JPS60808B2 - 雑音軽減装置 - Google Patents
雑音軽減装置Info
- Publication number
- JPS60808B2 JPS60808B2 JP51107704A JP10770476A JPS60808B2 JP S60808 B2 JPS60808 B2 JP S60808B2 JP 51107704 A JP51107704 A JP 51107704A JP 10770476 A JP10770476 A JP 10770476A JP S60808 B2 JPS60808 B2 JP S60808B2
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- signal
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- variable resistor
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
- Stereophonic System (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
- Stereophonic Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高城の雑音を軽減するようにした、雑音軽
減装置に関する。
減装置に関する。
従来から、テープ再生信号に含まれるヒスノイズ等の高
域雑音を軽減する装置として、ドルビー方式、DNL方
式、肋x方式等があるが、いずれも高価であり、また他
にFM受信機等で採用されるフレンド方式、一般的なノ
・ィカット方式があるが、これらは入力信号に無関係に
一定の特性を示し、聡感上好ましくない場合が起る。
域雑音を軽減する装置として、ドルビー方式、DNL方
式、肋x方式等があるが、いずれも高価であり、また他
にFM受信機等で採用されるフレンド方式、一般的なノ
・ィカット方式があるが、これらは入力信号に無関係に
一定の特性を示し、聡感上好ましくない場合が起る。
そこでこの発明は、信号レベルに応じてハィブレンドと
ハィカットを連続的に作動させるようにし、これによっ
て極めて簡単に雑音を軽減できるようにした、雑音軽減
装置を提供しようとするものである。
ハィカットを連続的に作動させるようにし、これによっ
て極めて簡単に雑音を軽減できるようにした、雑音軽減
装置を提供しようとするものである。
以下、図を参照して実施例を説明する。
1,,12は主信号の増幅器、2,,22は緩衝増幅器
、3.,32はハイパスフイルタ、4・,42は整流平
滑回路である。
、3.,32はハイパスフイルタ、4・,42は整流平
滑回路である。
また5は直流増幅器「 6は電圧可変抵抗器である。そ
して、この電圧可変抵抗器6は、例えば第2図に示すよ
うに、PチャンネルFET,のそのゲートに直流増幅器
5からの信号をダイオードDを介して加え、その直流増
幅器5からの信号が大レベルの時はゲートとりース間の
抵抗を大きくし、小レベルの時は小さくする作用をする
回路を用いる。
して、この電圧可変抵抗器6は、例えば第2図に示すよ
うに、PチャンネルFET,のそのゲートに直流増幅器
5からの信号をダイオードDを介して加え、その直流増
幅器5からの信号が大レベルの時はゲートとりース間の
抵抗を大きくし、小レベルの時は小さくする作用をする
回路を用いる。
すなわち、この電圧可変抵抗器6は、入力電圧に略比例
して出力抵抗を変化する。C,,C2は電圧可変抵抗器
6の出力側と増幅器1,,12の出力側との間に接続さ
れたコンデンサである。
して出力抵抗を変化する。C,,C2は電圧可変抵抗器
6の出力側と増幅器1,,12の出力側との間に接続さ
れたコンデンサである。
以上において、L、Rチャンネルの入力端に音声信号を
入力させれば、その信号の大部分は増幅器1,,12で
増幅されて出力端に至るが、一部は、緩衝増幅器2,,
22を介して/・ィパスフィル夕3,,32に至るよう
になる。
入力させれば、その信号の大部分は増幅器1,,12で
増幅されて出力端に至るが、一部は、緩衝増幅器2,,
22を介して/・ィパスフィル夕3,,32に至るよう
になる。
このため、音声信号の高城部分のみは/・ィパスフィル
タ3・,32を通過して、整流平滑回路4,,42 で
直流に変換され、両者からの信号は相加わって直流増幅
器5で増幅され、電圧可変抵抗器6に至るようになる。
タ3・,32を通過して、整流平滑回路4,,42 で
直流に変換され、両者からの信号は相加わって直流増幅
器5で増幅され、電圧可変抵抗器6に至るようになる。
ここにおいて、直流増幅器5からの直流信号のレベルが
大きければ、FET,は出力抵抗を大きくし、また逆に
4・さげれば出力抵抗を小さくする。従って、コンデン
サC,とC2の共通接続点は、直流増幅器5からの信号
が大きければ高抵抗を介して接地され、小さければ4・
さな抵抗を介して接地されるようになる。すなわち、今
、高城の高レベルの入力信号が入れば、コンデンサC,
,C2は出力間に直列接続され、この結果Co=C,〆
C2なるコンデンサが増幅器1,,12の出力間に接続
されたこととなり、その出力に現われる高城の信号はそ
のコンデンサC。
大きければ、FET,は出力抵抗を大きくし、また逆に
4・さげれば出力抵抗を小さくする。従って、コンデン
サC,とC2の共通接続点は、直流増幅器5からの信号
が大きければ高抵抗を介して接地され、小さければ4・
さな抵抗を介して接地されるようになる。すなわち、今
、高城の高レベルの入力信号が入れば、コンデンサC,
,C2は出力間に直列接続され、この結果Co=C,〆
C2なるコンデンサが増幅器1,,12の出力間に接続
されたこととなり、その出力に現われる高城の信号はそ
のコンデンサC。
によってブレンドされるようになる。このため、通常高
城部分に含まれるテープのヒスノィズ等の雑音の逆相分
は相殺され、この結果、出力側での雑音は軽減されるよ
うになる。一方「高城の低レベルの入力信号が入力端に
入れば、コンデンサC,,C2の共通接続点は接地状態
に近くなり、両チャンネルの出力特性は、そのコンデン
サC,,C2によってハィカットされた特性となる。
城部分に含まれるテープのヒスノィズ等の雑音の逆相分
は相殺され、この結果、出力側での雑音は軽減されるよ
うになる。一方「高城の低レベルの入力信号が入力端に
入れば、コンデンサC,,C2の共通接続点は接地状態
に近くなり、両チャンネルの出力特性は、そのコンデン
サC,,C2によってハィカットされた特性となる。
すなわち、高城の雑音成分は接地に至り、しかも高城が
低レベルの時であるから、S/N比が大きく向上するよ
うになる。以上のように、入力信号の内、雑音成分を多
く含む高域の信号のレベルに応じて電圧可変抵抗器6の
抵抗値が変化するので、それに応じて出力特性が変化し
、雑音成分が有効に軽減されて、聴感上極めて優れた性
能を発揮できるようになる。
低レベルの時であるから、S/N比が大きく向上するよ
うになる。以上のように、入力信号の内、雑音成分を多
く含む高域の信号のレベルに応じて電圧可変抵抗器6の
抵抗値が変化するので、それに応じて出力特性が変化し
、雑音成分が有効に軽減されて、聴感上極めて優れた性
能を発揮できるようになる。
第3図に出力周波特性を示す。次に第4図以降に他の実
施例を示す。
施例を示す。
この第4図において、第1図と異なるのはブロックAで
ある。6は前記と同様の電圧可変抵抗器、7,,72は
スイッチ回路である。
ある。6は前記と同様の電圧可変抵抗器、7,,72は
スイッチ回路である。
このスイッチ回路7,,72 は、直流増幅器5からの
信号レベルが小さければ導通し、中位以上で遮断する作
用をする。ブロックAの具体例を第6図に示す。第5図
においては、FET2とFET3がスイッチ回路71,
72 にそれぞれ対応する。従って、第5図においては
、直流増幅器5からの信号レベルが中位以上ならば、ス
イッチ回路7,,72 のFET2,FET3は遮断し
、増幅器1,,12 の出力信号は相互間に何ら影響を
及ぼさない。
信号レベルが小さければ導通し、中位以上で遮断する作
用をする。ブロックAの具体例を第6図に示す。第5図
においては、FET2とFET3がスイッチ回路71,
72 にそれぞれ対応する。従って、第5図においては
、直流増幅器5からの信号レベルが中位以上ならば、ス
イッチ回路7,,72 のFET2,FET3は遮断し
、増幅器1,,12 の出力信号は相互間に何ら影響を
及ぼさない。
しかし、直流増幅器5からの信号レベルが中位以下であ
れば、FET2,FET3は導通し、増幅器1,,12
の出力信号は、もっぱら電圧可変抵抗器6の影響を受け
、第1図で説明した場合と同様の作用をする。第7図に
第4図の場合の周波数特性図を示す。第3図と比較して
、信号レベルが大きい場合の高城低下が減少している。
第6図は第4図のブロックAの他の具体例で「Nチャン
ネルFET4がスイッチ回路7,,72 に相当し、P
チャンネルFEL,FET6が電圧可変抵抗器6に相当
する。
れば、FET2,FET3は導通し、増幅器1,,12
の出力信号は、もっぱら電圧可変抵抗器6の影響を受け
、第1図で説明した場合と同様の作用をする。第7図に
第4図の場合の周波数特性図を示す。第3図と比較して
、信号レベルが大きい場合の高城低下が減少している。
第6図は第4図のブロックAの他の具体例で「Nチャン
ネルFET4がスイッチ回路7,,72 に相当し、P
チャンネルFEL,FET6が電圧可変抵抗器6に相当
する。
この場合においても、第7図と同様の特性を得ることが
できる。以上のようにこの発明は、2チャンネル増幅装
置において、その各チャンネルの入力信号から高域成分
の一部を取り出して直流変換した後に加算した信号を、
該信号のレベルに略比例して抵抗値を変化する電圧可変
抵抗器に加え、該電圧可変抵抗器の出力には各チャンネ
ルの出力との間にコンデンサを接続したものである。
できる。以上のようにこの発明は、2チャンネル増幅装
置において、その各チャンネルの入力信号から高域成分
の一部を取り出して直流変換した後に加算した信号を、
該信号のレベルに略比例して抵抗値を変化する電圧可変
抵抗器に加え、該電圧可変抵抗器の出力には各チャンネ
ルの出力との間にコンデンサを接続したものである。
このため、前記したように、比較的大レベルの高城成分
に対しては/・ィブレンド作用を行なって雑音の逆相成
分をキャンセルさせ、また小レベルの高域成分に対して
はハィカツト作用を行なって雑音を接地に落し、しかも
これらの作用はしベルの大小に応じて連続的に行なわれ
るので聡感上何ら不自然さを伴うことはなく、極めてス
ムースにS/N比を向上させるようになる。
に対しては/・ィブレンド作用を行なって雑音の逆相成
分をキャンセルさせ、また小レベルの高域成分に対して
はハィカツト作用を行なって雑音を接地に落し、しかも
これらの作用はしベルの大小に応じて連続的に行なわれ
るので聡感上何ら不自然さを伴うことはなく、極めてス
ムースにS/N比を向上させるようになる。
第1図は本発明の−実施例のブロック図、第2図は電圧
可変抵抗器の具体的回路図、第3図は第1図の周波数特
性図、第4図は他の実施例のブロック図、第5図は第4
図のブロックAの具体的回路図、第6図はブロックAの
他の具体的回路図、第7図は第4図の周波数特性図であ
る。 3,,32……ハイパスフイルタ、4,,42・・・・
・・整流平滑回路、5・…・・直流増幅器、6…・・・
電圧可変抵抗器。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
可変抵抗器の具体的回路図、第3図は第1図の周波数特
性図、第4図は他の実施例のブロック図、第5図は第4
図のブロックAの具体的回路図、第6図はブロックAの
他の具体的回路図、第7図は第4図の周波数特性図であ
る。 3,,32……ハイパスフイルタ、4,,42・・・・
・・整流平滑回路、5・…・・直流増幅器、6…・・・
電圧可変抵抗器。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 1 2チヤンネル増幅装置において、その各チヤンネル
の入力信号から高域成分の一部を取り出して直流変換し
た後に加算した信号を、該信号のレベルに略比例して抵
抗値を変化する電圧可変抵抗器に加え、各チヤンネルの
出力と前記電圧可変抵抗器の出力との間には各別のコン
デンサを接続し、電圧可変抵抗器への信号レベルに応じ
て各チヤンネルの出力がハイブレンド及びハイカツトを
連続して行なうようにしたことを特徴とする雑音軽減装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51107704A JPS60808B2 (ja) | 1976-09-10 | 1976-09-10 | 雑音軽減装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51107704A JPS60808B2 (ja) | 1976-09-10 | 1976-09-10 | 雑音軽減装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5333559A JPS5333559A (en) | 1978-03-29 |
| JPS60808B2 true JPS60808B2 (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14465819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51107704A Expired JPS60808B2 (ja) | 1976-09-10 | 1976-09-10 | 雑音軽減装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60808B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637213A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-10 | Toray Ind Inc | Manufacture of beta-type silicon carbide powder |
-
1976
- 1976-09-10 JP JP51107704A patent/JPS60808B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5333559A (en) | 1978-03-29 |
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