JPS6077431A - カドミウム水銀テルル化物の製法 - Google Patents

カドミウム水銀テルル化物の製法

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JPS6077431A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カドミウム水銀テルル化物、即ち一般にＣ０
Ｍ、Ｔ、或いはＩｌ＋４．Ｃ，’ｒ、と呼ばれているＣ
ｄｘ）併□、ｃＴｅの製法に関する。
かかる物質は半導体の形で熱影像システム（ｔｈｅｒｍ
ａｌ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ）における赤外線
検出器として用いられる。これ等の検出器は、カットさ
れ次いで電気接点を堆シ付けるべく平らにポリッシング
されたＣ、Ｍ、Ｔ、の小片を幾つか含む。１９６１年１
月２５日付英国勃許第８！’ｉ９，５８８号明細［、（
Ｊ４．Ｔ、検出器の形成法とその応用が記載されている
。
現在Ｃ６Ｍ、Ｔ、１−ｉ全ての赤外検出器に対１２て最
も有用であると考えられ、従って多くの高性能熱影像シ
ステムに用いられている。
Ｃ，Ｍ、Ｔ、は成長、処理が困難な物質であるが、その
−因は揮発性であるからである。
法トエビタキシャル法とに分類出来る。
最も重要な溶融成長法と１−てＬ１密封容器内で水平又
は垂直方向に成長させるブリッジマン（１３ｒｉｄｇｍ
ａｎ　）法と、キャスト急冷アニール法と、キャスト再
結晶アニール法と、いわゆる半融（ｓｂｘｓｈ）法とが
あげられる。これ等の方法は全てパッチ法生成された結
晶は粗な円筒状であり、例えば検出器として使用するた
めの小片とするには、スライシング、ポリッシング、ラ
ッピング、エツチング。
及びダイシング等を必要とする。
一方、半導体をｊ傅造するエピタキシャル法は、基板上
に直接半導体物質の薄層をｌ−ば（、ば数分又は数時間
で生成ｌ−得る場合に限り本来迅速な方法である。Ｇａ
Ａｓ、　ＩｎＰ＋及びＧａＰの様な物質の場合には十分
開発された方法が利用でき、その場合、液相Ｖは伍相Ｔ
程により親半導体の基板上に上記化合物のポモエピクキ
シャル層を成長させていた。
しかｌ−ながら、かかる公知の方法はＣ，Ｍ、Ｔ、の場
合には有効ではない。
（す、下余白） 液体からＣ，Ｍ、　’ｌ’、をエピタキシャル成長させ
る方法ｈｓ　Ｈａｒｍａｎ、　Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃ　Ｍａｔｅｒｌａｌｇ８　（１９７９）　１９１　
；　ＳｃｈｍｉｔとＢｏｗｅｒｓ、　Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔｅｒｓ　３５　（１９７９）　４
５７：　Ｗａｎｇ等、Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、
　Ｓｏｃ、　１２７　（１９８０）　１７５　；Ｂｏｗ
ｅｒｓ等１．　Ｅ、　Ｅ、　Ｅ、　Ｔｒａｎｓ、　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ　１）ｅｖｉｃｅｓＥＤ　２７　（１９８
０）　２４；　”ｖＶａｎｇ＠　１．　Ｅ、　Ｅ、　Ｅ
、　Ｔｒａｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｉ）ｅｖｉｃｅｓＥＤ　２７　（１
９８０）　１５４などに報告されており、この場合、カ
ドミウムテルル化物（ＣｄＴｅ）の基板上にテルル又は
水銀を過剰に含む過飽和溶液からＣ，Ｍ、　Ｔ、層を成
長させることかはしばしば表面欠陥を受け易く、欠陥を
有する層はデ、ｌイス製造には適さなくなる。更に、か
かる方法は組成制仰上に基本的な限定を受け、即ち、Ｃ
ｄＸＨｇ　、−ｘ’ｌ’ｅにおけるＸの値を独立して制
御出来ない。従って、Ｘの値が異なるエピタキシャル層
をイ０るには、Ｔｅ　Ｋ　Ｃ，Ｍ、　Ｔ、を溶解させる
時その組成を変えて用いる必要がある。
Ｃ，Ｍ、　Ｔ、　′ｆＣ成長させるために気相エピタキ
シャル（Ｖ、　Ｐ、　Ｅ、）工程を用いる方法がＶｏｈ
ｌ　＆　Ｗｏｌｆｅ（Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍ
ａｔｅｒｌａｌｇ、　７　（１９７８）　６５９　）に
報告されている。これは、開放成工程を利用し、Ｃ”ｄ
、Ｈｇ及びＦｅの元素源を独立して制御するものである
。しかしながら、この方法はＣ，Ｍ、　Ｔ、を特に重要
なＸの範囲であるｘ＝０゜２〜０．３で生成させるのに
必要な低い蒸着温度でＸの値を適当に制御することが出
来ない。４００℃でれｃｄ及び’ｆｅの蒸気圧が低いた
めＫ、流入蒸気の組成が、蒸気が基板に達する前に、急
激に変化する。基板をエピタキシャルＣ，Ｍ、　Ｔ、成
長に適した温度に保持しても、蒸着チャンバー内の温度
勾配は左程高くないため、基板の上方で起こるＣｄＴｅ
の縮合を防止出来ない。
又、Ｃ，Ｍ、　Ｔ、のエピタキシャル層は、ｃｄ’ｌ’
ｅ基板上にＨｇＴｅ源を近接させ昇華さぜることによシ
、いわゆるクローズスペースドエビタキシー法（Ｃ１ｏ
ｓｅ−５ｐａｃｅｄ　ｅｐｉｔａｘｙ　）によっても、
１１ｇ添加の有無に拘らず得られる。その例として妹、
Ｃｏｈｅｎ−５ｏｌａｌ及びその共同研究者による研究
、Ｔｕｆ　ｔｅ及び５ｔｅｌｚｅｒによる研究で報告さ
れている（　Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ。
４０　（１９６９）　４５５９参照）。
この方法は、基板とエピタキシャル層の間でｃｄとｌＩ
ｇを相互拡散させてＣ，Ｍ、　Ｔ、を生成させる方法で
あるが、これには、層面に垂直方向の組成が均一ではな
いという問題がおる。又、開放流（ｏｐｅｎｆｌｏｗ）
法のように組成を個別に制御することは出来ない。
他のエピタキシャル成長法がＪ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍ。
Ｓｏｃ、、　Ｖｏｌ、　１２８　（１９８１）　Ｐ、　
１１７１に報告されている。
この方法は、マイカ基板上ｒＬＣｄＴｅ＃を蒸着させ、
更にＨｇＴｅ層を設ける。次いでこれをア二一リングし
て相互拡散させ、マイカ上にＣｄ　ｘ　Ｈｇ　トｘＴｅ
の単一層を生成させている。この様にして、Ｘという１
つの値をもつ単一層を成長させることが出来る。幾つか
の応用例では、マイカ基板のためにテ／マイスの性能は
劣化している。
ＧａＡｓのエピタキシャル層をよガリウムアルキル及び
アルシンを用いてＶ、　Ｐ、　Ｅ、にょシうま〈成長さ
せ得る。これは、Ｃｄ、Ｉ（ｇ及びＴｅ元索の３種のア
ルキルを組合わせて用いたＣ、　Ｍ、　Ｔ、成長法はう
まくいかないということが常識となっているＣ、　Ｍ、
　Ｔ、の場合と対照的である。
上記の問題点を克服する１つの方法が英国特許出願第２
．０７８．６９５　Ａ号に開示されている。これはＣｄ
と’ｆｅのアルキル化合物を用いて基板上にＣＭＴを成
長させるものである。基板をＨｇ雰囲気下にした室内Ｖ
こ配置し、ＣｄとＴ　ｅのアルキル化合物を同時に室内
に導入する。室内温度や各層の圧力、及び流量などと独
立に基板温度を制御して、ＣｄｘＨｇ１−ｘＴｅを成長
させている。
この方法は、Ｘの横方向の均一さを制御する時の精度と
いう点で限界がある。これｔユ、検出器のいわゆるスタ
ーリングアレイ（ｓｔａｒｉｎｇ　ａｒｒａｙ　）に用
いるべくさらに大面積のＣＭＴを成長させる必要がある
時に非常に問題になる。
本発明に従うと、成長させながら相互拡散してＣｄＴｅ
の非常ＶＣ薄い層とｌ１ｇＴｅの非常に薄い層を別々に
継続的に成長させ所望のＣｄ　ｘ　Ｉｌｇ　Ｈ−ＸＴｅ
層を与えることにより、上記の問題を克服出来る。各層
をその最適成長条件下で成長させ得る。
本発すＪの三元合金ＣｄＸＪｉｇ、−ｘＴｅ層を基板上
に成長させる方法は、容器の内側に所要の温度並びに圧
力で水銀蒸気界囲気を与えるステップと；容器の温度と
は無関係に基板の温度を制御するステップと；カドミウ
ム化合物、テルル化合物及び希釈ガスを容器内に個別に
供給し、ｌ１ｇＴｅ層を厚さｔｌｉｃ（：ｄ’ｌ’ｅ層
を厚さｔ２に順次（ｉｎ　ｅｉｔｈｅｒ　ｏｒｄｅｒ　
）成長させるステップと；カドミウム化合物の基板への
供給を断続して切シ替えてｃｄ’ｌ’ｅとＨｇＴｅ。
層を成長させるステップと；からなり、ここに２つの層
の合計厚みｔｉ＋ｔ２は０．５μｍ以下であシ、ｃｄ化
合物をＴｅ化合物と共に基板領域で優先的に分解させて
基板上の層としてＣｄＴｅを形成し、またＴｅ化合物は
Ｈｇ蒸気と合して基板上にＩ（ｇＴｅ層を形成し、両層
のＪｌみが成長の間に広がってＸの範囲が０（ｘ（１，
好声しくは０．１ぐｘ＜０．９であるＣｄｘＨｇ１−ｘ
Ｔｅの層を与えるものである。
ＣｄＴｅの成長中のＣｄとＴａ化合物の流量はＨｇＴｅ
の成長中の前記化合物の流■より大きい。カドミウム化
合物は基板上或いは基板から離れた位置にカドミウム化
合物を導くように容器内に供給される。他の態様におい
ては、基板を、希薄ガスとＴｅ＋１１ｇ及び（’ｄを含
むガス流と希薄ガスとＨｇ及びＴｅを含むガス流との間
で移動させても良い。
成長したＣ、　Ｍ、　Ｔ、は単一のエピタキシャル層、
或いは多重層である。かかるＣ、　Ｍ、　Ｔ、の単−或
いは複数の層の組成を選択的（変更させ得る。Ｃ，Ｍ。
Ｔ３層を適切にドープさせても良い。例えば、３〜５μ
ｍ及び８〜１４μｍの波長帯に敏感な検出器が得られる
ように２つの異なる値のＸを持つ２つのＣ，Ｍ、Ｔ、層
を成長させても良い。更に、ＣｄＴｅの不動態層をＣｄ
ＸＨｇ１−ｘＴｏ層上に成長させても良い。
適当な■〜■族化合物又はそれ等を混合した合金を、ペ
テロ接合の形成或いＬ反ｒ防止被膜の形成等に用いるべ
く例えば、ＣｄＴ’ｅｘＳｅ１−ｘ　＋　Ｃｄ　Ｔ　ｅ
　ｒ　Ｚ　ｎ　Ｓの層上に成長させても良い。
成長させた層を好ましくは１０分未満でアニールして、
最後に成長させた層を更に拡散させる。
このアニーリングはＩｌｇ及び希薄ガス流の下で、即ち
、通常はＨｇの大気分圧が０．０５、Ｈ２流量が５００
ｃｃ／ｍｉｎの条件の下で実施される。
Ｘの値は、式 に従ってＣｄＴｅ層とＨｇＴｅ層の厚みから決定される
。
基板はＣｄＴｅ、ｌ〜■族化合物又は■〜■混合合金、
シリコン（Ｓｔ）ｌヒ化ガリウム（Ｇａ、Ａｓ　）。
スピネル（ＭｇＡ１２０４）、　アルミナ又はサファイ
ア（Ａ１２０３）　などである。
揮発性のカドミウム化合物はりメチルカドミウム、ジエ
チルカドミウム、又はジエチルカドミウム等のアルキル
である。
４’４１発性のテルル化合物はテルル化ジエチル、テル
ル化ジメチル、テルル化ジプロピル、又はテルル化ジブ
チルなどのアルキル類、或いは等価な水素置換テルルア
ルキル、例えば水素エチルテルル化物Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｔ
ｅなどである。
本発明に従ってカドミウム水銀テルル化物層を成長させ
る装置は、基板を有する容器と、容器を加熱する加熱手
段と、基板ヒータと、水銀蒸気を容器内に供給する手段
と、カドミウムアルキルを容器内に供給する手段と、テ
ルルアルキル又は水素置換テルルアルキルを容器内に供
給する手段とからなる。
水銀蒸気は、各器内側の基板に隣接する水銀浴より供給
さノＬる。
容器ヒータは容器周囲に配置された電気抵抗ヒータで良
く、容器と水銀浴の両者が加熱される。
基板は炭素サセプタ上に載１ｉグされ、容器を部分的に
囲む高周波コイルによシ加熱される。また、抵抗ヒータ
を容器内１１！ｌ　Ｋ設ｋｊても良く、又は赤外線ヒー
タを設けて基板及び／又は基板ボルダ−を照射すること
もできる。
Ｃｄ及び１ｔ　ｅ化合物が、適尚なＣｄ及びＴｅ化合物
を含有する２つのバブラーに高純度の水素を通過させて
供給される。
図に示すように、５つのマス流制御装置２，３゜４．５
及び２３に対する供給を維持する水素マニホールドｌに
高純度水素が供給される。マス流制御装ｆｉ！（ｍａｓ
ｓ　ｆｌｏｗ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　）　２はパイ、
Ｑクライン１４を介して燃焼室３１Ｖｃ水素を供給し、
該燃焼基線水素炎中で排出蒸気を燃焼させる。マス流制
御装置３及び４は、ジメチルカドミウムなどのカドミウ
ムのアルキル化物及びジエチルテルルｆｌ［などのテル
ルのアルキル化物を各々含有するアルキルバブラー６及
び７に水素を供給する。
制御装置３及び４からの水素流を弁８及び９を介しパイ
ＩＱスライン１４に向かわせることも、或いは弁１０．
１１及び１２．１３を通してアルキル流のオン・オフ切
替えすることも出来る。液体アルキルに水素をバブリン
グさせると液体アルキルの周囲温度、通常は２５℃でア
ルキル蒸気が飽和するよう汚なる。これ等のアルキルと
水素の流れがミキサー１５で混合され、マス流制御装置
５によシ供給され念水素流で更に希薄にされる。弁３２
、．３３によ、ｔＢｔ制御装置５からの流れがξキサー
１５及び／又は）々イノ９スライン１４に方向付けられ
る。制ｒＡＪ装置３．４及び５を通して流れを制御する
ことによ勺、混合流内のカドミウムとテルルアルキルの
濃度を広い範囲にわたって個別に決定することが出来る
。
アルキルと水素ガスの混合流は、電気抵抗炉１７及び高
周波誘導コイル１８で加熱された反応容器１６に導入さ
れる。この反応容器の内側には、水銀浴１９とＣ，Ｍ、
　Ｔ、層が塗布されるべき基板２０ｆ：担持する炭素サ
セプタ２１とが配置されている。上記の炉は、水銀だめ
１９から基板２０ｔでの反応容器壁の温度を水銀だめ温
度に等しく、或い位それ以上に維持する。水銀ためは反
応容器壁２４から熱誘導加熱される。高周波誘導コイル
１８が炭素す七ブタ２１内で結合しているために、基板
が反応容器壁２４の温度以上に加熱され、かくしてカド
ミウムアルキル及びテルルアルキルが熱分解し、カドミ
ウムとテルルとを基板２０の表面に蒸着させる。水銀だ
め１９の温度は成長界面で維持されるべき水銀の平衡分
圧要件によシ決定される。高温の反応容器壁２４により
、蒸気流中の水銀分圧が基板２０で水銀だめ１９上の水
銀分圧と同じ艮なることが保証される。
容器１６の壁は十分に高温であり、従ってアルキルが分
解することなしに１１ｇが凝縮することが防止され、一
方基板２０の温度も十分匡高温で、従って基板２０表面
でのアルキル分解が可能となる。基板はわずかに例えば
４°に傾斜しており、基板ｒｃＧつてよシ一様な成長が
得られる。
容器１６の１端部にある水冷ジャケット２２は未反応水
銀を凝縮し、反応容器とプレートシールの過熱を防止す
る。次に、排出蒸気流が水素のバイノ（ス１４流と混合
さ」し、安全のために燃焼室３１で燃焼される。
容器１６の初期洗浄のためにコールドトラップ２９を介
してＡ窒ポンプ３０が容器１６に接続されている。
ＣｄＴｅ上にＣＭＴを成長させるために、洗浄した基板
２０を容器１６内のザセゾタ２１上に配置する、通常の
成長条件は、容器壁１６と＋−ｉ＆浴１９浴温９が２０
０〜３２０　Ｃ（例えば２２０〜２４０Ｃイ」近）、容
器内圧が大気圧伺近、基板温度が４００〜４３０　Ｃ（
例えば４１０Ｃ刊近）、アルキルバブラー６．７の温度
が２５Ｃ付近である。
弁１２．１３を開き且つ９を閉じると、′１゛ｅアルキ
ルがＨ３と共に容器１６に導入される。ＴｅとＨｇとが
合して、基板上にＨｑＴｅ　３５　（第２図）の層が形
成される。通常は０．１６μｍ厚の層が１分以内に形成
される。
次に、弁１０．１１を開き且つ８を閉じるとＣｄアルキ
ルが容器１６に４人され、弁３３を閉じ３２を冊くと希
薄流が伺加される。ＣｄとＴａの分圧はほぼ同じになる
ように構成する。結果的に、Ｃｄアルキルは基板２０の
領域でＴｅアルキルと優先的に結合してＣｄＴｅ０層３
６を形成する。通常は、厚さ０．０４μｍの層が１分以
内に形成される。
１１ｇＴｅ層とＣｄＴｅ層の合計厚みは（０，５μｍ好
ましくは（０，２５μｍである。更に、１．　／　（１
工＋１．）の比は、赤外線検出器として使用するために
Ｘ値が所要範囲内、例えば０．２又は０．３にちるよう
に定められる。
容器１６を通してのガスの流速は層の成長と共に変化す
る。通常は、ＣｄＴｅが成長する間の流量はＨｇＴｅ成
長時の４〜１２倍となるように設定されＡ８直径が４ｃ
ｒｎの容器の通常の流量はＨぎＴｅの成長中は５００　
ｃｃ／１ｎｖＬ、ＣｄＴｅの成長中ｌ′ｉ４，０００　
ｃｃ　／龍となる。
ＣｄＴｅＭと１１ｇ１″ｅＪｅ’４が父互に成長するよ
うに（第２　ａ図）、弁工０．１１及び８をｒｊｔｌ閉
する。
成長層の各々の厚みが小さいために、成長中に拡散が行
われる。その結果、ＣｄＸＨｇ□−ｘ　Ｔ　ｅの府（第
２ｂ図）が形成される。かかる拡散はかな逆制限されて
おシ、通常は１μｍ以下である。従って、多くの層が成
長する間にＸの値を変えて、ｎ１成が徐々に変化したＣ
ｘ？＋Ｊ’、える）デバイス、或いｉｊ：ｘイ的が名、
峻に変化したデバイスをイ）Ｉることか出来る。
基板上に成長さセだｃ　、　Ｍ、　′ｒ、　ｒｒは１つ
以上のドー／ｅントを有する。かかるドーパント−１マ
ス流制御装屑２３を通してマニホールドからドーノぐン
トのアルキルを含有するバブラー２５に水素を流すこと
により与えられる。水素中の、Ｆ　、ｅントとしての揮
発性水素化物を用いることが出来る。
プ゛ルキルｔま、６プラーからミキサー１５に、従って
容器１６に流れる。ヲｐ２６．２７．２８は水素とアル
キルの流れを制御１１する。
アルキル形ドーパントとしては、Ａノ、　Ｇａ、　Ａｓ
及びＰのアルキル類、翳りえは、（ＣＨ，）８Ａノ、（
ＯＨ，）８Ｇａ、（ＣｆｉＢ）ＢＡｓ、（ＣＩＩＢ）Ｂ
Ｐ、（（４Ｈ６）６．Ａノ。
（Ｃｉｆｌｓ）ｅＧ”、（ＣＢＩ−１５）ＢＰなどがあ
けられる・水素化物形ドーパントの例としては、５ｉｔ
Ｇｅ＋Ａｓ及びＰの水素化物、例えばＳｉＨ４，Ｇｅ■
Ｉ４゜ＡｓＨＢ、及びＰＨ，が考えられる。水素化物、
例えばＳｉＨ，をガスシリンダから直接供給させても良
い。
木装置改の他の態様（図ｕ＋ｈ　）では、Ｃｄ化合物６
全Ｔｏ化合物の取ル入口から一定距離にある容２汁１６
に供給しても良い。容器内に移動自在なデフレクタを配
置し、Ｃｄを−１；・板にわたって、或いはそれから離
れるように方向イリけることも可能である。これによル
、Ｃｄｈ　Ｔｅ及びＨｇを基板上に流れさせ、ＣｄＴｅ
を成長させ得る。ＴｅとＨｇの場合も基板上に流れＨｇ
Ｔｅを成長する。この構成における利点は、ガス流蓋を
、２つの層ＣｄＴｅとＨｇ　Ｔ　ｅの成長中に一定に保
持し得るという点にるる。
移動自在なデフレクタに代わるものとして、容器内の２
つの位置の間で基板を移動させても良い。
Ｃｄｈ　Ｔ（３ｍ及びＨｇの流れの中に第１の位置があ
シ、一方Ｔａ及びＩ１ｇガス流中に第２の位置がある。
上記の方法と装置を用いて赤外線検出器を作ることが出
来る。このような検出器は、Ｃ，Ｍ、Ｔ。
層の表面に酸化物又はＣｄＴｅの不動態層を有するＣｄ
Ｔｅ基板上のＣ，Ｍ、　Ｔ、層でら多得る。該検出器は
、英国特許第１，４８８，２５８号明細剪にあるように
、各端部の表面上に電極を持つストリップの形で与えら
れうる。かかる検出器はｔＹ、伝導性であり、その表面
にわたってスキャンされた熱的被写体（ｔｈｅｒｍａｌ
　５ｃｅｎｅ　）の像を有する０他の形の赤外線検出器
としては、　ｐ−ｎ接合、例えば光起電検出器を作るた
めに別々にドープした即ちｐ及びｎ形にドープしたＣ、
　Ｍ、　Ｔ、層間接合して電流変化をみる。炉かる検出
器を、走査システムなしに、熱的被写体を影像すること
が出来る１、Ｒ，検出器の大きなアレイに組み入れて、
いわゆるスターリングアレイシステムを形成させること
も出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は概略流れ図を示し、 ｉＪ＜　２　ａ　、２ｂ図はＣｄＸＨｇ、−ｘＴｅの成
長中及びその後の基板のｌ；Ｙｉ面図である。 １・・・水素マニホールド、２．３．４．５．２３・・
・制御装置、６．７．２５・・・ノセブラー、１５・・
・ミキサ、１６・・・容器、１８・・・誘導コイル、　
１９・・・水銀浴、２０・・・基板、２１・・・炭素サ
セプタ、３１・・・燃焼室。 手続ネ市正書 昭和５９年１０月１８日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示　昭和５９年特Ｗ１願第１８９４６３号
２、発明の名称　カドミウム水銀テルル化物の製法３、
補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　イギリス国 ４、代　理　人　東京都新宿区新宿１丁目１番１４号　
山田ビル（郵便番Ｓづ１ＧＯ）電話（０３）　３５４−
８（ｉ２３６、補正により増加づる発明の数 ７、補正の対象　明ｍ書 ８、補正の内容　明絹囚中、特許請求の範囲を別紙の通
り補正づる。 ２、特、ｉ（請求の範囲 （１）　容器内部に所要の温度と圧力で水銀蒸気雰囲気
を与えるステップと；容器の温度とは別個に基板温度を
制御づるステップと：カドミウム化合物、テルル化合物
及び希釈ガスを容器に別々に供給して厚さｔｌのＨＱ　
Ｔ　ｅ　Ｋと厚さｔ２のＣｄＴｅ）ｆｆｉとをいずれか
の順に成長さけるステップと；カドミウム化合物の基板
への供給をオン・オン切替えてＣｄＴｅ層とＨｇＴ　ｅ
層を成長させるステップとからなる３元合金Ｃｄ　ＬＩ
Ｑ　Ｔｅ層を基板上に成長さｌｘ　Ｌ−ｘ る方法であって、２つの層の合バー厚みｔ１＋し２が０
．５声以下であり、Ｃｄ化合物が基゛板領域でＴｅ化合
物と優先的に分解して基板上にＣｄ　Ｔ　ｅ層を形成し
、一方Ｔｅ化合物がＨｇＭ気と合して基板上に１１ｇ−
１−ｅ層を形成するＪ：うに構成され、両層の厚みは成
長中に広がって×が０＜　ｘ＜　１の範囲のＣｄｌ」ｏ
　１−、　ｘ　Ｔ　ｅの層を与えてなる方法。 （２）×の範囲が０．１（ｘ（０，９である特許請求の
範囲第１項に記載の方法。 （３）　合バ１厚みｔ１＋ｔ％よ０．２５−未満である
特許請求の範囲第１項に記載のｈＦ′ｈ、。 （４）　基板温度は４００乃至４３０℃の範囲内である
特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （５）　ｉｌとｔ２どの化部らＸの値はＣｄＸ　Ｈ３１
＝ＸＴｅ４→押午尋のＩｉ長の間に変えられる特ｚ′［
請求の範囲第１項に記載の方法。 （６）　基板上へのＣｄとＴｅ化合物の流れを停止さけ
るステップと、基板」−に）−Ｉｇ及び希釈ガスを流動
させて最後に成長さｌ！／ｊ層を１０分未渦でその前の
層と拡散させるステップどを更に酋む特許請求の範囲第
１項に記載の方法。 （７）　ビーパン１〜化合物を容器内と基板上に通１ス
テップを更に含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （８）　Ｃｄ　１−ＩＱ　Ｔｅ上に他の層を成長サセ、
×１−ｘ 該他の層はＣｄＴｅ、ＺｎＳ、或いはＣｄＴｅＸＳｅ　
である特許請求の範囲第１１１１に記載の方−ｘ 法。 （９）　カドミウム化合物は、ジメチルカドミウム。 ジプロルカドミウム或いはジプロピルカドミウムから選
択され／＝アルキルであるＶＪ訂品求の範囲１１項に記
載の方法。 （１０）　アルル化合物が、デルル化ジ」、デル、テル
ル化ジメチル、アルル化ジプロピル或いはテルル化ジメ
チル等から選択されたアル４ル類、又は等価な水素買換
テルルアルキル類上にある特許請求の範囲第１項に記載
の方法。 （１１）　ドーパント化合物は、（ＣＩ−１３）　３Ａ
ｉｌ　。 （ＣＩ−１）　Ｇａ、（ＣＩ−１３）３Ａｓ。 ３ ＜Ｃｌ−１）　Ｐ、（Ｃ２１−１５）３Ａｍ３ （Ｃ２１１５＞３　Ｇａ、（Ｃ２ｌ−１５）３Ｐのグル
ープから選択されたアル４ル、或いはＳｉＨ４゜ＧｅＨ
４、ＡｓＨ３，ＰＨ３のグループから選択された水素化
物である特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （１２１Ｍ板＆；Ｌ　Ｃｄ丁ｅ、Ｓ　ｆ　、ＧａＡＳ。 ＭｇＡｆ１２０４或い番よ△ρ２０３である特許請求の
範囲第１項に記載の方法。 （１３）　容器へのカドミウム化合物の供給が０６１０
層及びｌ−Ｉ　Ｑ　Ｔ　８層を成長させつつスイッチで
切り昔えられる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （１４）添ｆり図面を参照してほぼ上記に記載されてな
る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （１５）特許請求の範囲第１項に記載の方法により成長
さゼたＣｄｘト１ｏ　１．１一旦の層を有する基板。 （１Ｂ）　Ｘの値は層内で変動しＣなる特許請求の範囲
第１５項に記載の基板。 （１７）　Ｃｄ　ＨＧ　１−、　ｘ　Ｔ　ｅ　Ｅｒ＋の
上面に成長させた× Ｃｄ　’ＩＴ　ｅの不動態層を右ツる特、Ｔ［請求の範
囲第１５項に記載の基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）容器内部に所要の温度と圧力で水銀蒸気雰囲気を
    与えるステップと；容器の温度とけ別個に基板温度を制
    御するステップと；カドミウム化合物、テルル化合物及
    び希釈ガスを容器に別々に供給して厚さｔ□のＨｇＴｅ
    層と厚さ　ｔ２のＣｄＴｅ層とをいずれかの順に成長さ
    せるステップと；カドミウム化合物の基板への供給をオ
    ン・オフ切替えてＣｄＴｅ層と’に５ｒｅ層を成長させ
    るステップとからなる３元合金Ｃｄｘｌ１ｇ□−ｘＴｅ
    層を基板上に成長させる方法であって、２つの層の合Ｎ
    １厚みｔ□＋ｔ２が０．５１１ｍ以下であフ、Ｃｄ化合
    物が基板領域でＴｅ化合物と優先的に分解して基板上に
    ＣｄＴｅ層して基板上にｌ１ｇＴｅ　Ｗｔを形成するよ
    うに構成され、両層の厚みは成長中に広がってＸが０＜
    ｘ＜１の範囲のＣｄｘ１１ｇ１□Ｔｅの層を与えてなる
    方法。 （２）ｘの範囲が０．１＜Ｘ＜０．９であるｑ５許請求
    の範囲第１項に記載の方法。 （３）合計厚みｔ□＋ｔ２は０．２５μｍ未満である特
    許請求の範囲第１項に記載の方法。 （４）基板温度は４００乃至４３０℃の範囲内である酌
    許請求の範囲第１項に記載の方法。 （５１ｔ　Ｚと　ｔ２との比即ちＸの値はＣｄＸＨｇ□
    −ｘＴｅ層の成長の間に変えられる特許請求の範囲第１
    項に記載の方法。 （６）基板上へのｃｄとＴｅ化合物の流れを停止させる
    ステップと、基板上に１１ｇ及び希釈ガスを流動させて
    最後に成長させた層を１０分未満でその前の層と拡散さ
    せるステップとを更に含む特許請求の範囲第１項に記載
    の方法。 テップを更に含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 Ｌ８）　Ｃｄｘｒｌｇｌ　１Ｔｅ上に他の層を成長させ
    、該他の層けＣｄＴｅ　、　ＺｎＳ　！或いはＣｄＴｅ
    　ｘＳｅ　Ｉ−ｘである特許請求の範囲第１項に記載の
    方法。 （９）　カドミウム化合物は、ジメチルカドミウム。 ジエチルカドミウム或いはジプロピルカドミウムから選
    択されたアルキルである特許請求の範囲第１項に記載く
    法。 αυ　テルル化合物が、テルル化ジエチル、テルル化ジ
    メチル、テルル化ジプロピル或いはテルル化ジブチル停
    から選択されたアルキル類、又は等価な水素置換テルル
    アルキル類上にある特許請求の範囲第１項に記載の方法
    。 Ｑｌ）　ｌ’−パント化合物は、（ＣＨ３）　３Ａｔ、
    　（ＣＨ８）８龜。 （ＣＩＩ３）８Ａ１１　、　（ＣＨ３）８Ｐ　＋　（Ｃ
    ，Ｈ，）３Ｍ、（Ｃ，Ｈ５）８Ｇａ。 （Ｃ，、Ｈ，）　８Ｐのグループから選択されたアルキ
    ル、或いは５ＩＲ４，Ｇｅ１１４．　ＡｓＨ３，ＰＨ８
    のグループから選択された水素化物である特許請求の範
    囲第１項に記載の方法。 ０２　基板はＣｄＴｅ　、’　Ｓ　ｉ　、　ＧａＡｓ　
    、へ１ｇＡｔ、０４或いはＭ、２０３である特許請求の
    範囲第１項に記載の方法。 ０３　容器へのカドミウム化合物の供給がＣｄＴｅ層及
    びＩ（ｇＴｅ層を成長させつつスイッチで切り替えられ
    る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （Ｉ４）添付図面を参照してほぼ上記に記載されてなる
    特許請求の範囲第１項に記載の方法。 θつ　特許請求の範囲第１項に記載の方法により成長さ
    せたＣｄＸＩＩｇｌ、、、Ｘの層を有する基板。 θ［ｉｌ　ｘの値は層内で変動してなるｌ特許請求の範
    囲第１５項に記載の基板。 Ｏｎ、ＣｄＸＨｇ１−ｘＴｅ　）ｖＪの上面に成長させ
    たＣｄＴｅの不動態層を有する特許請求の範囲第１５項
    に記載の基板。
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