JPS6079717A - レ−ザ処理装置 - Google Patents
レ−ザ処理装置Info
- Publication number
- JPS6079717A JPS6079717A JP58187316A JP18731683A JPS6079717A JP S6079717 A JPS6079717 A JP S6079717A JP 58187316 A JP58187316 A JP 58187316A JP 18731683 A JP18731683 A JP 18731683A JP S6079717 A JPS6079717 A JP S6079717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- crystal
- sample
- semiconductor crystal
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な構造を有するレーザ処理装置に関する。
近年、半導体集積回路の高度の発達と多様化に伴な−、
大面積集積回路の形成に適合したイオン注入による加工
方法が一般化している。このようなイオン注入による活
性層あるいはＰＮ接合の形成は均一で制御性のよ導性性
が実現可能であるが、実際の回路作成のため要求される
形状に活性層などの形成を行なうためには、あらかじめ
光レジスト等でパターン形成を行って選択的にイオン注
入をするか、あるいは一旦結晶全面に注入を行ったのち
、選択エツチングをするなどの手段が用いられていた。
大面積集積回路の形成に適合したイオン注入による加工
方法が一般化している。このようなイオン注入による活
性層あるいはＰＮ接合の形成は均一で制御性のよ導性性
が実現可能であるが、実際の回路作成のため要求される
形状に活性層などの形成を行なうためには、あらかじめ
光レジスト等でパターン形成を行って選択的にイオン注
入をするか、あるいは一旦結晶全面に注入を行ったのち
、選択エツチングをするなどの手段が用いられていた。
しかし、現在用いられている半導体集積回路のうち和尚
部分のものは、例えばＣＣＤのようにただ一方向にのみ
キャリア伝達を必要とし、それと垂直方向には電気電導
を必要としないだけでなく、むしろ高い絶縁性が必要と
されている。従来においては、このような場合に前述の
ように光レジストを用いた方法や選択エツチングなどの
手段を用いる方法をとっていたが、これらは複雑な工程
を要し、そのための経済的ではないという欠点があった
。
部分のものは、例えばＣＣＤのようにただ一方向にのみ
キャリア伝達を必要とし、それと垂直方向には電気電導
を必要としないだけでなく、むしろ高い絶縁性が必要と
されている。従来においては、このような場合に前述の
ように光レジストを用いた方法や選択エツチングなどの
手段を用いる方法をとっていたが、これらは複雑な工程
を要し、そのための経済的ではないという欠点があった
。
本発明の目的は、このような欠点を除き、一方向に選択
的に注入したイオンの活性化を可能にし、他方向に対し
ては良好な絶縁性を実現でき、簡便にパターン加工ので
きるレーザ処理装置を提供することにある。
的に注入したイオンの活性化を可能にし、他方向に対し
ては良好な絶縁性を実現でき、簡便にパターン加工ので
きるレーザ処理装置を提供することにある。
本発明の構成は、イオン注入を行りた半導体結晶をレー
ザ光によシ空間的に選択しつつ加熱してアニール行って
電気伝導性を回復させるレーザ処理装置において、前記
半導体結晶を不活性ガスあるいは反応ガスの雰囲気中に
保ち前記レーザ光を透過する壁面をもつ結晶収容手段と
、この結晶収容手段内の半導体結晶上に前記レーザ光を
空間的に干渉させて所定パターンの照射を行うレーザ光
干渉手段とを備えＺ、ことを特徴とする。
ザ光によシ空間的に選択しつつ加熱してアニール行って
電気伝導性を回復させるレーザ処理装置において、前記
半導体結晶を不活性ガスあるいは反応ガスの雰囲気中に
保ち前記レーザ光を透過する壁面をもつ結晶収容手段と
、この結晶収容手段内の半導体結晶上に前記レーザ光を
空間的に干渉させて所定パターンの照射を行うレーザ光
干渉手段とを備えＺ、ことを特徴とする。
本発明を実施例について詳細に説明する。
１図は本発明の実施例の構成を模式的ら示す断面図であ
る。この図面に示す如く、内部の雰囲気を制御でき上面
が平面であゐ石英管１内に補助加熱装置２を設け、この
補助加熱装Ｒ２上にイオン注入済の結晶試料３をおき、
この石英管１内にアルゴンガスを流しつつ、レーザ光源
４からの光の一部を周知の方法によシ一部分を半透明鏡
５ならびに鏡６によ部分離し結晶面上において干渉させ
、レーザ光の周期的な縞模様のパターンを形成せしめる
。このレーザの出力が充分大きいとき、干渉パターンの
明るい部分が選択的に加熱されアニール効果を生ずる。
る。この図面に示す如く、内部の雰囲気を制御でき上面
が平面であゐ石英管１内に補助加熱装置２を設け、この
補助加熱装Ｒ２上にイオン注入済の結晶試料３をおき、
この石英管１内にアルゴンガスを流しつつ、レーザ光源
４からの光の一部を周知の方法によシ一部分を半透明鏡
５ならびに鏡６によ部分離し結晶面上において干渉させ
、レーザ光の周期的な縞模様のパターンを形成せしめる
。このレーザの出力が充分大きいとき、干渉パターンの
明るい部分が選択的に加熱されアニール効果を生ずる。
この時結晶試料３の下地を均一にしかもアニールが起ら
ないアニール温度以下傾補助加熱装置２によシ加熱して
おくと、結晶試料３に歪を発生せずアニール効果を確実
に生せしめ良好なアニール層を得られるのでパ有利であ
る。
ないアニール温度以下傾補助加熱装置２によシ加熱して
おくと、結晶試料３に歪を発生せずアニール効果を確実
に生せしめ良好なアニール層を得られるのでパ有利であ
る。
この干渉パターンの間隔すなわち導電領域の間隔は、周
知のように２光束のなす角度を変えることによって変化
させることができ、光波長の１／２以上の間隔であれば
実現可能である。また石英管１内の雰囲気は空気中の酸
素を含むと試料が酸化されるため、アルゴン、窒素など
は不活性ガスとする方が有利であるが、ＧａＡｓ結晶な
ど化合物半導体を使用する場合、たとえばＡ ｓ Ｈ、
の如き成分元素を含有するガスを用い、周知の通シキャ
ップレス・アニールを行なうことも特性上有益である。
知のように２光束のなす角度を変えることによって変化
させることができ、光波長の１／２以上の間隔であれば
実現可能である。また石英管１内の雰囲気は空気中の酸
素を含むと試料が酸化されるため、アルゴン、窒素など
は不活性ガスとする方が有利であるが、ＧａＡｓ結晶な
ど化合物半導体を使用する場合、たとえばＡ ｓ Ｈ、
の如き成分元素を含有するガスを用い、周知の通シキャ
ップレス・アニールを行なうことも特性上有益である。
また、使用するレーザは多くの半導体結晶によってよく
吸収される波長の短かいものであればよいが、選択的効
果をよく多く発揮させるためにはノ（ルス発振レーザ、
たとえばＱスイッチならびに２倍高調波発生機能をもつ
Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる方が有利である。また、広
範囲にわたって処理を行なうためには、照射を行ないつ
つ光束を結晶に対し相対的に移動せしめうる機構が必要
になるのは当然である。
吸収される波長の短かいものであればよいが、選択的効
果をよく多く発揮させるためにはノ（ルス発振レーザ、
たとえばＱスイッチならびに２倍高調波発生機能をもつ
Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる方が有利である。また、広
範囲にわたって処理を行なうためには、照射を行ないつ
つ光束を結晶に対し相対的に移動せしめうる機構が必要
になるのは当然である。
このよう圧して処理されたイオン注入済み結晶は、一方
向に良好々電導性を、他方向に基板結晶の値で決定され
る高い抵抗値をもちうるため、ＣＣＤを含む集積回路を
始め広汎な用途に供しうる０
向に良好々電導性を、他方向に基板結晶の値で決定され
る高い抵抗値をもちうるため、ＣＣＤを含む集積回路を
始め広汎な用途に供しうる０
図は本発明のレーザ処理装置の実施例を模式的に示した
断面図である。図において ｌ・・・・・・石英管、２・・・・・・補助的加熱装置
、３・・・・・・結晶試料、４・・・・・・レーザ、５
・・・・・・半透明鏡、６・・・・・・銃、である。
断面図である。図において ｌ・・・・・・石英管、２・・・・・・補助的加熱装置
、３・・・・・・結晶試料、４・・・・・・レーザ、５
・・・・・・半透明鏡、６・・・・・・銃、である。
Claims (1)
- イオン注入を行った半導体結晶をレーザ光によシ空間的
に選択しつつ加熱してアニールを行って電気伝導性を回
復させるレーザ処理装置において、前記半導体結晶を不
活性ガスあるいは反応ガスの雰囲気中に保ち前記レーザ
光を透過する壁面を有する結晶収容手段と、この結晶収
容手段内の前記半導体結晶上に前記レーザ光を空間的に
干渉させて所定パターンの照射を行うレーザ光干渉手段
とを備えることを特徴とするレーザ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187316A JPS6079717A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | レ−ザ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187316A JPS6079717A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | レ−ザ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079717A true JPS6079717A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16203866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187316A Pending JPS6079717A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | レ−ザ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360015A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザアニール装置 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP58187316A patent/JPS6079717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360015A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザアニール装置 |
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