JPS6074616A - 電子ビ−ム露光装置用導通ピン - Google Patents
電子ビ−ム露光装置用導通ピンInfo
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- JPS6074616A JPS6074616A JP58181999A JP18199983A JPS6074616A JP S6074616 A JPS6074616 A JP S6074616A JP 58181999 A JP58181999 A JP 58181999A JP 18199983 A JP18199983 A JP 18199983A JP S6074616 A JPS6074616 A JP S6074616A
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- Japan
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- chip
- sample
- electron beam
- substrate
- pin
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビーム露光装置に係り、特に描画時にシリ
コン等の基板を接地するための導通ピンに関する。
コン等の基板を接地するための導通ピンに関する。
ＬＳＩや超ＬＳＩの製作時に電子ビームを試料に照射し
て所望のパターンを描画するための電子ビーム露光装置
は広く利用され、その装置例は第１図に示す如きもので
ある。第１図に於いて、電子銃２より発射された電子ビ
ームはマスク３により所望の断面形状に整形され、電子
レンズ４から試料１上に結像される。上記電子レンズ４
と試料１間に配置されたＸ及びＹ方向の偏向電極（装置
）５Ｘ、５Ｙにはコンピュータ８からデジタル−アナロ
グ変換回路６Ｘ、６Ｙ及び加算増幅回路７Ｘ。
て所望のパターンを描画するための電子ビーム露光装置
は広く利用され、その装置例は第１図に示す如きもので
ある。第１図に於いて、電子銃２より発射された電子ビ
ームはマスク３により所望の断面形状に整形され、電子
レンズ４から試料１上に結像される。上記電子レンズ４
と試料１間に配置されたＸ及びＹ方向の偏向電極（装置
）５Ｘ、５Ｙにはコンピュータ８からデジタル−アナロ
グ変換回路６Ｘ、６Ｙ及び加算増幅回路７Ｘ。
７Ｙを介して偏向信号が供給される。コンピュータ８よ
りゲート信号をゲート回路１０Ｘ、ＩＯＹに送るように
する。ゲート回路１０Ｘ、ＩＯＹの出力は上記した加算
増幅回路７Ｘ、７Ｙに加えられコンピュータ８からの指
令に基づいて上記ゲート回路を開き電子銃２からの電子
ビームを試料１のＸ軸またはＹ軸方向に対して描画する
。
りゲート信号をゲート回路１０Ｘ、ＩＯＹに送るように
する。ゲート回路１０Ｘ、ＩＯＹの出力は上記した加算
増幅回路７Ｘ、７Ｙに加えられコンピュータ８からの指
令に基づいて上記ゲート回路を開き電子銃２からの電子
ビームを試料１のＸ軸またはＹ軸方向に対して描画する
。
この際に試料１に電子ビームを照射するとシリコン等の
基板内に電荷が蓄積され、コンピュータ８から偏向装置
５Ｘ、５Ｙに与えられる所定位置に偏位させる電圧値だ
けでは所定位置に電子ビームが照射されずにずれを発生
ずる。
基板内に電荷が蓄積され、コンピュータ８から偏向装置
５Ｘ、５Ｙに与えられる所定位置に偏位させる電圧値だ
けでは所定位置に電子ビームが照射されずにずれを発生
ずる。
この様な弊害を除去するためには第１図で試料１の側面
を接地９する様にすればよい。
を接地９する様にすればよい。
第２図及び第３図は従来の試料に接地を施すための説明
に供する一部を断面とする試料の側面図であり、第２図
の実施例に於いて試料１としてシリコン基板を用いた場
合に酸化膜（ＳｉＯ２）１ａが形成されていない側壁１
ｂにステンレス鋼からなる導通ピン１１のチップｌｌａ
を圧接するようになされる。尚１２は導通ピン１１を保
持する保持部材でスプリング１３により試料１の側壁を
押圧し、該保持部材１２は接地９されている。
に供する一部を断面とする試料の側面図であり、第２図
の実施例に於いて試料１としてシリコン基板を用いた場
合に酸化膜（ＳｉＯ２）１ａが形成されていない側壁１
ｂにステンレス鋼からなる導通ピン１１のチップｌｌａ
を圧接するようになされる。尚１２は導通ピン１１を保
持する保持部材でスプリング１３により試料１の側壁を
押圧し、該保持部材１２は接地９されている。
上記構成によれば試料側壁１ｂは凹凸が大きく結晶方向
がふぞろいなので導通ピン１１のチップ１１ａが接する
場合に電荷を放電し易く、導通ピン１１は該側壁１ｂを
破って突き立てられる。第３図に示す実施例は放電源１
４から試料１の底面ＩＣに孔１５を穿ち、該孔１５にス
テンレス鋼からなる導通ピン１１を挿入して接地してい
る。
がふぞろいなので導通ピン１１のチップ１１ａが接する
場合に電荷を放電し易く、導通ピン１１は該側壁１ｂを
破って突き立てられる。第３図に示す実施例は放電源１
４から試料１の底面ＩＣに孔１５を穿ち、該孔１５にス
テンレス鋼からなる導通ピン１１を挿入して接地してい
る。
上記した第２図及び第３図に示される構成によると、試
料に予め放電加工等により孔明は加工を施さなければな
らず、更に試料の厚み方向の側壁に導通ピンを突き立て
て圧接させるために試料を破る際に破壊させる弊害を生
ずる。
料に予め放電加工等により孔明は加工を施さなければな
らず、更に試料の厚み方向の側壁に導通ピンを突き立て
て圧接させるために試料を破る際に破壊させる弊害を生
ずる。
更に電子ビームを照射すると導通ピンのチップの摩耗が
激しく、ステンレス鋼の他はチタンまたハチタンナイト
ライド或いはタングステンカーバイド等の硬い物質を用
いても２〜３回の使用でチップが摩耗または襞間される
欠点を有する。
激しく、ステンレス鋼の他はチタンまたハチタンナイト
ライド或いはタングステンカーバイド等の硬い物質を用
いても２〜３回の使用でチップが摩耗または襞間される
欠点を有する。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、導通ピンのチップが襞
間されないで且つ試料を破壊しない電子ビーム露光装置
用導通ピンを提供することを目的とするものである。
間されないで且つ試料を破壊しない電子ビーム露光装置
用導通ピンを提供することを目的とするものである。
そして上記目的は本発明によればシリコン基板等の試料
を描画する電子ビーム露光装置において。
を描画する電子ビーム露光装置において。
ダイヤモンド針等の超硬質材料にイオンインプラチージ
ョンを施して導通性を付与し、上記試料に導通性を付与
した超硬質材料針を当接させて接地し、電子ビーム照射
により上記基板に蓄積される電荷を除去することを特徴
とする電子ビーム露光装置用導通ピンを提供することで
達成される。
ョンを施して導通性を付与し、上記試料に導通性を付与
した超硬質材料針を当接させて接地し、電子ビーム照射
により上記基板に蓄積される電荷を除去することを特徴
とする電子ビーム露光装置用導通ピンを提供することで
達成される。
以下本発明の実施例を図面について詳述する。
第４図は本発明の導電ピンとして利用するダイヤモンド
針の拡大側面図、第５図は第４図のチップ部分の拡大図
であり、同図において導通ピン１１はチタン等より構成
したチップ保持部１６を截頭円錐形状となし、截頭部分
にチップ１７がロー付け１８されている。
針の拡大側面図、第５図は第４図のチップ部分の拡大図
であり、同図において導通ピン１１はチタン等より構成
したチップ保持部１６を截頭円錐形状となし、截頭部分
にチップ１７がロー付け１８されている。
チップ１７はダイヤモンド、ボロン、サファイア等の超
硬質材料が用いられ、その先端１７ａの曲率半径Ｒは３
μｍ〜１５μｍに選択し、該チップの外表面にはイオン
インプラチージョンによってボロン、燐、窒素等を１５
０■程度で注入する。
硬質材料が用いられ、その先端１７ａの曲率半径Ｒは３
μｍ〜１５μｍに選択し、該チップの外表面にはイオン
インプラチージョンによってボロン、燐、窒素等を１５
０■程度で注入する。
注入電圧は大きい程よくイオン種は何を選択してもよい
が５ Ｘ １０’１個／−程度のドーズ量に選択すると
チップ１７の外側表面から１ｏｏｏ〜２０００人厚程度
にアモルファス化した薄膜層１７ｂが形成されてダイヤ
モンドは導通状態になされる。
が５ Ｘ １０’１個／−程度のドーズ量に選択すると
チップ１７の外側表面から１ｏｏｏ〜２０００人厚程度
にアモルファス化した薄膜層１７ｂが形成されてダイヤ
モンドは導通状態になされる。
５−
第６図はチップとしてダイヤモンドを注入イオンとして
ボロンを用い１５０■でドーズ量を可変させた場合の固
有抵抗Ｐを対数目盛で縦軸にとったも（７）ｉｌ’１Ｘ
１０”で１０Ｍｎ、１ｘｌＯで数にΩの値を示している
。これらのデータから１×１０１に個／−前後でイオン
注入するのが最適である。
ボロンを用い１５０■でドーズ量を可変させた場合の固
有抵抗Ｐを対数目盛で縦軸にとったも（７）ｉｌ’１Ｘ
１０”で１０Ｍｎ、１ｘｌＯで数にΩの値を示している
。これらのデータから１×１０１に個／−前後でイオン
注入するのが最適である。
第７図は上述の如くダイヤモンド、サファイア等の超硬
質材料に導電性を付与した針をチップ保持部材１６に固
定して、試料１の酸化膜１ａが形成されている基板の表
面に１００ ｇ ／寵’程度の押圧力を矢印Ａ方向に加
えると窒化膜や酸化膜１ａが１０００人〜７０００人厚
程度では該酸化膜１ａが破れてチップが基板内に突きら
れて基板内に蓄積された電荷１９はチップ１７の導電膜
１７ｂ−導電性のチップ保持部材１６を介して接地９さ
れる。
質材料に導電性を付与した針をチップ保持部材１６に固
定して、試料１の酸化膜１ａが形成されている基板の表
面に１００ ｇ ／寵’程度の押圧力を矢印Ａ方向に加
えると窒化膜や酸化膜１ａが１０００人〜７０００人厚
程度では該酸化膜１ａが破れてチップが基板内に突きら
れて基板内に蓄積された電荷１９はチップ１７の導電膜
１７ｂ−導電性のチップ保持部材１６を介して接地９さ
れる。
第８図は本発明の導通ピン１１を片持梁構成するり一部
２１の先端に固定し、固定部２ｏに螺子２２で固定させ
、試料１を矢印Ｂ方向に所定の押６− 圧力が加わる様に上動させて、試料１を固定させるよう
にしたものであり、この様にすれば酸化膜または窒化膜
１ａが破れてダイヤモンドチ・ノブは基板内に突きささ
り電荷を接地出来る。上記実施例に利用するり一部２１
及び固定部２０と螺子２２等は電子ビーム露光装置内に
挿入されるため電子ビームが影響を受けない燐青銅やア
ルミニウム等の非磁性材料を用いる必要がある。
２１の先端に固定し、固定部２ｏに螺子２２で固定させ
、試料１を矢印Ｂ方向に所定の押６− 圧力が加わる様に上動させて、試料１を固定させるよう
にしたものであり、この様にすれば酸化膜または窒化膜
１ａが破れてダイヤモンドチ・ノブは基板内に突きささ
り電荷を接地出来る。上記実施例に利用するり一部２１
及び固定部２０と螺子２２等は電子ビーム露光装置内に
挿入されるため電子ビームが影響を受けない燐青銅やア
ルミニウム等の非磁性材料を用いる必要がある。
第９図は試料１を導通ピン１１のチ・ノブ１７方向に上
動させた場合のリード２１の緩み状態を示すものでリー
ド２１が２１２に示す位置迄、持ち上げられるとチップ
１７は距１ｔｉｌｉ Ｌ 、だけ試料１の上面を摺動し
ながら酸化膜１ａを破ることになり。
動させた場合のリード２１の緩み状態を示すものでリー
ド２１が２１２に示す位置迄、持ち上げられるとチップ
１７は距１ｔｉｌｉ Ｌ 、だけ試料１の上面を摺動し
ながら酸化膜１ａを破ることになり。
この間に試料表面をこすることでチ・ツブ１７の寿命が
低下することを見出した。
低下することを見出した。
これら原因による寿命の低下を補償するための実施例を
第１０図及び第１１図について説明する。
第１０図及び第１１図について説明する。
第１０図は片持梁を二重構造としたものであり第１のり
一部２１は燐青銅で構成しチ・ノブ１７をロー付したチ
ップ保持部材１６の一端を第１のリード２１先端に固着
し、該リードの他端をスペーサ２３及び第２のり一部２
４を介して固定部２０に固定する。スペーサ２３及び固
定部２０はアルミニウム等の非磁性材で構成され、第２
のリード２４に導通ピン１１の中間部すなわちチップ保
持部材１６の下端部もロー付２８によって固定されてい
る。
一部２１は燐青銅で構成しチ・ノブ１７をロー付したチ
ップ保持部材１６の一端を第１のリード２１先端に固着
し、該リードの他端をスペーサ２３及び第２のり一部２
４を介して固定部２０に固定する。スペーサ２３及び固
定部２０はアルミニウム等の非磁性材で構成され、第２
のリード２４に導通ピン１１の中間部すなわちチップ保
持部材１６の下端部もロー付２８によって固定されてい
る。
この構造で試料１を矢印Ｂ方向に上動させた時には第８
図に示す場合に比べてチップ１７が試料表面で摺動する
摺動幅りを大幅に減少させる事が出来てその寿命回数は
倍に向上した。
図に示す場合に比べてチップ１７が試料表面で摺動する
摺動幅りを大幅に減少させる事が出来てその寿命回数は
倍に向上した。
第１１図に示すものは燐青銅のリード２１の略々中央部
に導通ピン１１を植立し、該リードの両端に同じく非磁
性材よりなる軸受部材２５ａ。
に導通ピン１１を植立し、該リードの両端に同じく非磁
性材よりなる軸受部材２５ａ。
２５ｂを固定し、該軸受部材に固定部２０に植立したロ
ッド２６ａ、２６ｂに摺動自在に挿通し。
ッド２６ａ、２６ｂに摺動自在に挿通し。
固定部２０．２０と軸受２５ ａ、２５ ｂ間にリード
全体を下方に偏倚させるためのスプリング２７ａ、２７
ｂを介在させる。
全体を下方に偏倚させるためのスプリング２７ａ、２７
ｂを介在させる。
上記した構成に於いて試料１を矢印Ｂ方向に上動させれ
ばスプリング２７ａ、２７ｂの偏倚力に抗してリード２
１はロッド２５ ａ、２６ ｂに沿って平行に上動する
ために片持梁に比べてチップが摺動されることはない。
ばスプリング２７ａ、２７ｂの偏倚力に抗してリード２
１はロッド２５ ａ、２６ ｂに沿って平行に上動する
ために片持梁に比べてチップが摺動されることはない。
以上、詳細に説明したように１本発明の電子ビーム露光
装置用導通ピンによればダイヤモンド等の超硬質材料チ
ップにより試料の絶縁膜（酸化膜や窒化膜）を破る際に
基板を傷つける様なこともなく、その使用回数を２００
００〜３００００回とする事カ出来、且つ、導通ピンと
しての機能を充分に果たし電子ビーム照射時に試料内に
蓄積される電荷を完全に放電させる事が出来る特徴を有
する。
装置用導通ピンによればダイヤモンド等の超硬質材料チ
ップにより試料の絶縁膜（酸化膜や窒化膜）を破る際に
基板を傷つける様なこともなく、その使用回数を２００
００〜３００００回とする事カ出来、且つ、導通ピンと
しての機能を充分に果たし電子ビーム照射時に試料内に
蓄積される電荷を完全に放電させる事が出来る特徴を有
する。
第１図は従来の電子ビーム露光装置用導通ピンの使用方
法を説明するための系統図、第２図は従来の導通ピンを
試料に装着する場合の試料の一部を断面とした説明図、
第３図は従来の試料に導通ピンを立てるために基板の底
部に放電によって孔明けを行う方法を説明するための試
料の側断面図。 ９− 第４図は本発明に用いる導通ピンの拡大側面図。 第５図はチップ部分の拡大側断面図、第６図はダイヤモ
ンドにイオンをインプラチージョンする場合のドーズ量
と固有抵抗の関係を示す線図、第７図は導通ピンを試料
に圧接させた場合の状態を示す試料の側断面図、第８図
は本発明の導通ピン圧接装置の側面図、第９図は圧接状
態を示す動作拡大図、第１０図は本発明の他の実施例を
示す導通ピン圧接装置の側面図、第１１図は本発明の更
に他の実施例を示す導通ピン圧接装置の側面図である。 ■・・・試料、 ２・・・電子銃。 ３・・・マスク、 ４・・・電子レンズ。 ５Ｘ、５Ｙ・・・偏向電極、 ６Ｘ、６Ｙ・・・デジタ
ル−アナログ変換回路、 ７Ｘ。 ７Ｙ・・・加算増幅回路、 ８・・・コンピュータ、
９・・・接地、 １１・・・導通ピン、 １２・・・保
持部材。 １４・・・放電源、 １５・・・孔。 １６・・・チップ保持部、 １７・・・チン１０− プ、 １７ｂ・・・薄膜層、 ２１゜ ２４・・・リード、 ２２・・・螺子。 ２３・・・スペーサ、 ２５ａ、２５ｂ・・・軸受、
２６ａ、２６ｂ・・・ロンド。 ２７ａ、２７ｂ・・・スプリング １１− 第２図 Ｎグ Ｕ） 派 派 第６図 ドース“量 → 第８図 ２ 改づト・・ 第９図 ２１ｃｔ ’０’Ｂ１ − （コ ー／−ニー、・ ２１ １１Ｑ 「−−“ −］ １１゜ 第１０図 第１１図
法を説明するための系統図、第２図は従来の導通ピンを
試料に装着する場合の試料の一部を断面とした説明図、
第３図は従来の試料に導通ピンを立てるために基板の底
部に放電によって孔明けを行う方法を説明するための試
料の側断面図。 ９− 第４図は本発明に用いる導通ピンの拡大側面図。 第５図はチップ部分の拡大側断面図、第６図はダイヤモ
ンドにイオンをインプラチージョンする場合のドーズ量
と固有抵抗の関係を示す線図、第７図は導通ピンを試料
に圧接させた場合の状態を示す試料の側断面図、第８図
は本発明の導通ピン圧接装置の側面図、第９図は圧接状
態を示す動作拡大図、第１０図は本発明の他の実施例を
示す導通ピン圧接装置の側面図、第１１図は本発明の更
に他の実施例を示す導通ピン圧接装置の側面図である。 ■・・・試料、 ２・・・電子銃。 ３・・・マスク、 ４・・・電子レンズ。 ５Ｘ、５Ｙ・・・偏向電極、 ６Ｘ、６Ｙ・・・デジタ
ル−アナログ変換回路、 ７Ｘ。 ７Ｙ・・・加算増幅回路、 ８・・・コンピュータ、
９・・・接地、 １１・・・導通ピン、 １２・・・保
持部材。 １４・・・放電源、 １５・・・孔。 １６・・・チップ保持部、 １７・・・チン１０− プ、 １７ｂ・・・薄膜層、 ２１゜ ２４・・・リード、 ２２・・・螺子。 ２３・・・スペーサ、 ２５ａ、２５ｂ・・・軸受、
２６ａ、２６ｂ・・・ロンド。 ２７ａ、２７ｂ・・・スプリング １１− 第２図 Ｎグ Ｕ） 派 派 第６図 ドース“量 → 第８図 ２ 改づト・・ 第９図 ２１ｃｔ ’０’Ｂ１ − （コ ー／−ニー、・ ２１ １１Ｑ 「−−“ −］ １１゜ 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料を描画する電子ビーム露光装置において。 硬質材料にイオンインプラチージョンを施して導通性を
付与し、上記試料に導通性を付与した硬質材料針を当接
させて接地し、電子ビーム照射により上記基板に蓄積さ
れる電荷を除去することを特徴とする電子ビーム露光装
置用導通ピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181999A JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181999A JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074616A true JPS6074616A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0544177B2 JPH0544177B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=16110549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181999A Granted JPS6074616A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子ビ−ム露光装置用導通ピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074616A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015110527A1 (en) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | Mapper Lithography Ip B.V. | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing |
| NL2012497A (en) * | 2014-03-24 | 2015-12-10 | Mapper Lithography Ip Bv | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620701A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-26 | Hitachi Ltd | Scroll fluid machine |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58181999A patent/JPS6074616A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620701A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-26 | Hitachi Ltd | Scroll fluid machine |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015110527A1 (en) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | Mapper Lithography Ip B.V. | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing |
| JP2016513372A (ja) * | 2014-01-22 | 2016-05-12 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 荷電留意ビーム処理の間の半導体基板のための電気的なチャージの規制 |
| NL2012497A (en) * | 2014-03-24 | 2015-12-10 | Mapper Lithography Ip Bv | Electrical charge regulation for a semiconductor substrate during charged particle beam processing. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544177B2 (ja) | 1993-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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