JPS6085669A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6085669A JPS6085669A JP19373283A JP19373283A JPS6085669A JP S6085669 A JPS6085669 A JP S6085669A JP 19373283 A JP19373283 A JP 19373283A JP 19373283 A JP19373283 A JP 19373283A JP S6085669 A JPS6085669 A JP S6085669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- minute holes
- substrate
- image sensor
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ファクシミリ等に利用される密着型イメー
ジセンサに関する。
ジセンサに関する。
従来、ファクシミリ等に利用される像読みとり装置では
、点センサ又はラインセンサを用い、原稿上の像を反射
光により捕えていた。しかしながら、像を反射光により
捕える形式の読みとり装置では、脱みとり速度が遅く、
例えばＡ４版を読みとるのに数１０秒間もかかる。
、点センサ又はラインセンサを用い、原稿上の像を反射
光により捕えていた。しかしながら、像を反射光により
捕える形式の読みとり装置では、脱みとり速度が遅く、
例えばＡ４版を読みとるのに数１０秒間もかかる。
本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決すべく
提案するものであって、読み取シの高速化を達成するた
め、第１図に示すような透 ・通光を捕える形式の像読
みとシ装置が提案される。密着型イメージセンサ１上に
、文字等の像を有する原稿２を、９つ伏せに載せる。光
源３ ・から出た光はレンズ系４をａ ツて反射鏡５で
反射され、さらにポリゴンミラー６で反射されて、。
提案するものであって、読み取シの高速化を達成するた
め、第１図に示すような透 ・通光を捕える形式の像読
みとシ装置が提案される。密着型イメージセンサ１上に
、文字等の像を有する原稿２を、９つ伏せに載せる。光
源３ ・から出た光はレンズ系４をａ ツて反射鏡５で
反射され、さらにポリゴンミラー６で反射されて、。
原稿２に達する。ポリゴンミラー６は、例えば２０００
ｒｐｍ程度の速さで回転しているので、光は）ｇ、Ｉ
ａ ２上を横方向に走査する。縦方向の走査は、ポリゴ
ンミラーの回転軸方向に沿った光ビームの移動によって
行なう。例えば、光ビームを光ファイバーで導き、その
ファイ・ぐ−とプリズム、レンズ系を一体としたものを
機械的に一定速度で送り移動することで為しうる。
ｒｐｍ程度の速さで回転しているので、光は）ｇ、Ｉ
ａ ２上を横方向に走査する。縦方向の走査は、ポリゴ
ンミラーの回転軸方向に沿った光ビームの移動によって
行なう。例えば、光ビームを光ファイバーで導き、その
ファイ・ぐ−とプリズム、レンズ系を一体としたものを
機械的に一定速度で送り移動することで為しうる。
本発明において、読みと９時間の短縮化は光ビームの走
査の高速化によって為される。例えば、光ビームとして
０．１胡径のレーザー光を用いたとすると、１ｗＲあた
９１０本の走査で読みとることとなるが、２０００ｒｐ
ｍで回転させる４？リボンミラ−６が六角形であるとす
ると、−面で１走査するので一回転で６走査でき、故に
毎秒２００回の走査をすることができる。原稿がＡ４版
とすると、縦方向に３００ｍｍの走査を行なうことにな
るが、例えば、原稿とポリゴンミラー６の距離を１ｍに
設定すれば、３００＋ｍｎの長さを走査するに要する時
間は、−走査に要する金時１…１／２００秒の数分の１
ですむことになる。
査の高速化によって為される。例えば、光ビームとして
０．１胡径のレーザー光を用いたとすると、１ｗＲあた
９１０本の走査で読みとることとなるが、２０００ｒｐ
ｍで回転させる４？リボンミラ−６が六角形であるとす
ると、−面で１走査するので一回転で６走査でき、故に
毎秒２００回の走査をすることができる。原稿がＡ４版
とすると、縦方向に３００ｍｍの走査を行なうことにな
るが、例えば、原稿とポリゴンミラー６の距離を１ｍに
設定すれば、３００＋ｍｎの長さを走査するに要する時
間は、−走査に要する金時１…１／２００秒の数分の１
ですむことになる。
そこで１７２００秒間の残υの時間で、この走査とは直
角方向の走査をするため反射鏡５をノぐルス駆動し、次
の走査の準備ができる。このようにしてＡ４版の原稿で
も゛約１５秒で走３１終了する。原稿２に当たった光の
うち、像の部分に当たった光は像によって遮断されるた
め密着型イＪ −ソセンサ１１１Ｃ到達することはでき
ない。一方、像以外の部分に当たった光は原稿２を透過
して密着型イメージセンサ１に到る。これにより、密着
型イメージセンサ１は原稿２上の像を読みとることがで
き、この像は、イメー ジ七ンサ１中に存する、例えば
アモルファスシリコンのような光電変換膜によって電気
的信号に変換される。
角方向の走査をするため反射鏡５をノぐルス駆動し、次
の走査の準備ができる。このようにしてＡ４版の原稿で
も゛約１５秒で走３１終了する。原稿２に当たった光の
うち、像の部分に当たった光は像によって遮断されるた
め密着型イＪ −ソセンサ１１１Ｃ到達することはでき
ない。一方、像以外の部分に当たった光は原稿２を透過
して密着型イメージセンサ１に到る。これにより、密着
型イメージセンサ１は原稿２上の像を読みとることがで
き、この像は、イメー ジ七ンサ１中に存する、例えば
アモルファスシリコンのような光電変換膜によって電気
的信号に変換される。
しかしながら、原稿は、通常、紙のような光拡散性の基
体上にインクが載っている形にたっている。このため、
基体の裏面から光ビームを当て、走査して情報を読みと
る際、光ビームは基体を通過する間に拡散し、いわゆる
ボケを生ずる。すなわち、原稿中で光ビームが拡散され
、その散乱光もイメージセンサで捕えられるため、ある
位置の情報として捉えたい部分に、その近傍の情報まで
混ざり込んでしまい、ボケを生ずる。
体上にインクが載っている形にたっている。このため、
基体の裏面から光ビームを当て、走査して情報を読みと
る際、光ビームは基体を通過する間に拡散し、いわゆる
ボケを生ずる。すなわち、原稿中で光ビームが拡散され
、その散乱光もイメージセンサで捕えられるため、ある
位置の情報として捉えたい部分に、その近傍の情報まで
混ざり込んでしまい、ボケを生ずる。
この発明の他の目的は、ボケを生じることがない密着型
イメージセンサを提供することである。
イメージセンサを提供することである。
すなわち、この発明は、基板と、該基板上に形成された
光電変換膜とを具備する密着型イメージセンサにおいて
、内壁が光吸収性である細孔を多数有する遮光層から成
る光進路規制部が上記光電変換膜上に形成されているこ
とを特徴とする密着型イメージセンサを提供する。
光電変換膜とを具備する密着型イメージセンサにおいて
、内壁が光吸収性である細孔を多数有する遮光層から成
る光進路規制部が上記光電変換膜上に形成されているこ
とを特徴とする密着型イメージセンサを提供する。
この発明の密着型イメージセンサは光進路規制部を有す
るので、大きく散乱された光は上記細孔の内壁に幽たっ
て吸収されてしまい、細孔の内壁に当たらない光、すな
わち原稿に対して垂直又はほとんど垂直な光のみが光電
変換膜に達する。このため、ボケの発生が防止される。
るので、大きく散乱された光は上記細孔の内壁に幽たっ
て吸収されてしまい、細孔の内壁に当たらない光、すな
わち原稿に対して垂直又はほとんど垂直な光のみが光電
変換膜に達する。このため、ボケの発生が防止される。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第２図にこの発明の密着型イメージセンサの１実施例が
示されている。密着型イメージセンサＵは、その底部に
例えばガラスから成る基板２２を有する。基板２２上に
はアモルファスシリコンのような光電変換膜２３が形成
されている。基板２２と光電変換膜２３との間には通常
、例えばアルミニウムから成る裏面電極２４が形成され
ている。光電変換膜２３上には、通常、透明電極２５が
形成されている。透明電極２５上には、多数の細孔２７
を有する連光層から成る光進路規制部２６が形成されて
いる。細孔２７の内壁は光吸収性になっている。細孔２
７の内壁を光吸収性にするのに、例えばブラックニッケ
ルから成る光吸収層を内壁に設けてもよいし、遮光層を
光吸収性材料で形成してもよい。光進路規制部２６の厚
さは例えば４〜２０μｍである。細孔の形は例えば円筒
状であり、その直径は例えば４〜２０μｍである。この
ような細孔２７は遮光層内に例えば１μｍの間隔できっ
しりと形成されている。
示されている。密着型イメージセンサＵは、その底部に
例えばガラスから成る基板２２を有する。基板２２上に
はアモルファスシリコンのような光電変換膜２３が形成
されている。基板２２と光電変換膜２３との間には通常
、例えばアルミニウムから成る裏面電極２４が形成され
ている。光電変換膜２３上には、通常、透明電極２５が
形成されている。透明電極２５上には、多数の細孔２７
を有する連光層から成る光進路規制部２６が形成されて
いる。細孔２７の内壁は光吸収性になっている。細孔２
７の内壁を光吸収性にするのに、例えばブラックニッケ
ルから成る光吸収層を内壁に設けてもよいし、遮光層を
光吸収性材料で形成してもよい。光進路規制部２６の厚
さは例えば４〜２０μｍである。細孔の形は例えば円筒
状であり、その直径は例えば４〜２０μｍである。この
ような細孔２７は遮光層内に例えば１μｍの間隔できっ
しりと形成されている。
このような密着型イメージセンサ２１は次のようにして
製造することができる。まず、基板２２となるガラス板
を準備する。このガラス板にアルミニウムを蒸着して裏
面電極２４を形成する。その上にアモルファスシリコン
層を常法によυ形成し、その上にＩＴＯ膜をスパツクし
て透明電極２５とする。さらにその上にアルミニウムを
蒸着し、フォトエツチングで細孔２７をあける。最後に
細孔２７の内壁およびアルミニウム蒸着層２６の表面に
ブラックニッケルＮｆ公知のブラックニッケル浴を用い
た電解めっき法によシ形成する。
製造することができる。まず、基板２２となるガラス板
を準備する。このガラス板にアルミニウムを蒸着して裏
面電極２４を形成する。その上にアモルファスシリコン
層を常法によυ形成し、その上にＩＴＯ膜をスパツクし
て透明電極２５とする。さらにその上にアルミニウムを
蒸着し、フォトエツチングで細孔２７をあける。最後に
細孔２７の内壁およびアルミニウム蒸着層２６の表面に
ブラックニッケルＮｆ公知のブラックニッケル浴を用い
た電解めっき法によシ形成する。
この発明の効果を第３図を用いてよシ具体的に説明する
。原稿３０は、紙のような光拡散性の基体３１と、イン
クから成る文字停の像３２とから成る。原稿３，０は、
像３２が光進路規制部りに接するように、うつ伏せに載
せられる。
。原稿３０は、紙のような光拡散性の基体３１と、イン
クから成る文字停の像３２とから成る。原稿３，０は、
像３２が光進路規制部りに接するように、うつ伏せに載
せられる。
原稿３０に当てられる光ビーム３３は、原稿ヨに対して
実質的に垂直である。この光ビーム３３が基体３１中で
散乱され種々の方向の散乱光３４ 、３４’を生じる。
実質的に垂直である。この光ビーム３３が基体３１中で
散乱され種々の方向の散乱光３４ 、３４’を生じる。
これらのうち、直進又はほぼ直進してきた光３４は、卸
１孔２７の内壁に触れることなく進み、光電変換膜に達
する。
１孔２７の内壁に触れることなく進み、光電変換膜に達
する。
しかしながら、比較的大きな角度で散乱された散乱光３
４′は細孔２７の内壁に当たシ、ここで吸収されてしま
う。従って、直進光及びほぼ直進してきた光のみが光電
変換膜に到達することができる。このため、像のボケが
生じなくなる。
４′は細孔２７の内壁に当たシ、ここで吸収されてしま
う。従って、直進光及びほぼ直進してきた光のみが光電
変換膜に到達することができる。このため、像のボケが
生じなくなる。
第１図は透過光により像を読みとる像読みとり装置の原
理図、第２図はこの発明の密着型イメージセンサの模式
断面図、第３図は、この発明の詳細な説明するための模
式断面図である。 ２１・・・密着型イメージセンサ、２２・・・基板、２
３・・・光電変換膜、す・・・光進路規制部、す・・・
原稿、３１・・・基体、３２・・・１象。
理図、第２図はこの発明の密着型イメージセンサの模式
断面図、第３図は、この発明の詳細な説明するための模
式断面図である。 ２１・・・密着型イメージセンサ、２２・・・基板、２
３・・・光電変換膜、す・・・光進路規制部、す・・・
原稿、３１・・・基体、３２・・・１象。
Claims (1)
- （１）基板と、該基板上に形成された光電変換膜とを具
備する密着型イメージセンサにおいて、内壁が光吸収性
である細孔を多数有する遮光層から成る光進路規制部が
上記光電変換膜上に形成されていることを特徴とする密
着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19373283A JPS6085669A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19373283A JPS6085669A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085669A true JPS6085669A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16312883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19373283A Pending JPS6085669A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100340068B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-06-12 | 박종섭 | 광투과도 개선을 위하여 광학적으로 설계된 층을 갖는 이미지센서 |
| JP2007080697A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 光電変換素子及びそれを用いた電子線発生装置 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP19373283A patent/JPS6085669A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100340068B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-06-12 | 박종섭 | 광투과도 개선을 위하여 광학적으로 설계된 층을 갖는 이미지센서 |
| JP2007080697A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 光電変換素子及びそれを用いた電子線発生装置 |
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