JPS6081847A - 沸騰冷媒式冷却装置 - Google Patents
沸騰冷媒式冷却装置Info
- Publication number
- JPS6081847A JPS6081847A JP58190534A JP19053483A JPS6081847A JP S6081847 A JPS6081847 A JP S6081847A JP 58190534 A JP58190534 A JP 58190534A JP 19053483 A JP19053483 A JP 19053483A JP S6081847 A JPS6081847 A JP S6081847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refrigerant
- coolant
- liquid phase
- reed switch
- boiling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/73—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control for cooling by change of state
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は密閉された容器内において半導体素子が沸騰冷
媒中に浸され、該冷媒の気液の相変化を伴なう循環を利
用して前記半導体素子の冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装
置に関する。この種の冷却装置においては牛導体素子の
過熱を防止するために如何なる場合にも、前記半導体素
子並びにその冷却体が常に前記沸騰冷媒の液相部分の内
部に完全に浸されていることが必要である。
媒中に浸され、該冷媒の気液の相変化を伴なう循環を利
用して前記半導体素子の冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装
置に関する。この種の冷却装置においては牛導体素子の
過熱を防止するために如何なる場合にも、前記半導体素
子並びにその冷却体が常に前記沸騰冷媒の液相部分の内
部に完全に浸されていることが必要である。
従来この種の沸騰冷媒式冷却装置として第１図に示す如
きものが知られている。即ち発熱源となる半導体素子１
と該素子１に接合され該素子１に発生した熱を外部に伝
達する冷却体２とから構成された半導体スタックが適宜
の手段４により密閉容器８内に保持される。前記半導体
スタックのリード線３は密閉容器８の一方の壁に設けら
れた気密端子１０を介して外部の電源に接続される。ま
た密閉容器８の内部には前記半導体素子１の冷却体２が
伝達する熱を吸収して沸騰気化する冷媒５の所定量が貯
留され、前記半導体スタックは前記冷媒５中に完全に浸
されている。更に密閉容器８の上部にはその外周に多数
の放熱フィン１３を備え前記半導体素子１の冷却体２の
伝達する熱を吸収して沸騰気化した冷媒５の気相部分が
導びがれる凝縮管１２が複数個配置される。
きものが知られている。即ち発熱源となる半導体素子１
と該素子１に接合され該素子１に発生した熱を外部に伝
達する冷却体２とから構成された半導体スタックが適宜
の手段４により密閉容器８内に保持される。前記半導体
スタックのリード線３は密閉容器８の一方の壁に設けら
れた気密端子１０を介して外部の電源に接続される。ま
た密閉容器８の内部には前記半導体素子１の冷却体２が
伝達する熱を吸収して沸騰気化する冷媒５の所定量が貯
留され、前記半導体スタックは前記冷媒５中に完全に浸
されている。更に密閉容器８の上部にはその外周に多数
の放熱フィン１３を備え前記半導体素子１の冷却体２の
伝達する熱を吸収して沸騰気化した冷媒５の気相部分が
導びがれる凝縮管１２が複数個配置される。
前記の如くにして構成された半導体素子の沸騰冷媒式冷
却装置においては、半導体素子１の冷却体２が伝達する
熱を吸収して沸騰気化した冷媒５の気相部分は密閉容器
８の内部の圧力差により上部の凝縮管１２の内部に移動
し、放熱フィン１３を備えた凝縮管１２の内壁に接して
熱を奪われ凝縮再液化して重力の作用により下部の密閉
容器８内の液相部分に還流する。前記の如き気液の相変
化を伴なう冷媒５の循環に際して、半導体素子１の損失
熱は該素子１の冷却体２における沸騰熱伝達並びに凝縮
管１２における凝縮熱伝達と凝縮管外壁の放熱フィン１
３における対流熱伝速とにより大気中に伝達放散される
。その際沸騰冷媒５として通常使用される７０ンＲ−１
１３の場合には、前記半導体スタックに通電しない無倉
荷状態においては密閉容器８の内部圧力は大気圧以下に
保持されているが、前記半導体スタックに通電して負荷
状態にした場合に密閉容器８内の温度が上昇して、４７
．６℃以上に達すると、密閉容器８の内部圧力は大気圧
よりも高くなり前記冷媒５が外部に漏えいして前記容器
８内における冷媒５の液相表面が低下し、前記半導体ス
タックを構成する半導体素子１の冷却体２の一部が前記
冷媒５の液相表面上に露出することがある。その場合に
は冷却体２の前記冷媒５の液相部分に接触する面積が減
少し冷却体２における沸騰熱伝達の効率が低下して半導
体素子１が過熱する虞れが生ずる。
却装置においては、半導体素子１の冷却体２が伝達する
熱を吸収して沸騰気化した冷媒５の気相部分は密閉容器
８の内部の圧力差により上部の凝縮管１２の内部に移動
し、放熱フィン１３を備えた凝縮管１２の内壁に接して
熱を奪われ凝縮再液化して重力の作用により下部の密閉
容器８内の液相部分に還流する。前記の如き気液の相変
化を伴なう冷媒５の循環に際して、半導体素子１の損失
熱は該素子１の冷却体２における沸騰熱伝達並びに凝縮
管１２における凝縮熱伝達と凝縮管外壁の放熱フィン１
３における対流熱伝速とにより大気中に伝達放散される
。その際沸騰冷媒５として通常使用される７０ンＲ−１
１３の場合には、前記半導体スタックに通電しない無倉
荷状態においては密閉容器８の内部圧力は大気圧以下に
保持されているが、前記半導体スタックに通電して負荷
状態にした場合に密閉容器８内の温度が上昇して、４７
．６℃以上に達すると、密閉容器８の内部圧力は大気圧
よりも高くなり前記冷媒５が外部に漏えいして前記容器
８内における冷媒５の液相表面が低下し、前記半導体ス
タックを構成する半導体素子１の冷却体２の一部が前記
冷媒５の液相表面上に露出することがある。その場合に
は冷却体２の前記冷媒５の液相部分に接触する面積が減
少し冷却体２における沸騰熱伝達の効率が低下して半導
体素子１が過熱する虞れが生ずる。
前記の如き欠点を除去するために、従来の沸騰冷媒式冷
却装置においては第１図に示す如く半導体素子１の冷却
体２あるいはリード線３に温度センサ１９を結合し、密
閉容器８の壁に設けられた気密端子２０を介して前記セ
ンサ１９のリード線を外部に引出し、該リード線によっ
て温度センサ１９の検出値を取り出し、前記検出値にも
とづいて緊急の場合適宜の手段を介して前記半導体スタ
ックへの通電を遮断し半導体素子１の過熱を防止する如
くにされている。
却装置においては第１図に示す如く半導体素子１の冷却
体２あるいはリード線３に温度センサ１９を結合し、密
閉容器８の壁に設けられた気密端子２０を介して前記セ
ンサ１９のリード線を外部に引出し、該リード線によっ
て温度センサ１９の検出値を取り出し、前記検出値にも
とづいて緊急の場合適宜の手段を介して前記半導体スタ
ックへの通電を遮断し半導体素子１の過熱を防止する如
くにされている。
しかしながら上記の如き過熱防止手段においては、半導
体素子１の冷却体２あるいはリード線３には高電圧が印
加されるから温度センサ１９を含む温度検出回路と受信
部との間に絶縁変圧器（図示せず）を設けることが必要
になるという欠点を伴なう。更に前記の如き過熱防止装
置においては、前記半導体スタックに通電が行なわれて
いない状態において何らかの原因により沸騰冷媒５が減
量してその液相部分の表面が低下し、半導体素子１の冷
却体２の一部が前記液相部分の表面上に露出する所謂液
枯れの状態になっている場合に前記半導体スタックに通
電すると、温度センサ１９の結合された半導体素子１の
冷却体２あるいはリード線３の温度が上昇し温度センサ
１９が所定の危険温度を検出して保護動作を行なわせる
より以前に半導体素子１が過熱するため、この場合半導
体素子を熱的破壊から保護することができないという欠
点もある。
体素子１の冷却体２あるいはリード線３には高電圧が印
加されるから温度センサ１９を含む温度検出回路と受信
部との間に絶縁変圧器（図示せず）を設けることが必要
になるという欠点を伴なう。更に前記の如き過熱防止装
置においては、前記半導体スタックに通電が行なわれて
いない状態において何らかの原因により沸騰冷媒５が減
量してその液相部分の表面が低下し、半導体素子１の冷
却体２の一部が前記液相部分の表面上に露出する所謂液
枯れの状態になっている場合に前記半導体スタックに通
電すると、温度センサ１９の結合された半導体素子１の
冷却体２あるいはリード線３の温度が上昇し温度センサ
１９が所定の危険温度を検出して保護動作を行なわせる
より以前に半導体素子１が過熱するため、この場合半導
体素子を熱的破壊から保護することができないという欠
点もある。
（５）
本発明は従来の沸騰冷媒式冷却装置の有する前記の如き
欠点に鑑み、密閉容器内に収納された半導体スタックが
浸される沸騰冷媒の液相表面が前記半導体スタックの半
導体素子の冷却に必要なレベルを維持しているか否かを
確実に検出し、前記冷媒の減量にもとづく前記半導体素
子の過熱を防止するとともに、前記冷媒の液相表面のレ
ベルを検出する手段に引き出し線の気密端子並びに絶縁
変圧器を必要としない構成の簡単な半導体素子の沸騰冷
媒式冷却装置を提供することを目的とする。
欠点に鑑み、密閉容器内に収納された半導体スタックが
浸される沸騰冷媒の液相表面が前記半導体スタックの半
導体素子の冷却に必要なレベルを維持しているか否かを
確実に検出し、前記冷媒の減量にもとづく前記半導体素
子の過熱を防止するとともに、前記冷媒の液相表面のレ
ベルを検出する手段に引き出し線の気密端子並びに絶縁
変圧器を必要としない構成の簡単な半導体素子の沸騰冷
媒式冷却装置を提供することを目的とする。
本発明は前記の目的を達成するために首記の沸騰冷媒式
冷却装置において、前記密閉容器内の前記沸騰冷媒の液
相表面に対して垂直に設けられ前記容器の内部において
は密閉された非磁性体からなるパイプの内部の前記冷媒
の液相表面の所定のレベルにほぼ対応する位置にリード
スイッチを固定し、該リードスイッチのリード線を前記
密閉容器の上部器壁を介して外部に引き出すとともに、
永久磁石を備え前記冷媒の液相表面のレベルの上ｔｌ 下運動に従って常に前記パイプに沿って上下し得る７四
−トを設けることにより、前記冷媒が何らかの原因によ
り減量して該冷媒の液相表面のレベルが低下した場合、
常時は前記リードスイッチとほぼ同一の位置を占めてい
る前記フ四−トが前記パイプに沿って降下し前記リード
スイッチから遠ざかる結果、前記リードスイッチが動作
して前記リード線を介して適宜の手段を作動させ、前記
半導体スタックの通電を遮断して前記半導体素子の過熱
を防止する。
冷却装置において、前記密閉容器内の前記沸騰冷媒の液
相表面に対して垂直に設けられ前記容器の内部において
は密閉された非磁性体からなるパイプの内部の前記冷媒
の液相表面の所定のレベルにほぼ対応する位置にリード
スイッチを固定し、該リードスイッチのリード線を前記
密閉容器の上部器壁を介して外部に引き出すとともに、
永久磁石を備え前記冷媒の液相表面のレベルの上ｔｌ 下運動に従って常に前記パイプに沿って上下し得る７四
−トを設けることにより、前記冷媒が何らかの原因によ
り減量して該冷媒の液相表面のレベルが低下した場合、
常時は前記リードスイッチとほぼ同一の位置を占めてい
る前記フ四−トが前記パイプに沿って降下し前記リード
スイッチから遠ざかる結果、前記リードスイッチが動作
して前記リード線を介して適宜の手段を作動させ、前記
半導体スタックの通電を遮断して前記半導体素子の過熱
を防止する。
次に図面に表わされた実施例にもとづいて本発明の詳細
な説明する。第２図において通電時に発熱源となる半導
体素子１と該半導体素子に接合され該素子に発生した熱
を外部に伝達する冷却体２とから構成された半導体スタ
ックが適宜の手段４により密閉容器８の内部に保持され
ている。前記牛導体スタックのリード線３は密閉容器８
の一方の器壁に設けられた気密端子１０を介して外部の
電源に接続される。また密閉容器８の内部には前記半導
体素子の冷却体２が伝達する熱を吸収して沸騰気化する
冷媒５の所定量が貯留され、前記半導体スタックは前記
冷媒５の内部に完全に浸されている。更に密閉容器８の
上部にはその外周に多数の放熱フィン１３を備え半導体
素子１の冷却体２から熱を吸収して沸騰気化した冷媒５
の気相部分が導びかれる凝縮管１２が複数個配置される
。
な説明する。第２図において通電時に発熱源となる半導
体素子１と該半導体素子に接合され該素子に発生した熱
を外部に伝達する冷却体２とから構成された半導体スタ
ックが適宜の手段４により密閉容器８の内部に保持され
ている。前記牛導体スタックのリード線３は密閉容器８
の一方の器壁に設けられた気密端子１０を介して外部の
電源に接続される。また密閉容器８の内部には前記半導
体素子の冷却体２が伝達する熱を吸収して沸騰気化する
冷媒５の所定量が貯留され、前記半導体スタックは前記
冷媒５の内部に完全に浸されている。更に密閉容器８の
上部にはその外周に多数の放熱フィン１３を備え半導体
素子１の冷却体２から熱を吸収して沸騰気化した冷媒５
の気相部分が導びかれる凝縮管１２が複数個配置される
。
更に密閉容器８の上部器壁には第３図にその詳細を示す
如く前記冷媒の液相表面に対して垂直に設けられ前記容
器の内部においては密閉された非磁性体からなるパイプ
１４が設けられ、該パイプ１４の内部にはリードスイッ
チ１７が前記冷媒の液相表面のレベルにほぼ対応する位
置に固定され、適宜の手段によりリードスイッチ１７の
リード１１９が前記上部器壁を介して外部に引き出され
る。また前記パイプ１４に対し同心状に永久磁石を内蔵
したリング状のフロート１５が前記冷媒５の液相表面の
上下速動に従って常に前記パイプに沿って上下し得る如
く配置される。
如く前記冷媒の液相表面に対して垂直に設けられ前記容
器の内部においては密閉された非磁性体からなるパイプ
１４が設けられ、該パイプ１４の内部にはリードスイッ
チ１７が前記冷媒の液相表面のレベルにほぼ対応する位
置に固定され、適宜の手段によりリードスイッチ１７の
リード１１９が前記上部器壁を介して外部に引き出され
る。また前記パイプ１４に対し同心状に永久磁石を内蔵
したリング状のフロート１５が前記冷媒５の液相表面の
上下速動に従って常に前記パイプに沿って上下し得る如
く配置される。
前記の如くに構成された本発明の沸騰冷媒式冷却装置に
おいては既に第１図の従来の冷却装置について説明した
如く、半導体素子１の冷却体２の伝達する熱を吸収して
沸騰気化した冷媒５の気相部分は密閉容器８内の圧力兼
により上部の凝縮管１２の内部に移動し、放熱フィン１
６を備えた前記凝縮管１２の内壁に接して熱を奪われ、
凝縮再液化し重力の作用により下部の密閉容器８内の前
記冷媒５の液相部分に還流する。前記の如き気液の相変
化を伴なう冷媒５の循環に際して半導体素子１の損失熱
は前記冷却体２における沸騰熱伝達並びに凝縮管１２に
おける凝縮熱伝達と凝縮管の放熱フィン１ろにおける対
流熱伝達とにより大気中に伝達放散される。その際既に
説明した如く沸騰冷媒５として７０ンＲ−１１３を使用
する場合前記半導体スタックに通電しない無負荷状態で
は密閉容器８の内部圧力は大気圧以下に保持されている
が、前記半導体スタックに通電して負荷状態にした場合
に密閉容器８の湿度が上昇して４７．６℃以上に達する
と密閉容器８の内部圧力が大気圧よりも高くなり、前記
冷媒５が外部に漏えいして前／ Ｍ Ｘ 記容器８内における冷媒５の液相表面が低下し前記半導
体素子１の冷却体２の一部が前記液相表面上に露出する
ことがある。その場合には冷却体２の前記冷媒５の液相
部分に接触する面積が減少し冷却体における沸騰熱伝達
の効率が低下して半導体素子１が過熱する虞れが生ずる
。
おいては既に第１図の従来の冷却装置について説明した
如く、半導体素子１の冷却体２の伝達する熱を吸収して
沸騰気化した冷媒５の気相部分は密閉容器８内の圧力兼
により上部の凝縮管１２の内部に移動し、放熱フィン１
６を備えた前記凝縮管１２の内壁に接して熱を奪われ、
凝縮再液化し重力の作用により下部の密閉容器８内の前
記冷媒５の液相部分に還流する。前記の如き気液の相変
化を伴なう冷媒５の循環に際して半導体素子１の損失熱
は前記冷却体２における沸騰熱伝達並びに凝縮管１２に
おける凝縮熱伝達と凝縮管の放熱フィン１ろにおける対
流熱伝達とにより大気中に伝達放散される。その際既に
説明した如く沸騰冷媒５として７０ンＲ−１１３を使用
する場合前記半導体スタックに通電しない無負荷状態で
は密閉容器８の内部圧力は大気圧以下に保持されている
が、前記半導体スタックに通電して負荷状態にした場合
に密閉容器８の湿度が上昇して４７．６℃以上に達する
と密閉容器８の内部圧力が大気圧よりも高くなり、前記
冷媒５が外部に漏えいして前／ Ｍ Ｘ 記容器８内における冷媒５の液相表面が低下し前記半導
体素子１の冷却体２の一部が前記液相表面上に露出する
ことがある。その場合には冷却体２の前記冷媒５の液相
部分に接触する面積が減少し冷却体における沸騰熱伝達
の効率が低下して半導体素子１が過熱する虞れが生ずる
。
前記の如き事態に対し本発明の冷却装置においては、密
閉容器８の上部器壁に設けられその内部にリードスイッ
チ１７の固定されたパイプ１４に沿って運動し得る永久
磁石を内蔵したリング状のフロート１５が前記冷媒５の
液相表面の低下に従って降下しリードスイッチ１７から
遠ざかる結果、フロート１５内の永久磁石のリードスイ
ッチ１７に及ぼす磁力が弱まり終にリードスイッチが動
作するに至る。その結果密閉容器８の外部に引き出され
たリード線１９を介して適宜の手段を作動させることに
より前記牛導体スタックの通電が遮断され、半導体素子
の過熱が確実に防止される。
閉容器８の上部器壁に設けられその内部にリードスイッ
チ１７の固定されたパイプ１４に沿って運動し得る永久
磁石を内蔵したリング状のフロート１５が前記冷媒５の
液相表面の低下に従って降下しリードスイッチ１７から
遠ざかる結果、フロート１５内の永久磁石のリードスイ
ッチ１７に及ぼす磁力が弱まり終にリードスイッチが動
作するに至る。その結果密閉容器８の外部に引き出され
たリード線１９を介して適宜の手段を作動させることに
より前記牛導体スタックの通電が遮断され、半導体素子
の過熱が確実に防止される。
その際密閉容器８から沸騰冷媒５を抜き取った如き場合
あるいは前記冷媒の液相表面のレベルが過度に低下して
密閉管１４に同心状に配置されたリング状のフロート１
５が前記密閉管から離脱するのを防止するため密閉管１
４の下端にストッパ１８を設けるのが良い。
あるいは前記冷媒の液相表面のレベルが過度に低下して
密閉管１４に同心状に配置されたリング状のフロート１
５が前記密閉管から離脱するのを防止するため密閉管１
４の下端にストッパ１８を設けるのが良い。
本発明は以上に説明した如く、密閉された容器内におい
て半導体素子が沸騰冷媒中に浸され、該冷媒の気液の相
変化を伴なう循環を利用して前記半導体素子の冷却を行
なう沸騰冷媒式冷却装置において、前記密閉容器内の前
記沸騰冷媒の液相表面に対して画直に設けられ前記容器
の内部においては密閉された非磁性体からなるパイプの
内部の前記冷媒の液相表面の所定のレベルにほぼ対応す
る位置にリードスイッチを固定し、該リードスイッチの
リード線を前記密閉容器の上部器壁を介して外部に引き
出すとともに、永久磁石を備え前記冷媒の液相表面の上
下運動に従って常に前記パイプに沿って上下し得るフロ
ートを設けることにより、半導体素子の過熱を防止する
ための密閉容器内の沸騰冷媒の液相表面のレベルを検出
するフロ（１１） 一トと該フロートにより作動するリードスイッチとから
なるレベル検出部を半導体スタックから独立して配置す
ることができ、前記液相表面のレベル検出回路にリード
線のための気密端子や絶縁変圧器を設ける必要がないか
ら構成が簡単で経済的であるとともに、半導体素子の冷
媒減量にもとづく過熱を直接前記冷媒の液相表面のレベ
ルを検出することにより防止するものであるがら、半導
体スタックの通常の通電時は勿論のこと、該スタックに
対する通電開始直後においても半導体素子の過熱を確実
に防止できる効果がある。
て半導体素子が沸騰冷媒中に浸され、該冷媒の気液の相
変化を伴なう循環を利用して前記半導体素子の冷却を行
なう沸騰冷媒式冷却装置において、前記密閉容器内の前
記沸騰冷媒の液相表面に対して画直に設けられ前記容器
の内部においては密閉された非磁性体からなるパイプの
内部の前記冷媒の液相表面の所定のレベルにほぼ対応す
る位置にリードスイッチを固定し、該リードスイッチの
リード線を前記密閉容器の上部器壁を介して外部に引き
出すとともに、永久磁石を備え前記冷媒の液相表面の上
下運動に従って常に前記パイプに沿って上下し得るフロ
ートを設けることにより、半導体素子の過熱を防止する
ための密閉容器内の沸騰冷媒の液相表面のレベルを検出
するフロ（１１） 一トと該フロートにより作動するリードスイッチとから
なるレベル検出部を半導体スタックから独立して配置す
ることができ、前記液相表面のレベル検出回路にリード
線のための気密端子や絶縁変圧器を設ける必要がないか
ら構成が簡単で経済的であるとともに、半導体素子の冷
媒減量にもとづく過熱を直接前記冷媒の液相表面のレベ
ルを検出することにより防止するものであるがら、半導
体スタックの通常の通電時は勿論のこと、該スタックに
対する通電開始直後においても半導体素子の過熱を確実
に防止できる効果がある。
第１図は従来の沸騰冷媒式冷却装置の概略縦断面図、第
２図は本発明の沸騰冷媒式冷却装置の概略縦断面図、更
に第３図は本発明の沸騰冷媒式冷却装置の沸騰冷媒の液
相表面のレベル検出装置の概略縦断面図をそれぞれに表
わす。 １：半導体素子、２：冷却体、５：沸騰冷媒、８：密閉
容器、１４：パイプ、１５：フロート、１６：１０’＼
剛１ｚｋ 第３図
２図は本発明の沸騰冷媒式冷却装置の概略縦断面図、更
に第３図は本発明の沸騰冷媒式冷却装置の沸騰冷媒の液
相表面のレベル検出装置の概略縦断面図をそれぞれに表
わす。 １：半導体素子、２：冷却体、５：沸騰冷媒、８：密閉
容器、１４：パイプ、１５：フロート、１６：１０’＼
剛１ｚｋ 第３図
Claims (1)
- １）密閉された容器内において牛導体素子が沸騰冷媒中
に浸され、該冷媒の気液の相変化を伴なう循環を利用し
て前記半導体素子の冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装置に
おいて、前記密閉容器内の前記沸騰冷媒の液相表面に対
して垂直に設けられかつ前記容器の内部においては密閉
された非磁性体からなるバイブの内部の前記冷媒の液相
表面の所定のレベルにほぼ対応する位置にリードスイッ
チを固定し、該リードスイッチのリード線を前記密閉容
器の上部器壁を介して外部に引き出すとともに、永久磁
石を備え前記冷媒の液相表面のレベルの上下運動に従っ
て常に前記パイプに沿って上下し得るフロートを設けて
なることを特徴とする沸騰冷媒式冷却装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190534A JPS6081847A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 沸騰冷媒式冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190534A JPS6081847A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 沸騰冷媒式冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081847A true JPS6081847A (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16259683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190534A Pending JPS6081847A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 沸騰冷媒式冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3229103A4 (en) * | 2014-12-05 | 2018-07-11 | Exascaler Inc. | Electronic apparatus cooling device |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58190534A patent/JPS6081847A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3229103A4 (en) * | 2014-12-05 | 2018-07-11 | Exascaler Inc. | Electronic apparatus cooling device |
| US10123453B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-11-06 | Exascaler Inc. | Electronic apparatus cooling system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2958021A (en) | Cooling arrangement for transistor | |
| US2288341A (en) | Blocking layer electrode system | |
| US2883591A (en) | Semiconductor rectifier device | |
| US3626080A (en) | Means for circulating liquid coolants | |
| US3261905A (en) | Stationary induction apparatus cooling system | |
| US4117525A (en) | Overpressure protection for vaporization cooled electrical apparatus | |
| US8922310B2 (en) | Heat exchanger system for dry-type transformers | |
| JPS6081847A (ja) | 沸騰冷媒式冷却装置 | |
| US2985707A (en) | Electrical cooling system | |
| US4048603A (en) | Vaporization cooled transformer | |
| EP0691722B1 (en) | Superconducting apparatus and method for operating said superconducting apparatus | |
| US854278A (en) | Radiator. | |
| JPS6081849A (ja) | 沸騰冷媒式冷却装置 | |
| RU2142660C1 (ru) | Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением | |
| JPS5935038Y2 (ja) | 沸騰冷却装置 | |
| JPS6322684Y2 (ja) | ||
| US3023263A (en) | Electrical apparatus | |
| JPS6110218A (ja) | セパレ−ト式箔巻変圧器 | |
| JPS60257158A (ja) | 半導体冷却装置 | |
| JPS6110219A (ja) | セパレ−ト式箔巻変圧器 | |
| JPS5910248A (ja) | 半導体沸騰冷却装置 | |
| JPH0632657Y2 (ja) | ガス絶縁電気機器 | |
| JPS636145B2 (ja) | ||
| JPH0472796A (ja) | 冷却モジュール | |
| SU970515A1 (ru) | Силовой полупроводниковый преобразователь с принудительным охлаждением |