JPS608551B2 - 円筒磁区素子 - Google Patents
円筒磁区素子Info
- Publication number
- JPS608551B2 JPS608551B2 JP2846277A JP2846277A JPS608551B2 JP S608551 B2 JPS608551 B2 JP S608551B2 JP 2846277 A JP2846277 A JP 2846277A JP 2846277 A JP2846277 A JP 2846277A JP S608551 B2 JPS608551 B2 JP S608551B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical
- magnetic domain
- cylindrical magnetic
- domain
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 44
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001347978 Major minor Species 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は円筒磁区を利用する磁気記憶素子に関するもの
である。
である。
ガーネットのような膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する磁性膜に適当な大きさの均一バイアス磁場を加える
と磁性膜内に周辺部と磁化の方向が逆の単一磁壁よりな
る円筒磁区が出来ることが知られている。
する磁性膜に適当な大きさの均一バイアス磁場を加える
と磁性膜内に周辺部と磁化の方向が逆の単一磁壁よりな
る円筒磁区が出来ることが知られている。
この円筒磁区に磁場勾配を与えると円筒磁区はその磁場
勾配にそって移動する。この性質を用いることによって
磁気記憶装置を実現することが可能である。円筒磁区を
移動させる方法としては磁性膜の上にＴ文字、１文字の
ような欧磁性薄膜パターンを配列し、磁性膜の面内方向
に回転磁場を加える方法がもっともよく用いられている
。
勾配にそって移動する。この性質を用いることによって
磁気記憶装置を実現することが可能である。円筒磁区を
移動させる方法としては磁性膜の上にＴ文字、１文字の
ような欧磁性薄膜パターンを配列し、磁性膜の面内方向
に回転磁場を加える方法がもっともよく用いられている
。
磁気記憶装置に用いられる円筒滋区素子を実現するため
には円筒磁区の単純な移動の他に円筒滋区の発生、検出
、消去を行なう手段が必要である。
には円筒磁区の単純な移動の他に円筒滋区の発生、検出
、消去を行なう手段が必要である。
さらに、円筒磁区素子ではメジャー・ループとマイナー
・ループと呼ばれる２種類の転送路を設けアクセス時間
を短縮する方法が一般に使用されている。
・ループと呼ばれる２種類の転送路を設けアクセス時間
を短縮する方法が一般に使用されている。
この方法はメジャーノマィナ一方式（Ｍ／ｍ方式）と称
されている。Ｍ／ｍ方式の円筒滋区素子ではメジャール
ープとマイナーループの間に円筒滋区の授受を行なうト
ランスフア・ゲートあるいは円筒滋区の分割を行なうリ
プリケータ（ｒｅｐｌｉｃａｔｏｒ）が必要である。リ
プリケータとしては例えばアイ・イー・イー・イー・ト
ランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス（ｍＥＥＴ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＭａ靴ｅｔｉｃｓ）第ＭＡ
Ｇ−９巻４７７ページ（１９７３年）のＦｉｇ−８に例
示されている。しかし乍ら上記文献におけるリプリケー
タはリプリケータ部における円筒磁区の進行方向が互い
に逆方向である。
されている。Ｍ／ｍ方式の円筒滋区素子ではメジャール
ープとマイナーループの間に円筒滋区の授受を行なうト
ランスフア・ゲートあるいは円筒滋区の分割を行なうリ
プリケータ（ｒｅｐｌｉｃａｔｏｒ）が必要である。リ
プリケータとしては例えばアイ・イー・イー・イー・ト
ランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス（ｍＥＥＴ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＭａ靴ｅｔｉｃｓ）第ＭＡ
Ｇ−９巻４７７ページ（１９７３年）のＦｉｇ−８に例
示されている。しかし乍ら上記文献におけるリプリケー
タはリプリケータ部における円筒磁区の進行方向が互い
に逆方向である。
このため、この部分での円筒磁区の相互作用が増加する
ため円筒滋区の転送マージンが低下する。又、このリプ
リケータは、円筒磁区を導体ループで引伸し、この引伸
された円筒磁区が前記導体ループと交叉してから、円筒
磁区切断のための電流を流す必要がある。ところが円筒
磁区が導体ループと交叉するまでの期間が長いために、
バイアス磁界が高くなると引伸された円橋磁区が、縮ん
でしまい、円筒磁区を分割することができなくなり、動
作マージンが低下する欠点がある。本発明の目的は従来
知られているリブリケータと形式が異なりかつ、十分な
動作マージンを有するリプリケータを提供することにあ
る。
ため円筒滋区の転送マージンが低下する。又、このリプ
リケータは、円筒磁区を導体ループで引伸し、この引伸
された円筒磁区が前記導体ループと交叉してから、円筒
磁区切断のための電流を流す必要がある。ところが円筒
磁区が導体ループと交叉するまでの期間が長いために、
バイアス磁界が高くなると引伸された円橋磁区が、縮ん
でしまい、円筒磁区を分割することができなくなり、動
作マージンが低下する欠点がある。本発明の目的は従来
知られているリブリケータと形式が異なりかつ、十分な
動作マージンを有するリプリケータを提供することにあ
る。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例のリプリケータ部を示してい
る。
る。
第１の円筒磁区転送路１１と第２の円筒磁区転送路１２
が接近したりプリケータ中心部１３の付近には円筒磁区
引伸用の第１の導体１４と円筒滋区切断用の第２の導体
１５が配置されている。
が接近したりプリケータ中心部１３の付近には円筒磁区
引伸用の第１の導体１４と円筒滋区切断用の第２の導体
１５が配置されている。
ここでは第１の導体と第２の導体が絶縁層を介して別の
層で形成されていることが本質的であり、従来の公知例
との相違点でもある。通常は製造プロセスの工数をなる
べく少〈することが要求されるので、例えば第１の導体
を第１の薄膜層で形成すればＬ第２の導体は円筒磁区転
送路を形成するものと同じ第２の薄膜層で形成するのが
よい。
層で形成されていることが本質的であり、従来の公知例
との相違点でもある。通常は製造プロセスの工数をなる
べく少〈することが要求されるので、例えば第１の導体
を第１の薄膜層で形成すればＬ第２の導体は円筒磁区転
送路を形成するものと同じ第２の薄膜層で形成するのが
よい。
円筒磁区転送路を形成する薄膜層は通常パーマロィ膜等
の磁性膜層が用いられているが電気伝導度を増すために
金、アルミ、銅等の膜が磁性薄膜に重ね合わされていて
もよい。第２の導体を第１の薄膜層で形成し、第１の導
体を第２の薄膜層で形成してもよいことはもちろんであ
る。さらに第１図による実施例では第１の導体！４と第
２の導体１５はリプリケータ中心部１３付近において交
叉するように配置されている。ここで第１の導体１４と
第２の導体１５は電気的に短絡しないよう絶縁層を介し
て配置されている。第１又は第２の円筒磁区転送路】６
７１７のいずれかから入ってきた円筒磁区が円筒磁区引
伸用の第１の導体ループ部１４に到達したとき、第１の
導体ループに電流を流すと円筒磁区が第１と第２の円筒
滋区転送路の両方にまたがるように引伸ばすことができ
る。一般に円筒滋区を保持するためのバイアス磁場が強
くなると円筒磁区が伸びにくくなるため第１の導体ルー
プの電流を切ってしまうと円筒磁区が再び縮んで第１又
は第２の円筒磁区転送路の一方にしか存在しなくなる傾
向にある。従来報告されているリプリケータにおいては
いずれも一旦のびた円筒磁区が円筒滋区引伸用の電流を
切っても縮まないバイアス範囲でのみ動作するように設
計されている。一方本発明によるリプリケー外こおいて
は円筒滋区引伸用の第１の導体と円筒磁区切断用の第２
の導体が交叉するように配置されているので円筒磁区引
伸用の電流を流している状態で円筒滋区切断用の電流を
同時に流すことができる。したがって本発明のリプリケ
ー外こよれば従来のリプリケータより高いバイアス磁場
の所まで動作させることが出来、結局動作マージンが広
くなる。
の磁性膜層が用いられているが電気伝導度を増すために
金、アルミ、銅等の膜が磁性薄膜に重ね合わされていて
もよい。第２の導体を第１の薄膜層で形成し、第１の導
体を第２の薄膜層で形成してもよいことはもちろんであ
る。さらに第１図による実施例では第１の導体！４と第
２の導体１５はリプリケータ中心部１３付近において交
叉するように配置されている。ここで第１の導体１４と
第２の導体１５は電気的に短絡しないよう絶縁層を介し
て配置されている。第１又は第２の円筒磁区転送路】６
７１７のいずれかから入ってきた円筒磁区が円筒磁区引
伸用の第１の導体ループ部１４に到達したとき、第１の
導体ループに電流を流すと円筒磁区が第１と第２の円筒
滋区転送路の両方にまたがるように引伸ばすことができ
る。一般に円筒滋区を保持するためのバイアス磁場が強
くなると円筒磁区が伸びにくくなるため第１の導体ルー
プの電流を切ってしまうと円筒磁区が再び縮んで第１又
は第２の円筒磁区転送路の一方にしか存在しなくなる傾
向にある。従来報告されているリプリケータにおいては
いずれも一旦のびた円筒磁区が円筒滋区引伸用の電流を
切っても縮まないバイアス範囲でのみ動作するように設
計されている。一方本発明によるリプリケー外こおいて
は円筒滋区引伸用の第１の導体と円筒磁区切断用の第２
の導体が交叉するように配置されているので円筒磁区引
伸用の電流を流している状態で円筒滋区切断用の電流を
同時に流すことができる。したがって本発明のリプリケ
ー外こよれば従来のリプリケータより高いバイアス磁場
の所まで動作させることが出来、結局動作マージンが広
くなる。
第１図の実施例においてはリプリケータ中心部付近の第
１および第２の円筒磁区転送路は山形（シェブロン）パ
ターンをそれぞれ３段重ねたものから構成されているが
この段数はこれ以外でもよいことはもちろんのこと〜Ｙ
形、半円形等他の形のパターンから構成されていてもよ
い。
１および第２の円筒磁区転送路は山形（シェブロン）パ
ターンをそれぞれ３段重ねたものから構成されているが
この段数はこれ以外でもよいことはもちろんのこと〜Ｙ
形、半円形等他の形のパターンから構成されていてもよ
い。
図において導体パターン１４，１５は直線状であるよう
に示されているが曲がっていてもよいことはもちろんで
あり、太さも一様である必要はない。
に示されているが曲がっていてもよいことはもちろんで
あり、太さも一様である必要はない。
図は本発明の一実施例におけるリブリケータ部を示す平
面図である。 １１は第１の円筒磁区転送路、１２は第２の円筒磁区転
送路、１３はリプリケータ中心部、１４は円筒磁区引伸
用導体、１５は円筒磁区切断用導体「 １６，１７は円
筒磁区の進行方向である。
面図である。 １１は第１の円筒磁区転送路、１２は第２の円筒磁区転
送路、１３はリプリケータ中心部、１４は円筒磁区引伸
用導体、１５は円筒磁区切断用導体「 １６，１７は円
筒磁区の進行方向である。
Claims (1)
- １ 円筒磁区を保有しうる磁性膜とその磁性膜中の円筒
磁区を安定に存在させるための磁気的手段および円筒磁
区を移動させるための磁気的手段を有する磁気記憶装置
において、第１の円筒磁区転送路と第２の円筒磁区転送
路と、これら２種の転送路の接近部に円筒磁区引伸用の
第１の導体と円筒磁区切断用の第２の導体とを別の層に
形成しかつ交叉するように配置したリプリケータとを備
えてなることを特徴とする円筒磁区素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2846277A JPS608551B2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 円筒磁区素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2846277A JPS608551B2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 円筒磁区素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53112620A JPS53112620A (en) | 1978-10-02 |
| JPS608551B2 true JPS608551B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=12249315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2846277A Expired JPS608551B2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 円筒磁区素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608551B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112325U (ja) * | 1985-12-31 | 1987-07-17 |
-
1977
- 1977-03-14 JP JP2846277A patent/JPS608551B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112325U (ja) * | 1985-12-31 | 1987-07-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53112620A (en) | 1978-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3967002A (en) | Method for making high density magnetic bubble domain system | |
| EP0422806B1 (en) | Magnetoresistive transducer | |
| US5079035A (en) | Method of making a magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias | |
| US3375091A (en) | Storer with memory elements built up of thin magnetic layers | |
| JP2005123617A (ja) | パターン化しない連続磁性層にデータを記憶するシステムおよび方法 | |
| US4080591A (en) | Replicator for cross-tie wall memory system incorporating isotropic data track | |
| US3997885A (en) | Register for the propagation of magnetic domains in thin magnetic layers | |
| US4086661A (en) | Cylindrical magnetic domain element | |
| US4247912A (en) | Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins | |
| JPS5824872B2 (ja) | クロスタイ壁メモリ装置 | |
| JPS608551B2 (ja) | 円筒磁区素子 | |
| JPH0313673B2 (ja) | ||
| CA1071760A (en) | Single sided, high density bubble domain propagation device | |
| US4316263A (en) | Transfer and replication arrangement for magnetic bubble memory devices | |
| US4130888A (en) | Isotropic data track for cross-tie wall memory system | |
| JPS6059669B2 (ja) | 高密度バブルメモリ素子 | |
| US4271485A (en) | Bubble domain storage using improved transfer switch | |
| JPS6338796B2 (ja) | ||
| US4494216A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS6020233Y2 (ja) | 円筒磁区転送パタン | |
| JPS592991B2 (ja) | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 | |
| JPS592988B2 (ja) | 回転磁界制御形バブルメモリ素子 | |
| JPH0146945B2 (ja) | ||
| JPS63142586A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH0215488A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 |