JPS6077121A - Manufacture of silica polygonal body - Google Patents

Manufacture of silica polygonal body

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Publication number
JPS6077121A
JPS6077121A JP18089984A JP18089984A JPS6077121A JP S6077121 A JPS6077121 A JP S6077121A JP 18089984 A JP18089984 A JP 18089984A JP 18089984 A JP18089984 A JP 18089984A JP S6077121 A JPS6077121 A JP S6077121A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
polymorph
silica
reaction medium
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18089984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
ダツク.ジユー.ヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
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Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPS6077121A publication Critical patent/JPS6077121A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はケイ素源が元素状ケイ素である、多結晶性シリ
カ多形体(例えば、シリカライト及びゼオライト)の裏
造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD This invention relates to a process for backing polycrystalline silica polymorphs (eg, silicalites and zeolites) where the silicon source is elemental silicon.

従来技術の説明 シリカライト及び結晶性アルミノシリケイトの製造のた
めに最もしばしば使用されるケイ素源のひとつは通常コ
ロイド状シリカの30チ水性グルの形でのシリカである
。このようなケイ素源についての代表的開示は1977
年12月6日に許可された米国特許第4,061,72
4号であシ、そこにはアルカリ金属シリケイトのはかに
無定形シリカ、例えばヒユームドシリカ、シリカゾル及
びシリカダルがケイ素源として記載されている。198
1年3月31日に許可された米国特許第4,259,3
06号には、ケイ素源としてケイ酸が開示されている。
Description of the Prior Art One of the most frequently used silicon sources for the production of silicalites and crystalline aluminosilicates is silica, usually in the form of colloidal silica aqueous groups. A representative disclosure of such silicon sources is in 1977
U.S. Patent No. 4,061,72, granted December 6,
No. 4, in which amorphous silicas such as alkali metal silicates such as fumed silica, silica sol and silica dal are described as silicon sources. 198
U.S. Patent No. 4,259,3, granted March 31, 1999.
No. 06 discloses silicic acid as a silicon source.

1981年12月23日に公開された英国特許出願第2
,077.709A号には、幾つかの特殊なケイ素源、
例えば粉末の固体シリカ及び溶解されたシリカが挙げら
れている。
UK Patent Application No. 2 published on 23 December 1981
, 077.709A, some special silicon sources,
Mention may be made, for example, of powdered solid silica and dissolved silica.

そこにはまたゴム用補強顔料中に使用し得るブレイドの
エーロゾルシリカ、及びアルカリ金属水酸化物または第
四級アンモニア水酸化物中にシリカを溶解することによ
シ作られた水ガンスジリカ及びシリケイ・トがケイ素源
として記載されている。ケイ素源としての有機ケイ素化
合物を使用することは、チタン化合物との組合せ(19
81年9月16日公開の英国特許出願第2.071,0
71A号)、アルミニウム化合物との組合せ(1981
年9月18日公告のフランス特許第2,478,063
号)、ゲルマニウム化合物との組合せ(1980年1月
3日公開の英国特許出願第2.023,562A号)、
及び鉄及びクロム化合物との組合せ(1980年8月8
日公開の欧州特許出願第0014059号)に記載され
ている。
There are also braided aerosol silicas that can be used in reinforcing pigments for rubber, and water gun silicas and silicas made by dissolving silicas in alkali metal hydroxides or quaternary ammonia hydroxides. is listed as a silicon source. The use of organosilicon compounds as silicon sources can be combined with titanium compounds (19
UK Patent Application No. 2.071,0 published September 16, 1981
No. 71A), combination with aluminum compound (1981
French Patent No. 2,478,063 published on September 18th
), in combination with germanium compounds (UK Patent Application No. 2.023,562A, published 3 January 1980);
and combinations with iron and chromium compounds (August 8, 1980)
European Patent Application No. 0014059 published in Japan).

発明の概要 本発明はシリカライト及びゼオライトと呼ばれるような
ものを含むシリカ多形体の改良された製造方法に関し、
この方法は塩基性条件下で水性反応謀質中に元素状ケイ
素の形でケイ素を、通常はテンブレイト化合物と一緒に
導入し、次にこの媒質を、例えば100〜300℃の温
度範囲で及び少なくとも7.1の声で、加熱することを
含む。好ましい具体例においては、元紫状ケイ素は約2
000ミクロン以下、好ましくは約350ミクロン以下
の平均粒径を有する粉末である。他の元素、例えばアル
ミニウム、を元素状ケイ素と共に導入して多形体中に含
有させることもできる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an improved method for producing silica polymorphs, including those referred to as silicalites and zeolites.
This process involves introducing silicon in the form of elemental silicon into an aqueous reaction mixture under basic conditions, usually together with a tembrate compound, and then controlling this medium at a temperature range of e.g. 7.1 voice, including heating. In a preferred embodiment, the original violet silicon is about 2
The powder has an average particle size of less than 1,000 microns, preferably less than about 350 microns. Other elements, such as aluminum, can also be introduced together with elemental silicon to be included in the polymorph.

3、発明の詳細な説明 ここで使用したシリカ多形体の用語は本質的に1001
シリカからなる多形体のほか、ケイ素以外の元素を約5
0俤まで含む多形体をも包含する。かかる元素の例とし
てはアルミニウム、ホウ素、鉄、クロム、亜鉛、ガリウ
ム、リン及びヒ素があり、これらを単独でまたは組合せ
て使用できる。従来の技術によってシリカ多形体に添加
された元素は元素状ケイ素と共に導入できる。多形体に
導入されるべき元素が本反応に使用される条件下で反応
性であるか若しくは反応性になる場合には、それらはケ
イ素と同じ形で添加されうる。本方法においてケイ素と
他の元素が反応する時に形成される水素ガスを処理する
ための設備がなされるべきである。
3. Detailed Description of the Invention The term silica polymorph used herein is essentially 1001
In addition to polymorphic forms consisting of silica, about 5
It also includes polymorphs up to 0. Examples of such elements include aluminum, boron, iron, chromium, zinc, gallium, phosphorus and arsenic, which may be used alone or in combination. Elements added to the silica polymorph by conventional techniques can be introduced along with elemental silicon. If the elements to be introduced into the polymorph are or become reactive under the conditions used for the reaction, they can be added in the same form as silicon. Provisions should be made to treat the hydrogen gas formed when silicon and other elements react in this process.

1972年11月14日に許可された米国特許M3,7
.02,886号、1973年lO月30日に許可され
た米国特許第3,769,386号、1977年5月1
0日に許可された米国特許第4,022,714号及び
1978年10月17日に許可された米国特許第4,1
20,910号に記載されたような、ケイ素以外の元素
を含有する結晶性ゼオライトを含む広範囲の多形体の製
造にケイ素を使用できる。
US Patent M3,7, granted November 14, 1972
.. No. 02,886, U.S. Pat. No. 3,769,386, granted May 30, 1973, May 1, 1977.
No. 4,022,714, granted on October 0, 1978 and US Pat. No. 4,1, granted on October 17, 1978.
Silicon can be used to make a wide range of polymorphs, including crystalline zeolites containing elements other than silicon, such as those described in US Pat. No. 20,910.

1981年3月31日に許可された米国特許第4.25
9,306号及び1982年11月2日に許可された米
国特許第4,357,233号に記載されたよりなゼオ
ライトも製造できる。1981年8月11日に許可され
た米国特許第4,283,306号、1977年12月
6日に許可された米国特許第4,061,724号及び
1976年3月2日に許可された米国特許第3,941
,871号に記載されたような結晶性シリカ多形体: 
1981年8月25日に許可された米国特許第4,28
5,919号に記載されたようなポロシリケイト;及び
1980年2月7日に公開された丙独特許出願第2,8
31,611号に記載されたような鉄シリケイトもまた
本発明に従って製造できる。他のシリカ多形体は当業者
にとって明白であろう。
U.S. Patent No. 4.25, granted March 31, 1981
No. 9,306 and US Pat. No. 4,357,233, granted Nov. 2, 1982, can also be produced. No. 4,283,306, granted August 11, 1981; US Pat. No. 4,061,724, granted December 6, 1977; and US Pat. No. 4,061,724, granted March 2, 1976. U.S. Patent No. 3,941
, 871:
U.S. Patent No. 4,28, granted August 25, 1981
Porosilicate as described in No. 5,919; and German Patent Application No. 2,8 published on February 7, 1980
Iron silicates such as those described in No. 31,611 can also be made according to the present invention. Other silica polymorphs will be apparent to those skilled in the art.

本方法は水、元素状ケイ素、通常はテンプレイト化合物
及び、所望によシ界面活性剤及び/または分散剤を含む
反応混合物を、少なくとも7゜1、好ましくは9.5〜
13.8の@囲及び更に好ましくは10.5〜13,8
の範囲の声で水熱条件下で加熱する工程を含む。ケイ素
は無定形、多結晶及び単結晶ケイ素を含む広範囲な源か
ら粉末、ウェハー、ロッドまたはペレツトの形で得られ
る。細分の程度、例えば粉末とペレット、は反応速度に
著しく影響する。シリカの炭素還元により製造されたケ
イ素が別の満足すべきケイ素源である。最も望ましいケ
イ素源は牛導体製造における別物質である。高純度のケ
イ素粉末は高純度のシリカ多形体の製造に使用できる。
The method comprises preparing a reaction mixture comprising water, elemental silicon, usually a template compound, and optionally a surfactant and/or dispersant at a temperature of at least 7°1, preferably between 9.5° and
@ range of 13.8 and more preferably 10.5 to 13,8
heating under hydrothermal conditions at temperatures in the range of . Silicon is obtained from a wide variety of sources including amorphous, polycrystalline and single crystal silicon in powder, wafer, rod or pellet form. The degree of subdivision, eg powder vs. pellets, significantly influences the reaction rate. Silicon produced by carbon reduction of silica is another satisfactory silicon source. The most desirable silicon source is a separate material in the manufacture of conductors. High purity silicon powder can be used to produce high purity silica polymorphs.

ケイ素の合金、例えばケイ素−アルミニウム合金及びケ
イ素−鉄合金も好適なケイ素源である。
Alloys of silicon, such as silicon-aluminum alloys and silicon-iron alloys, are also suitable silicon sources.

反応時間及び温度は重要ではなく、高められた温度での
十分な時間によってケイ素の反応及び結晶性シリカ多形
体の形成がなされる限り、従来技術において使用された
これらの条件と類似であシえる。通常、反応温度は10
0〜300℃で変化しえ−るが、140〜200℃に維
持するのが好ましい。反応時間は実用的な長でよいが、
30〜300時間をこえないことが好ましい。本方法を
連続的に実施することが好ましく、それによって実質的
な反応#′蘭の短縮がなされる。液体から反応生成物を
、例えばろ過によシ分離した後、好ましくはこれを洗浄
し、公知の技術によって乾燥する。
Reaction time and temperature are not critical and can be similar to those conditions used in the prior art, as long as sufficient time at elevated temperature allows reaction of the silicon and formation of crystalline silica polymorphs. . Usually the reaction temperature is 10
Although it can vary between 0 and 300°C, it is preferably maintained between 140 and 200°C. The reaction time can be as long as practical, but
It is preferable not to exceed 30 to 300 hours. It is preferred to carry out the process continuously, thereby resulting in a substantial reduction in reaction #'. After separating the reaction product from the liquid, for example by filtration, it is preferably washed and dried by known techniques.

多形体の製造のためにテンプレイトが必要な場合、多数
の化合物が好適である。非常に純粋なシリカ多形体の製
造を希望するならば、アルカリ金属を除いてテンプレイ
トは本質的に金属金倉んではならない。好適々テンプレ
イトは次の式で定義されるアルカリアンモニウムカチオ
ンを本質的に含有するかまfcI/′iこれからなって
式中、R基は同一または異たるもので、1〜6炭素原子
を含むアルキル基である。好ましくはRはメチル、エチ
ル、n−プロピル、n−ブチル及びこれらの異性体、及
びこれらの混合物である。使用でき且つ好ましいアニオ
ンは水酸基及びハロゲン、例えば塩素である。具体的化
合物としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びこれ
ら水酸化物に対応する塩、特にクロライド、アイオダイ
ド及ヒクロミド、例えばテトラプロビルアンモニウムグ
ロミド、がある。第四級カチオンはそれ自体反応混合物
に供給でき、またはその場で形成させることもできる。
If a template is required for the production of polymorphs, a number of compounds are suitable. If it is desired to produce very pure silica polymorphs, the template must be essentially free of metals, except for alkali metals. Preferably, the template consists of an alkali ammonium cation essentially containing an alkali ammonium cation defined by the following formula, in which the R groups are the same or different and are alkyl groups containing from 1 to 6 carbon atoms. It is the basis. Preferably R is methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl and their isomers, and mixtures thereof. Possible and preferred anions are hydroxyl and halogens, such as chlorine. Specific compounds include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, and salts corresponding to these hydroxides, in particular chloride, iodide and hyclamide, such as tetraprobil. There is ammonium gromide. The quaternary cation can be fed as such to the reaction mixture or can be formed in situ.

その他のテンプレイトはアルキルアミン、アルコールア
ミン、モノヒドロキシアルキレントリアルキルアンモニ
ウムハライド、アルカリ及びアンモニウムアルキルスル
ホネイト、ア七ドアミド、ペンタエリトリット、ペンノ
ルトリメチルアンモニウムのような錯イオン、有機ジオ
ール及び有機カルボン酸を含む。
Other templates include alkyl amines, alcohol amines, monohydroxyalkylene realkylammonium halides, alkali and ammonium alkyl sulfonates, complex ions such as a7doamide, pentaerythritol, pennortrimethylammonium, organic diols and organic carboxylic acids. including.

別のテンプレイトは、上記式中の窒素原子をリン原子で
置換し良化合物、及びエチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミンのような式NH2(CH2)nN上2、式中
n = 2〜12、を有するジアミンがある。更に、そ
の他のテンプレイト化5合物は当業者に自明であろう。
Another template is a compound in which the nitrogen atom in the above formula is replaced by a phosphorus atom, and a diamine having the formula NH2(CH2)nN, where n = 2 to 12, such as ethylenediamine, hexamethylenediamine. There is. Additionally, other templated compounds will be apparent to those skilled in the art.

反応媒質の塩基性度は幾つかの方法により制御できる。The basicity of the reaction medium can be controlled in several ways.

テンプレイトまたはアルキルアンモニウムハライド若し
くはジアミン、例えばヘキサメチレンツアミンと組合せ
たテンプレイトは塩基性全付与する。水酸化アンモニウ
ム及びアルキルアンモニウムハライドも可能な組合せで
ある。アルカリ金属水酸化物も塩基性付与のために使用
できるか、前記の塩基と異なシ残留アルカリ金属を多形
体から除去するための付加的工程が必要となるので好ま
しくない。
Template or template in combination with an alkyl ammonium halide or diamine, such as hexamethylenezamine, imparts basicity. Ammonium hydroxide and alkylammonium halides are also possible combinations. Alkali metal hydroxides can also be used to impart basicity, but are not preferred since additional steps are required to remove residual alkali metals from the polymorphs, which are different from the bases mentioned above.

分散剤を本方法に使用できる。シリカ多形体の望ましい
性質を減じない程度までは反応に関係しない分散剤が好
ましい。1〜6炭素原子のアルコールが全く好適である
。かかるアルコールの例としては、メタノール、エタノ
ール、n−グロパノール、n−ブタノール、n−ペンタ
ノール、n−へギザノール及びこれらの異性体がある。
Dispersants can be used in this method. Dispersants that do not participate in the reaction are preferred to the extent that they do not reduce the desired properties of the silica polymorph. Alcohols of 1 to 6 carbon atoms are quite suitable. Examples of such alcohols are methanol, ethanol, n-glopanol, n-butanol, n-pentanol, n-hegizanol and their isomers.

その他の分散剤も当業者にとって自明であろう。エトキ
シル化アルコール、Iリオキシエチレントリデシルエー
テル、Iリエチレングリコールジラウレイト及びオクチ
ルフェノキシポリエトキシエタノールのような界面活性
剤も反応を促進するために反応混合物の2〜10重量−
の濃度で使用できる。その他の界面活性剤は当業者に自
明であろう。
Other dispersants will be apparent to those skilled in the art. Surfactants such as ethoxylated alcohols, I-lyoxyethylene tridecyl ether, I-lyethylene glycol dilaurate, and octylphenoxypolyethoxyethanol are also used at 2-10% by weight of the reaction mixture to promote the reaction.
Can be used at concentrations of Other surfactants will be apparent to those skilled in the art.

反応体の相対的割合は極めて広範Jで変化しうるが、ケ
イ!(81)、テンプレイト化合物(T5、水(H2O
)及び、任意の、界面活性剤(S)、アルコール(A)
及びケイ素以外の元素(E)の相対的愈はモル比で表わ
すと、一般にSi/H20は0.005〜0,25及び
好ましくは0.01〜o、os ;T/S iは0.O
1〜10及び好ましくは0.1〜1;A/)(2oは0
〜5及び好ましくは0.02〜1:]1%S iはO〜
1 ; S/’H20は0〜0.15及び好ましくは0
.0001〜0.001である。ケイ素、テンプレイト
及びアルコールの混合物は本発明の範囲内である。高イ
オン強度の系中で起る時期尚早な固体形成は当分野に公
知の方法で、例えば希釈によシ最少限にできる。
Although the relative proportions of the reactants can vary over a very wide range, K! (81), template compound (T5, water (H2O
) and any surfactant (S), alcohol (A)
When expressed as a molar ratio, the relative capacity of elements (E) other than silicon is generally Si/H20 of 0.005 to 0.25 and preferably 0.01 to o, os; T/S i of 0. O
1 to 10 and preferably 0.1 to 1; A/) (2o is 0
~5 and preferably 0.02~1:] 1% Si is O~
1; S/'H20 is 0 to 0.15 and preferably 0
.. 0001 to 0.001. Mixtures of silicon, template and alcohol are within the scope of this invention. Premature solid formation that occurs in high ionic strength systems can be minimized by methods known in the art, such as by dilution.

第1表に要約した下記実施例は木兄FJAを説明スルタ
メノモので、これを限定するものではない。別に表示し
ない限シ部及びパーセントは重量に基づく。以下の略記
を実施例の衣中で使用した: TENQH−テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド−4oチ水溶液 TPNBr =テトラプロビルアンモニウムグロミド TPNCl =テトラノロビルアンモニウムクロライド TPNOH= f ) 77’ロビルアンモニウムハイ
ドロオキサイド−40チ水溶液 I(MD 、=ヘキサメチレンジアミンー85%水溶液 TMNOH= f ) ラ)チルア/モニウムハイドロ
オキザイド−25チ水溶液 ETOH=エタノール MEOH=メタノール NA =分析せず 実施例1〜17 表示した反応体を25℃で激しく攪拌してスラリーを作
った。水溶液に添加されるテンプレイトのためにその溶
液重量ft記録する。得られたスラリーを攪拌器及び加
熱ジャケットを備え圧力制御できるオートクレイプ中で
処理した。
The following examples, summarized in Table 1, are illustrative of the FJA and are not intended to be limiting. Parts and percentages are by weight unless otherwise indicated. The following abbreviations were used in the example batters: TENQH - Tetraethylammonium hydroxide - 4O t aqueous solution TPNBr = Tetraprobylammonium gromide TPNCl = Tetranolobyl ammonium chloride TPNOH = f ) 77' Lobylammonium hydroxide - 40% aqueous solution I (MD, = hexamethylene diamine - 85% aqueous solution TMNOH = f) A) Chilua/monium hydroxide - 25% aqueous solution ETOH = ethanol MEOH = methanol NA = not analyzed Examples 1-17 Reactions shown The body was stirred vigorously at 25°C to form a slurry. For template added to an aqueous solution, record the solution weight in ft. The resulting slurry was processed in an autoclave equipped with a stirrer and a heating jacket and capable of controlling pressure.

実施例1.2,3,7,8,12.14及び17では3
16ステンレス鋼製、実施例4,5.1011.13及
び16ではハステロイnHN実施例6ではハステロイC
M及び実施例15ではチタン製のオートクレイffそれ
ぞれ使用した。
In Examples 1.2, 3, 7, 8, 12.14 and 17, 3
16 stainless steel, Hastelloy nHN for Examples 4, 5.1011.13 and 16, Hastelloy C for Example 6
In M and Example 15, autoclay FF made of titanium was used.

オートクレイff密閉し、攪拌(約100〜200 r
pm ) L、、ながら内容物の温度をゆりく9160
℃に上昇させ、圧力が37.4atmを越えることを防
ぐために排気する場合を除いて光示した時間だけ攪拌し
ながら160℃に保持した。
Close the autoclay and stir (approximately 100 to 200 r
pm) L,, slowly adjust the temperature of the contents to 9160.
The temperature was raised to 160° C. and maintained at 160° C. with stirring for the time indicated except when evacuated to prevent the pressure from exceeding 37.4 atm.

実施例9では、各物質をテフロン製のビンに充填し、こ
のビンをオートクレイプ中に入れ、反応の間ビンの内容
物を攪拌しなかつた。
In Example 9, each material was filled into Teflon bottles, the bottles were placed in an autoclave, and the contents of the bottles were not agitated during the reaction.

固形の結晶性生成物をろ過して回収し、固形物の容積と
同容積の水で3回洗浄し1、蜜素雰囲気中で95℃で乾
燥した。サンプルを採シ、これを5℃/分の割合で昇温
しながら空気中にて25〜550℃で加熱し、空気中で
約550℃に約4時間保持し、このサンプルについてX
線回折パターンをめた。X@回折の測定はシンチレーシ
ョンカウンター及び厚さ3s+mの照射すれた12.5
瓢サンプルを含む補償スリットを具備したPh1lli
piデイフラクトメーター上で、40 kevN 40
 mAでのCuka放射線を用いて行なった。/母ター
ンは第夏表に参照記号を挙げ、第■〜X■に示した。焼
成生成物は実施例16及び17でアルミニウム、及び鉄
及びホウ素について各々分析した。
The solid crystalline product was collected by filtration, washed three times with the same volume of water as the solid, and dried at 95° C. in a honey atmosphere. A sample was taken, heated at 25 to 550°C in air while increasing the temperature at a rate of 5°C/min, and held at about 550°C in air for about 4 hours.
Obtained a line diffraction pattern. X@diffraction measurements were performed using a scintillation counter and an irradiated 12.5 meter with a thickness of 3 s + m.
Ph1lli equipped with compensation slit containing gourd sample
On the pi diffractometer, 40 kevN 40
It was performed using Cuka radiation at mA. /Mother turns are listed in the summer table with reference symbols, and are shown in numbers ■ to X■. The calcined products were analyzed for aluminum and iron and boron in Examples 16 and 17, respectively.

実施例18 元素状ケイ素及び310gの水からなる混合物を還流コ
ンデンサー全備えたガラス容器中で攪拌しながら加熱し
た。容器内容物の温度が′72℃に達した時、110g
の水中の水酸化ナトリウム及びテトラプロピルアンモニ
ウムクロライドの溶液を3時間かけて温度72℃に保持
しながら添加した。次に温度′f、90℃に上昇させ、
その温度で16時間保持した。容器内容物をオートクレ
イプ(316s8 )に移し、実施例1〜17と同様に
処理した。結果を第1表に要約した。
Example 18 A mixture of elemental silicon and 310 g of water was heated with stirring in a glass vessel complete with a reflux condenser. When the temperature of the contents of the container reaches '72℃, 110g
A solution of sodium hydroxide and tetrapropylammonium chloride in water was added over 3 hours while maintaining the temperature at 72°C. Next, the temperature 'f was raised to 90°C,
It was held at that temperature for 16 hours. The contents of the container were transferred to an autoclave (316s8) and processed as in Examples 1-17. The results are summarized in Table 1.

実施例19 元素状ケイ素、テトラプロピルアンモニウムプロミド及
び水(385Iりの混合物を還流コンデンサーを備えた
ガラス容器中で攪拌しながら加熱した。内容物温度が8
3℃に達した時、水酸化ナトリウム溶液を30分間で添
加し、次に内容物温度を99℃に上昇し、この温度で1
9時間保持した。内容物をオートクレイプ(3168B
)に移し、実施例1〜17と同様に処理した。結果を第
1表に要約した・ 本発明によシ製造された生成物は、異なる方法で製造さ
れた類似組成の多形体と実質的に同一方法で使用され得
る。多形体を含む種々の形でのケイ素の用途としては、
アルキル化用、水添分解用及びメチル化用などの触媒、
乾燥用吸着剤、モレキュラーシーツ及びイオン交換があ
るO 133 10 54 l1 196 10 53 102 385 55 ■ 292 1.069 NA ■ 96 343 135 118 447 67 ’lX 101 484 60 105 1.208 50 X 100 2.122 10 86 1.31(チ) NA 142 1.10(チ)49′X1 181 14 120 1[[ 25030NA IV loo 1 60 I 180 14 100 I 152 9’ 75 刈 169 26j 92 XI[I 24 NA 53 XI[[ 24NA I3.8 Xm (参照記号) a、平均粒径約9ミクロン b、平均粒径約350ミクロン C1平均粒径約300ミクロンのアルミニウム粉末約o
、65gtケイ素粉末と混合d6反反応度180℃ e・ 反応温度190℃ f、平均粒径約27ミクロン g、平均粒径約11ミクロンの鉄粉末約1.0yをケイ
素粉末と混合 り、平均粒径約2ミクロンのポウ素粉末約1.0gをケ
イ素粉末と混合 i、焼成生成物の鉄含有量8,756 ppmj、焼成
生成物のホウ素含有量6,129 ppmk、約509
のPluronic Grid (LIOI +商標)
を界面活性剤として添加 t、平均粒径約88ミクロン m、9.28.17の水酸化ナトリウム添加n、平均粒
径88〜149ミクロン o、409の50チ水酸化物水溶液添加第 ■ 嚢 d(X) 11.20 80 4.27 14 10.08 48 4.10 3 9.77 14 4.02 5 9.02 1 3.86 100 8.05 <1 3.82 64 7.47 1 3.76 39 6.72 7 3.72 50 6.39 13 3.66 29 6.02 19 3.50 5 5.74 9 3.45 11 5.57 10 3.36 10 5.38 3 3.32 14 5.16 2 3.26 4 5.01 7 3.15 3 4.89 <1 3.05 12 4.63 6 3.00 18 4.37 8 2.95 7 第 ■ 表 11.24 90 4.10 3 10.04 49 4.02 6 9.76 15 3.87 100 9.06 .1 3.83 62 8.10 <1 3.72 58 7.48 1 3.65 21 6.72 9 3.50 6 6.39 15 3.45 11 6.03 18 3.40 4 5.75 9 3.36 9 5.58 13 3.31 15 5.38 4 3.26 5 5.16 2 3.18 3 5.05 6 3.15 3 4.99 8 3.06 10 4.63 6 3.00 22 4.3B 9 2.96 11 4.28 13 第 ■ 表 11.08 5 2.90 6 6.78 27 2.69 4 5.79 79 2.57 1 5.55 60 2.51 13 4.80 29 2.42 <1 4.41 28 2.36 15 4.30 3 2.27 22 3.93 37 2.23 14 3.71 92 2.16 5 3.40 43 2.12 3 3.26 100 2.00 <1 3.21 16 2・02 2 3.05 13 1.97 4 2.94 11 1.94 9 第 V 表 11.73 29 3.07 2 10.18 8 2.86 14 7.12 3 2.74 2 6.10 4 2.69 2 5.85 9 2.62 2 5.26 (12,48(1 4,92<1 2.43 2 4.20 100 2.38 3 3.90 70 2.34 4 3.63 <1 2.23 2 3.46 (12,15<1 3.37 2 2.10 6 3.16 (12,064 第 ■ 表 11.08 67 4.35 7 9.92 42 3.83 100 7.42 1 3.70 44 6.67 5 3.47 3 6.34 4 3.33 8 5.97 15 3.16 1 5.56 10 3.04 5 5.34 2 2.97 14 4.99 6 2.85 1 4.60 2 2.77 <1 第1表 11.15 81 4.26 14 1−0.02 51 4.08 3 9.70 12 4.01 6 9.00 1 3.86 100 8.05 (13,8282 7,4513,7543 7,12(13,7258 6,7163,6539 6,37133,496 6,00183,4412 5,71113,405 5,57153,3511 g、3s 3 3.31 14 5.15 2 3.25 5 5.00 7 3.17 3 4.88 (13,144 4,6263,0516 4,4622,9818 4,368 第1表 11.17 1 3.21 8 9.09 2 3.15 3 B、31 3 3.05 13 6.82 9 2.95 13 6.59 4 2.86 1 6.28 6 2.79 3 5.80 47 2.71 2 5.55 46 2.61 <1 5.35 2 2.51 9 4.81 32 2.42 2 4.56 6 2.36 12 4.43 28 2.27 24 4.30 13 2.23 6 4.00 25 2.16 3 3.94 44 2.12 4 3.71 100 2.06 <1 3.58 5 2.02 <1 3.41 45 1.97 3 3.27 71 1.94 4 第 ■ 表 11.64 24 3.07 2 10.05 8 2.85 14 7.11 2 2.72 1 6.05 4 2.62 1 5.82 8 2.52 (1 5,24(12,471 5,02(12,422 4,8712,373 4,191002,344 3,87672,241 3,6142,096 3,4412,063 3,362 MX表 11.11 55 3.85 100 10.03 48 3.71 38 7.47 (13,482 6,7233,349 6,3723,25<1 6.01 13 3.18 <1 5.58 9 3.06 6 5.02 6 2.99 13 4.60 2 2.86 1 4.36 5 2.80 <1 4.25 2 第X表 11.12 59 4.36 7 9.99 33 4.26 12 9、.73 11 4.08 3 9.03 1 4.01 6 8.06 (13,86100 7,46(1,3,8267 7,14<1 3.75 36 6.71 5 3.72 50 6.36 10 3.65 32 6.01 12 3.49 6 5.72 8 3.44 11 5.58 11 3.35 10 5.37 2 3.31 12 5.1? 1 3.25 5 5.04 5 3.18 3 4.99 6 3.14 4 4.86 (13,0612 4,6252,9814 d(ス) 相対強度 d(X) ユニ!!11.10 
82 4.08 3 9.97 53 4.01 6 8.95 1 3.86 100 8.12 (13,8174 7,43(13,7541 6,6973,7263 6,35153,642B 5.97 20 3.49 6 5.70 11 3.44 14 5.56 14 3.35 11 5.36 4 3.31 16 5.13 3 3.24 5 4.99 9 3.17 3 4.61 6 3.13 3 4.36 10 3.04 13 4.25 15 2.98 25 第履表 11.21 100 4.0S 10.06 61 4.0] 9.75 18 3.87 9.04 1 3.82 8.09 (13,72 7,4723,66 6,7193,63 6,36163,60 6,00233,49 5,71123,44 5,58153,35 5,3733,31 5,1623,26 5,04B 3.19 4.99 10 3.14 4.89 1 3.05 4.61 7 2.99 4.36 10 2.96 4.26 15 相対強度 00 6 5 4 2 3 6 1 6 4
Example 19 A mixture of elemental silicon, tetrapropylammonium bromide and water (385I) was heated with stirring in a glass vessel equipped with a reflux condenser.
When 3°C was reached, sodium hydroxide solution was added over 30 minutes, then the contents temperature was increased to 99°C and at this temperature 1
It was held for 9 hours. Autoclave the contents (3168B
) and treated in the same manner as in Examples 1-17. The results are summarized in Table 1. The products made according to the invention can be used in substantially the same way as polymorphs of similar composition made by different methods. Applications of silicon in various forms including polymorphs include:
Catalysts for alkylation, hydrogenolysis, methylation, etc.
With drying adsorbent, molecular sheet and ion exchange O 133 10 54 l1 196 10 53 102 385 55 ■ 292 1.069 NA ■ 96 343 135 118 447 67 'lX 101 484 60 105 1.208 50 X 100 2. 122 10 86 1.31 (ch) NA 142 1.10 (ch) 49' A 53 XI[[24NA I3.8
, mixed with 65gt silicon powder d6 reaction degree 180℃ e・reaction temperature 190℃ f, average particle size of about 27μm g, average particle size of about 11μm iron powder mixed with silicon powder, average particle size About 1.0 g of boron powder with a diameter of about 2 microns is mixed with silicon powder, iron content of the fired product is 8,756 ppmj, boron content of the fired product is 6,129 ppmk, about 509
Pluronic Grid (LIOI + Trademark)
was added as a surfactant, average particle size was approximately 88 microns, sodium hydroxide was added to 9.28.17, average particle size was 88 to 149 microns, and 409 was added to an aqueous solution of 50 hydroxide. (X) 11.20 80 4.27 14 10.08 48 4.10 3 9.77 14 4.02 5 9.02 1 3.86 100 8.05 <1 3.82 64 7.47 1 3. 76 39 6.72 7 3.72 50 6.39 13 3.66 29 6.02 19 3.50 5 5.74 9 3.45 11 5.57 10 3.36 10 5.38 3 3.32 14 5.16 2 3.26 4 5.01 7 3.15 3 4.89 <1 3.05 12 4.63 6 3.00 18 4.37 8 2.95 7 ■Table 11.24 90 4. 10 3 10.04 49 4.02 6 9.76 15 3.87 100 9.06 . 1 3.83 62 8.10 <1 3.72 58 7.48 1 3.65 21 6.72 9 3.50 6 6.39 15 3.45 11 6.03 18 3.40 4 5.75 9 3.36 9 5.58 13 3.31 15 5.38 4 3.26 5 5.16 2 3.18 3 5.05 6 3.15 3 4.99 8 3.06 10 4.63 6 3. 00 22 4.3B 9 2.96 11 4.28 13 No. ■ Table 11.08 5 2.90 6 6.78 27 2.69 4 5.79 79 2.57 1 5.55 60 2.51 13 4 .80 29 2.42 <1 4.41 28 2.36 15 4.30 3 2.27 22 3.93 37 2.23 14 3.71 92 2.16 5 3.40 43 2.12 3 3. 26 100 2.00 <1 3.21 16 2.02 2 3.05 13 1.97 4 2.94 11 1.94 9 Chapter V Table 11.73 29 3.07 2 10.18 8 2.86 14 7.12 3 2.74 2 6.10 4 2.69 2 5.85 9 2.62 2 5.26 (12,48(1 4,92<1 2.43 2 4.20 100 2.38 3 3.90 70 2.34 4 3.63 <1 2.23 2 3.46 (12,15<1 3.37 2 2.10 6 3.16 (12,064) Table 11.08 67 4. 35 7 9.92 42 3.83 100 7.42 1 3.70 44 6.67 5 3.47 3 6.34 4 3.33 8 5.97 15 3.16 1 5.56 10 3.04 5 5.34 2 2.97 14 4.99 6 2.85 1 4.60 2 2.77 <1 Table 1 11.15 81 4.26 14 1-0.02 51 4.08 3 9.70 12 4.01 6 9.00 1 3.86 100 8.05 (13,8282 7,4513,7543 7,12 (13,7258 6,7163,6539 6,37133,496 6,00183,4412 5,71113, 405 5,57153,3511 g, 3s 3 3.31 14 5.15 2 3.25 5 5.00 7 3.17 3 4.88 (13,144 4,6263,0516 4,4622,9818 4,368 Table 1 11.17 1 3.21 8 9.09 2 3.15 3 B, 31 3 3.05 13 6.82 9 2.95 13 6.59 4 2.86 1 6.28 6 2.79 3 5.80 47 2.71 2 5.55 46 2.61 <1 5.35 2 2.51 9 4.81 32 2.42 2 4.56 6 2.36 12 4.43 28 2.27 24 4.30 13 2.23 6 4.00 25 2.16 3 3.94 44 2.12 4 3.71 100 2.06 <1 3.58 5 2.02 <1 3.41 45 1.97 3 3.27 71 1.94 4 Chapter ■ Table 11.64 24 3.07 2 10.05 8 2.85 14 7.11 2 2.72 1 6.05 4 2.62 1 5.82 8 2.52 (1 5,24(12,471 5,02(12,422 4,8712,373 4,191002,344 3,87672,241 3,6142,096 3,4412,063 3,362 MX Table 11.11 55 3.85 100 10.03 48 3.71 38 7.47 (13,482 6,7233,349 6,3723,25<1 6.01 13 3.18 <1 5.58 9 3.06 6 5. 02 6 2.99 13 4.60 2 2.86 1 4.36 5 2.80 <1 4.25 2 Table X 11.12 59 4.36 7 9.99 33 4.26 12 9,. 73 11 4.08 3 9.03 1 4.01 6 8.06 (13,86100 7,46 (1,3,8267 7,14<1 3.75 36 6.71 5 3.72 50 6.36 10 3.65 32 6.01 12 3.49 6 5.72 8 3.44 11 5.58 11 3.35 10 5.37 2 3.31 12 5.1? 1 3.25 5 5.04 5 3.18 3 4.99 6 3.14 4 4.86 (13,0612 4,6252,9814 d(S) Relative strength d(X) Uni!!11.10
82 4.08 3 9.97 53 4.01 6 8.95 1 3.86 100 8.12 (13,8174 7,43 (13,7541 6,6973,7263 6,35153,642B 5.97 20 3 .49 6 5.70 11 3.44 14 5.56 14 3.35 11 5.36 4 3.31 16 5.13 3 3.24 5 4.99 9 3.17 3 4.61 6 3.13 3 4.36 10 3.04 13 4.25 15 2.98 25 No. 11.21 100 4.0S 10.06 61 4.0] 9.75 18 3.87 9.04 1 3.82 8 .09 (13,72 7,4723,66 6,7193,63 6,36163,60 6,00233,49 5,71123,44 5,58153,35 5,3733,31 5,1623,26 5,04B 3 .19 4.99 10 3.14 4.89 1 3.05 4.61 7 2.99 4.36 10 2.96 4.26 15 Relative intensity 00 6 5 4 2 3 6 1 6 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、水性反応媒質中に元素状ケイ素とテンプレイト化合
物を導入し、該媒質の−を9.5〜13.8の範囲に維
持しながら100〜300℃の温度にて多形体が形成さ
れるまで加熱することを含む、シリカ多形体の製造方法
。 2、 ケイ素は粒径約2000ミクロン以下の粉末であ
る、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、温度を140〜200℃に保持する、特許請求の範
囲第2項に記載の方法。 4、 ケイ素粉末の粒径が約100ミクロン以下である
、特許請求の範囲第3項に記載の方法。 5、多形体の形成前に、反応媒質中にアルミニウムを特
徴する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 6、多形体の形成前に、反応媒質中にホウ素を特徴する
特許請求の範囲第1項に記載の方法0 7、 多形体の形成前に、反応媒質中に鉄を特徴する特
許請求の範囲第1項に記載の方法。 8、 アルミニウム、ホウ素、鉄及びこれらの混合pを
特徴する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 9、アルミニウムーケイ素合金を特徴する特許請求の範
囲第1項に記載の方法。 10、反応媒質中に非イオン性界面活性剤が存在する、
特許請求の範囲第2項に記載の方法。 11、テンプレイト化合物は式 (式中、Rで表わされる基は同一または異なるものであ
って、1〜6炭素原子のアルキル基から選ばれる。) で定義されるアルキルアンモニウムカチオンから本質的
になる、特許請求の範囲第1項に記載の方法。゛ 12、上記カチオンはテトラシロビルアンモニウム、テ
トラメチルアンモニウム、ナト2ブチルアンそニクム及
びこれらの混合物から選ばれる、特許請求の範囲第11
項に記載の方法。
[Claims] 1. Introducing elemental silicon and a template compound into an aqueous reaction medium at a temperature of 100 to 300°C while maintaining the − of the medium in the range of 9.5 to 13.8. A method of making a silica polymorph comprising heating until the polymorph is formed. 2. The method of claim 1, wherein the silicon is a powder with a particle size of about 2000 microns or less. 3. The method according to claim 2, wherein the temperature is maintained at 140 to 200°C. 4. The method of claim 3, wherein the silicon powder has a particle size of about 100 microns or less. 5. Process according to claim 1, characterized in that aluminum is present in the reaction medium before the formation of the polymorph. 6. The method of claim 1 which features boron in the reaction medium before the formation of the polymorph 7. The method of claim 1 which features iron in the reaction medium before the formation of the polymorph The method described in paragraph 1. 8. The method according to claim 1, characterized in that aluminum, boron, iron and mixtures thereof p. 9. The method according to claim 1, characterized by an aluminum-silicon alloy. 10. A nonionic surfactant is present in the reaction medium;
A method according to claim 2. 11. The template compound consists essentially of an alkylammonium cation defined by the formula (wherein the groups represented by R are the same or different and are selected from alkyl groups of 1 to 6 carbon atoms) , the method according to claim 1. 12. Claim 11, wherein the cation is selected from tetracylobylammonium, tetramethylammonium, natho-2-butylammonium, and mixtures thereof.
The method described in section.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04104155U (en) * 1991-02-15 1992-09-08 日産車体株式会社 fuel insulation device
JP2013177312A (en) * 2005-10-12 2013-09-09 Basf Se Method of producing silicate
JP2013227182A (en) * 2012-03-28 2013-11-07 Admatechs Co Ltd Method for producing colloidal silica and method for producing slurry for cmp

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