JPS6074336A - 長方形電子ビ−ム発生装置 - Google Patents
長方形電子ビ−ム発生装置Info
- Publication number
- JPS6074336A JPS6074336A JP58183427A JP18342783A JPS6074336A JP S6074336 A JPS6074336 A JP S6074336A JP 58183427 A JP58183427 A JP 58183427A JP 18342783 A JP18342783 A JP 18342783A JP S6074336 A JPS6074336 A JP S6074336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- wehnelt
- distribution
- holes
- density distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、大きな断面積を持つ電子ビームを発生させ
る装置の改良に関するもので、特に当該断面積内のビー
ム密度分布を所望の分布にすることに関する。
る装置の改良に関するもので、特に当該断面積内のビー
ム密度分布を所望の分布にすることに関する。
従来、この種装置の電子銃は、第１図の断面図に示すよ
うな構造を持つものであった。図で、２は、フィラメン
ト５によシ加熱されるカソード、４は、カソードを支持
する支持体、３はウェネルト、１０は加速電極で９′
で接地される。３０はビーム集束用電磁レンズ、４０け
、ビーム被照射物で９′で接地される。２ｏは電子ビー
ムで、以上の要素はすべて図示されない真空排気装置に
ょシ所要の真空度に保たれる。同じく図示され力い真空
容器に収容されているものとする。６はフィラメント５
の加熱電源、８は電子ビーム２ｏの加速電源で負極をカ
ソード２に、正極を９で接地されている。７はウェネル
トにバイアス電圧を供給するバイアス電源である。これ
らの構成で、電子ビーム２０のビーム密度分布を所望の
形状にするには、カソード２とウェネルト３のビーム透
過穴との距離を調整する事によシ行っていた。例えは第
４図に示すような双峰分布のビームを得ようとする場合
は、第１図のカソード２の近悼の拡大図であるところの
第２図（断面図）、第３図（被照物４０から見た図）に
示す如く、カソード２の中央部にくぼみ６０を作シ、中
央部からのエミッションを少女くするような方法が増ら
れていた。ところがこのような方法では、カソード２と
ウェネルト３の距離がビームの断面内で一定でない為、
ビームの軌道長さも必然的に異なシ、ビームの集束状態
がビームの断面内で一定し表い。この為、焦点深度が浅
くビームの偏向走査などによシ、ビーム被照射物までの
距離がわずかでも変化すると、ビーム密度分布が大幅に
変化し、さらには、カソード２の複雑な形状と、その高
温の為、カソードの表・裏の膨張長さが異々シ変形會生
じやすく、ビーム密度分布の安定さを欠くきらいがあっ
た。
うな構造を持つものであった。図で、２は、フィラメン
ト５によシ加熱されるカソード、４は、カソードを支持
する支持体、３はウェネルト、１０は加速電極で９′
で接地される。３０はビーム集束用電磁レンズ、４０け
、ビーム被照射物で９′で接地される。２ｏは電子ビー
ムで、以上の要素はすべて図示されない真空排気装置に
ょシ所要の真空度に保たれる。同じく図示され力い真空
容器に収容されているものとする。６はフィラメント５
の加熱電源、８は電子ビーム２ｏの加速電源で負極をカ
ソード２に、正極を９で接地されている。７はウェネル
トにバイアス電圧を供給するバイアス電源である。これ
らの構成で、電子ビーム２０のビーム密度分布を所望の
形状にするには、カソード２とウェネルト３のビーム透
過穴との距離を調整する事によシ行っていた。例えは第
４図に示すような双峰分布のビームを得ようとする場合
は、第１図のカソード２の近悼の拡大図であるところの
第２図（断面図）、第３図（被照物４０から見た図）に
示す如く、カソード２の中央部にくぼみ６０を作シ、中
央部からのエミッションを少女くするような方法が増ら
れていた。ところがこのような方法では、カソード２と
ウェネルト３の距離がビームの断面内で一定でない為、
ビームの軌道長さも必然的に異なシ、ビームの集束状態
がビームの断面内で一定し表い。この為、焦点深度が浅
くビームの偏向走査などによシ、ビーム被照射物までの
距離がわずかでも変化すると、ビーム密度分布が大幅に
変化し、さらには、カソード２の複雑な形状と、その高
温の為、カソードの表・裏の膨張長さが異々シ変形會生
じやすく、ビーム密度分布の安定さを欠くきらいがあっ
た。
この発明は、かかる不具合をなくすため考案されたもの
で、ウェネルトのビーム透過穴を大口径のもの１つから
、小口径のものを複数個にし、当該ウェネルトのビーム
透過穴の数の分布を適切に配置し、大口径のカソードか
ら特性のそろった複数本のビームを前記ビーム透過穴か
ら取出し、各々のビームの合成密度が所望の形状となる
ようにしたものでるる。
で、ウェネルトのビーム透過穴を大口径のもの１つから
、小口径のものを複数個にし、当該ウェネルトのビーム
透過穴の数の分布を適切に配置し、大口径のカソードか
ら特性のそろった複数本のビームを前記ビーム透過穴か
ら取出し、各々のビームの合成密度が所望の形状となる
ようにしたものでるる。
第５図は、本発明の実施例である。第１図のそれと同じ
椿成袂素には同一番号を付しであるので説明を省略する
。３′は、第６図に拝却１が示てれるように、ビームの
透過穴で、大きさはすべて同一で、その数の分布を所望
のビーム密度分布［合わせである。第６図の例では、ビ
ームの分布が第７図に示すような双峰特性となるように
中央部に３つ、上方および下方の端部では各々５つづつ
が配置されている。この様な構成の電子銃では、カソー
ドおよびウェネルトの相対距離は、ビーム断面積方向で
一定て良く、各々のビーム透過穴からは特性のそろった
ビームが放射され、各々のビームの合成か第７図２０′
で示されるように行われ、同図点線の様な所望の双峰特
性が得られるのである。この発明は前述のとおりカソー
ドウェネルトの相対距離がビーム断面方向で一定のため
、各々のビームのビーム軌道長さは一定で、偏向走査等
によシ、ビーム被照射物までの距離が若干免化１−７で
も合成ビーム全体が一様な集束状態となっているためビ
ーム密度分布は変わらない。ざらには、カソード形状￥
ｉ平赦で良いのでその衣・裏の表面積および体積が矯し
いため高温となっても、その断種が広がるのみで、ウェ
ネルト・カソード間の距離に変化を与えるような拳はな
い。
椿成袂素には同一番号を付しであるので説明を省略する
。３′は、第６図に拝却１が示てれるように、ビームの
透過穴で、大きさはすべて同一で、その数の分布を所望
のビーム密度分布［合わせである。第６図の例では、ビ
ームの分布が第７図に示すような双峰特性となるように
中央部に３つ、上方および下方の端部では各々５つづつ
が配置されている。この様な構成の電子銃では、カソー
ドおよびウェネルトの相対距離は、ビーム断面積方向で
一定て良く、各々のビーム透過穴からは特性のそろった
ビームが放射され、各々のビームの合成か第７図２０′
で示されるように行われ、同図点線の様な所望の双峰特
性が得られるのである。この発明は前述のとおりカソー
ドウェネルトの相対距離がビーム断面方向で一定のため
、各々のビームのビーム軌道長さは一定で、偏向走査等
によシ、ビーム被照射物までの距離が若干免化１−７で
も合成ビーム全体が一様な集束状態となっているためビ
ーム密度分布は変わらない。ざらには、カソード形状￥
ｉ平赦で良いのでその衣・裏の表面積および体積が矯し
いため高温となっても、その断種が広がるのみで、ウェ
ネルト・カソード間の距離に変化を与えるような拳はな
い。
以上説明したようＶこ、ビーム偏向走査に対しても、カ
ソードの長時間加熱に対してもきわめて安定で所望のビ
ーム密度分布を有するビームが得られるため、大面積の
童子ビームによシ、高速な熱処理を偏向走査で行なう必
要のある半導体の熱処理装置等に有効である。
ソードの長時間加熱に対してもきわめて安定で所望のビ
ーム密度分布を有するビームが得られるため、大面積の
童子ビームによシ、高速な熱処理を偏向走査で行なう必
要のある半導体の熱処理装置等に有効である。
邪、１図は、従来のこの棟装置の電子鉄部の断面を示す
図、第２図は、第１図のカソード２の周辺の拡大図、第
３図は第１図のウェネルト３にあけられたビーム透過穴
の拡大図、第４図は、第１図の電子銃から取シ出された
電子ビームの断面方向ビーム密度分布を示す図。第５図
は、この発明による電子絖部の一実施例を示す断面図。 第６図は第５図のビーム透過穴３′の近辺の拡大図、第
７図は第５図の電子銃から取シ出されたー、電子ビーム
断面方向ビーム密度を示す図でるる。 ２・・・・・・カソード、３・旧・・ウェネルト、３′
・旧・・ウェネルトのビーム透過穴、４・・山カソード
支持体、５・・・・・・フィラメント、６・旧軸フィラ
メント方ｈ 粂ｓ ｄ星、７・・・・・・パイブス電源
、８・・・・・・ビーム加速物源、９゜９’、９’・・
・・・・接地、１ｏ・・・・・・接地芒れるヵ［１速電
極、２０・・・・・・電子ビーム、３ｏ・・・・・・ビ
ーム集束電磁コイル、４０・・・・・・ビーム被照射物
。 代理人 弁理士 内 原 −・−、’：’、゛・〈］、
／
図、第２図は、第１図のカソード２の周辺の拡大図、第
３図は第１図のウェネルト３にあけられたビーム透過穴
の拡大図、第４図は、第１図の電子銃から取シ出された
電子ビームの断面方向ビーム密度分布を示す図。第５図
は、この発明による電子絖部の一実施例を示す断面図。 第６図は第５図のビーム透過穴３′の近辺の拡大図、第
７図は第５図の電子銃から取シ出されたー、電子ビーム
断面方向ビーム密度を示す図でるる。 ２・・・・・・カソード、３・旧・・ウェネルト、３′
・旧・・ウェネルトのビーム透過穴、４・・山カソード
支持体、５・・・・・・フィラメント、６・旧軸フィラ
メント方ｈ 粂ｓ ｄ星、７・・・・・・パイブス電源
、８・・・・・・ビーム加速物源、９゜９’、９’・・
・・・・接地、１ｏ・・・・・・接地芒れるヵ［１速電
極、２０・・・・・・電子ビーム、３ｏ・・・・・・ビ
ーム集束電磁コイル、４０・・・・・・ビーム被照射物
。 代理人 弁理士 内 原 −・−、’：’、゛・〈］、
／
Claims (1)
- カソードから、複数のビーム透過穴を持つウェネルトに
よシ、複数本の電子ビームを得、加速電極およびレンズ
系によシ各々の電子ビームを合成して、長方形断面を持
つ１本の電子ビームに瞥とめる装置であって、当該ウェ
ネルトのビーム透過穴の数を所望の合成電子ビームの断
面方向のビーム密度分布と同様の分布と々るように配列
したことを特徴とする長方形電子ビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183427A JPS6074336A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 長方形電子ビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183427A JPS6074336A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 長方形電子ビ−ム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074336A true JPS6074336A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16135581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183427A Pending JPS6074336A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 長方形電子ビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647171A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-22 | Yokota Makoto | テレビゲーム用の無線送信装置、無線送信用アダプタ及び無線送信アンテナ付きゲームカセット |
| EP1052677A3 (en) * | 1999-05-06 | 2006-06-07 | Lucent Technologies Inc. | Electron emitters for lithography tools |
| US8304743B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183427A patent/JPS6074336A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647171A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-22 | Yokota Makoto | テレビゲーム用の無線送信装置、無線送信用アダプタ及び無線送信アンテナ付きゲームカセット |
| EP1052677A3 (en) * | 1999-05-06 | 2006-06-07 | Lucent Technologies Inc. | Electron emitters for lithography tools |
| US8304743B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
| US8912505B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
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