JPS6076097A - 不揮発生半導体メモリ - Google Patents
不揮発生半導体メモリInfo
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- JPS6076097A JPS6076097A JP58183425A JP18342583A JPS6076097A JP S6076097 A JPS6076097 A JP S6076097A JP 58183425 A JP58183425 A JP 58183425A JP 18342583 A JP18342583 A JP 18342583A JP S6076097 A JPS6076097 A JP S6076097A
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- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 abstract description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 2
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- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、不揮発性半導体メモリ、特に、電気的消去書
込可能な読出専用メモリ（以下ｇｔｐ ａｏＭと記す）
の１！替回数管理に好適な不揮発性半導体メモリに関す
る。
込可能な読出専用メモリ（以下ｇｔｐ ａｏＭと記す）
の１！替回数管理に好適な不揮発性半導体メモリに関す
る。
電気的書込（プログラム）可能な読出専用メモリ（以下
ＢＦＲＯＭと記す）は、公知のように、２層ポリシリコ
ン構造の７０−ティングゲート型不揮発性メモリである
ことが多く、フローティングゲート中に電子を充電させ
ることによってＭＯ８ＦｆｆＴのしきい電圧を２値的に
制御するものである。このようなＭＯＳ形の不揮発性メ
モリは、１ビツト／セルであることから、大容督４のＥ
ＰＲＯＭとして、汎用コンピュータにおけるマイクロプ
ログラムやマイクロコンピュータにおけるプログラムま
たはデータの記憶に広く使用されている。
ＢＦＲＯＭと記す）は、公知のように、２層ポリシリコ
ン構造の７０−ティングゲート型不揮発性メモリである
ことが多く、フローティングゲート中に電子を充電させ
ることによってＭＯ８ＦｆｆＴのしきい電圧を２値的に
制御するものである。このようなＭＯＳ形の不揮発性メ
モリは、１ビツト／セルであることから、大容督４のＥ
ＰＲＯＭとして、汎用コンピュータにおけるマイクロプ
ログラムやマイクロコンピュータにおけるプログラムま
たはデータの記憶に広く使用されている。
しかし、８２８０Ｍにおけるデータの入替は容易でない
。すなわち、８２８０Ｍに新しいデータをｔき込むとき
には、先ず旧データの消去を行なう必要があるが、これ
には紫外線による全メモリセルの放電を伴なうため、工
場あるいはセンターで長時間をかけて作業することにな
る。また、幼データを書き込んだ新ＥＦＲＯＭを旧ＥＰ
Ｒ（ＪＭとＥＰｌもＯＭの使用現境で交換するために費
やす手間と時間も大きく、特に１製品が広範囲に散在し
ている場合には膨大なものとなシ、サービス面でのネッ
クになりかねない。
。すなわち、８２８０Ｍに新しいデータをｔき込むとき
には、先ず旧データの消去を行なう必要があるが、これ
には紫外線による全メモリセルの放電を伴なうため、工
場あるいはセンターで長時間をかけて作業することにな
る。また、幼データを書き込んだ新ＥＦＲＯＭを旧ＥＰ
Ｒ（ＪＭとＥＰｌもＯＭの使用現境で交換するために費
やす手間と時間も大きく、特に１製品が広範囲に散在し
ている場合には膨大なものとなシ、サービス面でのネッ
クになりかねない。
Ｅ”ＰＲＯＭは、このような８２８０Ｍの欠点を排除す
る魅力的な不揮発性メモリとして市場に登場してきた。
る魅力的な不揮発性メモリとして市場に登場してきた。
Ｅ２Ｐ几ＯＭは、グー１Ｆ、ｆｆ化膜厚の一部を除いて
はＥＰＲＯＭと同様な構造罠なっているが、ドレイン上
部のゲート酸化膜を薄くシ、この部分で電子のトンネル
現象を起してデータの書込や消去を容易化したものであ
る。すなわち、コントロールゲートとドレイン間の高電
界の向きを変えることによって、消去と書込とを行なう
。したがって、旧データを消去するのに紫外線の使用は
不要となシ、フィールドにおいて比較的容易にデータの
入替ができるようになった。
はＥＰＲＯＭと同様な構造罠なっているが、ドレイン上
部のゲート酸化膜を薄くシ、この部分で電子のトンネル
現象を起してデータの書込や消去を容易化したものであ
る。すなわち、コントロールゲートとドレイン間の高電
界の向きを変えることによって、消去と書込とを行なう
。したがって、旧データを消去するのに紫外線の使用は
不要となシ、フィールドにおいて比較的容易にデータの
入替ができるようになった。
しかしながら、このようなり２ＦＲＯＭにも書替可能回
数に上限（１０４〜１０″回程度）がある。それはデー
タの入替をするために上述のような消去と書込とを繰り
返すうちに、電子がトンネル酸化膜中のトラップに捕獲
されてしまうことに起因する。
数に上限（１０４〜１０″回程度）がある。それはデー
タの入替をするために上述のような消去と書込とを繰り
返すうちに、電子がトンネル酸化膜中のトラップに捕獲
されてしまうことに起因する。
捕獲された電子は、消去・書込のための電界程度では逃
げられず、捕獲電子数はどんどん増加し、最後には消去
状態（電子捕獲準位が充電状態）に相当するだけの電子
がたまってしまい、書込不能になるのである。
げられず、捕獲電子数はどんどん増加し、最後には消去
状態（電子捕獲準位が充電状態）に相当するだけの電子
がたまってしまい、書込不能になるのである。
従来、この種のＥｔＦ ＲＯＭが上述のような不具合事
態に陥るのを予防するために、同一アドレスの消去・書
込回数を予測し、実際の消去・書込回数が１込可能上限
値に達すると考えられる前に、Ｅ”ＦＲＯＭを交換して
いる。
態に陥るのを予防するために、同一アドレスの消去・書
込回数を予測し、実際の消去・書込回数が１込可能上限
値に達すると考えられる前に、Ｅ”ＦＲＯＭを交換して
いる。
このような従来の、粗雑な管理では、実行された消去・
書込回数を正確に把握できないようなときにＵ、Ｂ”Ｆ
ＲＯＭの交換が早すぎて無駄になったり、逆に交換が遅
すぎてデータの保持が不能になったシするという欠点が
ある。
書込回数を正確に把握できないようなときにＵ、Ｂ”Ｆ
ＲＯＭの交換が早すぎて無駄になったり、逆に交換が遅
すぎてデータの保持が不能になったシするという欠点が
ある。
本発明の目的は、この種の管理を精密に行なうのに適す
る不揮発性半導体メモリを提供することにある。
る不揮発性半導体メモリを提供することにある。
本発明＠メモリは、Ｅ”ＦＲＯＭへの書°込指示信号を
該Ｂ！ＦＲＯＭのアドレス対応に累計して記憶するよう
Ｋしたことを特徴とする。
該Ｂ！ＦＲＯＭのアドレス対応に累計して記憶するよう
Ｋしたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示すブロック図であシ、
メモリセル群ｌと、アドレスバッファ２と、出力バッフ
ァ３と、加算回路３と、消去書込制御回路４とから構成
されている。メモリセル群１は、２に語×１７ピツト／
語構成の、前述のようなＥ”ＦＲＯＭである。
メモリセル群ｌと、アドレスバッファ２と、出力バッフ
ァ３と、加算回路３と、消去書込制御回路４とから構成
されている。メモリセル群１は、２に語×１７ピツト／
語構成の、前述のようなＥ”ＦＲＯＭである。
アドレスバッファ２は、外部から入力するアドレス信号
ＡＤ几をバッファリングしてメモリセル群１に供給し、
アドレス信号ＡＤＲＫよ）指定される番地のデータを出
力バッファ３と加算回路４とに読み出す。外部から与え
られるライトイネーブル信号ＷＦｉが論理°′１”のと
きには、読出動作が指示されているととＫなシ、メモリ
セル群１からの読出データＬ出力バッファ３においてバ
ッファリングされ、外部に読出データＲＤＴとして出力
される。このときには、加算回路４と消去書込制御回路
５とは機能しないようになっている。
ＡＤ几をバッファリングしてメモリセル群１に供給し、
アドレス信号ＡＤＲＫよ）指定される番地のデータを出
力バッファ３と加算回路４とに読み出す。外部から与え
られるライトイネーブル信号ＷＦｉが論理°′１”のと
きには、読出動作が指示されているととＫなシ、メモリ
セル群１からの読出データＬ出力バッファ３においてバ
ッファリングされ、外部に読出データＲＤＴとして出力
される。このときには、加算回路４と消去書込制御回路
５とは機能しないようになっている。
次に、ライトイネーブル信号ＷＥが論理″０”であると
きには、消去書込動作が指示されていることになる。こ
の場合にも、読出動作時と同様にしてアドレス信号ＡＤ
Ｈにより指定される番地が読み出され、出力バッ７ア３
と加算回路４とに入力する。出力バッファ３から外部に
出力される読出データは、受取先において無視される。
きには、消去書込動作が指示されていることになる。こ
の場合にも、読出動作時と同様にしてアドレス信号ＡＤ
Ｈにより指定される番地が読み出され、出力バッ７ア３
と加算回路４とに入力する。出力バッファ３から外部に
出力される読出データは、受取先において無視される。
加算回路４に入力した読出データは、ライトイネーブル
信号ＷＥによってプラス１され、消去書込制御回路５に
人力する。消去書込制御回路５は、加算回路４へ入力し
た読出データの番地（アドレス信号ＡＤ几により指定さ
れている）のデータを、先ず消去し、次いで加算回路か
ら入力したデータを書°き込む。すなわち、アドレス信
号ＡＤ几によシ指定された番地の内容は、ライトイネー
ブル信号ＷＥに応答して歩進したことになる。
信号ＷＥによってプラス１され、消去書込制御回路５に
人力する。消去書込制御回路５は、加算回路４へ入力し
た読出データの番地（アドレス信号ＡＤ几により指定さ
れている）のデータを、先ず消去し、次いで加算回路か
ら入力したデータを書°き込む。すなわち、アドレス信
号ＡＤ几によシ指定された番地の内容は、ライトイネー
ブル信号ＷＥに応答して歩進したことになる。
第２図は、第１図に示した実施例（ＥｔＦ ＩＬＯＭ
１０ ）の一応用例を示す。センター機器２０は、４個
所の遠隔地に配置された端末装置（図示は省略する）を
制御し、同時にプログラムやデータ（以下単にデータと
総称する）を送信し、端末装置はこのデータに基づいて
所定の動作を行なう。このような実例は、たとえば本支
店間におけるデータ通信システムにおいて、よく見覚け
られよう。
１０ ）の一応用例を示す。センター機器２０は、４個
所の遠隔地に配置された端末装置（図示は省略する）を
制御し、同時にプログラムやデータ（以下単にデータと
総称する）を送信し、端末装置はこのデータに基づいて
所定の動作を行なう。このような実例は、たとえば本支
店間におけるデータ通信システムにおいて、よく見覚け
られよう。
各端末装置は、重要なデータを安全に保持するために、
Ｅ’ＰＲＯＭｔｌ、１２，１３および１４を備えている
。ＤＩＦＲＯＭ１’ｌ、１２．１３および１４は、同一
の構成であり、ＩｆｌｔＰＲＯＭＩＯと同じ＜２に語の
番地を有し、そのメモリセルも同じである。しかし、Ｂ
ＩＦＲＯＭＩ １．１２．１３および１４の１語あたシ
ビ、ト数は、センター機器２０から送信されるデータに
よって定まるものであシ、必ずしもＦｌ：ｌＰＲＯＭ１
０におけるビット数（１７）と同一ではない。まだ、Ｅ
”ＰＩＩＯＭＩＩ、 １２．１３および１４における書
込データＷＤＴは、センター機器２０から受信するデー
タであり、ＥすＲＯＭｌ０におけるように、歩進動作を
もたらせるだめのものではない。
Ｅ’ＰＲＯＭｔｌ、１２，１３および１４を備えている
。ＤＩＦＲＯＭ１’ｌ、１２．１３および１４は、同一
の構成であり、ＩｆｌｔＰＲＯＭＩＯと同じ＜２に語の
番地を有し、そのメモリセルも同じである。しかし、Ｂ
ＩＦＲＯＭＩ １．１２．１３および１４の１語あたシ
ビ、ト数は、センター機器２０から送信されるデータに
よって定まるものであシ、必ずしもＦｌ：ｌＰＲＯＭ１
０におけるビット数（１７）と同一ではない。まだ、Ｅ
”ＰＩＩＯＭＩＩ、 １２．１３および１４における書
込データＷＤＴは、センター機器２０から受信するデー
タであり、ＥすＲＯＭｌ０におけるように、歩進動作を
もたらせるだめのものではない。
センター機器２０からＥ”ＦＲＯＭＩＩ、１２．１３お
よび１４に送信されるアドレス信号ＡＤ几とライトイネ
ーブル信号ＷＥとは、センター機器２０に対応して設け
られたＥ”ＦＲＯＭｌｏにも送られる・Ｅ”ＦＲＯＭｘ
Ｏにおいては、先に第１図について説明したのと同一の
動作が行なわれる。すなわち、１８”ＦＲＯＭｌｏにお
いてアドレス信号ＡＤＲにより指定される番地には、Ｆ
ｉｔＰＲＯＭｌｌ、１２．１３および１４の対応番地が
センター機器２０によって消去書込される回数が書き込
まれ、記憶されることになる。Ｅ”ＦＲＯＭＩＯの１語
あた少ビツト数１７は、Ｆｌｉ！ＦＲＯＭ１１，１２．
１３および１４の書替可能回数の上限値１０４〜１０６
をカバーするのに必要な数である。
よび１４に送信されるアドレス信号ＡＤ几とライトイネ
ーブル信号ＷＥとは、センター機器２０に対応して設け
られたＥ”ＦＲＯＭｌｏにも送られる・Ｅ”ＦＲＯＭｘ
Ｏにおいては、先に第１図について説明したのと同一の
動作が行なわれる。すなわち、１８”ＦＲＯＭｌｏにお
いてアドレス信号ＡＤＲにより指定される番地には、Ｆ
ｉｔＰＲＯＭｌｌ、１２．１３および１４の対応番地が
センター機器２０によって消去書込される回数が書き込
まれ、記憶されることになる。Ｅ”ＦＲＯＭＩＯの１語
あた少ビツト数１７は、Ｆｌｉ！ＦＲＯＭ１１，１２．
１３および１４の書替可能回数の上限値１０４〜１０６
をカバーするのに必要な数である。
Ｅ”ＰＲＯＭｔＯに記憶されたこのような書替回数は、
適時に、読出データ几ＤＴとして、外部に読み出され、
必要な対応策のための保守データとして使用される。
適時に、読出データ几ＤＴとして、外部に読み出され、
必要な対応策のための保守データとして使用される。
第１図に示した実施例における加算回路４の代シに、ラ
イトイネーブル信号ＷＥによって、メモリセル群ｌから
の読出データをプリセットし、同一のライトイネーブル
信号ＷＩｉ３をや＼遅延はせた信号によって、プリセッ
トした読出データをカウントアツプするようなカウンタ
を設けるようにした実施例も容易に実現できる。
イトイネーブル信号ＷＥによって、メモリセル群ｌから
の読出データをプリセットし、同一のライトイネーブル
信号ＷＩｉ３をや＼遅延はせた信号によって、プリセッ
トした読出データをカウントアツプするようなカウンタ
を設けるようにした実施例も容易に実現できる。
また、以上に述べた実施例においてはメモリセル群はＥ
鵞Ｐ几ＯＭで構成されているが、停電時に作動する補助
バッテリーを併設するならば、Ｅ”ＦＲＯＭを通常のＲ
ＡＭに置換した実施例（ＲＡＭ十補助バッテリーで不揮
発性メモリと見做す）も極めて容易に実現できる。
鵞Ｐ几ＯＭで構成されているが、停電時に作動する補助
バッテリーを併設するならば、Ｅ”ＦＲＯＭを通常のＲ
ＡＭに置換した実施例（ＲＡＭ十補助バッテリーで不揮
発性メモリと見做す）も極めて容易に実現できる。
本発明によれば、以上のような構成の採用により、Ｅ”
ＦＲＯＭの交換時期に対する管理を精密に行なうことが
できる。
ＦＲＯＭの交換時期に対する管理を精密に行なうことが
できる。
第１図は本発明の一実施例および第２図は該実施例の一
応用例をそれぞれ示す。 １・・・・・・メモリセル群、２・・・・・・アドレス
バッファ、３・・・・・・出力バッファ、４・・・・・
・加舞１回路、５・・・・・・消去書込制御回路、１０
，１１，１２，１３，１４・・・・・・電気的消去書込
可能な読出専用メモ！Ｊｉ”２８０Ｍ、 ２０・・・・
・・センター機器。
応用例をそれぞれ示す。 １・・・・・・メモリセル群、２・・・・・・アドレス
バッファ、３・・・・・・出力バッファ、４・・・・・
・加舞１回路、５・・・・・・消去書込制御回路、１０
，１１，１２，１３，１４・・・・・・電気的消去書込
可能な読出専用メモ！Ｊｉ”２８０Ｍ、 ２０・・・・
・・センター機器。
Claims (1)
- 消去書込可能なメモリへの書込指示信号を該メモリのア
ドレス対応に累計して記憶するようにしたことを特徴と
する不揮発性半導体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183425A JPS6076097A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 不揮発生半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183425A JPS6076097A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 不揮発生半導体メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076097A true JPS6076097A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16135548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183425A Pending JPS6076097A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 不揮発生半導体メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076097A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685852A3 (en) * | 1988-06-08 | 1996-02-14 | Eliyahou Harari | Storage system and method for its use. |
| US5568439A (en) * | 1988-06-08 | 1996-10-22 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system which maintains individual memory block cycle counts |
| US5602987A (en) * | 1989-04-13 | 1997-02-11 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
| US5963480A (en) * | 1988-06-08 | 1999-10-05 | Harari; Eliyahou | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
| US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183425A patent/JPS6076097A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5568439A (en) * | 1988-06-08 | 1996-10-22 | Harari; Eliyahou | Flash EEPROM system which maintains individual memory block cycle counts |
| US5963480A (en) * | 1988-06-08 | 1999-10-05 | Harari; Eliyahou | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
| EP0685852A3 (en) * | 1988-06-08 | 1996-02-14 | Eliyahou Harari | Storage system and method for its use. |
| US8040727B1 (en) | 1989-04-13 | 2011-10-18 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors |
| US5602987A (en) * | 1989-04-13 | 1997-02-11 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
| US5936971A (en) * | 1989-04-13 | 1999-08-10 | Sandisk Corporation | Multi-state flash EEprom system with cache memory |
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| US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US6760255B2 (en) | 2000-02-17 | 2004-07-06 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US6996008B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-02-07 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US7184306B2 (en) | 2000-02-17 | 2007-02-27 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US7362613B2 (en) | 2000-02-17 | 2008-04-22 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US7532511B2 (en) | 2000-02-17 | 2009-05-12 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US6580638B2 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-17 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
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