JPS6078400A - プラズママイクロチヤンネルを用いた強いｘ線源 - Google Patents
プラズママイクロチヤンネルを用いた強いｘ線源Info
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- JPS6078400A JPS6078400A JP59182548A JP18254884A JPS6078400A JP S6078400 A JPS6078400 A JP S6078400A JP 59182548 A JP59182548 A JP 59182548A JP 18254884 A JP18254884 A JP 18254884A JP S6078400 A JPS6078400 A JP S6078400A
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- Japan
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- radiation
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- soft
- plasma
- laser
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/23—Optical systems, e.g. for irradiating targets, for heating plasma or for plasma diagnostics
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
マイクロチャンネルを用いた強い軟Ｘ線源に係るもので
ある。
ある。
本発明が係っているプラズマは濃いホットプラズマであ
る。それらの電子密度は約１０ ｃｍ を超えており、
またそれらの電子温度は数百電子がルトから数キロ電子
ゲルトの範囲である。
る。それらの電子密度は約１０ ｃｍ を超えており、
またそれらの電子温度は数百電子がルトから数キロ電子
ゲルトの範囲である。
これらのプラズマは強い軟Ｘ線の源とするととが可能で
あり、他のＸ線源と対比した場合法のような数々の長所
を有している。
あり、他のＸ線源と対比した場合法のような数々の長所
を有している。
即ち
Ｓ低価格であること。
ＳＸ放射の使用点にそれらを位置ぎめできる砥どそれら
の綜合的なディメンションが充分に小さいこと。
の綜合的なディメンションが充分に小さいこと。
Ｓ使用及び保守が容易であること。
Ｓエネルギ効率が高いこと。
等である。
これらの長所のために、これらの源はマイクロリトグラ
フィに適しており、また高速Ｘ線顕微鏡の分野にも有用
である。
フィに適しており、また高速Ｘ線顕微鏡の分野にも有用
である。
これらの源はプラズママイクロチャンネルを通る強い放
電を含む源を含んでおり、このプラズママイクロチャン
ネルはジュール効果によって加熱され、強い軟Ｘ線放出
の座となる。
電を含む源を含んでおり、このプラズママイクロチャン
ネルはジュール効果によって加熱され、強い軟Ｘ線放出
の座となる。
しかし、これらの重要性にも拘わらず、これらの源は次
のような困難に直面している。濃いホットなプラズマの
固有抵抗は、乱れ即ち不安定性が無い場合には、温度の
みに依存するスピソツアの式によって表わされる。
のような困難に直面している。濃いホットなプラズマの
固有抵抗は、乱れ即ち不安定性が無い場合には、温度の
みに依存するスピソツアの式によって表わされる。
即ち
０−３
（ｋＴ）イ
ここにｋはデルラマン定数であシ、Ｔは温度である。
ゴー
Ｔ％に比例して固有抵抗が変化するために、温度が上昇
すると固有抵抗が、従ってジュール効果が低下するので
、ジュール効果によってプラズマを加熱することは極め
て困難となる。しかし、プラズママイクロチャンネル、
即ち直径の極めて小さいチャンネルを用いれば、加熱の
可能性は残されている。この手順は、現在は制御された
熱核融合に用いられている。
すると固有抵抗が、従ってジュール効果が低下するので
、ジュール効果によってプラズマを加熱することは極め
て困難となる。しかし、プラズママイクロチャンネル、
即ち直径の極めて小さいチャンネルを用いれば、加熱の
可能性は残されている。この手順は、現在は制御された
熱核融合に用いられている。
極めて細いプラズマチャンネルを発生させるために、現
在では高圧ガスのレーザブレークダウンによる、即ち小
直径のレーザビームの影響下のこのガスの光電離による
電離を用いている。このようにして得られたプラズマラ
インの直径も数百ミクロンであるが、これ以下にするこ
とは困難である。
在では高圧ガスのレーザブレークダウンによる、即ち小
直径のレーザビームの影響下のこのガスの光電離による
電離を用いている。このようにして得られたプラズマラ
インの直径も数百ミクロンであるが、これ以下にするこ
とは困難である。
例えば、この型のデバイスは／９７２年を月／Ａ〜１ｇ
日のストックホルムのロイヤル・インステイテユート・
オブ・テクノロジにおいて行なわれた「磁気融合への独
創的なアプローチにおける新傾向シンポジウム」でのＪ
、Ｅ、ハンメル等の論文「濃い２ピンチの最近の結果」
に記述されている。
日のストックホルムのロイヤル・インステイテユート・
オブ・テクノロジにおいて行なわれた「磁気融合への独
創的なアプローチにおける新傾向シンポジウム」でのＪ
、Ｅ、ハンメル等の論文「濃い２ピンチの最近の結果」
に記述されている。
制御された熱核融合の研究で直面する重要な困難は、ロ
ーソクの基準を満足するのに充分な時間に亘って濃いホ
ットプラズマを閉じ込めることである。この困難は、例
えばマイクロリトグラフィに用いることが可能なパルス
化源を用いて軟Ｘ放射を形成させるような応用において
は問題とならない。
ーソクの基準を満足するのに充分な時間に亘って濃いホ
ットプラズマを閉じ込めることである。この困難は、例
えばマイクロリトグラフィに用いることが可能なパルス
化源を用いて軟Ｘ放射を形成させるような応用において
は問題とならない。
本発明は、ガスの光電離に用いられる従来の光放射を軟
Ｘ放射で置換することによって、これらの源を改良する
ことに係るものである。軟Ｘ放射は、特に高圧ガスの電
離に対しては、可視光放射よシも遥かに効率的である。
Ｘ放射で置換することによって、これらの源を改良する
ことに係るものである。軟Ｘ放射は、特に高圧ガスの電
離に対しては、可視光放射よシも遥かに効率的である。
例えば水素においては、軟Ｘ光子の吸収距離は大気圧に
おいて数ミリメートルである。従って、それらを数十ミ
クロン程度の直径を有するダイアフラムを通過させるこ
とによってプラズママイクロチャンネルを電離するのに
用いることができる。次でこのプラズママイクロチャン
ネルを先行の源のようにしてジュール効果によって加熱
する。
おいて数ミリメートルである。従って、それらを数十ミ
クロン程度の直径を有するダイアフラムを通過させるこ
とによってプラズママイクロチャンネルを電離するのに
用いることができる。次でこのプラズママイクロチャン
ネルを先行の源のようにしてジュール効果によって加熱
する。
本発明においては軟Ｘ線を得る目的の源に軟Ｘ線を供給
するという通読的な特徴を有しているのである。これは
異なる手段、則ちレーデの使用を推奨している従来の概
念を打破するものである。
するという通読的な特徴を有しているのである。これは
異なる手段、則ちレーデの使用を推奨している従来の概
念を打破するものである。
プラズママイクロチャンネルを発生させるためにＸ線を
用いることに注目されたい。使用される軟Ｘ線の波長は
レーザによって生ずる光放射の波長よシも遥かに短かい
ので、回折によって付課される制限を考えれば、達成で
きる最小ディメンションは可視或は近紫外におけるより
も遥かに小さくなる。放射の最小スポットのディメンシ
ョンが波長に比例することは公知である。従って本発明
によって得られるプラズマでイクロチャンネルの直径は
先行技術によるよりも遥かに小さく、これは前述したよ
うにジュール効果によって加熱するのに極めて好ましい
ものである。
用いることに注目されたい。使用される軟Ｘ線の波長は
レーザによって生ずる光放射の波長よシも遥かに短かい
ので、回折によって付課される制限を考えれば、達成で
きる最小ディメンションは可視或は近紫外におけるより
も遥かに小さくなる。放射の最小スポットのディメンシ
ョンが波長に比例することは公知である。従って本発明
によって得られるプラズマでイクロチャンネルの直径は
先行技術によるよりも遥かに小さく、これは前述したよ
うにジュール効果によって加熱するのに極めて好ましい
ものである。
本発明の好ましい実施例によれば、光電離軟Ｘ放射を発
生させるための手段は、重金属ターゲットを照射するパ
ルス化レーザからなっている。例えば、鉛のターゲット
をルビーレーデで照射スることが可能である。
生させるための手段は、重金属ターゲットを照射するパ
ルス化レーザからなっている。例えば、鉛のターゲット
をルビーレーデで照射スることが可能である。
この配列もまた逆説的な特徴を有している。先行技術に
おいてはレーザから放出される放射を直接ガス内を通過
させてそこに光電離を生じさせていたのに対して、本発
明によれば中間ターゲットを照射させ、この中間ターゲ
ットからの放射を用いているのである。想像に反して、
プロセスに附加されたこの中間段階は綜合動作効率に不
利益をもたらすどころか、光電離メカニズムにおけるＸ
放射の大きい効力とプラズマ直径の縮小とのために逆の
結果が得られるのである。これら一つの好ましい効果が
、ターゲット上の光放射からＸ放射への変換に起因する
エネルギ損失を補償している。
おいてはレーザから放出される放射を直接ガス内を通過
させてそこに光電離を生じさせていたのに対して、本発
明によれば中間ターゲットを照射させ、この中間ターゲ
ットからの放射を用いているのである。想像に反して、
プロセスに附加されたこの中間段階は綜合動作効率に不
利益をもたらすどころか、光電離メカニズムにおけるＸ
放射の大きい効力とプラズマ直径の縮小とのために逆の
結果が得られるのである。これら一つの好ましい効果が
、ターゲット上の光放射からＸ放射への変換に起因する
エネルギ損失を補償している。
更に、レーザ放射のエネルギの７θ係がｇｏ乃至／３０
オングストロームの範囲の放射に変換されるので、この
プロセスによって得られる軟Ｘ線への変換は極めて大き
いものである。
オングストロームの範囲の放射に変換されるので、この
プロセスによって得られる軟Ｘ線への変換は極めて大き
いものである。
１ノ−ザの放射にさらされるターゲットの挙動は既に幾
つかの文献に記述されている。このようなターゲットに
よってガスの光電離内に再放出される放射の使用に関し
ては、例えば１９７：１．年６月タ日付のフィジックス
・レターズ第、？？Ａ巻３号の００．り／／〜グ／コ
イーゾに所載のＪ、プルネト−及びＥ、ファープルの論
文［レーデによって発生させたプラズマの真空紫外放射
によるガスの光電離］に記述されている。しかしながら
、この場合にはターゲットから放出される真空紫外放射
（ｇ左〜／ ３０ ｅＶ）を用いているのであって、こ
れは窓として用いられる薄い金箔を通過させ、大量のガ
スを光電離させなければならない。本発明は、直径の極
めて小さいチャンネルを発生させるためにＸ放射を電離
室に直接導びくことによって、及びらしい応用に採用し
ているのである。
つかの文献に記述されている。このようなターゲットに
よってガスの光電離内に再放出される放射の使用に関し
ては、例えば１９７：１．年６月タ日付のフィジックス
・レターズ第、？？Ａ巻３号の００．り／／〜グ／コ
イーゾに所載のＪ、プルネト−及びＥ、ファープルの論
文［レーデによって発生させたプラズマの真空紫外放射
によるガスの光電離］に記述されている。しかしながら
、この場合にはターゲットから放出される真空紫外放射
（ｇ左〜／ ３０ ｅＶ）を用いているのであって、こ
れは窓として用いられる薄い金箔を通過させ、大量のガ
スを光電離させなければならない。本発明は、直径の極
めて小さいチャンネルを発生させるためにＸ放射を電離
室に直接導びくことによって、及びらしい応用に採用し
ているのである。
以下に添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図に示すように、源は伝送ライン１２に接続されて
いる高電圧発生器１０、及び一つの電極即ち陰極２０及
び陽極２２を有しガスを満たしたエンクロージャ１４を
備えている。陽極２２には小直径の開孔２４が設けであ
る。
いる高電圧発生器１０、及び一つの電極即ち陰極２０及
び陽極２２を有しガスを満たしたエンクロージャ１４を
備えている。陽極２２には小直径の開孔２４が設けであ
る。
本発明によれば、開孔２４を通過してマイクロチャンネ
ルを発生させる光電離放射３０は軟Ｘ放射である。本発
明の好ましい実施例である図示の例では、このＸ放射を
発生させる手段はレーザ３２を含んでいる。レーデ３゛
２からの放射３３は集束用レンズを設けである窓３４を
通過し、重い材料のターゲット３５に衝突する。このタ
ーゲット３５の前面は放出される軟Ｘ線３０の一部が、
陽極２２内に設けられていてダイアクラムとじて働ら〈
開孔２４を通過できるように配向されている。以上に説
明した組立体はポンプ４２（本体は図示せず）によって
管４０を通してポンプされている。
ルを発生させる光電離放射３０は軟Ｘ放射である。本発
明の好ましい実施例である図示の例では、このＸ放射を
発生させる手段はレーザ３２を含んでいる。レーデ３゛
２からの放射３３は集束用レンズを設けである窓３４を
通過し、重い材料のターゲット３５に衝突する。このタ
ーゲット３５の前面は放出される軟Ｘ線３０の一部が、
陽極２２内に設けられていてダイアクラムとじて働ら〈
開孔２４を通過できるように配向されている。以上に説
明した組立体はポンプ４２（本体は図示せず）によって
管４０を通してポンプされている。
好ましくはレーデ５２は、約１０ナノ秒間接続し、約／
ジュールのエネルギノやルスを放出するルビーレーザと
する。ターゲット３５は好−ましくけ鉛である。エンク
ロージャ１４は、水素を例えば／気圧で容れることがで
きる。
ジュールのエネルギノやルスを放出するルビーレーザと
する。ターゲット３５は好−ましくけ鉛である。エンク
ロージャ１４は、水素を例えば／気圧で容れることがで
きる。
高電圧発生器１０は直流電圧発生器とすることができる
。この場合、マイクロチャンネル２５を通しての主放電
は、このマイクロチャンネルの出現によって開始される
ので、電極２０．２２を有するセルは真のスパークギャ
ップのように挙動する。しかし、発生器１０はパルス化
発生器としてもよく、この場合【は先行技術におけるの
と同様にレーザと同期させる。
。この場合、マイクロチャンネル２５を通しての主放電
は、このマイクロチャンネルの出現によって開始される
ので、電極２０．２２を有するセルは真のスパークギャ
ップのように挙動する。しかし、発生器１０はパルス化
発生器としてもよく、この場合【は先行技術におけるの
と同様にレーザと同期させる。
伝送ライン１２は同軸ライン（例えばインピーダンスθ
、りΩのもの）とすることができるが、第２図に示すよ
うな特別な形状をデバイスに与える一つの導体を有する
フラットラインとすることも可能である。
、りΩのもの）とすることができるが、第２図に示すよ
うな特別な形状をデバイスに与える一つの導体を有する
フラットラインとすることも可能である。
このラインはコ枚の板５１．５２によって形成されてお
シ、第７の板５１が途中で第２の板５２と離れて両者の
間にガスを満たすエンクロージャ１４を形成している。
シ、第７の板５１が途中で第２の板５２と離れて両者の
間にガスを満たすエンクロージャ１４を形成している。
この第７の板５１に軟Ｘ線ビーム３０が突入できる開孔
２４を設けである。
２４を設けである。
従ってマイクロチャンネル２５は板５１から板５２まで
伸びることになる。板５２にも開孔５３が設けてあって
、マイクロチャンネル２５内の放電によって発生した強
い軟Ｘ線を抽出できるようにしである。
伸びることになる。板５２にも開孔５３が設けてあって
、マイクロチャンネル２５内の放電によって発生した強
い軟Ｘ線を抽出できるようにしである。
勿論、伝送ライン、パルス化或は非パルス化発生器、レ
ーザ或は初期Ｘ放射を発生させるための手段には他の配
列も考案できよう。因みに、Ｘ線源のカスケード配列も
可能である。この場合筒１の段は第７図及び第２図の原
理に従って、即ちレーザを用いて作動させるのであるが
、第コの段及びその後の段は先行段から得られるＸ放射
（の全て或は一部）を直接使用する。
ーザ或は初期Ｘ放射を発生させるための手段には他の配
列も考案できよう。因みに、Ｘ線源のカスケード配列も
可能である。この場合筒１の段は第７図及び第２図の原
理に従って、即ちレーザを用いて作動させるのであるが
、第コの段及びその後の段は先行段から得られるＸ放射
（の全て或は一部）を直接使用する。
第１図は本発明による源の概要を断面で示すものであり
、そして 第２図はフラットラインを用いた別の実施例を示す第７
図と同じような図である。 １０・・・・・・・・・高電圧発生器、１２・・・・・
・・・・伝送ライン、１４・・・・・・・・・ エンク
ローツヤ、２０・・・・・・・・・陰極、 ２２・・・
・・・・・・陽極、２４・・・・・・・・・開孔、２５
・・・・・・・・・ マイクロチャンネル、 ３０・・
・・・・・・・光電高放射（軟Ｘ放射）、３２・・・・
・・・・・ レーザ、３３・・・・・・・・・ １ノー
ザ放射、３４・・・・・・・・ 窓、３５・・・・・・
・・・ ターゲット、４０・・・・・・・・・管、４２
・・・・・・・・・ ポンプ、５１．５２・・・・・・
・・・板、 ５３・・・・・・・・・開孔。 第１頁の続き ０発 明 者 ミシエル ガゼ フランス国 ９２１６
０ アジペリ １１８ ０発 明 者 ア ン リ ラ メ フランス国 ９２
１４０ クラル ド ゴール ９２ ＠発明者 クロード ルイーユ フランス国７８４７０
サニ し アモー アレ ＠発明者 ジャン ビニール フ フランス国 ７８３
５０ ジルトルネール ディアン ７ ントニ アベニュー サン エフ ラマル アベニュー ド ジエネ ン レミ し シエヴルーゼ ア ト ポン ド ビニール ２ ニー アン ジョザ バルク ド
、そして 第２図はフラットラインを用いた別の実施例を示す第７
図と同じような図である。 １０・・・・・・・・・高電圧発生器、１２・・・・・
・・・・伝送ライン、１４・・・・・・・・・ エンク
ローツヤ、２０・・・・・・・・・陰極、 ２２・・・
・・・・・・陽極、２４・・・・・・・・・開孔、２５
・・・・・・・・・ マイクロチャンネル、 ３０・・
・・・・・・・光電高放射（軟Ｘ放射）、３２・・・・
・・・・・ レーザ、３３・・・・・・・・・ １ノー
ザ放射、３４・・・・・・・・ 窓、３５・・・・・・
・・・ ターゲット、４０・・・・・・・・・管、４２
・・・・・・・・・ ポンプ、５１．５２・・・・・・
・・・板、 ５３・・・・・・・・・開孔。 第１頁の続き ０発 明 者 ミシエル ガゼ フランス国 ９２１６
０ アジペリ １１８ ０発 明 者 ア ン リ ラ メ フランス国 ９２
１４０ クラル ド ゴール ９２ ＠発明者 クロード ルイーユ フランス国７８４７０
サニ し アモー アレ ＠発明者 ジャン ビニール フ フランス国 ７８３
５０ ジルトルネール ディアン ７ ントニ アベニュー サン エフ ラマル アベニュー ド ジエネ ン レミ し シエヴルーゼ ア ト ポン ド ビニール ２ ニー アン ジョザ バルク ド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高電圧源に接続されている一つの電極を有し、これ
らの一方の電極に開孔を設けであるガスを満たしたエン
クロージャ；及び前記開孔を通過するように指向された
光電離放射を発生させて他方の電極の方向にガスを横切
らせ、その通過中にプラズママイクロチャンネルを発生
させる手段を具備し；前記マイクロチャンネルが発生し
た時に前記源によって放電を生じさせるようになってい
る強いＸ線源であって：前記光電高放射を発生させる手
段が補助軟Ｘ線源であることを特徴とする源。 ２、前記補助軟Ｘ線源が、光放射パルスを発生する１ノ
−ザ、及び前記レーザによって放出される放射の通路に
配置されていてこの放射の効果の下に軟Ｘ線を発生する
固体金属ターグットを含み；前記軟Ｘ線の一部が前記一
方の電極内に設けられている開孔を通過するように前記
ターグットを配向しであることを特徴とする特許請求の
範囲１に記載の源。 ３ 前記レーザがルビーレーデであり、前記ターグット
が鉛で作られていることを特徴とする特許請求の範囲２
に記載の源。 ４、前記高電圧源が直流電圧源であることを特徴とする
特許請求の範囲１に記載の源。 ５、 前記ラインが、エンクロージャを形成している２
つの導体を有するフラットラインであることを特徴とす
る特許請求の範囲１に記載の源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8314086 | 1983-09-02 | ||
| FR8314086A FR2551615A1 (fr) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Source de rayons x mous utilisant un microcanal de plasma obtenu par photo-ionisation d'un gaz |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078400A true JPS6078400A (ja) | 1985-05-04 |
Family
ID=9291961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182548A Pending JPS6078400A (ja) | 1983-09-02 | 1984-08-31 | プラズママイクロチヤンネルを用いた強いｘ線源 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4627088A (ja) |
| EP (1) | EP0140730A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6078400A (ja) |
| FR (1) | FR2551615A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1239486A (en) * | 1985-10-03 | 1988-07-19 | Rajendra P. Gupta | Gas discharge derived annular plasma pinch x-ray source |
| US5243638A (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-07 | Hui Wang | Apparatus and method for generating a plasma x-ray source |
| US6333968B1 (en) * | 2000-05-05 | 2001-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Transmission cathode for X-ray production |
| CN101795527B (zh) * | 2002-09-19 | 2013-02-20 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源、光刻装置和器件制造方法 |
| US6809327B2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-10-26 | Intel Corporation | EUV source box |
| KR100902946B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2009-06-15 | (주)에이치시티 | 소프트 엑스레이 광이온화 하전기 |
| FR2926924B1 (fr) * | 2008-01-25 | 2012-10-12 | Thales Sa | Source radiogene comprenant au moins une source d'electrons associee a un dispositif photoelectrique de commande |
| US9520260B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-12-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Photo emitter X-ray source array (PeXSA) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746860A (en) * | 1972-02-17 | 1973-07-17 | J Stettler | Soft x-ray generator assisted by laser |
| US4058486A (en) * | 1972-12-29 | 1977-11-15 | Battelle Memorial Institute | Producing X-rays |
| US3946236A (en) * | 1974-04-04 | 1976-03-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Energetic electron beam assisted X-ray generator |
| US4152625A (en) * | 1978-05-08 | 1979-05-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Plasma generation and confinement with continuous wave lasers |
| US4179599A (en) * | 1978-05-08 | 1979-12-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser plasmatron |
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