JPS6079773A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6079773A JPS6079773A JP58187248A JP18724883A JPS6079773A JP S6079773 A JPS6079773 A JP S6079773A JP 58187248 A JP58187248 A JP 58187248A JP 18724883 A JP18724883 A JP 18724883A JP S6079773 A JPS6079773 A JP S6079773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- imaging device
- shift register
- vertical shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｕ
ｉｃｅ ：電荷転送装置）を用いた固体撮像装置に関し
、特にインターライン転送方式ＣＣＤなとでＭＯＳダイ
オードを受光部とする固体撮像装置に関するものである
。
ｉｃｅ ：電荷転送装置）を用いた固体撮像装置に関し
、特にインターライン転送方式ＣＣＤなとでＭＯＳダイ
オードを受光部とする固体撮像装置に関するものである
。
〈従来技術〉
近年、固体撮像装置の開発は目ざましい進展ｊ・見ぜ、
固体撮像装置を用いたカラービデオカメラは実用化段階
を迎えつつある０ 固体撮像装置の方式には大きく分けてＸＹアドレス方式
とＣＣＤ方式の２種があり、特にＣＣＤ方式は本質的に
出力容量が小さいためＳ／Ｎの点で有利なことから研究
に力が注がれている。ＣＣＤ方式の中でもインターライ
ン転送方式はチップ寸法が小さくできてコスト的に有利
なことや、比較的青感度の向上が図り易いことなどから
固体撮像装置の主流となりつつある。
固体撮像装置を用いたカラービデオカメラは実用化段階
を迎えつつある０ 固体撮像装置の方式には大きく分けてＸＹアドレス方式
とＣＣＤ方式の２種があり、特にＣＣＤ方式は本質的に
出力容量が小さいためＳ／Ｎの点で有利なことから研究
に力が注がれている。ＣＣＤ方式の中でもインターライ
ン転送方式はチップ寸法が小さくできてコスト的に有利
なことや、比較的青感度の向上が図り易いことなどから
固体撮像装置の主流となりつつある。
インぞ一ライン転送方式の受光部を形成する方法として
ＭＯＳダイオードによるものとｐ−１〕接合ダイオード
によるものの２つの方法があり、前者は残像がないのが
特長である。本発明は前者に関するものであり、先ず従
来の、ＭＯＳダイオードを受光部とするＣＣＤ固体撮像
装置について説明を行う。
ＭＯＳダイオードによるものとｐ−１〕接合ダイオード
によるものの２つの方法があり、前者は残像がないのが
特長である。本発明は前者に関するものであり、先ず従
来の、ＭＯＳダイオードを受光部とするＣＣＤ固体撮像
装置について説明を行う。
第１図は単位画素の断面図である。すなわちｐ基板１上
に垂直シフトレジスタ用埋め込みチャネルとしてｎ型層
２が形成されている。ｎ型層２およびｎ型層２に隣接す
る基板の丑まの領域４の上部には、絶縁膜８を介して垂
直シフトレジスタ用電極９が設けら扛ている。基板の１
まの領域４に′隣接して同じく基板のままの領域３が設
けられ、この部分が受光部として動作を行う。基板のま
寸の領域３に隣接して基板よりも不純物濃度の高いｐ領
域５が電位障壁として設けられ、ｐ領域５に隣接してオ
ーバフロードレインを形成するｎ 領域６が設けられて
いる。基板の寸まの領域３．ｐ領域５．ｎ’−領域６の
上部には絶縁膜８を介してホトゲート電極１０が設けら
れている。１］領域２゜基板の捷まの領域３，４．ｐ領
域５，１〕 領域６を除いては、ｐ＋領域７が形成され
、画素分１’ｆｌｔを行う。また上部には受光部を除い
て遮光のためにアルミニウム１１が設けられている。垂
直ンフトレジスタ電極９およびホトゲート電極１０には
、それぞれ２値のクロックパルスが印加されるＣ）す々
わちホトゲート電極１０に低レベルが印加され、垂直シ
フトレジスタ電極９に高レベルが印加されると、基板の
ままの領域３に蓄積した信号電荷が基板のままの領域４
を経て、垂直ンフトレジスタを形成するｎ型層２に転送
される。ホトゲー）ｆｆｔ極１０に高レベルが印加され
ているとき、受光部を形成する基板のままの領域３と垂
直シフトレジスフを形成するｎ型層２は基板の捷まの領
域４により分１１ｉｆｌされ、光電変換により発生した
信号電荷が基板のままの領域３に蓄積される。強い光の
入射により発生した過剰電荷超°ｐ領域５よりなる電位
障壁を経てオーバフロードレイン６に吸収され、いわゆ
るブルーミングが抑圧される。一方垂直シフトレジスタ
内の信号電荷は垂直シフトレジスタクロックにより順次
転送される。以上が従来の、ＭＯＳダイオードを受光部
とするＣＣＤ撮像素子の動作原理である。
に垂直シフトレジスタ用埋め込みチャネルとしてｎ型層
２が形成されている。ｎ型層２およびｎ型層２に隣接す
る基板の丑まの領域４の上部には、絶縁膜８を介して垂
直シフトレジスタ用電極９が設けら扛ている。基板の１
まの領域４に′隣接して同じく基板のままの領域３が設
けられ、この部分が受光部として動作を行う。基板のま
寸の領域３に隣接して基板よりも不純物濃度の高いｐ領
域５が電位障壁として設けられ、ｐ領域５に隣接してオ
ーバフロードレインを形成するｎ 領域６が設けられて
いる。基板の寸まの領域３．ｐ領域５．ｎ’−領域６の
上部には絶縁膜８を介してホトゲート電極１０が設けら
れている。１］領域２゜基板の捷まの領域３，４．ｐ領
域５，１〕 領域６を除いては、ｐ＋領域７が形成され
、画素分１’ｆｌｔを行う。また上部には受光部を除い
て遮光のためにアルミニウム１１が設けられている。垂
直ンフトレジスタ電極９およびホトゲート電極１０には
、それぞれ２値のクロックパルスが印加されるＣ）す々
わちホトゲート電極１０に低レベルが印加され、垂直シ
フトレジスタ電極９に高レベルが印加されると、基板の
ままの領域３に蓄積した信号電荷が基板のままの領域４
を経て、垂直ンフトレジスタを形成するｎ型層２に転送
される。ホトゲー）ｆｆｔ極１０に高レベルが印加され
ているとき、受光部を形成する基板のままの領域３と垂
直シフトレジスフを形成するｎ型層２は基板の捷まの領
域４により分１１ｉｆｌされ、光電変換により発生した
信号電荷が基板のままの領域３に蓄積される。強い光の
入射により発生した過剰電荷超°ｐ領域５よりなる電位
障壁を経てオーバフロードレイン６に吸収され、いわゆ
るブルーミングが抑圧される。一方垂直シフトレジスタ
内の信号電荷は垂直シフトレジスタクロックにより順次
転送される。以上が従来の、ＭＯＳダイオードを受光部
とするＣＣＤ撮像素子の動作原理である。
しかしながら上記従来の構造には以下に示すような２つ
の大きい問題点がある。先ず第１は、ブルーミング抑圧
のためには、電位障壁全形成するためのｐ領域５とオー
バフロードレイン６を平面的に配置する必要があり、こ
のため画素の有効面積が減少することである。第２は暗
電流である。
の大きい問題点がある。先ず第１は、ブルーミング抑圧
のためには、電位障壁全形成するためのｐ領域５とオー
バフロードレイン６を平面的に配置する必要があり、こ
のため画素の有効面積が減少することである。第２は暗
電流である。
すなわちシリコン基板と絶縁膜の界面には表面単画が存
在し、これにより暗電流が発生する。ホトゲート電極１
０には通常ポリシリコンが用いられるが、ポリシリコン
は半透明であるため、特に短波長感度が低下する。これ
を防止するためにはホトゲート電極として酸化インジウ
ノ、や酸化すずなどの透明電極を用いる必要があるが、
これらの月料を用いれば、通常、表面準位が大きくなり
、暗電流が更に増大する。
在し、これにより暗電流が発生する。ホトゲート電極１
０には通常ポリシリコンが用いられるが、ポリシリコン
は半透明であるため、特に短波長感度が低下する。これ
を防止するためにはホトゲート電極として酸化インジウ
ノ、や酸化すずなどの透明電極を用いる必要があるが、
これらの月料を用いれば、通常、表面準位が大きくなり
、暗電流が更に増大する。
〈発明の目的〉
本発明は」二記に鑑みなされたもので、有効面７（−１
の減少々くブルーミング抑圧機能を持ち、かつ、暗電流
の小さいＭＯＳダイオードを受）６部とするＣＣＤ撮像
素子を可能とする固体撮像装置を提供する。
の減少々くブルーミング抑圧機能を持ち、かつ、暗電流
の小さいＭＯＳダイオードを受）６部とするＣＣＤ撮像
素子を可能とする固体撮像装置を提供する。
〈実施例〉
第２図は本発明を適用した一実施例を示す固体撮１象装
置の構成図である０ここで（ａ）は単位画素の平面図で
あり、（ｂ）（Ｃ）はそれぞれｌ−１’、 ｌｌ−１１
’方向の断面図である。
置の構成図である０ここで（ａ）は単位画素の平面図で
あり、（ｂ）（Ｃ）はそれぞれｌ−１’、 ｌｌ−１１
’方向の断面図である。
すなわちｎ゛基板１４」二に１層１２が形成され、更に
、垂直シフトレジスタ用埋め込みチャネルとしてｎ型層
２が形成され、該ｎ型Ｍ２と所定間隔離間させて、受光
部を形成するためのｎ型層１３が形成されている。該ｎ
型層１３は本実施例では撮像による信号電荷が電子であ
ることから、１１型の導電性として形成される。同一半
導体チップに垂直シフトレジスタは複数列形成され、ま
たひとつの垂直シフトレジスタに対して複数個のｎ型層
１３が形成されることによシ二次元撮像装置が構成され
る。上記ｎ型層２とｎ型層１３はｐ層のままの領域４に
より接続されている。ｎ型層２、ｎ型層１３、ｐ層のま
まの領域４以外の部分には、高濃度のｐ型層によるチャ
ネルストップ７が形成されている。一方シリコン基板上
は絶縁膜８で覆われ、その上部に垂直シフトレジスタ用
電極９゜１５．１６．１７がポリシリコンにより形成さ
れている。電極９と１６は第１層目のポリシリコンとし
て、電極１５と１７は第２層目のポリシリコンとして形
成され、異なる層のポリシリコン間は絶縁膜で分離され
ている。電極９．１５，１６゜１７は垂直シフトレジス
タ用ｎ型層２の上部′ｆ：覆い、更にｐ層のままの領域
４の上部をも覆っている。受光部を形成するｎ型層１３
の上部には絶縁膜８を介してホトゲート電極１ｏが設け
られている。該ホトゲート電極１０は絶縁膜を介して垂
直シフトレジスタ電極９，１５，１６．１７の上部を覆
ってもよい。ホトゲート電極１０はポリシリコンを用い
て形成してもよいが、ポリシリコンは半透明であるため
短波長感度の点からは酸化すずや酸化インジウムなどの
透明材料を使うことが望ましい。シリコン基板の最上部
は受光部を除いて遮光のためにＡｔＩＩで覆われている
。ｐ型層によるチャネルストップ７とｎ基板１４の間に
は逆方向のバイアス電圧が印加される。ｎ型層１３と絶
縁膜８の界面に正孔、即ち信号電荷と逆の導電性をもつ
電荷が蓄積するように、ホトゲート電極１０には、ｐ型
層によるチャネルストップ７に対して負の電圧が印加さ
れている。
、垂直シフトレジスタ用埋め込みチャネルとしてｎ型層
２が形成され、該ｎ型Ｍ２と所定間隔離間させて、受光
部を形成するためのｎ型層１３が形成されている。該ｎ
型層１３は本実施例では撮像による信号電荷が電子であ
ることから、１１型の導電性として形成される。同一半
導体チップに垂直シフトレジスタは複数列形成され、ま
たひとつの垂直シフトレジスタに対して複数個のｎ型層
１３が形成されることによシ二次元撮像装置が構成され
る。上記ｎ型層２とｎ型層１３はｐ層のままの領域４に
より接続されている。ｎ型層２、ｎ型層１３、ｐ層のま
まの領域４以外の部分には、高濃度のｐ型層によるチャ
ネルストップ７が形成されている。一方シリコン基板上
は絶縁膜８で覆われ、その上部に垂直シフトレジスタ用
電極９゜１５．１６．１７がポリシリコンにより形成さ
れている。電極９と１６は第１層目のポリシリコンとし
て、電極１５と１７は第２層目のポリシリコンとして形
成され、異なる層のポリシリコン間は絶縁膜で分離され
ている。電極９．１５，１６゜１７は垂直シフトレジス
タ用ｎ型層２の上部′ｆ：覆い、更にｐ層のままの領域
４の上部をも覆っている。受光部を形成するｎ型層１３
の上部には絶縁膜８を介してホトゲート電極１ｏが設け
られている。該ホトゲート電極１０は絶縁膜を介して垂
直シフトレジスタ電極９，１５，１６．１７の上部を覆
ってもよい。ホトゲート電極１０はポリシリコンを用い
て形成してもよいが、ポリシリコンは半透明であるため
短波長感度の点からは酸化すずや酸化インジウムなどの
透明材料を使うことが望ましい。シリコン基板の最上部
は受光部を除いて遮光のためにＡｔＩＩで覆われている
。ｐ型層によるチャネルストップ７とｎ基板１４の間に
は逆方向のバイアス電圧が印加される。ｎ型層１３と絶
縁膜８の界面に正孔、即ち信号電荷と逆の導電性をもつ
電荷が蓄積するように、ホトゲート電極１０には、ｐ型
層によるチャネルストップ７に対して負の電圧が印加さ
れている。
このとき、ｎ型層１３、ｐ型／ｉ’Ｊ１２、ｎ基イ反１
４のポテンシャルは第３図のようになる。すなわちｎ型
層１３の表面部分は正孔が蓄積してチャネルストップ７
と同一の電位となるため、ポテンシャルはＯｖである。
４のポテンシャルは第３図のようになる。すなわちｎ型
層１３の表面部分は正孔が蓄積してチャネルストップ７
と同一の電位となるため、ポテンシャルはＯｖである。
また正孔が蓄積することにより界面準位が埋められるた
め暗電流の発生が抑圧される。信号電荷の蓄積とともに
ｎ型層１３のポテンシャルは順次浅くなって行き、過剰
な信号電荷は１１基板側へ流出するため、強い光の入射
により発生するブルーミングが抑圧される。電極１７゜
９．１５．１６には第４図に示すクロックパルスφ１．
φ２．φ３．φ４がそれぞれ印加される。このクロック
パルスφｌ〜φ４ ｕ、ＶＬ、 ＶＩ 、 ＶＨの３レ
ベルを持つ信号であシ、ＶＬ、又はＶＩのときには垂直
シフトレジスタ２の信号電荷が第２図（ａ）の下から上
へと転送される。このときｎ型層１３とｎ型層２は領域
４により分離されているため、光電変換により発生した
信号電荷はｎ型層１３内に蓄積する。クロックパルスが
ＶＨのときには、ｎ型層１３に蓄積した信号電荷が領域
４を通って垂直シフトレジスタを形成するｎ型層２に転
送される。
め暗電流の発生が抑圧される。信号電荷の蓄積とともに
ｎ型層１３のポテンシャルは順次浅くなって行き、過剰
な信号電荷は１１基板側へ流出するため、強い光の入射
により発生するブルーミングが抑圧される。電極１７゜
９．１５．１６には第４図に示すクロックパルスφ１．
φ２．φ３．φ４がそれぞれ印加される。このクロック
パルスφｌ〜φ４ ｕ、ＶＬ、 ＶＩ 、 ＶＨの３レ
ベルを持つ信号であシ、ＶＬ、又はＶＩのときには垂直
シフトレジスタ２の信号電荷が第２図（ａ）の下から上
へと転送される。このときｎ型層１３とｎ型層２は領域
４により分離されているため、光電変換により発生した
信号電荷はｎ型層１３内に蓄積する。クロックパルスが
ＶＨのときには、ｎ型層１３に蓄積した信号電荷が領域
４を通って垂直シフトレジスタを形成するｎ型層２に転
送される。
第５図は本発明を適用した別の実施例を示す固体撮像装
置の構成図である。ここで（ａ）は平面図、（ｂ） （
ｃ）はそれぞれＩ−１，ｎ−ｎ方向の断面図であ、る。
置の構成図である。ここで（ａ）は平面図、（ｂ） （
ｃ）はそれぞれＩ−１，ｎ−ｎ方向の断面図であ、る。
第５図と第２図の違いは第５図（ｃ）より明らかなよう
に受光部を形成するｎ型層１３の間にチャネルストップ
が存在しないことであり、チャネルストップは第５図（
ｂ）ＶＣ示すようにｎ型層１３と垂直シフトレジスタ用
ｎ型層２の間にのみ設けられる。この構造は特願昭５７
−１２６５５２と同様のもので、受光部をｐ−ｎ接合タ
イオードからＭＯＳダイオードに置き換えたものに相当
する。この構造では電極１７，９，１５，１６には第６
図に示すφ１．φ２′、φ３．φ４′又は第７図に示す
φ１．φｆ。
に受光部を形成するｎ型層１３の間にチャネルストップ
が存在しないことであり、チャネルストップは第５図（
ｂ）ＶＣ示すようにｎ型層１３と垂直シフトレジスタ用
ｎ型層２の間にのみ設けられる。この構造は特願昭５７
−１２６５５２と同様のもので、受光部をｐ−ｎ接合タ
イオードからＭＯＳダイオードに置き換えたものに相当
する。この構造では電極１７，９，１５，１６には第６
図に示すφ１．φ２′、φ３．φ４′又は第７図に示す
φ１．φｆ。
φ３．φ？ を印加すれば良ぐ蜘芒チ午キ曇鴫このと部
分的に省略できマスク合せのずれに伴う特性のバラツキ
を大幅に低減できると同時に第２図と同様の効果が得ら
れる。
分的に省略できマスク合せのずれに伴う特性のバラツキ
を大幅に低減できると同時に第２図と同様の効果が得ら
れる。
〈効 果〉
以上のように本発明を適用することＫより、暗電流が少
なく、かつブルーミング抑圧機能を持ちながら有効面精
の大きい固体撮像装置を実現することができる。々おｐ
基板上に形成した場合にも暗電流低減の効果があること
は明らかである。
なく、かつブルーミング抑圧機能を持ちながら有効面精
の大きい固体撮像装置を実現することができる。々おｐ
基板上に形成した場合にも暗電流低減の効果があること
は明らかである。
第１図は従来のＭＯＳダイオードを受光部とする固体撮
像装置の断面図、第２図は本発明の一実施例による固体
撮像装置の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ
）（ｃ）は断面図、第３図は同実施例の動作説明に供す
る受光部のポテンシャル図、第４図は同実施例の動作説
明に供するクロックパルスのタイミング図、第５図は本
発明による他の実施例による固体撮像装置の構成を示す
図であり、（ａ）は平面図（ｂ）（ｃ）は断面図、第６
図及び第７図は同実施例の動作説明に供するクロックパ
ルスの２４４７７図である。 ２；垂直シフトレジスタ用ｎ型層、４；トランスファゲ
ート部、７；チャネルストップ、８；絶縁膜、９，１５
，１６，１７ ；垂直シフトレジスタ電極、’、 １０
；ホトゲート電極、１１ ； Ａｔ 。 「１ １２；１層、１３；受光部（ｎ型層）、１４；ｎ基板
像装置の断面図、第２図は本発明の一実施例による固体
撮像装置の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ
）（ｃ）は断面図、第３図は同実施例の動作説明に供す
る受光部のポテンシャル図、第４図は同実施例の動作説
明に供するクロックパルスのタイミング図、第５図は本
発明による他の実施例による固体撮像装置の構成を示す
図であり、（ａ）は平面図（ｂ）（ｃ）は断面図、第６
図及び第７図は同実施例の動作説明に供するクロックパ
ルスの２４４７７図である。 ２；垂直シフトレジスタ用ｎ型層、４；トランスファゲ
ート部、７；チャネルストップ、８；絶縁膜、９，１５
，１６，１７ ；垂直シフトレジスタ電極、’、 １０
；ホトゲート電極、１１ ； Ａｔ 。 「１ １２；１層、１３；受光部（ｎ型層）、１４；ｎ基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＭＯＳダイオードを受光部とし、受光部で発生した
信号電荷を転送する垂直シフトレジスタを備えてなる固
体撮像装置において、半導体基板の受光部領域に、半導
体表面に接して信号電荷と同一の導電性を持つ層を形成
し、信号電荷と逆の導電性を持つ電荷が絶縁膜と半導体
との界面に蓄積するようにＭＯＳダイオードの電極にバ
イアス電圧を印加することを特徴とする固体撮像装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置において
、前記垂直シフトレジスタの動作を制御する垂１シフト
レジスタ電極に３値のクロックパルスを印加することを
特徴とする固体撮像装置。 ３）特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置において
、半導体表面に接して設けられる信号電荷と同一の導電
性を持つ層が、信号電荷と同一の導電性を持つ基板上に
形成された信号電荷と逆の導電性を持つ層上に形成され
たことを特徴とする固体撮像装置。 ４）特許請求の範囲第１項又は第２項記載の固体撮像装
置において、半導体表面に接して形成された信号電荷と
同一の導電層を持つ層が、垂直シフトレジスタ電極によ
り相互に分離されたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187248A JPS6079773A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187248A JPS6079773A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079773A true JPS6079773A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16202637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187248A Pending JPS6079773A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672455A (en) * | 1984-08-28 | 1987-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state image-sensor having reverse-biased substrate and transfer registers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544712A (en) * | 1978-09-26 | 1980-03-29 | Toshiba Corp | Storing charge in charge coupled device |
| JPS58161367A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Sharp Corp | 電荷結合素子及びそれを用いた固体撮像素子 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP58187248A patent/JPS6079773A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544712A (en) * | 1978-09-26 | 1980-03-29 | Toshiba Corp | Storing charge in charge coupled device |
| JPS58161367A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Sharp Corp | 電荷結合素子及びそれを用いた固体撮像素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672455A (en) * | 1984-08-28 | 1987-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state image-sensor having reverse-biased substrate and transfer registers |
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