等の熱拡散係数の高いドーパントが存在すると、
これらが動き、キャリア濃度の制御性の良い多層構造が
結果的に得られにくくなる。
（２）第１図すでは、 Ｚｎ拡散を高温（７ｃｃｙ℃〜
ｓ５ｏ℃）で行なう事が多く、各層中のドーパントも拡
散されＰｎ接合界面が設計位置よりずｆしたり、Ｐｎ接
合が設計通り形成するのが難しくなるー（３）第１図Ｃ
では、Ａ％Ｇａ１ 、Ａｓ活性層１２での活性領域１５
が、第１図ａ、ｂのストライプ構造を有するレーザに比
べて・広がるとｂう問題がある。これは、第１図ａ、ｂ
ＶＣ比べて、第１図Ｃの構造は、ストライプ１６による
電流制限が弱−ためである、 発明の目的 本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、結晶が
損傷を受けず、しかも電流狭さく効果が十分な半導体レ
ーザ装置を提供するものである。
ｓ５ｏ℃）で行なう事が多く、各層中のドーパントも拡
散されＰｎ接合界面が設計位置よりずｆしたり、Ｐｎ接
合が設計通り形成するのが難しくなるー（３）第１図Ｃ
では、Ａ％Ｇａ１ 、Ａｓ活性層１２での活性領域１５
が、第１図ａ、ｂのストライプ構造を有するレーザに比
べて・広がるとｂう問題がある。これは、第１図ａ、ｂ
ＶＣ比べて、第１図Ｃの構造は、ストライプ１６による
電流制限が弱−ためである、 発明の目的 本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、結晶が
損傷を受けず、しかも電流狭さく効果が十分な半導体レ
ーザ装置を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の半導体レーザ装置は
、ｎ型化合物半導体単結晶基版土に、最上層がＰ型層で
二重ヘテ′口描造を含む三層以上の化合物半導体単結晶
層が形成され、前記Ｐ型層の上に、 １３の領域がＰ型
で、他はｎ型の化合物半導体単結晶層、さらにその上に
前記一部のＰ壁領域の上が単結晶で、他はＰ型多結晶の
Ｐ型化合物半導体層が形成されて因る。この構成゛に」
こり、前記一部のＰ型化合物半導体単結晶領域と、前記
一部のＰ型化合物半導体単結晶領域とで、電流狭さく用
のストライプ構造が構成され・低しきい値で単−横モー
ド発振の半導体レーザ装置が容易に得られる、 実施例の説明 以下、本発明の一実施例（でついて図面全参照しながら
説明する。第２図は、本発明の一実施例における半導体
レーザ装置の断面図を示すものである、ｎ−ＧａＡｓ単
結晶基版１０の上に、ｎ−ＡｌｘＧ ａ １ｘ Ａ ｓ
層１１ 、ＡｌｘＧａ１ ｙＡｓ （０≦−ｙ＜ｘ）層
１２、Ｐ−ＡＡｘＧａｌ−ｘＡｓＡｓ層が形成され、そ
の上に・選択的にストライブ状Ｐ型拡散領域−２７を有
するｎ−ＧａＡｓ単結晶層２６、さらにＰ型拡散領域２
７の上にＰ−ＧａＡｓ単結晶層２４．ｎ−Ｇａ Ａｓ単
結晶層２６の上にＰ−ＧａＡｓ多結晶層２６は、Ｐ−Ｇ
ａＡｓ単結晶層２４とＰ型拡散領域２７によって電流が
狭さくされ、低しきい値が実現できるＯ 次に本実施例の半導体レーザ装置の製造方法について説
明する。まずｎ−ＧａＡｓ単結晶単結晶基土１０上タキ
シャル成長方法（液相エピタキシャル法、ＭＯＣＶＤ法
、ＭＥＢ法いずれでも可）により、順次、ｎ−Ａｌｘ（
ｒａｌ−ｘＡｓ層１１、Ａ １ｙＧａ１．Ａｓ 層（ｏ
≦ｙ ’（ｘ ） １２ 、 Ｐ−Ａｇｘ（ｒａｌ−ｘ
ＡｓＡｌＢ１２れぞれ単結晶として結晶成長させ、その
上に、ｎ−ＧａＡｓ単結晶層２６．Ｐ−ＧａＡｓ多結晶
層２６を成長させる。本実施例では、ｎ −ＧａＡｓ層
２６の膜ＮＯ１２ｐｍ 、 Ｐ −ＧａＡｓ層２５の膜
厚は０．５μｍとしている。多結晶層は、いずれの成長
方法でも、成長基鈑温度全数百度下げて、結晶成長する
ことにより得ら九る。
、ｎ型化合物半導体単結晶基版土に、最上層がＰ型層で
二重ヘテ′口描造を含む三層以上の化合物半導体単結晶
層が形成され、前記Ｐ型層の上に、 １３の領域がＰ型
で、他はｎ型の化合物半導体単結晶層、さらにその上に
前記一部のＰ壁領域の上が単結晶で、他はＰ型多結晶の
Ｐ型化合物半導体層が形成されて因る。この構成゛に」
こり、前記一部のＰ型化合物半導体単結晶領域と、前記
一部のＰ型化合物半導体単結晶領域とで、電流狭さく用
のストライプ構造が構成され・低しきい値で単−横モー
ド発振の半導体レーザ装置が容易に得られる、 実施例の説明 以下、本発明の一実施例（でついて図面全参照しながら
説明する。第２図は、本発明の一実施例における半導体
レーザ装置の断面図を示すものである、ｎ−ＧａＡｓ単
結晶基版１０の上に、ｎ−ＡｌｘＧ ａ １ｘ Ａ ｓ
層１１ 、ＡｌｘＧａ１ ｙＡｓ （０≦−ｙ＜ｘ）層
１２、Ｐ−ＡＡｘＧａｌ−ｘＡｓＡｓ層が形成され、そ
の上に・選択的にストライブ状Ｐ型拡散領域−２７を有
するｎ−ＧａＡｓ単結晶層２６、さらにＰ型拡散領域２
７の上にＰ−ＧａＡｓ単結晶層２４．ｎ−Ｇａ Ａｓ単
結晶層２６の上にＰ−ＧａＡｓ多結晶層２６は、Ｐ−Ｇ
ａＡｓ単結晶層２４とＰ型拡散領域２７によって電流が
狭さくされ、低しきい値が実現できるＯ 次に本実施例の半導体レーザ装置の製造方法について説
明する。まずｎ−ＧａＡｓ単結晶単結晶基土１０上タキ
シャル成長方法（液相エピタキシャル法、ＭＯＣＶＤ法
、ＭＥＢ法いずれでも可）により、順次、ｎ−Ａｌｘ（
ｒａｌ−ｘＡｓ層１１、Ａ １ｙＧａ１．Ａｓ 層（ｏ
≦ｙ ’（ｘ ） １２ 、 Ｐ−Ａｇｘ（ｒａｌ−ｘ
ＡｓＡｌＢ１２れぞれ単結晶として結晶成長させ、その
上に、ｎ−ＧａＡｓ単結晶層２６．Ｐ−ＧａＡｓ多結晶
層２６を成長させる。本実施例では、ｎ −ＧａＡｓ層
２６の膜ＮＯ１２ｐｍ 、 Ｐ −ＧａＡｓ層２５の膜
厚は０．５μｍとしている。多結晶層は、いずれの成長
方法でも、成長基鈑温度全数百度下げて、結晶成長する
ことにより得ら九る。
結晶成長後、成長表面全有機溶剤等で洗浄した後、Ｇａ
Ａｓ多結晶層２５の一部をストライプ状にレーザビーム
照射音用いて単結晶化する。、０．６２μｍで発振する
Ａｒレーザビームを６μｍφのスポットに絞り（エネル
ギー密度〜ｉ ｏ ’Ｗ／ ｃａ ）・成長表面上ｔ５
ｍｍ／ｓｅａで走査する・第３図に示す様な電流狭さく
用のストライプのピッチｅが、２５０μｍとなる様に形
成する。なお、電子ビームなどの他の加熱手段を用いて
ストライプ全形成してもよめ。
Ａｓ多結晶層２５の一部をストライプ状にレーザビーム
照射音用いて単結晶化する。、０．６２μｍで発振する
Ａｒレーザビームを６μｍφのスポットに絞り（エネル
ギー密度〜ｉ ｏ ’Ｗ／ ｃａ ）・成長表面上ｔ５
ｍｍ／ｓｅａで走査する・第３図に示す様な電流狭さく
用のストライプのピッチｅが、２５０μｍとなる様に形
成する。なお、電子ビームなどの他の加熱手段を用いて
ストライプ全形成してもよめ。
単結晶領域２４の比抵抗が、多結晶領域２５の比抵抗に
比べ、約４桁小さくなるため、単結晶領域２４に電流狭
さくが行なわ几、さらに、ｎ −ＧａＡｓボ結晶層では
、Ｐ −ＧａＡｓ層にレーザビーム」− が当たっている直下では、Ｐ−ＧａＡｓ層中のＰ型ドー
パントであるＺｎが、その熱拡散係数が大きいために、
拡散さｎ、ｎ−ＧａＡｓ単結晶層の１部が第２図に示す
様にＰ−ＧａＡｓ領域２７となる。
比べ、約４桁小さくなるため、単結晶領域２４に電流狭
さくが行なわ几、さらに、ｎ −ＧａＡｓボ結晶層では
、Ｐ −ＧａＡｓ層にレーザビーム」− が当たっている直下では、Ｐ−ＧａＡｓ層中のＰ型ドー
パントであるＺｎが、その熱拡散係数が大きいために、
拡散さｎ、ｎ−ＧａＡｓ単結晶層の１部が第２図に示す
様にＰ−ＧａＡｓ領域２７となる。
このときドーパントは、ＧａＡｓ中でＰ型となる熱拡散
係数の大きいものであ九は何でもよい。この＋ ことにより、Ｐ−ＧａＡｓ単結晶領域２４と、Ｐ−Ａｄ
ＧａＡｓ層１３が、Ｐ−ＧａＡｓ領域２７金介して電気
的に接続される。一方、ｎ−ＧａＡｓ領域２６には、Ｐ
−Ａ７ＧａＡｓ層１３とｎ−ＧａＡｓ領域２６の境界
でＰｎ接合が形成され、半導体レーザ動作時には、逆バ
イアスとなり電流が流れない、以上より・Ｐ−ＧａＡｓ
領域２４で電流狭さくされる他Ｐ−ＧａＡ５領域２７で
も電流狭さくが行なわれ、その効果は著しい７ なお・本実施例は、ＧａＡ ｓ系、ＧａＡ７Ａｓ系材料
について述べたが、ＩｎＰ系などの他の化合物半導体材
料に関しても十分適用できる。
係数の大きいものであ九は何でもよい。この＋ ことにより、Ｐ−ＧａＡｓ単結晶領域２４と、Ｐ−Ａｄ
ＧａＡｓ層１３が、Ｐ−ＧａＡｓ領域２７金介して電気
的に接続される。一方、ｎ−ＧａＡｓ領域２６には、Ｐ
−Ａ７ＧａＡｓ層１３とｎ−ＧａＡｓ領域２６の境界
でＰｎ接合が形成され、半導体レーザ動作時には、逆バ
イアスとなり電流が流れない、以上より・Ｐ−ＧａＡｓ
領域２４で電流狭さくされる他Ｐ−ＧａＡ５領域２７で
も電流狭さくが行なわれ、その効果は著しい７ なお・本実施例は、ＧａＡ ｓ系、ＧａＡ７Ａｓ系材料
について述べたが、ＩｎＰ系などの他の化合物半導体材
料に関しても十分適用できる。
発明の効果
以上のように、本発明は、二重へテロ構造の上に、スト
ライプ状の拡散領域と、その上の単結晶領域およびその
両１１ｉＩ面の多結晶層が形成されており・信頼性が高
く・しかも低しきい値の半導体レーザ装置が実現できる
。
ライプ状の拡散領域と、その上の単結晶領域およびその
両１１ｉＩ面の多結晶層が形成されており・信頼性が高
く・しかも低しきい値の半導体レーザ装置が実現できる
。
第１図ａ −ｃは、従来のストライプ構造を有する半導
体レーザの断面図、第２図は本発明の実施例の半導体レ
ーザ装置の断面図、第３図はレーザビームを照射するこ
とにより、ストライプ構造を形成する方法を説明するた
めの図である。 ＋ １ｏ ＝−・ｎ −ＧａＡｓ基叛、１１°・・…ｎ −
Ａ、ｄ ＸＧａ、−ｘＡｓｌｉｉ（第１層） 、１２＝
−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ ）、１３・・・
・・Ｐ−ＡｄｘＧａｌ−ｘＡｓ層１４・・・・・・Ｐ−
ＧａＡｓｉ、１６・・・・・・活性領域。 １６−−−−−−ストライプ部、１７ ＝−−ｎ−Ｇａ
Ａｓ層、２１°°“°°“プロトンを照射した高抵抗領
域、２２°゛領域・２６・・・・・ｎ−ＧａＡｓ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名。 第１図 第２図 ７ 第３図
体レーザの断面図、第２図は本発明の実施例の半導体レ
ーザ装置の断面図、第３図はレーザビームを照射するこ
とにより、ストライプ構造を形成する方法を説明するた
めの図である。 ＋ １ｏ ＝−・ｎ −ＧａＡｓ基叛、１１°・・…ｎ −
Ａ、ｄ ＸＧａ、−ｘＡｓｌｉｉ（第１層） 、１２＝
−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ ）、１３・・・
・・Ｐ−ＡｄｘＧａｌ−ｘＡｓ層１４・・・・・・Ｐ−
ＧａＡｓｉ、１６・・・・・・活性領域。 １６−−−−−−ストライプ部、１７ ＝−−ｎ−Ｇａ
Ａｓ層、２１°°“°°“プロトンを照射した高抵抗領
域、２２°゛領域・２６・・・・・ｎ−ＧａＡｓ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名。 第１図 第２図 ７ 第３図
Claims (1)
- 一導電型の半導体基鈑上に・前記−導電型とは反対の導
電型金布する半導体層全最上層とするとともに二重へテ
ロ構造金倉む多層構造が形成され、前記最上層の上に、
ストライプ状に選択的に前記反対導電型の領域を有する
前記−導電型を有する半導体層が形成され、さらに、前
記ストライプ状反対導電型領域の土が単結晶で、前記−
導電型半導体層の上が多結晶の同一組成からなる前記反
対導電型全有する半導体層が形成されていること全特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181045A JPS6072289A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181045A JPS6072289A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072289A true JPS6072289A (ja) | 1985-04-24 |
Family
ID=16093798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181045A Pending JPS6072289A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072289A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103390A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58181045A patent/JPS6072289A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103390A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 |
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