JPS6077421A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS6077421A JPS6077421A JP58186150A JP18615083A JPS6077421A JP S6077421 A JPS6077421 A JP S6077421A JP 58186150 A JP58186150 A JP 58186150A JP 18615083 A JP18615083 A JP 18615083A JP S6077421 A JPS6077421 A JP S6077421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- pattern
- mask
- pattern image
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はフォトリソグラフィ技術に於ける一括露光法に
係り、特にマスク又はレチクルに形成される位置合せ用
のパターン形状に関する。
係り、特にマスク又はレチクルに形成される位置合せ用
のパターン形状に関する。
（ｂ） 技術の背景
微細加工技術の発展に伴い超ＬＳＩ分野では、１．２〜
１．５μのケート幅の微細加工が要請されている。従来
のフォトＩ＋ソグラフィ（光旗光）技術では充分な対応
が不可能で高精度化した等倍プロ装置、縮小型プロジェ
クションアライナ等を又互に組合せて転写する混合アラ
イナ方式が用いられる。例えば縮小投影結党装置では通
常１０：１の縮小率でレチクル上のパターンをステップ
アンドリピート（Ｓｔｅｐ ａｎｄ Ｒｅｐｅａｔ）
方式でチップ毎にワンショットづ＼投影露光するため精
密な画像転写がｏＪ能となる反面スルーブツトはかなり
の時間を要する。このため高精度を要するパターン転写
にはこの方式が最適であり、あまり精度を要しないバタ
ーニングにはコンタクトアライナ又は等倍に結像するプ
ロジェクションアライナを用い処理効率を高める混合露
光法が一般的に用いられる。何れの方法もマスク又はレ
チクル上に精密描画した微細パターンをウェハ上に転写
するため位置合せは京４）な課題である。
１．５μのケート幅の微細加工が要請されている。従来
のフォトＩ＋ソグラフィ（光旗光）技術では充分な対応
が不可能で高精度化した等倍プロ装置、縮小型プロジェ
クションアライナ等を又互に組合せて転写する混合アラ
イナ方式が用いられる。例えば縮小投影結党装置では通
常１０：１の縮小率でレチクル上のパターンをステップ
アンドリピート（Ｓｔｅｐ ａｎｄ Ｒｅｐｅａｔ）
方式でチップ毎にワンショットづ＼投影露光するため精
密な画像転写がｏＪ能となる反面スルーブツトはかなり
の時間を要する。このため高精度を要するパターン転写
にはこの方式が最適であり、あまり精度を要しないバタ
ーニングにはコンタクトアライナ又は等倍に結像するプ
ロジェクションアライナを用い処理効率を高める混合露
光法が一般的に用いられる。何れの方法もマスク又はレ
チクル上に精密描画した微細パターンをウェハ上に転写
するため位置合せは京４）な課題である。
（ｅｌ 従来技術と問題点
第１図はマスクと半導体基版とを位置合せする状態を示
すための平面図、第２図は第１図における位置合ゼする
従来のパターン画像を示す拡大図第１図においてマスク
１上に精密描画された微細パターンを基板２に転写する
が、マスク１と基鈑２との位置合セにかなりの精度が要
求される。
すための平面図、第２図は第１図における位置合ゼする
従来のパターン画像を示す拡大図第１図においてマスク
１上に精密描画された微細パターンを基板２に転写する
が、マスク１と基鈑２との位置合セにかなりの精度が要
求される。
し０えば微細Ｎｉ、＠！、を扱って配線層をパターン形
成する場合配線層のパターン幅が１〜２μの微細配線を
行なう等における位置合セは厳しい精度が要求される。
成する場合配線層のパターン幅が１〜２μの微細配線を
行なう等における位置合セは厳しい精度が要求される。
このためスループット向上を計り、位置合せ精度を得る
ために粗い位置合せと、精密な位置合ゼとを組合せた２
ステップ方式は有効である。
ために粗い位置合せと、精密な位置合ゼとを組合せた２
ステップ方式は有効である。
通常粗い位置合せにはマスク１及び基板２の中心及び周
辺部にモニタチップ３を設け、このモニタチップ３に図
示するような特殊なパターン像３′を描画し、このパタ
ーン像を重ね合せる。次いで精密な位置合ゼには左右対
称位置に設けた斜線で示す位置合せ用チップ４に描画し
たパターン画像を重ね合せてマスク１と基板２との位置
合ゼを行ない顕微鏡により精密修正して位置合ゼしたあ
と一括露光により精度の高いパターン転写が可能となる
。第２図は位置合せパターンを重ね合せて精留位置合ゼ
する具体例をかすものでマスク上の位置合ゼ用チップ４
に胴線で示す輪郭図形を描画したパターン画像５と基板
上に設けた位置合上用パターン画像６との位置合セそ行
なう。
辺部にモニタチップ３を設け、このモニタチップ３に図
示するような特殊なパターン像３′を描画し、このパタ
ーン像を重ね合せる。次いで精密な位置合ゼには左右対
称位置に設けた斜線で示す位置合せ用チップ４に描画し
たパターン画像を重ね合せてマスク１と基板２との位置
合ゼを行ない顕微鏡により精密修正して位置合ゼしたあ
と一括露光により精度の高いパターン転写が可能となる
。第２図は位置合せパターンを重ね合せて精留位置合ゼ
する具体例をかすものでマスク上の位置合ゼ用チップ４
に胴線で示す輪郭図形を描画したパターン画像５と基板
上に設けた位置合上用パターン画像６との位置合セそ行
なう。
この場合形成されるパターン画像は同一図形であり、４
ｆｌｉ上のパターン画像６に比しマスク上のパターン画
像を比しマスク上のパターンｌｌＴｉ１像を比例対称的
に小形化し、前述したモニタチップを重ね合せ粗い位置
合せによって図に示すようなパターン画像の屹置図が得
られる。この画像間の位置を顕＃鏡で目視により補正す
るもので即ちパターン画像のエッヂ（マスク側ンから基
板上のパターンまでの距離例えばａ＝ｂ、ｃ＝ｄとｌる
よう修正することにより尚精度の１ＸＬ匝合せがＥ］能
である。
ｆｌｉ上のパターン画像６に比しマスク上のパターン画
像を比しマスク上のパターンｌｌＴｉ１像を比例対称的
に小形化し、前述したモニタチップを重ね合せ粗い位置
合せによって図に示すようなパターン画像の屹置図が得
られる。この画像間の位置を顕＃鏡で目視により補正す
るもので即ちパターン画像のエッヂ（マスク側ンから基
板上のパターンまでの距離例えばａ＝ｂ、ｃ＝ｄとｌる
よう修正することにより尚精度の１ＸＬ匝合せがＥ］能
である。
しかしマスク側に形成するパターン１ｉｌｉｉ像５は基
板上に形成するパターンＩＩｊＩｌ保６の大きさＶＣよ
って規定されることになり汎用性が得られない。例えば
基板背面に分離構造の拡散層を形成し反転して基板主面
を研磨して′ａ極影形成る防霜１体分離構造の電極配線
層のパターン形成では、この位置合せパターンの大きさ
が途中工程の研Ｈにより変化し、マスク側の位置合せパ
ターンでは対応できないことが屡々発生する。間隔が狭
すぎたり開きすぎにより目視誤差を生ずる。或いはｉｔ
、 ｆｚり合りて見かけ上の位１４合せとなり微細修正
が不可能となる。
板上に形成するパターンＩＩｊＩｌ保６の大きさＶＣよ
って規定されることになり汎用性が得られない。例えば
基板背面に分離構造の拡散層を形成し反転して基板主面
を研磨して′ａ極影形成る防霜１体分離構造の電極配線
層のパターン形成では、この位置合せパターンの大きさ
が途中工程の研Ｈにより変化し、マスク側の位置合せパ
ターンでは対応できないことが屡々発生する。間隔が狭
すぎたり開きすぎにより目視誤差を生ずる。或いはｉｔ
、 ｆｚり合りて見かけ上の位１４合せとなり微細修正
が不可能となる。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み汎用性のあるマスク側の位置合
せ用パターンを提供し、基徹上に高精度の回路パターン
を転写ｊｔＪ成さゼることを目的とする。
せ用パターンを提供し、基徹上に高精度の回路パターン
を転写ｊｔＪ成さゼることを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記１的は本発明によれば試料上に転写すべき被転写パ
ターンを有するマスクと該試料とを位置合ゼするための
該マスク側のパターンが異なる大きざのＬ字形を比例対
称的に配した輪郭図形で形成されることによって達せら
れる。
ターンを有するマスクと該試料とを位置合ゼするための
該マスク側のパターンが異なる大きざのＬ字形を比例対
称的に配した輪郭図形で形成されることによって達せら
れる。
（ｆ） 発明の実施例
第３し１は本発明の一実施例である位置合せパターン形
状を示す平面図、第４図は本発明の他の実施例を示す位
置合ゼパターン形状の平面図である。
状を示す平面図、第４図は本発明の他の実施例を示す位
置合ゼパターン形状の平面図である。
笛１傳１ｆ千す ｒろｖｒ ａ ｆＡｔの脳１厘双目税
１２ｔ、馴、固九ら内周に向け゛ζ順次比例又１称的に
縮尺形成し且つ開口させてＬ字形に形成したパターン画
像１１であって、具体的形状は例えば１辺のパターン幅
及びパターン間隔をそれぞれ４μにとり外形を約５０〜
８０μ口とし且つ開口部１３を１０〜２０μとしたもの
である。
１２ｔ、馴、固九ら内周に向け゛ζ順次比例又１称的に
縮尺形成し且つ開口させてＬ字形に形成したパターン画
像１１であって、具体的形状は例えば１辺のパターン幅
及びパターン間隔をそれぞれ４μにとり外形を約５０〜
８０μ口とし且つ開口部１３を１０〜２０μとしたもの
である。
このような形状とすることにより点線で示す異なるパタ
ーンサイズで形Ｉ戊される基板パターン画像１４に対紀
−できることになる。
ーンサイズで形Ｉ戊される基板パターン画像１４に対紀
−できることになる。
即ち顕微鏡による位１ｈ二合セに際し、最適な条件での
パターン相互の選択ができ荀置合セが従来に比し容易と
なり、位置合せ処理の高速化が期待できる。
パターン相互の選択ができ荀置合セが従来に比し容易と
なり、位置合せ処理の高速化が期待できる。
第４図では開口部１５を放射状に形成したパターン画像
１４を示すもので負なり合うパターン部が減少し、位置
合ゼは更に容易となる。
１４を示すもので負なり合うパターン部が減少し、位置
合ゼは更に容易となる。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明に示すマスクの位置合
ゼパターン画像とすることにより基板の位置合ゼパター
ン画像の変化に対応でき汎用性を増すとともに高速位置
合上が可能となり一括露光装置のスールプノト向上に効
果がある。
ゼパターン画像とすることにより基板の位置合ゼパター
ン画像の変化に対応でき汎用性を増すとともに高速位置
合上が可能となり一括露光装置のスールプノト向上に効
果がある。
第１図はマスクと半導体基板とを位置合ゼする状態を示
すための平面図、第２図は第１図における位置合せする
従来のパターン画像を示す拡大図、第３図は本発明の一
実施例である位置合セパターン形状を示す平面図、第４
図は本発明の他の実施例を示す位置合せパターン形状の
平面図である。 図中、１・・・マスク、２・・・・・・半導体基板、３
・・・・・モニタチップ、４・・・・・・位置合ゼ用テ
ップ、５゜１１．１４・・・・・・位置合せ用パターン
画像（マスク側）、６・・・・・・パターンｉ［１ｌｌ
ＩＪ！（基板側）、１２・・・・・・輪郭図形、１３．
１５・・・・・・開口部。
すための平面図、第２図は第１図における位置合せする
従来のパターン画像を示す拡大図、第３図は本発明の一
実施例である位置合セパターン形状を示す平面図、第４
図は本発明の他の実施例を示す位置合せパターン形状の
平面図である。 図中、１・・・マスク、２・・・・・・半導体基板、３
・・・・・モニタチップ、４・・・・・・位置合ゼ用テ
ップ、５゜１１．１４・・・・・・位置合せ用パターン
画像（マスク側）、６・・・・・・パターンｉ［１ｌｌ
ＩＪ！（基板側）、１２・・・・・・輪郭図形、１３．
１５・・・・・・開口部。
Claims (1)
- 試料上に転写すべき被転写パターンを有するマスクと該
試料とを位置合せするための該マスク側のパターンが異
なる大きざのＬ字形を比例対称的に四隅に配した輪郭図
形で形成されていることを特徴とする位置合せパターン
・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186150A JPS6077421A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186150A JPS6077421A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077421A true JPS6077421A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0144009B2 JPH0144009B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=16183252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186150A Granted JPS6077421A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160122A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッドの製造方法 |
| WO1997008588A1 (en) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Micrel, Inc. | Mask structure having offset patterns for alignment |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208722A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置用合せマ−ク |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58186150A patent/JPS6077421A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208722A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置用合せマ−ク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160122A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッドの製造方法 |
| WO1997008588A1 (en) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Micrel, Inc. | Mask structure having offset patterns for alignment |
| US5747200A (en) * | 1995-08-23 | 1998-05-05 | Micrel, Incorporated | Mask structure having offset patterns for alignment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144009B2 (ja) | 1989-09-25 |
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