JPS6085560A - ライン転送式感光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光像を走査するための、謂る「ライン転送」型
式の感光装置に係る。

Ｔ）ＩＯＭＳＯＮ−Ｃ８Ｐ　Ｋ譲渡さ在た米国特許出願
第３６８．００５号と第５６２，４６２号に記載の通ｐ
１この型式の装置は主として、それぞれＮ個の感光点で
作られるＭ本のラインから構成される感光性領域と、Ｍ
個の点から構成されるインタフェース素子、いわゆる２
インメモリと、ラインメモリの内容を並列で受けて影像
走査電子信号を直列で発するための、電荷結合素子（Ｃ
ＯＤ）として知牧れる型式のシフトレジスタとからａシ
、読取られるべき影像は前記感光領域の上に投影されて
、信号電荷と呼称される電荷に転換され、前記ラインメ
モリは導電カラムを介して異なるラインの感光点に接続
はｎて、各２インに記憶されている信号電荷を連続的に
受けるべく構成されている。

上記感光装置は、望ましくは寄生電荷を取シ除くための
手段から成るのが良く、この時その手段は先に引用した
特許出願に記載の通り、ラインメモリと連携させること
ができる。

信号電荷の転送速度と共に転送効率も向上させるために
、読取りレジスタは普通、体積転送型式のＣＣＤレジス
タで構成されるθ しかしながら、例えば米国特許出ａ第５６２４６２号に
記載のように、電荷を読出しレジスタからラインメモリ
に流したい場合、もはや体積転送全読出しレジスタに採
り入れることはできない。この場合、ゲート′に印加さ
ｎる全く同一の電圧に関して、表面ポテンシャルが表面
転送の場合よυ高レベルにあり、シフトレジスタの中に
存在する電荷はラインメモリの中に入ることができない
。

従って本発明の目的は、採用ｉｎる定食方法とは無関係
な体積転送型式のＣＣＤレジスタで構成さｎる説出しレ
ジスタの使用を可能とするべく、ライン転送型感光装置
において多くの改良を成すことである。

従って本発明の目指すところは、少なくとも１つの半導
体基板上に、Ｎ個の感光点を有するＭ本のラインで構成
される感光領域から成るライン転送型感光装置である。

それぞれのラインの感光点は、導電カラムを介してイ〉
′タフエース素子または繭るラインメモリに並列に接続
されておル、前記２インメモリが、感光性領域の同一ラ
イン上に集積された信号電荷の転送を少なくとも保証す
る。

本発明による装置の際立った特徴は、「体積電荷転送」
を生み出すために基板に関して反対のタイプの不純物打
込みを有し、またラインメモリが形成される領域のドー
パント濃度が、シフトレジスタの形成される領域のドー
パント濃度よシ低い点に存在する。

ラインメモリ領域のドーパント濃度がシフトレパンスタ
領域のそ扛と等しい場合、ラインメモリとシフトレジス
タとの間に二方向の連絡が得られ、体積転送のもつ全て
の利点が獲得できる。

実際、本発明は複式駆動電荷で動作する感光装置におい
て、電荷の二方向転送を実行する上での方がよシ有利で
あるように見えるが、ラインメモリに体積転送を使用す
ることによって垂直転送の効率、転送ノイズなどに関し
て一定数の長所が提供されるため、他のライン転送式感
光装置にも応用できるのである。

従って同一の電圧がラインメモリの素子に印加された場
合、カラムの電位の方がずっと高くなる。

事実上はほとんどのカラムが相互接続された読取りダイ
オードで、逆にバイアスされたものから構成されている
。その結果、もしカラムのバイアス電圧が尚くなると、
そのキャパシタンスは低くなる。従ってカラムのキャパ
シタンスに反比例する垂直転送効率が良くなるのである
。

ざらに、ラインメモリに対するカラムの転送の雑音には
、力２ムキャパシタンスの平方根に比例する熱雑音と、
カラムと２インメモリとの間にある転送ゲートの下の表
面トラップと体積トラップに比例する騒音の２種類ある
０体積転送への遷移は、上述のようにカラムキャパシタ
ンスを低下させることによって、また表面トラップを除
去することによって、これら２つの成分を減少させる０
ところが１体積転送の時で娘、側方電界効果が表面転送
の時よシずつと大きくなる。この結果、導電カラムと２
インメモリとの間に設けら牡た転送ゲートの下の電位バ
リヤが変調されることになるＱ 本発明によると、このような欠点を克服するために、導
電カラムとラインメモリとの間の転送ゲートは、カラム
電位全確立する直流電圧に至る第１ゲートと、カラムか
らラインメモリへの電荷の転送を行なうため周期電位に
至る第２ゲートによって構成されている。

本発明のその他の特徴についても、添付図面全参照して
の以下の詳細な説明によって、よシ明らかとなろう。

異なる図の中でも、同一符号は同一の狭素を示している
が、それぞｎの要素の寸法および寸法割合については、
明快を期すため考慮さ扛ていない。

第１図ならびに２図は、本発明を応用したライン転送感
光装置を異なる図で表わしたものである。

前記ジイン転送感光装置は、ＴＨＯＭＳＯＮ−Ｃ８Ｆに
譲渡された米国特許出ａ第５６２４６２号に相当するも
のでちゃ、複式駆動電荷を使って像の走査が行なえるも
のである。

こ才しらの図において、参照符号１は感光領域を、参照
符号４はラインメモリ全、参照符号３１’！読取シレジ
スタを示している。

感光領域１はそれぞれＮ個の感光点ｐＨによ多構成さす
るＭ本のラインの行列により′＃ｔｘさｎる。

この領域が走査されるべき光像を受信して、そｎを電荷
、鯖六信号電荷Ｑｓに変換する。何れの２インの感光点
も互いに接続されており、また行列の中から１つのライ
ンを選択することを可能にするアドレスレジスタ（図示
せず）にも接続されている。何れのカラムの感光点も、
以下カラム結線として示す共通の結線に集まっておシ、
その結線が次にラインメモリ４に接続さ扛ている。第１
図と第２図（ＩＬ）に示すように、感光性行列のカラム
から引出さｆ′した結線は、それぞれダイオードＤまた
は行列から訪導される信号電荷Ｑｓ用の謂ろ受信ダイオ
ードで終わっている。例を挙けて言うと、このダイオー
ドは感光性行列１がその上に形成さｎる半導体基板に関
して反対タイプの不純物でドーピングすることによって
製造される。

図示の実施態様においては、ラインメモリ４が１組の中
間コンデンサＣ１から成シ、その中に駆動電荷Ｑ。が記
憶されるが、これについてはＴＨＯＭ８ＯＮ−ｃＳｐ　
ＫＭ渡サすタ米国特許出願第３６８００５号ならびに第
５６２４６２号に説明されている通シである。転送ゲー
トが各カラムと対応する中間コンデンサとの間の転送を
制御する。

前記ゲートの電位は、カラム結線の電位を確立する機能
を有する。

転送ゲートＧＰＯ前にはスクリーンゲートＧＤがメジ、
このスクリーンゲートはダイオードＤと第１図および第
２図（ａｌに示す装置の残シの部分との間に電荷用のス
クリーンを形成する働きを有し、そうすることでカラム
結線に対し寄生電荷が転送さ扛るのを防止している０Ｃ
ＣＤＶＣおいては、その振幅が要素の幾何学的変化に従
って回路の各点ごとに変動すると言った寄生電荷を防ぐ
ことが、実際問題として特に重要である。そのために１
．ゲートＧＤは定電位ＶＤに接続さｔしている。

中間コンデンサＣ，の後には、コンデンサの内容を評価
ドレーンまたは読取シレジスタ３の何ｎかに向かわせる
切換手段がある。

第１図に示す通ル、中間コンデンサｃ１の後には駆動電
荷Ｑ。を中間コンデンサ内に維持すると共にその振幅を
確立するためのゲートＧ。がある。

ゲートＧ。の後にはコンデンサＣ宜が来て、これが中央
切換ユニットとして働くと共に、コンデンサＣ８からの
電荷をゲー）Ｒを通過させた後評価ドレーンに向かわせ
るか、あるいはゲートｃ全通した後リードレジスタ３に
向かわせる働きをする。

各々のコンデンサ２に対するアクセスは、従って３つの
ゲートによ多制御されていることになる。

すなわち、電荷の到着を許可する１つのゲートＧｏと、
電荷をドレーンまたはリーードレジスタの何ｎかに向か
わせる２つのゲートＲとＣの３つである。

読取シレジスタ３はＣ０Ｄ（電荷結合素子）として知ら
れる型式の電荷結合レジスタで構成さｎている。第２図
（ａ）に示されているように、電荷結合レジスタ３は体
積転送型のレジスタである。第１図には、２つの制御位
相グＣＣＤと５”ＣＯＤを有する電荷結合レジスタも示
さ扛ている。しかしながら、始業者にとっては、本発明
がどのような数の制御位相を有する体積転送型式のＣＣ
Ｄレジスタに対しても適用可能であることは明白である
。

従って、読取シレジスタ３が体積転送型式のものである
ことから、本発明は体積転送の原理を採用することによ
って、ラインメモリを構成するいろいろな素子を製造す
るという魅力ある可能性を提供しているのである。ライ
ンメモリ４は従って、基板に関して反対タイプの不純物
の打込みをした、すなわち第２図（ａ）に示逼れるＰタ
イプの基板の場合にはＮタイプの不純物の打込みをした
半導体基板領域上に作ら扛る。第２図（ａｌ中、この基
板領域は参照符号ＴＶ（Ｎｌで示さ扛ている。ラインメ
モリ領域４のドーパント濃度は、ラインメモリ４からＣ
ＣＤレジスタ３への電荷の転送を少なくとも可能にする
ために、シフトレジスタ３のドーバント濃度よシ低いか
あるいはこれに等しくすることができる。第２図（ａ）
Ｋ：示す実施態様においては１両方の領域について等し
いドーパント濃度が用いられている。この場合、第２図
（ｂ）中矢印ＦとＦ′で示されるように、ラインメモリ
からＣＣＤレジスタとＣＣＤレジスタからラインメモリ
への両方共、同じように容易に電荷を転送できるのであ
る０このことは特に、特許出願第５６２４６２号に記載
されているような複式駆動電荷で動作する場合に有利と
なる。

メ毫り領域のドーパント濃度が、ＣＣＤレジスタより低
い場合、メモリと読取シレジスタとの間の電荷の二方向
転送は、もはや不可能となる０しかしながら、体積転送
を与えるジインメモリから成るライン転送感光装置は、
本出願の冒頭に述べたようなカラムからラインメモリへ
の垂直転送の能率向上、転送騒音の減少といった、相当
数の独特の利点を提供する。

しかしながら、第２図（ｂｌに示されるように、この垂
直転送能率も、転送ゲートＧＰと中間コンデンサＣ１と
の間の相互作用から生じる既知の現象によって、限定さ
れたものとなっている。これら２つの集子間の接合レベ
ルにおいて、側方電界が生み出され、こ牡が体積転送が
深いものであｎばあるほど強くなるのである。

第２図（ｂｌに示されるように、カラムから中間コンデ
ンサへ電荷（複式・駆動電荷による動作の場合にはＱｓ
＋Ｑｏ）を転送するに先立って、転送ゲ−）Ｇ、の下の
電位が低レベル、すなわち参照符号■を付けた一点鎖線
に従う。電荷の転送全実行するためには、グー１−Ｇ、
下の電位バリヤが高レベルへの遷移、つまシ参照符号■
を付した実線の位置に遷移を受ける。次に電荷（Ｑｓ＋
Ｑｏ）が高レベルにあるコンデンサＣ８の下に転送され
、コンデンサＣ８下の電位が参・黒符号■によシ示され
る形状に対応するべく、漸進的変化を受ける◇コンデン
サＣ８下での■から■への電位の漸進的変化は、転送グ
ー）ＧＰ下で破線で示すような電位ｐＩｓのＸ′８への
漸進変化を誘導する。このように誘導さｎた変化Ｊグロ
グ８−ｆ′８は、側方フィールドの方がこの場合強さが
大きくなっているため、体積転送が深くなｎばなるｔま
ど大きくなる。

第２図（ｂ）に明瞭に示さ扛ているように、変化分Δグ
はコンデンサＣ１の方向におけるカラム電流を、高逆変
換方式と低逆変換方式の両方で変調し、したがって電荷
の一部をカラム上に維持する効果をもつと共に、結果的
に垂直転送の能率がおちる。

本発明によｔば、第３図（ａｔ　、　（ｂ）に示される
ように、ダイオードＤのすぐ後に配置さ牡、カラム電位
を精確な値にセットする直流バイアス電圧に至る第１転
送ゲートＧ′２と、第１転送ゲートとコンデンサＣＩと
の間に配置され、前記ゲートが高レベルまたは低レベル
にバイアスさｎるに従って、転送全開始あるいは停止す
る働きを有する第２ゲートＧ、とによって構成される転
送、ゲートを利用することで上述の問題を解決すること
が提案される０ この独自の構造によって１グー）Ｇ’、とＧトおよび中
間記憶コンデンサＣＩの下の表面電位は、第３図（ｂｌ
の参照符号■により示される形状をとる。

電荷の転送時において、ゲートＧＥはその表面電位１ｓ
ｃＧｘ高）が表面電位０ｓ（Ｇ’ｐ）とＪ２１゜ＣＣ１
高）との間に含ま扛るような高レベルに至る。望ましく
は、第３図（ａ）に示すような複式駆動電荷で動作する
型式の２イン転送感光装置の場合、表面電位〆８（Ｇ８
高）は不等式 ％式％ に対応し、その結果ゲートＧＥの下には電荷が蓄積さｎ
ないのが良い。このような条件下で、ゲートＧ目は転送
ゲートＧ′、下の電位を、信号電荷の関数であるコンデ
ンサＣ０の下の電位の変動から隔離する。こ扛は結果的
に、転送効率を相当に向上させる効果をもつ。

さらに、第３図ｆａ）の感光装置で実施されるような複
式駆動電荷による動作の場合特に、ゲートＧ、に与えら
れる低レベルは、電荷Ｑ。が完全にカラム上に回復され
るように、 １、（Ｇｘ低）＞ｊ’　ｓ　（Ｃｒ低）＞ｕｓ（Ｇｏ低
）とならねばならない。さらに、この条件を満たし、ま
たコンデンサＣＩが低レベルにある時電荷Ｑ。

がコンデンサＣ！に向かつて流ｎるのを防止するために
、コンデンサＣ１とコンデンサＣ１の間に設けられたゲ
ートＧ。の下に、絶縁打込みを行なうと効果的である。

第３図（ｂｌ中、参照符号■で示さｎる電位１日フィー
ルがこうして得らｎる。

第４図には本発明の他の実施態様が示さ牡ている。この
形式の構造によれに、ラインメモリの素子は、不純物濃
度の異なる２つの体積転送領域上に形成される。その２
領域とは、転送ゲートＧ、！！、コンデンサＣＩ、およ
び中間ゲートＧ。の半分の下に伸びる低濃度領域’ｌ’
ｖ、　（Ｎ−）と、中間ゲートＧｏの中心から電荷転送
リードレジスタまで、あるいはライン転送感光装置が米
国％許出願第５６２４６２号に記載されているように、
第２の駆動電荷を注入するために２つの電荷転送シフト
レジスタ”ＣＣＤＩ　とｙＩＣＣＤ２から成っている場
合は転送ゲートク、まで伸びる、高濃度ｅＪ　域ＴＶｘ
　（Ｎ）とである。

好適な実施態様においては、使用される感光装置の型式
によって単数または複数のＣＯＤレジスタも含めてライ
ンメモリ全体の下にまず領域ＴＶ。

が伸びておシ、それを濃縮することによって高濃度領域
ＴＶ＊（Ｎ）が形成さｎる。

さらに、（Ｐ）の不純物を単一拡散することによって、
ゲートＣの下とグー）Ｇ。の下のＣＯＤリードレジスタ
の転送領域における電位が確立される。異なるゲート下
の表面電位は、考慮される領域がＴＶ、かＴＶ含かによ
って、第４図ｆｂｌの左手に示さ扛るような、特性曲線
ＣＯＭＰＩ　、ＴＶ　１またはＣＯＭＰ２、’ｆｆ２に
よって与えられる。第４図（ｂｌの左手部分は基板ドー
パントの濃度に関するいろいろな曲線を示すグラフであ
り、その中で表面電位はゲートに印加さｎた電位の関数
としてプロットされている。

第４図（ａｌの構成は、感光素子がホトダイオードでち
る場合、特に重要性をもつ。残留効果を防ぐために実際
上重要なのは、垂直シフトレジスタＲにより発せられ、
読取シゲートＧに与えらｎるパルスＩＬが、ホトダイオ
ードＰＲ１読取シゲートＧ１ダイオードＤによ列構成さ
ｎるＭＯＳトランジスタが読取り時に三極管として確実
にバイアスさｎるほど十分に高い数値のものとすること
である◇この場合、カラムは第４図（ｂ）に示すように
その電位をホトダイオードにかけ、垂直転送の無効以外
に残留は存在しない。

事実上、パルスＩＬの振幅が十分でなければ、上に述べ
たＭＯＳ）ランジスタは飽和モードでバイアスされて、
カラム端への信号電荷の転送にわずかな反転が生以そｎ
によって光の輝度が低くなるほど大きくなる残留効果を
生む。

次に体積転送をなすべく設計されたラインメモリの場合
、カラムに対して供される電位は高くなるが、このこと
はカラムのキャパシタンスという観点から見ると利点で
おるが、ホトダイオードの読取シの制御に関しては欠点
となるものである。

この場合、ホトダイオードＰ）（、ｆ読取シゲー）Ｇお
よびダイオードＤで！成されるＭＯＳ）ランジスタが三
端子方式にあることを保証するために、パルスＩＬの島
レベルは事実上カラム電位に読取カゲートのしきい値を
足したものよシ高くｌけｎばならない。さらに、ホトダ
イオードＰＨチと対応する導電カラムとの間に広い記憶
ダイナミックレンジをもって良好な隔離を達成するため
に、読取シゲートＧのしきい値は負でなければならない
、または言い換えると、このゲート下の転送は表面下で
行なわれねばならない。これらの条件を考え合わせると
、ラインメモリ領域の不純物またはドーパントの濃度が
、読取シレジスタ３において良好な転送効率を得るため
に必然的に高い数値となっているとき、パルスＩＬにつ
いても非常に高いレベルが必要となることになる。

第４図（ａｌに示す構造では、ラインメモリ領域４が濃
度の異なる２つの領−域ＴＶ、とｆｆ、の上に形成され
ており、ＣＯＤレジスタの転送効率を変えることなくパ
ルスＩＬの振幅を制限することが可能となっている。

この場合、第４図（ｂｌに明瞭に示さ牡ている通り、パ
ルスＩＬは読取シレジスタに与えらｎる制御位相＃ＣＣ
Ｄと同じ振幅を有することができる。パルスＩＬが高レ
ベルにおる時、 Ｖカラム＝ＯＴｙ２（Ｇｐ）＜、１表面ｃＶｍ）である
ことから、三端子方式が事実上確立される。

但し上記の関係式は ｖカ９ム＝’ＴＶ２（Ｇｐ） では得ることができない。

さらに、複式駆動電荷で動作する感光装置の場合、関係
式 ％式％（０） を満足するべく、ＧＩ！の低レベルがＧＰ／２に等しく
なるようにするのが有利である。

このようにして、第４図（ｂｌに示さ扛るように駆動電
荷はコンデンサＣ１から４電カラムへ伝送される０ その上、不純物濃度の商い領域ＴＶ、が、中間コンデン
サＣＩ’にコンデンサｃ２と分離するゲートＧｏの中心
において始まる。その結果スクリーン効果が生じて、コ
ンデンサＣＩからコンデンサＣ！への転送が向上される
。実際、ゲートＧ。の部分子Ｖ諺が電荷Ｑ。を維持する
ことによｐコンデンサＣ，の下の電位を固定し、グー）
Ｇ。の部分子ｖ叩が第３図（ａ）　、　ｆｂ）に関連し
て先に説明したように、転送された信号の関数としての
コンデンサＣ！下の電位変化の影響から部分子Ｖ１を隔
離する。

その上、先に述べたように２つのＣＯＤレジスクｊ’ｃ
ｃＤ１と１ｃｃＤ２、すなわち読取シ用レジスタと電荷
注入用レジスタが用いられる場合、第２レジスタメＣＣ
Ｄ２は第４図ｆａ）に示すように領域ＴＶ、に作ること
が望ましい。参照符号Ｆ“で概略的に表わさｎる電荷転
送は従って、レジスタ１２１ｃｃＤ１と１ｃｃｎｚの位
相が低レベルにあってグートク、が中間レベルにバイア
スされている時に、領域ＴＶ、から領域ＴＶ鵞へと行な
われる。

以上の説明においては、米国特許出願第３６８００５号
と第５６２４６２号に記載の型式のライン転送式感光装
置を参照しているが、本発明が、感光領域と電荷転送シ
フトレジスタとの間に中間素子を有する感光装置であ扛
は、他の型式のものにも等しく応用可能であることは、
商業者にとって明白である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発Ｆ！４を応用したライン転送感光装置の１
つめの実施態様を示す概略的平面図、第２図（ａ）　、
　ｆｂｌはそ扛ぞれ、第１図のＡ−Ａで取った断面図と
、装置に関して図解する線図、第３図（ａ）　、　（ｂ
）はそ扛ぞ扛、第２図（ａ）と同様の断面図で本発明の
他の実施態様を示す図と、装置の動作を図解する線図、 第４図（ａ）　、　（ｂｌはそれぞｎＸ第２図（ａｔと
同様の断面図で本発明の別の実施態様金示す図と、この
実施態様について図解する線図である。 １°°”感光領域、３・・・読取シレジスタ、４・・・
ラインメモリ、ＣＩ・・・中間コンデンサ、ＧＰ・・転
送ケート、ＧＤ・・・スクリーンゲート、Ｄ・・・ダイ
オード、Ｇ　□　ｒ　Ｒ＋　Ｃ”・ゲート、Ｃｔ−・・
コンデンサ、Ｇｌ。 ・・・第１転送ゲート、Ｇｌ、・・・第２ゲート、Ｇ・
・・読取シゲート。 出席人トムソンーセエスエフ 代理人　弁理士用　日　義

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上にＮ個の感光点を有するＭ本のライ
   ンから成る感光領域を含み、それぞ牡のラインの感光点
   は導電カラムを介して中間素子、謂るラインメモリに並
   列接続されておシ、前記ラインメモリが感光領域の同一
   ライン上に集積された信号電荷を、体積転送型式の電荷
   転送を獲得するべく基板に関して反対タイプの不純物打
   込みを有する半導体基板領域上に形成さｎた電荷結合シ
   フトレジスタで構成さｎる読取シレジスタへ転送するこ
   とを少なくとも実行するライン転送式感光装置であって
   、前記ラインメモリが体積電荷転送を生むべく基板に関
   して反対タイプの不純物打込みを有し、ラインメモリが
   形成さｎる領域のドーパント袈ｉｕシフトレジスタが形
   成さｎる領域のド、＜ント漉度に等しいかあるいはこｎ
   よシ低いことを特徴とする感光装置。
2. （２）　ラインメモリが１組のコンデンサによ多構成さ
   れておシ、各々のコンデンサは一方で当該カラムの電位
   を確立する転送ゲートを通じてカラムに、他方で少なく
   ともコンデンサからリードレジスタまでの電荷転送を遂
   行するための切換手段に接続されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の装置。
3. （３）　ラインメモリが電荷通路上に並列に配置されか
   つ所定量の電荷の蓄積を保証する電位に至る中間ゲート
   によってたがいに分離ざ扛ている２組の記憶コンデンサ
   によシミ成さ扛ておシ、第１組の各々のコンデンサは当
   該カラムの電位を確立する転送ゲー）１通じて１つのカ
   ラムに接続さ扛ておシ、第２組の各々のコンデンサは少
   なくともコンデンサから貌取りレジスタまでの電荷転送
   を実行するための切換手段に接続式ｔていることを特徴
   とする、特許請求の範囲第１項に記載の装置。
4. （４）転送ゲートがカラムからコンデンサを見た方向に
   おいて、カラムの電位を確立する直流電圧に至る第１ゲ
   ートと、カラムから記憶コンデンサまでの電荷転送を実
   行するための周期電位に至る第２ゲートとによって構成
   さ扛ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記
   載の装置。
5. （５）　転送ゲートがカラムからコンデンサを見た方向
   において、カラムの電位を確立する直流電圧に至る第１
   ゲートと、カラムから記憶コンデンサまでの電荷転送を
   実行するための周期電位に至る第２ゲートとによって構
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第３項に
   記載の装置。
6. （６）第２ゲート下の表面電位の高レベルが不等式ｙｉ
   ｓ（Ｇ’ｐ）＜ｊ’５ＣＧｘ高）＜ｊ’５（Ｇｏ高）＋
   ？に対応し、式中ｙＩｅ（Ｇ’ｐ）　ｆ１第１ゲート下
   の表面電位であシ、グ５（Ｇｏ高）は中間ゲートの光面
   電位ノ高レベルであり、ｃｒは第１組のコンデンサの値
   であ’）ｚ　Ｑ８ｍａＸ鉱信号電荷の最大量であること
   を特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の装置。
7. （７）　第２ゲート下の表面電位の低レベルが不等式０
   ．（ＧＥ低）ンｊｆＢ（Ｃｘ低）＞０ｓ（Ｇｏ低）に対
   応し、ｙｌ、３（ＣＩ低）は第１組のコンデンサの下の
   表面電位の低レベルであり、ダｓ　（Ｇｏ低）は中間ゲ
   ート下の表面電位の低レベルであることを特徴とする特
   許請求の範囲第５項に記載の装置。
8. （８）基板のものと同一タイ１の不純物打込みが中間ゲ
   ートの下に形成されることを特徴とする特許請求の範囲
   第７項に記載の装置。
9. （９）　単数普たは複数の転送ゲートの下と第１組の記
   憶コンデンサの下、および中間ゲートの初め半分の下に
   配置された半導体基板領域の不純物濃度が、中間ゲート
   の後ろ手分と第２組のコンデンサと切換え手段と読取シ
   レジスタの下に配置された領域の不純物濃度より低いこ
   と全特徴とする、特許請求の範囲第３項に記載の装置０