JPS6076183A - 可視光半導体レ−ザ素子及びその製造方法 - Google Patents
可視光半導体レ−ザ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6076183A JPS6076183A JP18429583A JP18429583A JPS6076183A JP S6076183 A JPS6076183 A JP S6076183A JP 18429583 A JP18429583 A JP 18429583A JP 18429583 A JP18429583 A JP 18429583A JP S6076183 A JPS6076183 A JP S6076183A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- semiconductor laser
- gaalas
- grow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザ素子に関し、特に７３０ｎｍ以下
に発振波長を有する新規有用な可視光半導体レーザ素子
及びその製造方法に関するものである。
に発振波長を有する新規有用な可視光半導体レーザ素子
及びその製造方法に関するものである。
〈従来技術〉
半導体レーザ装置を信号光源として利用した光デイスク
装置やレーザビームプリンタの如き光情報処理機器の発
達に伴なって可視光半導体レーザ素子に対する発振波長
の短波長化が要求されるようになってきた。この要求に
即応してＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ素子は著しい進歩
をとげ、特に７８０ ｎｍ帯め素子は室温で推定１０６
時間以上の長寿命を実現しておりコンパクトディスク用
の光源として広く用いられるようになった。しかしなが
ら、ＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ素子は発振波長が７８
０ｎｍより短かくなると急激にその動作寿命が短かくな
る傾向にあり、特に７ａｏｎｍ以下の短波長域において
は実用的な動作寿命を確保することは困難な現状にある
。これについては参考文献としてＴ 、 Ｋａｊ ｉｍ
ｕｒａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ。
装置やレーザビームプリンタの如き光情報処理機器の発
達に伴なって可視光半導体レーザ素子に対する発振波長
の短波長化が要求されるようになってきた。この要求に
即応してＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ素子は著しい進歩
をとげ、特に７８０ ｎｍ帯め素子は室温で推定１０６
時間以上の長寿命を実現しておりコンパクトディスク用
の光源として広く用いられるようになった。しかしなが
ら、ＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ素子は発振波長が７８
０ｎｍより短かくなると急激にその動作寿命が短かくな
る傾向にあり、特に７ａｏｎｍ以下の短波長域において
は実用的な動作寿命を確保することは困難な現状にある
。これについては参考文献としてＴ 、 Ｋａｊ ｉｍ
ｕｒａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ。
ｖｏｌ、５１ 、Ｐ２Ｏ３（１９８０）がある。一方、
短波長域の発振を得るだめの活性層に用いられる結晶と
して、ＧａＡ３に格子整合したＩｎＧａＡｓＰの４元混
晶がある。活性層をこの４元混、晶で構成した場合、ク
ラッド層にこれと同じ元素がら成る４元混晶を用いると
最大のエネルギーギャップはＩｎｏ、４９ Ｇａ０．５
ｊ Ｐの１．９ｅＶで制限されてしまうため、クラッド
層と活性層間のエネルギーギャップ差を０．２５ ｅＶ
に設定すると発振波長は７５０ｎｍ程度までしか短波長
化することができない。クラッド層にＧａＡｌＡｓを用
いるとＡ１混晶比０．８までは液相成長法で高品位の結
晶を得ることができる。Ｇａ０，２ Ａｌ （３Ｂ Ａ
ｓのエネルギーギャップは２．０９ｅＶであるから、６
７０ｎｍ程度迄は温度特性の劣化等の著しい特性劣化を
伴わずに短波長化が可能であると期待される。
短波長域の発振を得るだめの活性層に用いられる結晶と
して、ＧａＡ３に格子整合したＩｎＧａＡｓＰの４元混
晶がある。活性層をこの４元混、晶で構成した場合、ク
ラッド層にこれと同じ元素がら成る４元混晶を用いると
最大のエネルギーギャップはＩｎｏ、４９ Ｇａ０．５
ｊ Ｐの１．９ｅＶで制限されてしまうため、クラッド
層と活性層間のエネルギーギャップ差を０．２５ ｅＶ
に設定すると発振波長は７５０ｎｍ程度までしか短波長
化することができない。クラッド層にＧａＡｌＡｓを用
いるとＡ１混晶比０．８までは液相成長法で高品位の結
晶を得ることができる。Ｇａ０，２ Ａｌ （３Ｂ Ａ
ｓのエネルギーギャップは２．０９ｅＶであるから、６
７０ｎｍ程度迄は温度特性の劣化等の著しい特性劣化を
伴わずに短波長化が可能であると期待される。
しかしながら、実際に実験によって確かめると、ＧａＡ
ｌＡｓ上にＩｎＧａＡｓＰ４元混晶を液相成長法で成長
させると全面に均一に成長が行なわれない場合が多く、
活性層を薄く成長させるには特に不都合であった。この
原因としては、Ｐによる成長層表面の汚染（参考文献：
Ａ、 ５ｕｚｕｋｉ 、 Ｔ、Ｍｕｒａｋａｍｉ。
ｌＡｓ上にＩｎＧａＡｓＰ４元混晶を液相成長法で成長
させると全面に均一に成長が行なわれない場合が多く、
活性層を薄く成長させるには特に不都合であった。この
原因としては、Ｐによる成長層表面の汚染（参考文献：
Ａ、 ５ｕｚｕｋｉ 、 Ｔ、Ｍｕｒａｋａｍｉ。
ｙ 、Ｋｕｒ ｊｙａｍａ ａｎｄ Ｈ、Ｍａ ｔ ｓ
ｕｎａｍｉ ＋ Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｊ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、ｖｏｌ、２
＋ 、 Ｐ、 ２３６Ｂ）やＡｓの混晶比を増加したと
きのミシビリγイギャップ惨考文献： ５Ｊ（ｕｋａｉ
、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｉ’１
１ｙｓｉｃｓ、ｖｏｌ。
ｕｎａｍｉ ＋ Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｊ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、ｖｏｌ、２
＋ 、 Ｐ、 ２３６Ｂ）やＡｓの混晶比を増加したと
きのミシビリγイギャップ惨考文献： ５Ｊ（ｕｋａｉ
、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｉ’１
１ｙｓｉｃｓ、ｖｏｌ。
５４、Ｐ、２６３５）の影響が考えられる。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、短波長可視光半導体レー
ザ素子の活性層をＩｎＧａＡＩＡｓＰから成る良質の結
晶によって作製することができ、長寿命の動作特性を確
立した新規かつ有用な半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。本発明の他の目的は、ＩｎＧａＡＩＡｓ
Ｐから成る５元系活性層の半導体レーザ素子を作製する
場合にＡｔの希□釈工程を省くことによってより簡素化
された製造工程を確立することにある。
ザ素子の活性層をＩｎＧａＡＩＡｓＰから成る良質の結
晶によって作製することができ、長寿命の動作特性を確
立した新規かつ有用な半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。本発明の他の目的は、ＩｎＧａＡＩＡｓ
Ｐから成る５元系活性層の半導体レーザ素子を作製する
場合にＡｔの希□釈工程を省くことによってより簡素化
された製造工程を確立することにある。
〈構成及び効果の説明〉
本発明者は、ＧａＡｓ 、ＧａＡｌＡｓ等の下地層上に
ＩｎＧａＡｓＰを成長させる際に、その成長溶液にわず
かなＡｌを添加することにより、均一な成長層が得られ
ることを見い出した。例えばＩｎ溶媒によりＩ Ｏ−’
ｍｏ ｌｅ １台に希釈したＡＩを添加して成長温度７
８５℃で（＋００）ＧａＡ３基板上に液相成長させたと
ころ、ＩｎＧａＡＩＡｓＰ層が再現性良くエピタキシャ
ル成長することが判明した。またこの際にＡｓの混晶比
を制御することによってＡｌ混晶比が一義的に決定され
ることも明らかとなった。即ちＥ Ｐ Ｍ Ａによる測
定の結果、（Ａｌ ｚｃａ Ｉ−ｚ ）ｘＴ ｎ １−
）（ＡｓｙＰ ＋−ｙにおいてｚ＝ｏ、６６ｙ２＋ ５
．４８ｙ なるＡｔ混晶比の結晶が得られることとなる
。従って、ＧａＡｌＡｓクラッド層上に活性層をエピタ
キシャル成長させる場合、ＩｎＧａＡｓＰ４元混晶を活
性層とするよりもＩｎＧａＡ１’ＡｓＰ ５元混晶を活
性層とする方が有利である０ 実際に、ＩｎＧａＡｓＰ８Ｐを活性層として半導体レー
ザ素子を作製する場合、Ａｌの固相中への分配係数が１
０４以上と極めて大きいため、ＡＩをＩｎ溶媒で希釈す
る工程が必要となり煩雑となるが、上述した如（Ａｌの
添加量を厳密に定めなくてもＡｓの混晶比を制御するこ
とによりＡｌ混晶比を任意に制御設定することができる
のでＧａＡｌＡｓクラッド層を成長させた溶液を、次の
Ｉ ｎ ＧａＡＩＡｓＰ活性８層の成長のために基板を
スライドさせる際に、基板上にわずかに残留させて、Ｉ
ｎ、 Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ Ｐ成長用溶液に混入
するように多層成長における基板スライド時の基板表面
からカーボンボートまでの距離いわゆるギャップの大き
さを定めることにより、ＧａＡｌＡｓクラッド層成長用
溶液中のＡ１を用いて１ｎＧａＡＩＡ’ｓＰ活性層を成
長させることができる。従って、Ａｌの希釈工程が省略
される。
ＩｎＧａＡｓＰを成長させる際に、その成長溶液にわず
かなＡｌを添加することにより、均一な成長層が得られ
ることを見い出した。例えばＩｎ溶媒によりＩ Ｏ−’
ｍｏ ｌｅ １台に希釈したＡＩを添加して成長温度７
８５℃で（＋００）ＧａＡ３基板上に液相成長させたと
ころ、ＩｎＧａＡＩＡｓＰ層が再現性良くエピタキシャ
ル成長することが判明した。またこの際にＡｓの混晶比
を制御することによってＡｌ混晶比が一義的に決定され
ることも明らかとなった。即ちＥ Ｐ Ｍ Ａによる測
定の結果、（Ａｌ ｚｃａ Ｉ−ｚ ）ｘＴ ｎ １−
）（ＡｓｙＰ ＋−ｙにおいてｚ＝ｏ、６６ｙ２＋ ５
．４８ｙ なるＡｔ混晶比の結晶が得られることとなる
。従って、ＧａＡｌＡｓクラッド層上に活性層をエピタ
キシャル成長させる場合、ＩｎＧａＡｓＰ４元混晶を活
性層とするよりもＩｎＧａＡ１’ＡｓＰ ５元混晶を活
性層とする方が有利である０ 実際に、ＩｎＧａＡｓＰ８Ｐを活性層として半導体レー
ザ素子を作製する場合、Ａｌの固相中への分配係数が１
０４以上と極めて大きいため、ＡＩをＩｎ溶媒で希釈す
る工程が必要となり煩雑となるが、上述した如（Ａｌの
添加量を厳密に定めなくてもＡｓの混晶比を制御するこ
とによりＡｌ混晶比を任意に制御設定することができる
のでＧａＡｌＡｓクラッド層を成長させた溶液を、次の
Ｉ ｎ ＧａＡＩＡｓＰ活性８層の成長のために基板を
スライドさせる際に、基板上にわずかに残留させて、Ｉ
ｎ、 Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ Ｐ成長用溶液に混入
するように多層成長における基板スライド時の基板表面
からカーボンボートまでの距離いわゆるギャップの大き
さを定めることにより、ＧａＡｌＡｓクラッド層成長用
溶液中のＡ１を用いて１ｎＧａＡＩＡ’ｓＰ活性層を成
長させることができる。従って、Ａｌの希釈工程が省略
される。
実際にＩｎＧａＡＩＡｓＰ／Ｇａ０８２Ａｌ（１，ＢＡ
ｓのシングルへテロ構造を（１００）ＧａＡｓ基板上に
成長させた。
ｓのシングルへテロ構造を（１００）ＧａＡｓ基板上に
成長させた。
まずＡｓを含まないＩ ｎＧ ａ Ａ Ｉ Ｐを成長さ
せるためＧａｏ、ｚ ＡＩｏ、８ Ａｓ 上の第２層の
成長にＩｎ、Ｇａ、Ｐより成る溶液を用いたところＩ
ｎ ０．４９ Ｇａ ０．５Ｉ Ｐが成長するのみで１
ｎＧａＡＩＰ＄るいはＩｎＧａＡＩＡｓＰの成長は起ら
なかった。このことは参考文献：Ｍ。
せるためＧａｏ、ｚ ＡＩｏ、８ Ａｓ 上の第２層の
成長にＩｎ、Ｇａ、Ｐより成る溶液を用いたところＩ
ｎ ０．４９ Ｇａ ０．５Ｉ Ｐが成長するのみで１
ｎＧａＡＩＰ＄るいはＩｎＧａＡＩＡｓＰの成長は起ら
なかった。このことは参考文献：Ｍ。
Ｋａｚｕｍｕｒａ 、Ｉ 、０ｈｔａ ａｎｄ Ｉ 、
Ｔｅｒａｍｏｔｏ 、ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖｏ
ｌ、 ２２ 、 Ｐ、 ６５４（１９８３）にて報告さ
れている。従って、Ａｓを含まないＩｎＧａＡＩＰは液
相成長が困難であることがわかる。また、Ｉｎｋ、４９
６１．５１ Ｆを活性層とするとＱ、 ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓではクラッド層としてエネルギーギャツブが小さい
ため、閾値電流の上昇や温度特性の劣化につながシ適当
ではない。次に第２層の成長にＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐよ
り成る溶液を用いたところ、第１層成長溶液からのＡＩ
の持ち越しの量に関係なく、Ｉｎ溶液中のＧａ、Ａｓ、
Ｐの成分比を調整することにより（Ａ１２Ｇａ Ｉ−Ｚ
）Ｘ １ ｎ １−ｚＡｓｙ Ｐ Ｉ−ｙがＺ−０，６
６ｙ２＋５．４８ｙの関係をもって成長することが確認
された。このようにして得られた混晶のＥＰＭＡにより
めた組成とフォトルミネセンスのピーク波長−１３ｍｅ
Ｖ としてめた３００ＫにおけるエネルギーギャップＥ
ｇは、例えばｔｎｏ、＋＋ （Ｇａｏ、５ｓＡ１０．１
２）０，５９ＡＳＯ１１８Ｐ０．８２ （Ｅｇ＝１．８
２８ｅＶ）、 Ｉｎ０．２８（Ｇａｏ、６２Ａ１ｏ、ａ
ｓ）０７２Ａｓｏ、４５Ｐｏ、５５（Ｅｇ＝１．７４３
ｅＶ ）であった。これらの測定において成長層面内で
のエネルギーギャップ即ち組成のばらつきはほとんどな
く、第１層Ｇ ａ Ａ、 Ｉ Ａ ｓ成長溶液からのＡ
ｔの持ち越しにより均一なＩｎＧａＡＩＡｓＰが成長で
きることが検証された。
Ｔｅｒａｍｏｔｏ 、ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖｏ
ｌ、 ２２ 、 Ｐ、 ６５４（１９８３）にて報告さ
れている。従って、Ａｓを含まないＩｎＧａＡＩＰは液
相成長が困難であることがわかる。また、Ｉｎｋ、４９
６１．５１ Ｆを活性層とするとＱ、 ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓではクラッド層としてエネルギーギャツブが小さい
ため、閾値電流の上昇や温度特性の劣化につながシ適当
ではない。次に第２層の成長にＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐよ
り成る溶液を用いたところ、第１層成長溶液からのＡＩ
の持ち越しの量に関係なく、Ｉｎ溶液中のＧａ、Ａｓ、
Ｐの成分比を調整することにより（Ａ１２Ｇａ Ｉ−Ｚ
）Ｘ １ ｎ １−ｚＡｓｙ Ｐ Ｉ−ｙがＺ−０，６
６ｙ２＋５．４８ｙの関係をもって成長することが確認
された。このようにして得られた混晶のＥＰＭＡにより
めた組成とフォトルミネセンスのピーク波長−１３ｍｅ
Ｖ としてめた３００ＫにおけるエネルギーギャップＥ
ｇは、例えばｔｎｏ、＋＋ （Ｇａｏ、５ｓＡ１０．１
２）０，５９ＡＳＯ１１８Ｐ０．８２ （Ｅｇ＝１．８
２８ｅＶ）、 Ｉｎ０．２８（Ｇａｏ、６２Ａ１ｏ、ａ
ｓ）０７２Ａｓｏ、４５Ｐｏ、５５（Ｅｇ＝１．７４３
ｅＶ ）であった。これらの測定において成長層面内で
のエネルギーギャップ即ち組成のばらつきはほとんどな
く、第１層Ｇ ａ Ａ、 Ｉ Ａ ｓ成長溶液からのＡ
ｔの持ち越しにより均一なＩｎＧａＡＩＡｓＰが成長で
きることが検証された。
本発明は、従来特に７３０ ｎｍ以下の短波長域で寿命
の短かいＧａＡｌＡｓ活性層にかわり、１μｍ以−月の
長波長レーザにおいて長寿命が得られているＩｎＧａＡ
ｓＰに組成の近いＩｎＧａ’ＡＩＡｓＰ活性層あるいは
１ｎＧａＡ、ｌΔｓＰを光ガイド層としてＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層を用いることにより短波長域における寿命特性
を改善し、実用性のある短波長可視光半導体レーザ素子
を作製する。
の短かいＧａＡｌＡｓ活性層にかわり、１μｍ以−月の
長波長レーザにおいて長寿命が得られているＩｎＧａＡ
ｓＰに組成の近いＩｎＧａ’ＡＩＡｓＰ活性層あるいは
１ｎＧａＡ、ｌΔｓＰを光ガイド層としてＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層を用いることにより短波長域における寿命特性
を改善し、実用性のある短波長可視光半導体レーザ素子
を作製する。
〈実施例〉
図面は本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の断面
構成図である。（＋ ００ ）ｐ−ＧａＡｓ基板ｌ上に
Ｈ−ＧａＡｓ電流閉じ込め層２を厚さ０８１１ｍで成長
させた後フォトリングラフィ法を用い、化学エツチング
により幅５μｍ、深さ１μｍのストライブ溝を形成する
。このストライプ溝の部分が電流閉じ込め層２の除去さ
れた電流通路となる。次に、ｐ −Ｇａｏ、２ Ａ１０
．８ Ａｓクラッド層３（溝外での厚み０．２ｐｍ）、
ノンドープＩｎｏ、２ａ（Ｇａｏ、６２Ａ１ｏ、５ｓ）
ｏ、７２Ａｓｏ、４５Ｐ０．５５活性層４（厚み０．２
ｐｍ ） 、 ｎ −Ｇａｏ、２ ＡＩ □、Ｂ Ａ
ｓクラッド層５（厚み１μｍ）、ｎ−ＧａＡｓキャップ
層６（厚み３７７ｍ）を順次液相エピタキシャル成長法
で成長させる。次にｎ側電極７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
、ｐ側電極８としてＡｕ−Ｚｎを蒸着、加熱により形成
する。以上によりダブルへテロ接合型の半導体レーザ素
子が作製される。共振器長２５０μｍのチップをＣｕ
ヒートシンク上にＩｎろう材でマウントした素子は発振
波長７２０ｎｍで室温連続発振した。またその時の閾値
電流は１８６ｍＡであった。
構成図である。（＋ ００ ）ｐ−ＧａＡｓ基板ｌ上に
Ｈ−ＧａＡｓ電流閉じ込め層２を厚さ０８１１ｍで成長
させた後フォトリングラフィ法を用い、化学エツチング
により幅５μｍ、深さ１μｍのストライブ溝を形成する
。このストライプ溝の部分が電流閉じ込め層２の除去さ
れた電流通路となる。次に、ｐ −Ｇａｏ、２ Ａ１０
．８ Ａｓクラッド層３（溝外での厚み０．２ｐｍ）、
ノンドープＩｎｏ、２ａ（Ｇａｏ、６２Ａ１ｏ、５ｓ）
ｏ、７２Ａｓｏ、４５Ｐ０．５５活性層４（厚み０．２
ｐｍ ） 、 ｎ −Ｇａｏ、２ ＡＩ □、Ｂ Ａ
ｓクラッド層５（厚み１μｍ）、ｎ−ＧａＡｓキャップ
層６（厚み３７７ｍ）を順次液相エピタキシャル成長法
で成長させる。次にｎ側電極７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
、ｐ側電極８としてＡｕ−Ｚｎを蒸着、加熱により形成
する。以上によりダブルへテロ接合型の半導体レーザ素
子が作製される。共振器長２５０μｍのチップをＣｕ
ヒートシンク上にＩｎろう材でマウントした素子は発振
波長７２０ｎｍで室温連続発振した。またその時の閾値
電流は１８６ｍＡであった。
以上述べた一実施例においては、光ガイド層を含まない
ダブルへテロ構造をとっているが、ＧａＡｌＡｓ上にＩ
ｎＧａＡＩＡｓＰが容易に成長できることを考えれば、
ｐ−クランド層３上に該クラッド層よりエネルギーギャ
ップの小さいＧａＡｌＡｓ光ガイド層を成長し、その上
にＩｎＧａＡＩＡｓＰ活性層４を成長する構成をとるこ
ともできる。また、ｐ−クラッド層３上にＩｎＧａＡＩ
ＡｓＰ光ガイド層を成長し、その上に光ガイド層よりエ
ネルギーギャッフノ小さいＩｎＧａＡＩＡｓＰ活性層あ
るいはこの場合に、Ｉｔ； Ａ ｔを含まないＩｎＧａ
ＡｓＰ等の活性層４を成−ｍ％る構成をとることもでき
る。
ダブルへテロ構造をとっているが、ＧａＡｌＡｓ上にＩ
ｎＧａＡＩＡｓＰが容易に成長できることを考えれば、
ｐ−クランド層３上に該クラッド層よりエネルギーギャ
ップの小さいＧａＡｌＡｓ光ガイド層を成長し、その上
にＩｎＧａＡＩＡｓＰ活性層４を成長する構成をとるこ
ともできる。また、ｐ−クラッド層３上にＩｎＧａＡＩ
ＡｓＰ光ガイド層を成長し、その上に光ガイド層よりエ
ネルギーギャッフノ小さいＩｎＧａＡＩＡｓＰ活性層あ
るいはこの場合に、Ｉｔ； Ａ ｔを含まないＩｎＧａ
ＡｓＰ等の活性層４を成−ｍ％る構成をとることもでき
る。
添附図面は本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の
構成図である。 １・・・ｐ−ＧａＡｓ基板 ２・・・電流閉じ込め層３
・・・ｐ−クラッド層 ４・・・活性層 ５・・・ｎ−
クラッド層 ６・・キャップ層 ７・・ｎｆｉｉｌｌ電
極 ８・・・ｐ側電極
構成図である。 １・・・ｐ−ＧａＡｓ基板 ２・・・電流閉じ込め層３
・・・ｐ−クラッド層 ４・・・活性層 ５・・・ｎ−
クラッド層 ６・・キャップ層 ７・・ｎｆｉｉｌｌ電
極 ８・・・ｐ側電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ダブルへテロ接合を有する半導体レーザ素子に於い
て、ＧａＡｌＡｓ層上に形成される活性層あるいは光ガ
イド層がＩ ｎ＊ Ｇ ａ ＋ Ａ Ｉ 、Ａ ｓ及び
Ｐの５元混晶で構成されていることを特徴とする可視光
半導体レーザ素子。 ２、ＧａＡｌＡｓ成長溶液の持ち超、しによりＧａＡＩ
ＡＳ層上・にＩｎＧａＡｓＰ成長溶液からＡ１の添加さ
れたＩｎＧａＡＩＡｓＰ ５元混晶層を液相成長させ、
該５元混晶層を活性層あるいは光ガイド層とすることを
特徴とする可視光半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18429583A JPS6076183A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 可視光半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18429583A JPS6076183A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 可視光半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076183A true JPS6076183A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16150826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18429583A Pending JPS6076183A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 可視光半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236385A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18429583A patent/JPS6076183A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236385A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
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