JPS6079722A - 電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光方法Info
- Publication number
- JPS6079722A JPS6079722A JP58187391A JP18739183A JPS6079722A JP S6079722 A JPS6079722 A JP S6079722A JP 58187391 A JP58187391 A JP 58187391A JP 18739183 A JP18739183 A JP 18739183A JP S6079722 A JPS6079722 A JP S6079722A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- electron beam
- deflection
- exposed
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被露光材料の表面の高さを測定し、測定された
高さに応じて被露光材料に投射される電子線の偏向量、
偏向歪や光軸方向の結像位置（投影レンズの焦点距離）
を補正して露光する方法に関づる。
高さに応じて被露光材料に投射される電子線の偏向量、
偏向歪や光軸方向の結像位置（投影レンズの焦点距離）
を補正して露光する方法に関づる。
スリン］−を通った光を被露光材料の表面に照射し、被
露光材料の表面に′よっ−Ｃ反射された光によって形成
されるスリブ１〜像の位置を光電検出器を用いた検出手
段により検出Ｊることににす、被露光材料の表面の高ざ
（光軸方向の位置）を表わす信号を得、この信号により
被露光材料に照射される電子線の偏向ゲイン等を補正し
て露光を行なうことが行なわれている（特願昭５５−１
３６１６１号）。このような方法を用いれば、被露光＋
Ａ １１表面の高さを非接触で測定でき、１つ電子線露
光系に全く電磁的な悪影響を与えることがない。しかし
ながら、このような従来の方法にＪ３いＣは、一度に被
露光材料表面の一箇所の高さを測定できるだけであった
／ｊめ、−偏向フィ−ルド内ド料を機械的に移動させる
ことなく露光できる領域）当り一点（例えばフィールド
中心＋：；ｉ ）の高さ測定を行ない、このフィールド
内のサブフィールドの高さは全てこの点の＾さに等しい
しのとしく露光を行なっ（いた。どころが、近時ワーク
ディスタンスの小さい市子線露光装訂を用い゛（の露光
が行われるようになると、このような装置におい−では
、゛電子線の偏向角を大きくして露光しなりればならな
いため、露光材料表面の高さが所定の畠さからずれてい
ると、露光精度が大きく影響され、へ精度の露光を行な
うことができない。
露光材料の表面に′よっ−Ｃ反射された光によって形成
されるスリブ１〜像の位置を光電検出器を用いた検出手
段により検出Ｊることににす、被露光材料の表面の高ざ
（光軸方向の位置）を表わす信号を得、この信号により
被露光材料に照射される電子線の偏向ゲイン等を補正し
て露光を行なうことが行なわれている（特願昭５５−１
３６１６１号）。このような方法を用いれば、被露光＋
Ａ １１表面の高さを非接触で測定でき、１つ電子線露
光系に全く電磁的な悪影響を与えることがない。しかし
ながら、このような従来の方法にＪ３いＣは、一度に被
露光材料表面の一箇所の高さを測定できるだけであった
／ｊめ、−偏向フィ−ルド内ド料を機械的に移動させる
ことなく露光できる領域）当り一点（例えばフィールド
中心＋：；ｉ ）の高さ測定を行ない、このフィールド
内のサブフィールドの高さは全てこの点の＾さに等しい
しのとしく露光を行なっ（いた。どころが、近時ワーク
ディスタンスの小さい市子線露光装訂を用い゛（の露光
が行われるようになると、このような装置におい−では
、゛電子線の偏向角を大きくして露光しなりればならな
いため、露光材料表面の高さが所定の畠さからずれてい
ると、露光精度が大きく影響され、へ精度の露光を行な
うことができない。
本発明は、このような従来の露光方法の火熱を解決し、
ワークディスタンスの小さい電子光学系を有する露光装
置により露光しでも、高精瓜の露光を短時間に行なうこ
とのできるｍ子線露光／ｊ法を提供することを目的とし
ている。
ワークディスタンスの小さい電子光学系を有する露光装
置により露光しでも、高精瓜の露光を短時間に行なうこ
とのできるｍ子線露光／ｊ法を提供することを目的とし
ている。
本発明は、被露光材料の表面に向けて複数のスリットを
通過した光を照射し、該表面の１偏向フイールド内にお
いで反射された光に基づいＣ前記複数のスリットの像が
光電位置検出器の検出面上に結像されるように成し、該
光電位置検出器よりの各スリット像の位置を表わす信号
に基づい又被露光材料に照射される電子線の偏向量及び
若しくは偏向歪及び若しくは光軸方向の結像位置を補正
して電子Ｆｉ！露光りるようにしたことを特徴としでい
る。
通過した光を照射し、該表面の１偏向フイールド内にお
いで反射された光に基づいＣ前記複数のスリットの像が
光電位置検出器の検出面上に結像されるように成し、該
光電位置検出器よりの各スリット像の位置を表わす信号
に基づい又被露光材料に照射される電子線の偏向量及び
若しくは偏向歪及び若しくは光軸方向の結像位置を補正
して電子Ｆｉ！露光りるようにしたことを特徴としでい
る。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳）ホづる。
第１図は、本発明を実施するｌｃめの賛同の一例を示づ
ためのもので、図中５は光源となるランプであり、この
ランプ５よりの光６は遮光板８に入射する。この遮光板
８には第２図に示り゛ように第１、第２．第３のスリブ
ｌ−８ａ、Ｓｂ、Ｓｃが設りられている。これらスリブ
ｈ”Ｓ ａ、、 Ｓ ｂ 、 Ｓ ｃを透過した光６ａ
、６ｂ、６ｃはフィルター９に入用り°る。このフィル
ター９はランプ５よりの光のうち、被露光材１３１１に
塗布されたレンズ１〜を露光させ易い波長成分を除くた
めのものである。フィルター９を透過した光は結像レン
ズ７によっ−（集束され、被露光材料１の表面の近傍に
前記スリットＳａ、Ｓｂ、Ｓｃの像１’）ａ 、 １）
ｌ） 、 ｌ） ｃを結ぶ。これら像Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ
Ｊ：りの光は１３図におい−ＣＧａ、Ｇｂ、Ｇｃで示゛
！ｊ ４４１３１１の表面の１偏向フイールド内の３点
Ｇａ、Ｇｂ、’ＧＯにおいて反射された後、結像レンズ
１０に入射゛する。
ためのもので、図中５は光源となるランプであり、この
ランプ５よりの光６は遮光板８に入射する。この遮光板
８には第２図に示り゛ように第１、第２．第３のスリブ
ｌ−８ａ、Ｓｂ、Ｓｃが設りられている。これらスリブ
ｈ”Ｓ ａ、、 Ｓ ｂ 、 Ｓ ｃを透過した光６ａ
、６ｂ、６ｃはフィルター９に入用り°る。このフィル
ター９はランプ５よりの光のうち、被露光材１３１１に
塗布されたレンズ１〜を露光させ易い波長成分を除くた
めのものである。フィルター９を透過した光は結像レン
ズ７によっ−（集束され、被露光材料１の表面の近傍に
前記スリットＳａ、Ｓｂ、Ｓｃの像１’）ａ 、 １）
ｌ） 、 ｌ） ｃを結ぶ。これら像Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ
Ｊ：りの光は１３図におい−ＣＧａ、Ｇｂ、Ｇｃで示゛
！ｊ ４４１３１１の表面の１偏向フイールド内の３点
Ｇａ、Ｇｂ、’ＧＯにおいて反射された後、結像レンズ
１０に入射゛する。
尚、第３図において、点線で区画された領域はザブノイ
ールドを示している。結像レンズ１０は被露光材料１の
表面に対して像１） ａ 、 Ｐ ｂ 、 Ｐ Ｃと対
称の点に形成される虚ＷＡＰａ−，Ｐｂ−，Ｐｃ−を投
影レンズ′１１の物面に結像させるためのレンズである
。投影レンズ１１はこれら像を各々半導体装置検出器１
２ａ、１２ｂ、１２ｃの検出面に結像さけるためのレン
ズである。各半導体装置検出器１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ
（７）出力信号は、各々増幅器１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
及びＡＤ変換器１４ａ、’１４ｂ、１４ｃを介して電子
計算機１５に供給されている。この半導体装置検出器と
しＣは、例えば検出器を構成り°る一次元的に形成され
た半導体面の一点に光が入射すると、その入射点の半導
体両端部からの距離に反比例した２つの電流が取り出さ
れ、この２つの電流の大きざにより位置検出信号を出力
りる型のものを使用し−（いる、。
ールドを示している。結像レンズ１０は被露光材料１の
表面に対して像１） ａ 、 Ｐ ｂ 、 Ｐ Ｃと対
称の点に形成される虚ＷＡＰａ−，Ｐｂ−，Ｐｃ−を投
影レンズ′１１の物面に結像させるためのレンズである
。投影レンズ１１はこれら像を各々半導体装置検出器１
２ａ、１２ｂ、１２ｃの検出面に結像さけるためのレン
ズである。各半導体装置検出器１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ
（７）出力信号は、各々増幅器１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
及びＡＤ変換器１４ａ、’１４ｂ、１４ｃを介して電子
計算機１５に供給されている。この半導体装置検出器と
しＣは、例えば検出器を構成り°る一次元的に形成され
た半導体面の一点に光が入射すると、その入射点の半導
体両端部からの距離に反比例した２つの電流が取り出さ
れ、この２つの電流の大きざにより位置検出信号を出力
りる型のものを使用し−（いる、。
この電子計算ｌ！１１５には被露光材料１を露光りるた
めの露光情報が蓄積されており、この露光情報に基づい
て電子計算機１５は偏向信号を発生Ｊる。
めの露光情報が蓄積されており、この露光情報に基づい
て電子計算機１５は偏向信号を発生Ｊる。
この偏向信号は偏向歪補正メモリ４を介し−（前記偏向
器３に供給される。電子計算機１５は前記半導体装置検
出器１２ａ、１２ｂ、１２ｃより供給される前記−偏向
ノイールド内の３ Ｉｎ Ｇ ａ＋ （） ｂ ＋Ｇｃ
の高さ情報に基づい（露光づべき１偏向フイールドの各
リブフィールドの＾さを補間しｔ４柿し、この計算され
、ｌこ各１ナブフイールドの高さを表わり情報に基づい
、−（、各リブフィールドを露光゛りる際に、畠さの基
１１ｊｉからのずれに基づく露光位置ヂれを補止４るた
めの補正信号を前記偏向歪補正メモリ４に供給づる。
器３に供給される。電子計算機１５は前記半導体装置検
出器１２ａ、１２ｂ、１２ｃより供給される前記−偏向
ノイールド内の３ Ｉｎ Ｇ ａ＋ （） ｂ ＋Ｇｃ
の高さ情報に基づい（露光づべき１偏向フイールドの各
リブフィールドの＾さを補間しｔ４柿し、この計算され
、ｌこ各１ナブフイールドの高さを表わり情報に基づい
、−（、各リブフィールドを露光゛りる際に、畠さの基
１１ｊｉからのずれに基づく露光位置ヂれを補止４るた
めの補正信号を前記偏向歪補正メモリ４に供給づる。
さ−（、前記露光材料゛１の表面の点Ｑａ、Ｇｂ。
Ｇｃにおい−（反０・ｊされた光に基づい（各位置検出
器１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ土に形成されるスリットの像
の位置は、各表面の測定点Ｇ ）ｌ 、 Ｇ ｂ 、
ＧＣの高さが変化すると、前記虚像１） ａ −、］〕
ｂ −。
器１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ土に形成されるスリットの像
の位置は、各表面の測定点Ｇ ）ｌ 、 Ｇ ｂ 、
ＧＣの高さが変化すると、前記虚像１） ａ −、］〕
ｂ −。
Ｐｃ′の位置が変化するため変化し、各半導体装置検出
器１２ａ、１２ｂ、−１２ｃＪ、りの位置検出信号は、
各点Ｇ ａ 、 Ｇｂ 、 Ｇ Ｃ（ｉＥ確には高さが
界なると測定点も移動りるが無祝乃る）の高さを表わし
℃いる。各点Ｇａ、Ｇｌ）、Ｇｃの高さを表わｑ位置検
出信号 ２ａ、１２ｂ、１２ｃよりの出ツノ信号は増幅
器１３ ａ 、 １３ ｂ 、 １３ ｃにａ３い゛（
増幅され、更にＡＤ変換器によりデジタル信号に変換さ
れた後、電子ｈ１粋ｔａ１５に供給される。電子計算機
１５においＣは、予め記憶されている各点Ｇａ、Ｑｂ、
Ｑｃの座標を表わリデータと、この供給された高さ信号
に基づいて、偏向フィールド内の各サブフィールドの高
さを補間してめ、この計算された各サブフィールドの高
さを表わり一情報に基づいて、高さの基準からのずれに
基づく露光位置ずれを相殺する′ように各サブフィール
ドを露光°りる毎に異なった補正信号を発生さｌて偏向
歪補正メモリ４に供給覆る。実際の露光を行なう場合に
は、この偏向歪補正メモリ４よりの補正信号を読み出し
−Ｃ１電子線２の偏向量が補正されるため、電子ＦｆＡ
２は正しい位置に照射され、各リブフィールドは、所定
の位置に高精度に露光される。
器１２ａ、１２ｂ、−１２ｃＪ、りの位置検出信号は、
各点Ｇ ａ 、 Ｇｂ 、 Ｇ Ｃ（ｉＥ確には高さが
界なると測定点も移動りるが無祝乃る）の高さを表わし
℃いる。各点Ｇａ、Ｇｌ）、Ｇｃの高さを表わｑ位置検
出信号 ２ａ、１２ｂ、１２ｃよりの出ツノ信号は増幅
器１３ ａ 、 １３ ｂ 、 １３ ｃにａ３い゛（
増幅され、更にＡＤ変換器によりデジタル信号に変換さ
れた後、電子ｈ１粋ｔａ１５に供給される。電子計算機
１５においＣは、予め記憶されている各点Ｇａ、Ｑｂ、
Ｑｃの座標を表わリデータと、この供給された高さ信号
に基づいて、偏向フィールド内の各サブフィールドの高
さを補間してめ、この計算された各サブフィールドの高
さを表わり一情報に基づいて、高さの基準からのずれに
基づく露光位置ずれを相殺する′ように各サブフィール
ドを露光°りる毎に異なった補正信号を発生さｌて偏向
歪補正メモリ４に供給覆る。実際の露光を行なう場合に
は、この偏向歪補正メモリ４よりの補正信号を読み出し
−Ｃ１電子線２の偏向量が補正されるため、電子ＦｆＡ
２は正しい位置に照射され、各リブフィールドは、所定
の位置に高精度に露光される。
尚、上述した実施例においては、各ザブフィールドの位
置の高さを表わ１信号に基づいて、電子線の照射位置を
補正するようにしたが、光軸り向の結像位置を補正する
場合にも本発明は同様に適用できる。。
置の高さを表わ１信号に基づいて、電子線の照射位置を
補正するようにしたが、光軸り向の結像位置を補正する
場合にも本発明は同様に適用できる。。
更に又、十）ホした実施例におい−Ｃは、補正信号を偏
向歪補ｉ［メモリに供給しく露光位置を調ｔＩｉｊシー
（電子線照Ｏ］位置の補正を行なうＪ、うにしたが、電
子計算機より出力される偏向イ菖舅でのものを補ｉ１’
−Ｊ−るにうにしくも良い。
向歪補ｉ［メモリに供給しく露光位置を調ｔＩｉｊシー
（電子線照Ｏ］位置の補正を行なうＪ、うにしたが、電
子計算機より出力される偏向イ菖舅でのものを補ｉ１’
−Ｊ−るにうにしくも良い。
又、スリン１〜像の位置を測賠覆るだめの光電位置測定
手段は、半導体装置検出器に限らず、例えば、フッ＋１
〜センサーアレイを用いても良い。更に又、遮光板に設
置ノられたスリツＩ〜は必ずしも、遮光板で囲Ｊ：れＣ
いる必要ば無く、位置検出器上にスリット像又は土ツジ
像を結ばＵることが（゛きるにうなものなら良い、。
手段は、半導体装置検出器に限らず、例えば、フッ＋１
〜センサーアレイを用いても良い。更に又、遮光板に設
置ノられたスリツＩ〜は必ずしも、遮光板で囲Ｊ：れＣ
いる必要ば無く、位置検出器上にスリット像又は土ツジ
像を結ばＵることが（゛きるにうなものなら良い、。
１述し／ｊ説明Ｊ、り明らかなＪ、うに、本発明にｒｌ
りい（は、１−向ノイールド内の複数の点の凸さを１庶
に測定しく、露光位置に応じ（電子線の照射位置及び若
しくは光軸／ｉ向の結像位置を細かく補１１シ（露光づ
ることができる！、−め、ソークディスタンスの短い電
子光学系を有づる露光装置を使用して露光を行なう場合
にも、短詩゛間に高精度の露光を行なうことができる。
りい（は、１−向ノイールド内の複数の点の凸さを１庶
に測定しく、露光位置に応じ（電子線の照射位置及び若
しくは光軸／ｉ向の結像位置を細かく補１１シ（露光づ
ることができる！、−め、ソークディスタンスの短い電
子光学系を有づる露光装置を使用して露光を行なう場合
にも、短詩゛間に高精度の露光を行なうことができる。
第１図は本発明を実ＩＭする／、−めの装置の一例を示
り゛ための図、第２図は第１図に示した遮光板を４細に
承りだめの図、第３図は露光リベさ一偏向フイールドと
複数の高さ測定点を説明覆るだめの図である。 １：被露光材料、２：電子線、３：ｆｉｉ向器、４：偏
向歪補正メモリ、５：ランプ、６ａ、６ｂ、６Ｃ：光線
、７．１０：結像レンズ、８：遮光板、Ｓａ、Ｓｂ、Ｓ
ｃ ニスリット、９：フィルター、１１：投影レンズ、
１２ａ、 １２’ｂ、 １２Ｃ：半導体装置検出器、１
３ａ、１３ｂ、１３ｃ：増幅器、１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ：ＡＤ変換器、１５：電子計算機、Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ
：位ｒ検出点。
り゛ための図、第２図は第１図に示した遮光板を４細に
承りだめの図、第３図は露光リベさ一偏向フイールドと
複数の高さ測定点を説明覆るだめの図である。 １：被露光材料、２：電子線、３：ｆｉｉ向器、４：偏
向歪補正メモリ、５：ランプ、６ａ、６ｂ、６Ｃ：光線
、７．１０：結像レンズ、８：遮光板、Ｓａ、Ｓｂ、Ｓ
ｃ ニスリット、９：フィルター、１１：投影レンズ、
１２ａ、 １２’ｂ、 １２Ｃ：半導体装置検出器、１
３ａ、１３ｂ、１３ｃ：増幅器、１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ：ＡＤ変換器、１５：電子計算機、Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ
：位ｒ検出点。
Claims (1)
- 被露光材料の表面に向けて複数のスリンｌ−を通過した
光を照射し、該表面の１偏向フイールド内において反射
された光に基づいて前記複数のスリットの像が光電位置
検出器の検出面上に結像されるように成し、該光電位置
検出器よりの各スリン１〜像の位置を表ねり信号に基づ
いて被露光材料に照射される電子線の偏向量及び若しく
は偏向歪及び若しくは光軸方向の結像位置を補正し゛Ｃ
電子線露光りるようにしたことを特徴とりる電子線露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187391A JPS6079722A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 電子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187391A JPS6079722A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 電子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079722A true JPS6079722A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH056340B2 JPH056340B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16205200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187391A Granted JPS6079722A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 電子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2339960A (en) * | 1998-07-16 | 2000-02-09 | Advantest Corp | Charged particle beam exposure with compensation for partial unevenness of the surface of the exposed specimen |
| US6414325B1 (en) | 1998-07-16 | 2002-07-02 | Advantest Corporation | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method capable of highly accurate exposure in the presence of partial unevenness on the surface of exposed specimen |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760205A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Jeol Ltd | Exposure be electron beam |
| JPS57140734U (ja) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | ||
| JPS58119642A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子線自動焦点装置 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP58187391A patent/JPS6079722A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760205A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Jeol Ltd | Exposure be electron beam |
| JPS57140734U (ja) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | ||
| JPS58119642A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子線自動焦点装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2339960A (en) * | 1998-07-16 | 2000-02-09 | Advantest Corp | Charged particle beam exposure with compensation for partial unevenness of the surface of the exposed specimen |
| GB2339960B (en) * | 1998-07-16 | 2001-01-17 | Advantest Corp | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method capable of highly accurate exposure in the presence of partial surface unevenness of the specimen |
| US6414325B1 (en) | 1998-07-16 | 2002-07-02 | Advantest Corporation | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method capable of highly accurate exposure in the presence of partial unevenness on the surface of exposed specimen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056340B2 (ja) | 1993-01-26 |
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