JPS60771A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60771A JPS60771A JP58108658A JP10865883A JPS60771A JP S60771 A JPS60771 A JP S60771A JP 58108658 A JP58108658 A JP 58108658A JP 10865883 A JP10865883 A JP 10865883A JP S60771 A JPS60771 A JP S60771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- schottky barrier
- conductivity type
- semiconductor device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はショトキ−バリ°アダイオードのベレット構造
に関するものである。
に関するものである。
現在、半導体装置の組立工程において、リード緋の接続
（（は全自動ボンディング装置を使用することが多い。
（（は全自動ボンディング装置を使用することが多い。
かかる装置を使用する際、ベレットの位置、ボンディン
グする位置をセンサーにて認識する必要がある。本発明
はベレット上の酸化膜による検出マーク′ｆｒ：２値化
像で黒と判定し、位置決定を行う方式の全自動ボンディ
ング装置に適用でき、判定の容易なショットキーバリア
ダイオードを提供することにある。
グする位置をセンサーにて認識する必要がある。本発明
はベレット上の酸化膜による検出マーク′ｆｒ：２値化
像で黒と判定し、位置決定を行う方式の全自動ボンディ
ング装置に適用でき、判定の容易なショットキーバリア
ダイオードを提供することにある。
一般に、ショットキーバリアダイオードはバリア金属が
シリコン基板に直接接触している構造をもつため、酸化
膜による検出マークを利用して全自動ボンディングを行
うことは困難である。
シリコン基板に直接接触している構造をもつため、酸化
膜による検出マークを利用して全自動ボンディングを行
うことは困難である。
本発明の目的は、機械的に検出可能な位置検出マークを
備えた半導体装置を提供することにある。
備えた半導体装置を提供することにある。
本発明によれば、−導電型のショットキーバリア領域内
に他の導電型の領域を備え、この他の導電型の領域上に
はショットキーバリア金属を有しないこと全特徴とする
半導体装置を得る。
に他の導電型の領域を備え、この他の導電型の領域上に
はショットキーバリア金属を有しないこと全特徴とする
半導体装置を得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第１図に示す本発明の一実施例による断面図および第２
図に示す平面図によればｎ 基板１の上にエピタキシャ
ルによシｌΩ・ののｎ ４２ ’に形成した基板全使用
している。この基板にボロン拡散によりＰ＋層を拡散し
、ガードリンク３と検出マーク用Ｐ 層４を同時に拡散
している。基板全表面には酸化膜が成長するかもしくは
新らたに形成されるが、この酸化膜を選択的にエツチン
グし、ショットキバリア形成領域以外に酸化膜層５を残
し、この上にショットキーバリアメタル６を蒸着し、さ
らに電極金属７を蒸着している。式らにベレット周辺お
よび検出マーク用ＰＪＶＪ４の上部金属をエツチング等
により除去して、酸化膜層５を露出している。
図に示す平面図によればｎ 基板１の上にエピタキシャ
ルによシｌΩ・ののｎ ４２ ’に形成した基板全使用
している。この基板にボロン拡散によりＰ＋層を拡散し
、ガードリンク３と検出マーク用Ｐ 層４を同時に拡散
している。基板全表面には酸化膜が成長するかもしくは
新らたに形成されるが、この酸化膜を選択的にエツチン
グし、ショットキバリア形成領域以外に酸化膜層５を残
し、この上にショットキーバリアメタル６を蒸着し、さ
らに電極金属７を蒸着している。式らにベレット周辺お
よび検出マーク用ＰＪＶＪ４の上部金属をエツチング等
により除去して、酸化膜層５を露出している。
この、実施例を上部からみた例が第２図である。
電極金属８の所定部に酸化膜部分５が露出されている。
この実施例では検出マーク用Ｐ 層４はマスク上で直径
１５０μｍの円状であり、酸化膜部分は１２０１１ｍｍ
の円とナッテイル。
１５０μｍの円状であり、酸化膜部分は１２０１１ｍｍ
の円とナッテイル。
本発明によれば、検出マーク用Ｐ 層には酸化膜５が露
出しているので電極金属７とのコント２ストが大きいの
で、機械的に位置検出が十分可能となる。尚、本実施例
では酸化膜５を部分的に露出せしめたが、酸化膜を電極
金属上に部分的に新らたに形成しても良い。
出しているので電極金属７とのコント２ストが大きいの
で、機械的に位置検出が十分可能となる。尚、本実施例
では酸化膜５を部分的に露出せしめたが、酸化膜を電極
金属上に部分的に新らたに形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
＄１図は本発明の一実施例による断面図、第２図はその
平面図である。 １・・・・・・シリコンｎ 基板、２・・・・・・エピ
タキシャルｎｌ−１３・・・・・・Ｐ ガードリング、
４・・・・・・戸検出マーク、訃・・・・・酸化８層、
６・・・・・・ショットキーバリア金属。 ゝ−・
平面図である。 １・・・・・・シリコンｎ 基板、２・・・・・・エピ
タキシャルｎｌ−１３・・・・・・Ｐ ガードリング、
４・・・・・・戸検出マーク、訃・・・・・酸化８層、
６・・・・・・ショットキーバリア金属。 ゝ−・
Claims (1)
- 一導電型のショットキーバリア領域内部の所定部に他の
導電型の領域を・汀し、この他の導電型の領域上に酸化
膜を露出せしめることにより、該露出酸化膜部分′ｆｃ
位置検出マークとしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108658A JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108658A JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60771A true JPS60771A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14490386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108658A Pending JPS60771A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057026A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58108658A patent/JPS60771A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057026A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置 |
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