JPS6083334A - 洗滌装置 - Google Patents
洗滌装置Info
- Publication number
- JPS6083334A JPS6083334A JP58191624A JP19162483A JPS6083334A JP S6083334 A JPS6083334 A JP S6083334A JP 58191624 A JP58191624 A JP 58191624A JP 19162483 A JP19162483 A JP 19162483A JP S6083334 A JPS6083334 A JP S6083334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- washing tank
- water
- substrate
- washing
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の、技術分野 ”
本発明は新暦、した基板を洗滌する洗酢槽の構成に関す
る。′ □ （ｂ） 技術の背景 ゛ 半導体ＩＣ，ＬＳＩなどのデバイス（・１シリコン（Ｓ
ｔ ）、ガリウム砒ｆｉ： （Ｇａ Ａｓ ）などの−
ｔ￥結結晶基板出用薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホト
リングラフィ）によって導体パターンなどの微イ１：１
パターンが作られでいる。
る。′ □ （ｂ） 技術の背景 ゛ 半導体ＩＣ，ＬＳＩなどのデバイス（・１シリコン（Ｓ
ｔ ）、ガリウム砒ｆｉ： （Ｇａ Ａｓ ）などの−
ｔ￥結結晶基板出用薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホト
リングラフィ）によって導体パターンなどの微イ１：１
パターンが作られでいる。
こ＼で写真蝕刻技術はホトレジストを塗布した半導体基
板に予め微細パターンが形成しであるホトマスクを用い
て紫外ｆｌ、ｉｌ’、＋−などを投影露光し、ホトレジ
ストとしてネガタイプを用いるｊＺ”１合は光照射部が
不溶となり、一方ボシタイブを用いる場合は光照射部が
可溶となる性質を利用し７て選択エツチングが行われて
いる。
板に予め微細パターンが形成しであるホトマスクを用い
て紫外ｆｌ、ｉｌ’、＋−などを投影露光し、ホトレジ
ストとしてネガタイプを用いるｊＺ”１合は光照射部が
不溶となり、一方ボシタイブを用いる場合は光照射部が
可溶となる性質を利用し７て選択エツチングが行われて
いる。
この処理で使用されるホトマスクはガラス或（寸透明石
芙かもなる基板上にクローム（Ｃｒ）金梢を蒸着しこれ
に原画を露光しパターン形成Ｉ７て得た原板であって半
ｆｉｌ；体デバイスの量産工程において半導体基板（ウ
ェハ）に投影露光を行う除の原板として１ハ五用丁され
るものである。
芙かもなる基板上にクローム（Ｃｒ）金梢を蒸着しこれ
に原画を露光しパターン形成Ｉ７て得た原板であって半
ｆｉｌ；体デバイスの量産工程において半導体基板（ウ
ェハ）に投影露光を行う除の原板として１ハ五用丁され
るものである。
さてホトマスクは高いパターン８１ｇ二が性質であり、
壕だ傷や汚染があってはならぬことから比較的短い使用
頻度で新品と交換されている。
壕だ傷や汚染があってはならぬことから比較的短い使用
頻度で新品と交換されている。
こ＼でホトマスク用の基板としては石英或はガラスが用
いられているがホトマスク生成過程で不良となったもの
或り使用後不良となったものはマスクパターンをエツチ
ングして除去し、基板として可使用することが可能であ
る。本発明は基板の再生工程で使用する洗滌槽の構成に
関するものである。
いられているがホトマスク生成過程で不良となったもの
或り使用後不良となったものはマスクパターンをエツチ
ングして除去し、基板として可使用することが可能であ
る。本発明は基板の再生工程で使用する洗滌槽の構成に
関するものである。
ｆｃｌ 従来技術と問題点
ホトマスクの製造過程で不良として除去された基板或は
使用後不良となった基板は深い引掻き傷或は基板割れ等
の致命的な欠陥が無い限り再生が可能である。特に石英
基板はガラス基板と較べて高価であると共に機械的特性
も優れているので使用済みの基板は再生使用されている
。
使用後不良となった基板は深い引掻き傷或は基板割れ等
の致命的な欠陥が無い限り再生が可能である。特に石英
基板はガラス基板と較べて高価であると共に機械的特性
も優れているので使用済みの基板は再生使用されている
。
すなわちホトマスク形成の際に使用したエツチング液例
えば硝酸第２セリウムアン七ンと過塩素酸からなる液に
浸漬して約１０００（Ａ）の厚さに形成されているＣｒ
層を除去し次に研Ｍｔ！ｋを用いて両面を研磨（ラッピ
ング）し表面ＦＩＪを数〔μｍ〕除くことにより平滑面
が得られている。然し乍らこのラッピング工程で使用す
る研摩剤例えば酸化セリウム（ＣｅＯ，）などは極めて
微少粒径のものが用いられまた不溶性であることからう
、ピング終了後これらの研摩剤を完全に除去することは
容易ではない。然し収率よ〈ホトマスクを形成するには
これらの研摩剤を完全に除くことが必要である。
えば硝酸第２セリウムアン七ンと過塩素酸からなる液に
浸漬して約１０００（Ａ）の厚さに形成されているＣｒ
層を除去し次に研Ｍｔ！ｋを用いて両面を研磨（ラッピ
ング）し表面ＦＩＪを数〔μｍ〕除くことにより平滑面
が得られている。然し乍らこのラッピング工程で使用す
る研摩剤例えば酸化セリウム（ＣｅＯ，）などは極めて
微少粒径のものが用いられまた不溶性であることからう
、ピング終了後これらの研摩剤を完全に除去することは
容易ではない。然し収率よ〈ホトマスクを形成するには
これらの研摩剤を完全に除くことが必要である。
その理由はホトマスクを形成するＣｒ層の厚さが約１０
００（Ａ）と極めて薄いこと以外に研摩粉などが微少な
りとも存在するとＣｒ層と基板との接着力が減少する結
果としてパターンが部分的に欧ける現象を生じ不良とな
る。そのため従来は超音波洗滌器を備えた洗滌槽の中に
長時間浸漬すると共に、か＼る洗滌槽を連続して設置ぺ
し順次移行させることにより行っていた。然しＣε０２
の比較的粒度の大きなものは洗滌槽の底部に沈積すると
共に液中全浮遊しており、多量の基板を連続して洗滌す
る場合には新暦粉の完全除去は容易ではなかった。
００（Ａ）と極めて薄いこと以外に研摩粉などが微少な
りとも存在するとＣｒ層と基板との接着力が減少する結
果としてパターンが部分的に欧ける現象を生じ不良とな
る。そのため従来は超音波洗滌器を備えた洗滌槽の中に
長時間浸漬すると共に、か＼る洗滌槽を連続して設置ぺ
し順次移行させることにより行っていた。然しＣε０２
の比較的粒度の大きなものは洗滌槽の底部に沈積すると
共に液中全浮遊しており、多量の基板を連続して洗滌す
る場合には新暦粉の完全除去は容易ではなかった。
（ｃｌ） 発明の目的
本発明は短時間の洗滌で効率よく基板の表面から研磨剤
を除去できる洗滌槽の構成を提供することを目的とする
。
を除去できる洗滌槽の構成を提供することを目的とする
。
ｔｅ＋ 発明の構成
本発明の目的は洗滌槽が洗滌水を供給する給水管とこの
給水管が接続してあり、基板洗滌を行う円筒状の洗滌槽
とこの洗滌槽に接続する漏斗状の排水管から構成され、
洗滌槽の側面に備えた超音波振動子により渦巻状に環流
する洗滌水に振動を与え乍ら基板洗滌を行い比重の大き
な粒子は排水管より除去し、一方微粒子は洗滌槽からオ
ーバフローさせて洗滌する構造をとることにより達成す
ることができる。
給水管が接続してあり、基板洗滌を行う円筒状の洗滌槽
とこの洗滌槽に接続する漏斗状の排水管から構成され、
洗滌槽の側面に備えた超音波振動子により渦巻状に環流
する洗滌水に振動を与え乍ら基板洗滌を行い比重の大き
な粒子は排水管より除去し、一方微粒子は洗滌槽からオ
ーバフローさせて洗滌する構造をとることにより達成す
ることができる。
ｆｆｌ 発明の実施例
第１図は本発明に係る基板洗滌槽の斜視図、第２図はこ
の中に設置する基板保持台（基板ホルダ）の斜視図、第
３図（ト）は基板洗滌槽の正面図また同図（Ｂ）は平面
図である。
の中に設置する基板保持台（基板ホルダ）の斜視図、第
３図（ト）は基板洗滌槽の正面図また同図（Ｂ）は平面
図である。
本発明に係る基板洗滌槽は円筒状の洗滌槽１の側面に給
水管２を備えると共に洗滌槽１の底部が円筒状の洗滌槽
１の側面に超音波振動子４を設けた構造をとり、架台５
に設置して使用される。こ＼で給水管２は第３図（Ｂ）
に示すように洗滌槽１の接線方向に設けてあり、給水管
２を通りて注入された洗滌水は槽内を渦巻き状に環流し
て排水管３より排出される。
水管２を備えると共に洗滌槽１の底部が円筒状の洗滌槽
１の側面に超音波振動子４を設けた構造をとり、架台５
に設置して使用される。こ＼で給水管２は第３図（Ｂ）
に示すように洗滌槽１の接線方向に設けてあり、給水管
２を通りて注入された洗滌水は槽内を渦巻き状に環流し
て排水管３より排出される。
また超音波振動子４は環流する洗滌水に超音波振動を与
えて基板表面に固着している微細な研磨剤をウェハより
剥離させるもので洗滌槽１の側面に固定して設けること
が洗滌水の環流を妨げぬ点から望ましいが洗滌槽に吊し
て使用してもよい。
えて基板表面に固着している微細な研磨剤をウェハより
剥離させるもので洗滌槽１の側面に固定して設けること
が洗滌水の環流を妨げぬ点から望ましいが洗滌槽に吊し
て使用してもよい。
なお基板６は第２図に示すような基板ホルダ５を用いて
複数個を一定間隔を置いて配列する。
複数個を一定間隔を置いて配列する。
こ＼でホトマスクに使用する基板６は角形以外に直径が
６〔インチ〕或は７〔インチ〕のディスク状のものもあ
り、それぞれ適合する基板ホルダ５に配列して洗滌槽１
の中に設置する。
６〔インチ〕或は７〔インチ〕のディスク状のものもあ
り、それぞれ適合する基板ホルダ５に配列して洗滌槽１
の中に設置する。
このように基板６を入れた後給水管２より注水し超音波
振動子４′ｆｒ、動作させ乍ら洗滌すると基板６より剥
ぎ取られた研磨剤粒子の内機粒子は洗滌し Ｑｌ！ｌｌの上よりオーバーフロー柔、また比較的大き
く水よりも比重の大きな粒子は排水管３より排出され完
全な洗滌を行うことができる。
振動子４′ｆｒ、動作させ乍ら洗滌すると基板６より剥
ぎ取られた研磨剤粒子の内機粒子は洗滌し Ｑｌ！ｌｌの上よりオーバーフロー柔、また比較的大き
く水よりも比重の大きな粒子は排水管３より排出され完
全な洗滌を行うことができる。
なお本発明に係る洗滌槽において排水管３の径は給水管
２の径に較べて小さく構成されており、動作中排水管３
よ抄の排水と共にオーバーフローによる排水が行われる
ことが必要条件でちる。
２の径に較べて小さく構成されており、動作中排水管３
よ抄の排水と共にオーバーフローによる排水が行われる
ことが必要条件でちる。
（ｇ） 発明の効果
本発明は従来の洗滌槽は排水管を備えておらずまた備え
ていてもその位置が悪いため比重の大きな微粒子が洗滌
槽の底部に沈積すると共に一部は超音波撮動てより液中
全運動しており、基板引上げの際基板面に付着する可能
性が強かったが、本発明に係る洗滌槽の使用により、洗
滌槽を何回も換えて洗滌する必要がなくなり洗滌効率を
上げることができｌこ。
ていてもその位置が悪いため比重の大きな微粒子が洗滌
槽の底部に沈積すると共に一部は超音波撮動てより液中
全運動しており、基板引上げの際基板面に付着する可能
性が強かったが、本発明に係る洗滌槽の使用により、洗
滌槽を何回も換えて洗滌する必要がなくなり洗滌効率を
上げることができｌこ。
へ（１図は本発明に係る基板洗滌槽の斜視図、第２図は
基板保持台の斜視図また第３図囚は基板洗滌槽の正面図
で（Ｂ）は平面図である。 図において１は基板洗滌槽、２は給水管、３は排水管、
４は超音波振動子、５は架台、６は基板。
基板保持台の斜視図また第３図囚は基板洗滌槽の正面図
で（Ｂ）は平面図である。 図において１は基板洗滌槽、２は給水管、３は排水管、
４は超音波振動子、５は架台、６は基板。
Claims (2)
- （１）基板を洗滌する装装置が洗滌水を供給する給水管
と、該給水管が接続された円筒状の洗滌Ｉｌ′Ｉ々と、
該洗滌槽に接続された漏斗状の排水管とを具備し、該給
水管が該洗滌槽に対し接線方向に峻けられており、該給
水管よりの供給水が洗滌槽内を渦巻状に環流しで排水管
より・排水されることを特徴とする洗滌装置。 - （２）洗滌槽の外周部側面に超音波振動子を設け、環流
を妨げることなく洗滌水に超音波振動を与えて洗滌する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の洗滌装置
。 ：・・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191624A JPS6083334A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 洗滌装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191624A JPS6083334A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 洗滌装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083334A true JPS6083334A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16277734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191624A Pending JPS6083334A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 洗滌装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149161A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 研磨材の除去方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4941800U (ja) * | 1972-07-13 | 1974-04-12 |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP58191624A patent/JPS6083334A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4941800U (ja) * | 1972-07-13 | 1974-04-12 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149161A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 研磨材の除去方法 |
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