JPS6074436A - スパツタエツチング装置 - Google Patents
スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6074436A JPS6074436A JP18881084A JP18881084A JPS6074436A JP S6074436 A JPS6074436 A JP S6074436A JP 18881084 A JP18881084 A JP 18881084A JP 18881084 A JP18881084 A JP 18881084A JP S6074436 A JPS6074436 A JP S6074436A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- etching
- substrate
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単板にスバツタエツヂンク処理を７７［ｆす装
置に関りる。
置に関りる。
従来この種ＨｂＴｊどして、例えば第１図示のｊ、うに
、真空室ａ内に基板すを載（Ｇしたスパッタ土ツＪ−ン
ク電極Ｃを設〔）、これに電＋１１＋ｉ （１から旧：
或は旧電力を５えＣ該電極Ｃの前号にゾラスンＣを発生
さし該ゾンズマ内のイＡンを該にＬ ｉＱ ））に突入
させてこれにイＡンＪツチング処理をｆ＋Ｉｌ＋りよう
にした式のものは知られるが、か）ろ１）の−Ｃは該ブ
シスン０（よ該電極Ｃの前１）Ｇご＋１７． ｉｔシす
るため１−分高いゾフズＺＷｉ度が１’７られす゛、−
トソヂングのレー１へ即ち中位時間当りの−１ツ１ング
深ざが低くなっ−Ｃりｆましり１．１い。
、真空室ａ内に基板すを載（Ｇしたスパッタ土ツＪ−ン
ク電極Ｃを設〔）、これに電＋１１＋ｉ （１から旧：
或は旧電力を５えＣ該電極Ｃの前号にゾラスンＣを発生
さし該ゾンズマ内のイＡンを該にＬ ｉＱ ））に突入
させてこれにイＡンＪツチング処理をｆ＋Ｉｌ＋りよう
にした式のものは知られるが、か）ろ１）の−Ｃは該ブ
シスン０（よ該電極Ｃの前１）Ｇご＋１７． ｉｔシす
るため１−分高いゾフズＺＷｉ度が１’７られす゛、−
トソヂングのレー１へ即ち中位時間当りの−１ツ１ング
深ざが低くなっ−Ｃりｆましり１．１い。
プラズマ密度を高くする手段としく投入″市力を人ぎく
Ｊることが考えられるが、この場合には電極Ｃの電圧が
高くなるので基板すに衝突するイオン土ネルギり高くな
り、基板すに形成されるべきパターンを欠損さけたり、
特１（１上の劣化が発生し易く、特に簿手或はｌｆＧ弱
な基板や１．＄１ 、 ＶＬＳＩ等の敏感な素子に於い
てその事故が生じ易い欠点がある。また基板［）をＳｉ
製の基板どし、これをＡｒイオンで′スパッタ］１−ツ
ヂングした場合、処理された８１基板の表面には格子欠
陥ににる微Ｉｆ ’、ｒ ｌｆｌ傷が無数に発生りる。
Ｊることが考えられるが、この場合には電極Ｃの電圧が
高くなるので基板すに衝突するイオン土ネルギり高くな
り、基板すに形成されるべきパターンを欠損さけたり、
特１（１上の劣化が発生し易く、特に簿手或はｌｆＧ弱
な基板や１．＄１ 、 ＶＬＳＩ等の敏感な素子に於い
てその事故が生じ易い欠点がある。また基板［）をＳｉ
製の基板どし、これをＡｒイオンで′スパッタ］１−ツ
ヂングした場合、処理された８１基板の表面には格子欠
陥ににる微Ｉｆ ’、ｒ ｌｆｌ傷が無数に発生りる。
こうした微細な損傷はＶＬＳＩ等の電気的な特性を劣化
させる。
させる。
本発明の第１の目的はエツチング電極の前号に発生りる
プラズマ密度を投入゛電力を大ぎくりること’Ｊ ＜
ａめ、−［ツヂングレー１〜を向上さμるにあり、本発
明の第２の目的はエツチングに伴う基板の微細な損傷を
Ｊｊｌ除りるにある。
プラズマ密度を投入゛電力を大ぎくりること’Ｊ ＜
ａめ、−［ツヂングレー１〜を向上さμるにあり、本発
明の第２の目的はエツチングに伴う基板の微細な損傷を
Ｊｊｌ除りるにある。
本発明装置の第１の特徴（，１、真空室内に基板を載冒
しＩこスバツタエッヂング？ｌｉ ４１１を工９す、こ
れにＤＣ或は旧電力を与えＣ前号にプラズマを発生さＶ
、該基板のエツチング電極を行なう式のものに於いて、
該スパッタエツチング電極に対向して電気的に７１１−
チーｒング状態の（Ｊ Ｉｉ’ｉｌ ｆｌｉ ４４！を
設り、両市４４ｉ間に１ラスマを収束さけることにあり
、その第２の特徴はスパッタエツチング電極ど対向電極
どの間の空間の側方の開放部に於い（１１１１揚を形成
りる磁Ｕｉを配Ｆｉ“し両市１４ｊと該磁場どて゛囲、
Ｌれた空間にプラズマを収束さけと）ことにある１゜ 本発明の実施例を図面に′〕き説明りる、１第２図はそ
の１例を承づｂｑ） （（１） ４よ真空室、（２）は
該真空室（１）内に駁りた５ＩＩＳ 、 Ｃｕ等の導電
１１１祠才１ ｒ形成され！ごスパッタエツチング電極
、（３） ｔ、Ｌ該」−ツブングＸ ＋４ （２）にＳ
ｉ （１２”ｊの台板（４）を介しＣ載置したＳｌそ
の他の基板、＜５） ｆ；を八１゛、ＣＦ４舌の一１ツ
ｆ−ングガスの導入１−１、（６）は１１（：又は１（
１の電ｊ’ｌｌｊ、（７）は真空ポンプを示し、該真空
４ζ（１〉を直空化したの）５微小の■ツブングガスを
入れ■・ノヂング電極（２）にｔｌｃ又は旧電力を！ゴ
ス−るど該電極り２〉の前方にプラズマ（８）が光１１
シ、該ゾラズ７ （ｌ＋）中のイオンが基板（３）に衝
突してこれを二「ツヂングする。
しＩこスバツタエッヂング？ｌｉ ４１１を工９す、こ
れにＤＣ或は旧電力を与えＣ前号にプラズマを発生さＶ
、該基板のエツチング電極を行なう式のものに於いて、
該スパッタエツチング電極に対向して電気的に７１１−
チーｒング状態の（Ｊ Ｉｉ’ｉｌ ｆｌｉ ４４！を
設り、両市４４ｉ間に１ラスマを収束さけることにあり
、その第２の特徴はスパッタエツチング電極ど対向電極
どの間の空間の側方の開放部に於い（１１１１揚を形成
りる磁Ｕｉを配Ｆｉ“し両市１４ｊと該磁場どて゛囲、
Ｌれた空間にプラズマを収束さけと）ことにある１゜ 本発明の実施例を図面に′〕き説明りる、１第２図はそ
の１例を承づｂｑ） （（１） ４よ真空室、（２）は
該真空室（１）内に駁りた５ＩＩＳ 、 Ｃｕ等の導電
１１１祠才１ ｒ形成され！ごスパッタエツチング電極
、（３） ｔ、Ｌ該」−ツブングＸ ＋４ （２）にＳ
ｉ （１２”ｊの台板（４）を介しＣ載置したＳｌそ
の他の基板、＜５） ｆ；を八１゛、ＣＦ４舌の一１ツ
ｆ−ングガスの導入１−１、（６）は１１（：又は１（
１の電ｊ’ｌｌｊ、（７）は真空ポンプを示し、該真空
４ζ（１〉を直空化したの）５微小の■ツブングガスを
入れ■・ノヂング電極（２）にｔｌｃ又は旧電力を！ゴ
ス−るど該電極り２〉の前方にプラズマ（８）が光１１
シ、該ゾラズ７ （ｌ＋）中のイオンが基板（３）に衝
突してこれを二「ツヂングする。
該プラズマ（８）は真空室（１）内に拡散し勝りＣあり
その密度が十分でないと７３板（３）に衝突り゛るイオ
ンの発生が少なくＱす、Ｉツチングレ−１へが悪＜４【
る１１本発明によれば該エツチング電極（２）ど相対し
て電気的にツーローディング状態即ち電源に接続されイ
Ｔい状態の対向電極（９）を設（）るちので、プラズマ
（８）の］−ツヂング電Ｉ１． （２＞の前方への拡散
が該対向電極（９）に、にり抑制されて該プラズマ（８
）（４両電極（２） （９）間に収束されかくてエツチ
ング電極（２）への投入電力を大きくりることなくプラ
ズマ密度を高め得られる。
その密度が十分でないと７３板（３）に衝突り゛るイオ
ンの発生が少なくＱす、Ｉツチングレ−１へが悪＜４【
る１１本発明によれば該エツチング電極（２）ど相対し
て電気的にツーローディング状態即ち電源に接続されイ
Ｔい状態の対向電極（９）を設（）るちので、プラズマ
（８）の］−ツヂング電Ｉ１． （２＞の前方への拡散
が該対向電極（９）に、にり抑制されて該プラズマ（８
）（４両電極（２） （９）間に収束されかくてエツチ
ング電極（２）への投入電力を大きくりることなくプラ
ズマ密度を高め得られる。
プラズマ密度の高まりは、プラズマ領域内のイオン発牛
量の増大を喚起し、Ｊ：り多くのイオンが基板（３）に
衝突りる結果をもたらりので基板（３）の１ツブングレ
ー１〜の向上が語れ、しかも」エツチング電極（２）の
投入電力を大ぎく喝ることなくプラズマ密度を高め得ら
れるので該電極（２）の電位をイオンの突入で基板（３
）を１【１傷しない程度の電位どづ゛ることが出来る。
量の増大を喚起し、Ｊ：り多くのイオンが基板（３）に
衝突りる結果をもたらりので基板（３）の１ツブングレ
ー１〜の向上が語れ、しかも」エツチング電極（２）の
投入電力を大ぎく喝ることなくプラズマ密度を高め得ら
れるので該電極（２）の電位をイオンの突入で基板（３
）を１【１傷しない程度の電位どづ゛ることが出来る。
図面’Ｃ（１０は該電極（９〉に設（′Ｊる５１０２等
の台板である。該電源（６）をＲ［９Ｒ沁）−１７）現
合 不の敗鮪回蕗Ｌ−Ｌ（マ・り手ゝノグボックス（１
１）が介在される、。
の台板である。該電源（６）をＲ［９Ｒ沁）−１７）現
合 不の敗鮪回蕗Ｌ−Ｌ（マ・り手ゝノグボックス（１
１）が介在される、。
］−ツヂング電極（２）と対向電極（９）どの間に形成
される空間４Ｊ二Ｔ−ツブングガスが流入りるに必ソ５
“な側方の開放部（１２）を右し、両″ｔＴｉ４４ｉ
（２） （！ｌ）間の１−ノズヱ〈８）（よ該Ｉ７１］
放部（＋２１を介しＣ側プノに拡ｊ１りする１゜プラズ
マ密１良を更にに石めるに（３１り・１向電（屯ぐ））
により前方への拡散を抑制りることに加え一１ツチング
ガスの流入を妨げることなく側方への拡１ｉシをし抑制
りることが好ましく、イの丁Ｉ９どじて例えば第３３図
示のＪ、うに磁石■、即ｌ）永久磁？、−＋或【ま電磁
石を備える。該磁石（１３１ＬＬ両電極（２） （９）
にス→しＣ略垂直４１磁揚、即ち前記した開放部ａｂに
略沿っ−Ｃのびる磁場が得られるように各′電極（２）
（！ｌ）の周囲に夫々配首さｔｌ或は電極（２＞ （
９）のい４゛れか一方の周囲配置されるもので、該磁場
の形成により該磁場を横切ってのプラズマの移１ｈ即ち
、側方への拡散が妨げられ、両７′１τ棒（２） （！
ｌ）間の１“ノズマ光生箇所に於りるプラズマ密ｔｔｔ
か高＜４ｆる。
される空間４Ｊ二Ｔ−ツブングガスが流入りるに必ソ５
“な側方の開放部（１２）を右し、両″ｔＴｉ４４ｉ
（２） （！ｌ）間の１−ノズヱ〈８）（よ該Ｉ７１］
放部（＋２１を介しＣ側プノに拡ｊ１りする１゜プラズ
マ密１良を更にに石めるに（３１り・１向電（屯ぐ））
により前方への拡散を抑制りることに加え一１ツチング
ガスの流入を妨げることなく側方への拡１ｉシをし抑制
りることが好ましく、イの丁Ｉ９どじて例えば第３３図
示のＪ、うに磁石■、即ｌ）永久磁？、−＋或【ま電磁
石を備える。該磁石（１３１ＬＬ両電極（２） （９）
にス→しＣ略垂直４１磁揚、即ち前記した開放部ａｂに
略沿っ−Ｃのびる磁場が得られるように各′電極（２）
（！ｌ）の周囲に夫々配首さｔｌ或は電極（２＞ （
９）のい４゛れか一方の周囲配置されるもので、該磁場
の形成により該磁場を横切ってのプラズマの移１ｈ即ち
、側方への拡散が妨げられ、両７′１τ棒（２） （！
ｌ）間の１“ノズマ光生箇所に於りるプラズマ密ｔｔｔ
か高＜４ｆる。
各電極（２） （９）は平坦板状に限らず突形、凹形２
’＋の秤々の形状に形成することが可能である。
’＋の秤々の形状に形成することが可能である。
次にその作動を説明りる。
真空室（１）内を真空１ノ１気してそこに多少の△ｒ等
のエツチングガスを導入し、エツチング電極（２）にＲ
Ｆの電源（６）から電力を投入してプラズマ（８）を該
エツチング電極（２）の前方に発生さけると該プラズマ
（８）の領域内でイオンが生成され該イオン（ま負電位
のエツチング電極（２）に突入り′べく移動しその際該
電極（２）に設りられた基板（３）に衝突してこれに１
ツブング処理を施す。
のエツチングガスを導入し、エツチング電極（２）にＲ
Ｆの電源（６）から電力を投入してプラズマ（８）を該
エツチング電極（２）の前方に発生さけると該プラズマ
（８）の領域内でイオンが生成され該イオン（ま負電位
のエツチング電極（２）に突入り′べく移動しその際該
電極（２）に設りられた基板（３）に衝突してこれに１
ツブング処理を施す。
こうした作動は従来のスパッター「ッグーング装冒も同
様である／ＪＫ、本発明の装置では１ツブング電極（２
〉に対向させＣ〕［１−ティングの対向電極（９）を設
（プたので、発生するプラズマは前方へ拡散せず、エツ
チング電極（２）への投入電極を増大づることなくプラ
ズマ密度を高めることが出来る。プラズマ密度の高まり
ＧＥＬその領域内で発生Ｊるイオーンの数ｍを増大させ
、そのＲ７果基板（３）に多くのイオンが衝突すること
になるのでエツチングレートが向−ヒＪる。第３図示の
実施例ではさらに磁石０３を設【プエ両電極（２） （
９）間のブラズンク８）の側方の開放部（ｌｚを介しＣ
の拡散を磁場により防ぐにうにした。かくてプラズマ密
度をより一層高めることが出来単板（３）のエツチング
レートがより向）二づる。
様である／ＪＫ、本発明の装置では１ツブング電極（２
〉に対向させＣ〕［１−ティングの対向電極（９）を設
（プたので、発生するプラズマは前方へ拡散せず、エツ
チング電極（２）への投入電極を増大づることなくプラ
ズマ密度を高めることが出来る。プラズマ密度の高まり
ＧＥＬその領域内で発生Ｊるイオーンの数ｍを増大させ
、そのＲ７果基板（３）に多くのイオンが衝突すること
になるのでエツチングレートが向−ヒＪる。第３図示の
実施例ではさらに磁石０３を設【プエ両電極（２） （
９）間のブラズンク８）の側方の開放部（ｌｚを介しＣ
の拡散を磁場により防ぐにうにした。かくてプラズマ密
度をより一層高めることが出来単板（３）のエツチング
レートがより向）二づる。
」−ツヂンダレ−１・を具体的Ｃご測定しｌこ試験結果
を第４図に示覆。これに於い−く一曲線△は第１図示の
従来例の場合の１ツブーングレ−１・、曲線Ｂはフロー
ディング状態の対応電極（９）を段り１．：場合の二Ｆ
ツヂングレ−１・、曲線Ｃ，ｔ）、ｔ〜は第３図示のよ
うにノ［１−アイング状態の対向７■＾極（９）と何灸
石（１３とを設（〕ｌこ’＆１合の−に・ンブングレ−
１〜を示し、曲線Ｃは側方の開放部ａ７）の中間点にお
りる磁場強さが２０ガウスの揚台、曲線１）及び「は該
中間点でのｌａ磁場強が４０力ウス及び（５０ガウスの
場合である。これらの場合いずれら真空室（１）の圧力
は、２ Ｘ １０ ’ １Ｏｒｒ、へｒガスのフ［ｌ−
レートは３０３ＣＣＨ，エツチング電極（２）の直径は
１８０ ｍｍ、対向電４ｉｉ、 （９）の直径は２００
ｎｏ、電極（２） （９）間の距離は１００ｍｍに設
定し、−１−ツｉ−ング電極（２）への投入電力（Ｒ「
）を１ツヂングに常用される範囲内の２００ Ｗ ３０
０ Ｗ ４００ Ｗ ５００ Ｗに変えてエツチングし
た。曲線Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅで示される本発明によるエツチ
ングレートは投入電力が同等であれば曲線Ａの従来例に
よるエツチングレートよりも向上し、投入電力を少なく
しても従来と同等もしくはそれ以上の二［ツヂングレー
Ｉ〜を得ることが出来ることが分る。
を第４図に示覆。これに於い−く一曲線△は第１図示の
従来例の場合の１ツブーングレ−１・、曲線Ｂはフロー
ディング状態の対応電極（９）を段り１．：場合の二Ｆ
ツヂングレ−１・、曲線Ｃ，ｔ）、ｔ〜は第３図示のよ
うにノ［１−アイング状態の対向７■＾極（９）と何灸
石（１３とを設（〕ｌこ’＆１合の−に・ンブングレ−
１〜を示し、曲線Ｃは側方の開放部ａ７）の中間点にお
りる磁場強さが２０ガウスの揚台、曲線１）及び「は該
中間点でのｌａ磁場強が４０力ウス及び（５０ガウスの
場合である。これらの場合いずれら真空室（１）の圧力
は、２ Ｘ １０ ’ １Ｏｒｒ、へｒガスのフ［ｌ−
レートは３０３ＣＣＨ，エツチング電極（２）の直径は
１８０ ｍｍ、対向電４ｉｉ、 （９）の直径は２００
ｎｏ、電極（２） （９）間の距離は１００ｍｍに設
定し、−１−ツｉ−ング電極（２）への投入電力（Ｒ「
）を１ツヂングに常用される範囲内の２００ Ｗ ３０
０ Ｗ ４００ Ｗ ５００ Ｗに変えてエツチングし
た。曲線Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅで示される本発明によるエツチ
ングレートは投入電力が同等であれば曲線Ａの従来例に
よるエツチングレートよりも向上し、投入電力を少なく
しても従来と同等もしくはそれ以上の二［ツヂングレー
Ｉ〜を得ることが出来ることが分る。
プラズマ密度の高まりでイオンの発生舟が増えるとその
分エツチング雷極（２）に突入づるイオンの両す増えて
該電極（２）を流れる電流が増大するので該電極（２）
の電位が低くなる。そのため基板（３）へ突入するイオ
ン１ネルギも小さくなで基板（３）の１ｆｌ傷が少なく
なる。１第３図示の装置を使用し、投入ミノ〕を２００
Ｗとし、開放部（１３の中間点におりる磁場強さをガウ
スどしてＳｉ基板（３）に２分間のエツチングを行なっ
た結果、基板（３）の格子欠陥がＯになることが確認さ
れた。
分エツチング雷極（２）に突入づるイオンの両す増えて
該電極（２）を流れる電流が増大するので該電極（２）
の電位が低くなる。そのため基板（３）へ突入するイオ
ン１ネルギも小さくなで基板（３）の１ｆｌ傷が少なく
なる。１第３図示の装置を使用し、投入ミノ〕を２００
Ｗとし、開放部（１３の中間点におりる磁場強さをガウ
スどしてＳｉ基板（３）に２分間のエツチングを行なっ
た結果、基板（３）の格子欠陥がＯになることが確認さ
れた。
このことは基板（３）の表面に機部１なパターンをエツ
チングで形成する場合に好都合である。
チングで形成する場合に好都合である。
このように本発明によるときは、スバツタエッヂング電
極に対向させ−Ｃノローティング状態の対向電極を設り
たのでプラズマの前方への拡散を防止し得、プラズマ密
度が高まるため」エツチングのレーｉ〜をＪ−ツブング
電極への投入電力に依存せずに高めることが出来、また
」゛ツヂング電極の電位が小さくなるので基板にＷＪ突
りるイオンのエネルにも小さくなり塁仮に損傷を与える
こともなく、さらに第２発明によれば収束用のｆ８場を
設りるので一層プラズマの拡散を防止覆ることが出来エ
ツヂングレ−１−をＪ、り向」−さけ基板の１０傷を減
らせる等の効果がある。。
極に対向させ−Ｃノローティング状態の対向電極を設り
たのでプラズマの前方への拡散を防止し得、プラズマ密
度が高まるため」エツチングのレーｉ〜をＪ−ツブング
電極への投入電力に依存せずに高めることが出来、また
」゛ツヂング電極の電位が小さくなるので基板にＷＪ突
りるイオンのエネルにも小さくなり塁仮に損傷を与える
こともなく、さらに第２発明によれば収束用のｆ８場を
設りるので一層プラズマの拡散を防止覆ることが出来エ
ツヂングレ−１−をＪ、り向」−さけ基板の１０傷を減
らせる等の効果がある。。
第１図は従来例の載面側面図、第２図は本発明の実施例
の載面側面図、第３図は本発明の他の実施例の載面側面
図、第４図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１〉・・・真空室 （２）・・・］−ツヂング電極 （３）・・・基板 （６）・・・電極 （８）・・・プラズマ （９）・・・対向電極 （ＩＺ・・・開放部 （１，ＩＣ・・・磁石 外２名 第１図 ； 第２図 職３図 第４図 ＰＯＷＥＲ（Ｗ）
の載面側面図、第３図は本発明の他の実施例の載面側面
図、第４図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１〉・・・真空室 （２）・・・］−ツヂング電極 （３）・・・基板 （６）・・・電極 （８）・・・プラズマ （９）・・・対向電極 （ＩＺ・・・開放部 （１，ＩＣ・・・磁石 外２名 第１図 ； 第２図 職３図 第４図 ＰＯＷＥＲ（Ｗ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室内に入（板を載首したスパッター［ツチング
電極を設り、これにＩ）Ｃ或はＲＦ電力をりえＣ前号に
プラズマを発生させ、該基板のエツチング処理を行なう
式のものに於いＣ１該スパツタ上ツブング電極に対向し
て電気的に７１］−ディング状態の対向電（１４（を設
り、両電極間にプラズマを収束さＵることを特徴どりる
スパツクエツヂング装置、。 ２ 真空室内に草根を載置したスパッタエツチング電極
を設置〕、これにＤＣ或は旧市ツノをｌうえて前りにプ
ラズマを発生さけ、該基板の」−ツチング処理を行なう
ようにし、更に該スパッタエツチング電極に対向して電
気的にフローディング状態の対向電極を設りて両電極間
にプラズマを収束さける式のものにａ５い−Ｃ１該スパ
ッター１ニッヂング電極と対向電極との間の空間の側方
の開放部に於いて磁場を形成りる磁石を配置賀し両電極
と該磁場とＣ′囲；Ｌれｌ、＝空間にプラズマを収束さ
Ｕることを１“１微と・ノるスパッタ１ツチング装冒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881084A JPS6074436A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881084A JPS6074436A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | スパツタエツチング装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16420283A Division JPS6056076A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074436A true JPS6074436A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16230203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18881084A Pending JPS6074436A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074436A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269621A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| FR2600269A1 (fr) * | 1986-06-23 | 1987-12-24 | Balzers Hochvakuum | Procede et agencement pour pulveriser une matiere par decharge a haute frequence |
| DE102012110927A1 (de) * | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Vakuumbehandlung von Substraten |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552224A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Sputter etching method |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS57203781A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Jeol Ltd | Plasma working device |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18881084A patent/JPS6074436A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552224A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Sputter etching method |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS57203781A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Jeol Ltd | Plasma working device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269621A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| FR2600269A1 (fr) * | 1986-06-23 | 1987-12-24 | Balzers Hochvakuum | Procede et agencement pour pulveriser une matiere par decharge a haute frequence |
| DE102012110927A1 (de) * | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Vakuumbehandlung von Substraten |
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