JPS6087013A - 揮発成分含有液体材料の処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、処理装置、よυ詳細には、かなり異なる圧力
レベルにある処理装置の領域間に改良型シールを設けた
回転処理装置に関するものである。

従来の技術 回転処理装置は、当該分野では知られている。

回転処理装置についての詳細は、米国特許第り、／４ｆ
ｆハｇｏｓ号、　第弘、／９ダ、ざ４７号、　第ｔ、コ
θ７，０ｍ号、　第弘、コ１３，７θデ号、　第ダ、λ
コア、ｇｌＡ号、第１１．コＳＳ、θり７号、　第ダ、
コｇ９．３／９号、第弘、３００．１！；グコ号、　第
ｔ、３コデ、０６５号、第弘、３ｇ９．／／９号、　第
ダ、弘θコ、６／Ａ号、第弘、ダ／／、！３コ号、　第
１１．ＩＩ／３，９／、３号、および第’Ｉ、’１２八
ダ７２号に記載されている。

上記特許に開示された回転処理装置の基本的な個々の処
理用通路の必須要素は少なくとも一つの処理用溝が設け
られた回転要素と、前記溝とともに囲われた処理用通路
を形成するように向い合って配置された同心の閉表面を
提供する静止要素より成る。静止要素は通路へ原材料を
供給するための入口と、通路から原材料を排出するため
の出口を有する。原材料を阻止し、集積する端壁面を提
供する部材が出口の近くに配置され、静止要素に結合さ
れている。前記端壁面は、通路へ供給された原材料の移
動を阻止し、回転する溝壁と協同して、阻止した原材料
と回転する溝壁との間に相対運動を生じさせるようにな
っている。この協同作用により、移動する壁に接触した
原材料は、前方に端壁面へ引きずられ、そこで集積され
、（または）制御された処理を受け（１次は）、排出さ
れる。

上述の特許に開示されているように、処理用通路に高い
揮発分処理能力を有する。通路は、処理される原材料へ
成分を添加したシ、そこから成分を除去することのほか
、特に、溶解、混合、加圧、吸上げ、脱蔵、均質化、な
どの処理操作を実施するのに適応することができる。

米国時ＦＦ第Ｑ、１２７．ｇｌＡ号、　第’Ｉ、、２／
３，７０９号、第９．３ｇ９．／／り号、　第グ、／Ｉ
ｏλ、６１６号、および第弘、弘／／、！；３コ号は、
各々が一つまたはそれ以上の処理用通路をもつ複数の処
理用段を備えた多段ロータリ・プロセッサに関するもの
である。原材料移動通路すなわち溝は、静止要素の閉光
面内に形成され、原材料を−の段の通路（または複数の
通路）から他の段の通路（または複数の通路）へ移動さ
せるように構成されている。

米国特許第り、３２９，０６５号および第弘、’１１３
　、９１３号は、それぞれ、原材料から揮発分を除去す
る脱蔵装量と方法に関するものである。そこに開示され
た装置と方法によれば、材料は処理通路の入口近くに供
給される。材料は、引き伸ばし部材のところで集められ
、圧力を蓄積し、そして回転チャンネル壁の側面で薄い
フィルムとして引き伸ばされる。スグレツダの下流には
ボイド空間が設けられるとともに、真空源がボイド空間
に接続されているので、揮発性材料をボイド空間を通過
して運ばれる薄いフィルムの表面から除去することがで
きる。該フィルムは、該通路の周のまわりの選択された
場所でチャンネル壁土で再び引き伸ばされ、７つ以上の
ボイド空間を与え、ここで再延展フィルムの新しくなっ
た表面が真空にさらされる。薄いフィルムは、材料を収
集する端壁表面に向って通路を介して前方に運ばれ、そ
こで材料は壁からかきとられ、排出するために集められ
加圧される通常、材料は、他の脱蔵通路に排出され、再
び引き伸ばされ、既述の方法で真空にさらされ、所望度
合の脱蔵を達成する。

解決すべき問題点 材料から揮発成分を効率的に除去することが米国特許第
ダ、３コ９．ＯＡ！ｉ号及び第グ、’ｌ／３，９／３号
に開示された方法と装置によって達成されている。これ
らの米国特許で活用されている物質移動機構は、基本的
には、ボイド空間において真空あるいは不活性雰囲気に
さらされている間にフィルム表面から揮発成分を拡散さ
せるということを含んでいる。

そして、フィルム表面からの揮発成分の拡散速度すなわ
ち、揮発成分の物質移動効率は、揮発成分の拡散率、フ
ィルム厚さ、露出時間等の因子に依存しかつ影響される
。低粘性液体材料の薄い層においては、該層の表面から
の揮発成分の特に効率的な物質移動が得られる。しかし
、物質移動率は、材料の有効拡散効率が低下するにつれ
、通常高粘性材料の場合には、低下する。さらに、高速
で高粘弾性材料の薄いフィルムを継続して形成するのは
困難であるので、物質移動効率はさらに制限される。高
粘性、高粘弾性材料の場合における物質移動効率が低い
ために、商業的な使用に対して要求される高い投入連間
において所望の割合で揮発成分の除去を達成するために
はより大きな装置が必要となる。

本発明は、高説蔵効率、商品質の製品及び特別の効果的
な処理実行特性によって特別の利点を与える新規でかつ
改良された回転処理装置と脱蔵方法に向けられている。

本発明の新規な回転処理装置及び脱蔵方法は脱蔵段な備
えており、この脱蔵段は、少なくとも２つの環状チャン
ネルを支持する回転可能部材と上記チャンネルとともに
機能するように構成される同軸閉表面を与える固定部材
とを備えており、少なくとも第１及び最終の密封された
脱蔵通路を与えている。段の第１脱蔵通路は該段で処理
される材料を収容する固定部材と協働する入口を備えて
いる。段の最終脱蔵通路は、段から処理済材料を排出す
る固定部材と協働する出口を備えている。

段の各脱蔵通路は、固定部材と協働し、該通路のための
端壁表面を与えるブロック部材を備えている。七のてロ
ック部材は、脱蔵段の通路に供給される材料が回転可能
なチャンネル壁によって端壁表面に向って前方に運ばれ
るように配置されており、該表面において、上記前方に
運ばれる材料の動きが阻止され、その阻止された物質は
、通路から排出されるために集められる。７つ以上の移
送溝が固定部材の閉表面に形成され、上記端壁の近傍に
配置される。これらの移送溝が隣接する脱蔵通路を相互
に連通ずるように配置されており、１つの通路において
阻止され、集められた材料が隣接する脱蔵通路に移送さ
れるようになっている。

さらに、脱蔵段は、脱蔵通路と作用的に連通ずるように
配置された真空源を備えている。

本発明の新規な回転処理装置及び脱蔵方法は、以下の３
つの行程を含む機構によって、脱蔵を達成することがで
きるように設計された改良された脱蔵段な備える。３つ
の行程とは、／）処理材料内での揮発性材料の気泡の生
成、２）気泡の成長、３）気泡の破裂である。この機構
は、薄い層といったチャンネル壁土での物質の引き伸ば
しを必要としない。しかし、にもかかわらず粘性、粘弾
性材料を含む処理材料からの揮発成分の極めて効＊の良
い物質移動を与える。本質的に、上記機構は、脱蔵段進
路内での有効処理容積の制御と、段の通路を相互に連通
ずる移送溝内の有効移送容積の制御を含む特徴の特別の
組合せによって達成される。

これらの特徴を組合わせた制御は、処理速度真空レベル
及び処理される材料の性質に整合した脱蔵段構造を与え
る。この整合によって、極めて効率の良い動的な発泡脱
蔵作用が生じる。この場合、各々十分には満たされてい
ない脱蔵通路に導入された材料は、その供給部において
、あるいは七の近傍において、極めて急速な気泡生成と
成長のために、体積が大きく膨張し発泡する。これらの
気泡は、はとんど形成されると同時に破壊され、そして
揮発成分が材料から解放され真空によって除去される。

気泡生成、成長及び破裂は、材料がほぼ連続したストラ
ンドの形態であるいは、材料の不連続なかたまシとして
通路を介して前方に運ばれる間、継続する。材料は、そ
の後、通路から排出するために端壁表面に集められる。

運転において、材料は、各通路な介して、はぼプラグ流
れの状態で運ばれる。すなわち、上述の整合の直接の結
果として・真空のもとて材料が通路を介して移動する間
、材料の内部には、大きな剪断あるいは圧力上昇状態は
生じない。このプラグ流れの移動によって、揮発成分の
分離が生じる場合には、自由に気泡は生成し、成長する
。従って、材料が前方に引かれるとき、処理材料の膨張
又は発泡は継続して生じる。

／り以上の剪断領域が脱蔵段の内部に設けられ、剪断作
用が生じて材料中の気泡の破壊を促進する。

しかし、剪断領域の内部では、材料内の圧々の増加はほ
とんどなく、揮発成分の気泡の物質内への再溶解は有効
に防止され、その結果、高粘性、高粘弾性材料を含む材
料の発泡脱蔵が極めて効果的゛に生じる。

本発明の装置と方法によって生じる利点と同様本発明の
新規な回転処理装置と脱蔵方法に関する詳細は、図面に
関連して挙げられた好捷しい実施例の詳細な説明から十
分に理解し得るであろう。

好ましい実施例の説明 第１図をまず参照すれば、本発明の脱蔵段は、駆動軸１
４に取付けられ、ノ・ウゾング１６を有する固定部材の
内部を回転するロータ１２を有する回転部材を備えてい
る。ロータ１２は、少くとも２つの環状脱蔵チャネルを
備えており、これらの各チャネルは、対向する側壁２３
ａと２７ａをそれぞれ備えるとともに、ロータ表面２０
から内方に延び、該ロータ表面にほぼ平行な基底表面２
３ｂ及び２７ｂをそれぞれ有している。ロータ１２を回
転させる手段ばＭで示されており、この手段は、押出機
を回転させるのに一般に使用される任意の適当な形式の
ものあるいは粘性あるいは可塑化物質を処理する同様の
装置であって周知のものから成る。固定部材であるノ１
ウノング１６はロータ１２の表面２０と協動するように
配置された同軸の閉表面１８を備えており、脱蔵通路２
４及び２８、すなわち例示の装置では、第１及び最終脱
蔵通路で囲まれたチャンネル２３及び２７を形成する。

脱蔵膜内の真空を維持する真空源はＶで示されている。

適当な真空源としては、スクリュウ押出機の脱蔵部分の
ような脱蔵及び上記米国特許第ｔ、３コ９．θ６Ｓ号及
び第Ｑ、’Ｉ／、３．ｑ／３号に記載されるような回転
処理装置において真空状態を維持するのに用いられる形
式のものが含まれる。シール手段７８（第１図）が脱蔵
段の軸方向の周辺部においてロータ１２の表面２０とハ
ウジング１６の表面１８との間に設けられており、段の
真空レベルを維持する役割を果たす。

以下に詳細に説明するように、脱蔵段の通路２４と２８
は閉表面１８に形成された輸送溝５２（第グ図）によっ
て相互に連絡させられてお９、かつ脱蔵通路２４で処理
される材料を通路２８に移動することができるように配
置されている。材料中の揮発成分の蒸発は、材料の温度
を底下させる傾向があるので、加熱手段を与えて少なく
とも脱蔵チャネルの側壁、及び好ましくは、同様に処理
装置のハウジングを加熱して蒸発による熱損失を置換す
ることによって処理装置の脱蔵効率を増大させることが
できる。第１図に示された温度コントロール手段８２は
、ロータの中に形成されそこを通して熱移動流体を公知
の方法で循環させることができる一連のチャンバである
が、処理中、材料の温度を制御することができる任意の
適当な手段を用いることができる。第１図に示された完
全な脱蔵段では、２つの通路が示されているが、ａつ以
上の通路を備えることもでき、その場合には、第１通路
と最終通路との間にいわゆる中間脱蔵通路があり、この
通路は、装置のすべての隣接する脱蔵通路が輸送溝によ
って、直列の関係に連結されている。

第−図及び第３図には、第１図の脱蔵段の第１及び最終
脱蔵通路がそれぞれ示されており、各通路は、真空手段
Ｖと連通している。＠／脱蔵通路２４（第２図）は入口
５２ｂ及び出口５２ａを有しており、いずれもハウジン
グ１６内に形成されている。最終脱蔵通路２８（第３図
）は、同様にハウジング１６内に形成された入口５２ｂ
と５６ａとを有している。出口５２ａと５６ａは好まし
くは脱蔵通路のまわりの周長の一定部分だけ入口から離
れている。各通路（第２図及び第３図）は、（ハウジン
グ１６と協働する）ブロック部材４３によって与えられ
、通路で処理される物質を通路から排出するために収集
する通路出口（５２ａあるいは５６ａ）の近くに位置す
る端壁表面４４を備えている。第１脱蔵通路２４の入口
５０ｂ及び最終脱蔵通路２８の出口５６ａは、それぞれ
脱蔵段の入口及び出口を与える。

通路２４の入口５０ｂは、断面が比較的小さく、圧力を
発生する。そして入口５０ｂの上流では温度が上昇する
。これＫよって、入口５０ｂへの完壁な充填性が得られ
、入口５０ｂ’＆介しての真空漏れが防止される。さら
に、作動中において、入口５０ｂでの温度、圧力の正確
な制御及び真空シールは、脱蔵段（第２図）の入口５０
ｂに入ロコントロールｒ−ト８４を設けることによって
達成することができる。コントロール？　−ト８４は半
径方向に入口５０ｂの中に延びており、処理装置の外部
から入口開口５０ｂを所定開度まで絞ることができるよ
うに調整可能に設計されている。従って、コントロール
Ｐ−ト８４によって、入口５０ｂは、作動前及び作動中
において脱蔵段への入口での温度及び圧力を選択的に調
整し得るようにされる。コントロール？−ト８４はハウ
シング１６の開口１６ａを通過し入口５０ｂの中に半径
方向に延びネジ８４ａを調整して公知の方法で制御でき
る範囲にまで達しており、これによって、脱蔵段に入る
材料の圧力と温度の正確なｆｆｒｌｌ　Ｈを与える。同
様のコントロールｒ−ト（図示せず）を設け、作動中、
装置の出口５６ａ（第３図）において出口温度、圧力及
び真空シールの正確な制御を行うことができる。本発明
の脱蔵段の出ロコントロールｒ−トの好ましい位置と効
果及びその利点は、出ロコントロールｒ−ト２８８（第
７３図）に対して詳細後述する。

第４図には、脱蔵膜内の材料の概略的な動きが示されて
いる。第４図において、通路２４と２８とは（ハウジン
グ１６０表面１８に形成された）装置内移送溝５２によ
って相互に連通しており、該溝は、通路２４で処理され
た材料がさらに脱蔵するために通路２８に移動すること
ができるように配置されている。移送溝５２は通路２４
の出口５２ａと通路２８の入口５２ｂとを与えている。

第９図に示された好ましい実施例では、移送溝５０は、
通路２４と処理装置の通路上流側（図示せず）とを相互
に連通させており、脱蔵段に材料を供給する入口５０ｂ
を与えている。寸た、第１図に示された好ましい実施例
では、移送溝５６は、通路２８と処理装置の下流側通路
（図示せず）とを相互に連通しており、脱蔵装置部分か
らの材料を排出する出口５６ａを与えている。しかし、
例えば、処理装置の外部から脱蔵段に直接重力的にある
いは、強制的に供給し、あるいは、脱蔵段の出口５６ａ
を通して処理装置の外部に該脱蔵段から材料を直接排出
するといった他の形式の入口または出口装置を該脱蔵段
に対し使用することができる。（脱蔵段に材料を供給し
及び排出する移送溝はまた、ハウジング１６０表面１８
にも形成される。） 本発明の新規な脱蔵段は、粘弾性材料を含む粘性材料の
脱蔵を効率的に行うことができることを特徴とする。該
脱蔵段は、／）七〇脱蔵通路における有効処理容積、す
なわち、例示の処理装置の通路２４及び２８の内部の（
処理容量）、及び２）該装置内の隣接する通路を相互に
連通ずる移送溝内の有効移送容積、すなわち、例示の処
理装置の移送溝５２内での（移送容量）の制御との集積
された制御をもたらす空間的走可的構造を与える。これ
らの特徴及び容量を総合的に制御することにより、処理
容積速度及び真空レベルと整合し、材料が処理されて、
後述する気泡脱蔵機構を十分に活用することにより脱蔵
段で処理される材料から揮発性材料を有効に分離するこ
とができるという特徴を有する脱蔵段構造を与える。

本発明の脱蔵段で行なわれる気泡脱蔵機構は、揮発性材
料を含む気泡の形成、該気泡の成長、及び気泡の破裂と
いう３つの段階を含む。入口５０での断面の大きさ、及
びコントロールゲート８４によって制御された温度と、
圧力で脱蔵に供給された材料が、突然に、その材料の中
の４ａ性材料の蒸気圧より低い上方レベルにさらされる
と、粘性材料とその粘性材料の中に含まれる揮発性材料
との不安定なかつ過熱状態にある混合物が生成する。そ
の材料の上方あるいは、まわりの通路空間におげろ圧力
との熱力学的平衡をとりもどすために、揮発性材料の自
然蒸発が生じ、材、斜の中に揮発性材料の気泡が形成さ
れる。粘性材料では、揮発性材料の気泡の形成はその材
料の泡立ちを生じる結果となるが、気泡安定性は、処理
されている材料のレオロジー特性による。材料の内部で
、これらの気泡が形成されると、扉発成分が波数して通
過する表面積が、そしてこの表面積が４４　”Ａ成分に
与える影響が極めて増大する。この表面浪をｉＩ！ｉ切
る材料移動は、真空状態にある材料が圧力が大きく増大
せずしかも大きな剪断が作用しないという時間を与え、
揮発性材料の分離中、自由な気泡の成長と、継続した気
泡の生成を許容することにより、増大することができる
。この間、その表面に最も接近した気泡のあるものは、
自然に破裂する。しかし、粘度の高い材料に対しては、
材料な揮発成分の破裂と解放のための露出表面に通僅さ
せる気泡の動きが妨げられ、剪１１ＪｉがＩＢ！　ｌ説
役向の１つ以上の箇所で材料内に生じ、表面の刷新と気
泡の破裂を促がす。また、気泡破裂によって解放された
揮発成分は、通路から連続的に除去され、これによって
、圧力レベルが低く維持され、気届の連続的な成長を促
進し、」！１１成分の、（材料内への再溶解を阻止する
。

本発明の詳細な脱蔵段では脱蔵通路とこの通路と相互に
連通ずる移送溝は、段内で処理される材料の発泡を妨害
しないような空１１１１を設けるように設けられている
。６発刊を妨害しない空間″とは。

通路及びこの通路と連通する移送６・３のル状によって
十分な大きさの部分的に充填された拡張チャンバが与え
られ、これによって、実ａ的に制限されない気泡の生成
と生長がその段で処理される材料内のいかなる重大な圧
力の増大をみることなく行われることを意味する。さら
に、特定の前所領域（後述）における場合を除いて、説
舅段に役３１゛によって、材料は、各部分的に光道され
た税Ｊ１通路を通して、はぼ材料をプラグ流れの状態で
■ぶことかでき、真空下の材料が大きな剪断あるいは、
■力上界がな（はとんど乱れず、従ってｉ’ｉＪ発性材
料の物質移動が著しく増大するという時間を与えること
ができる。

本発明の新規な脱１ｍ段の池の特徴は、材料中に高度の
剪：新を発生させ揮発成分を解放するための表面を新ら
しくすること及び（Ｃ泡破裂を促１ヰする、役向におけ
る１つ以上の非圧縮剪断領域を与えることである。最も
大事なことは、これらの剪断例域を与える脱蔵段の穏々
の部分は、圧力をほとんど増加させることなくこのｎ　
ｈＲを発生するように特別に配置ξされており、これに
よって、訂加１正による揮発成分の材料への再溶解は最
小となる。この＃鍛によって材料脱〕或を極めて効率的
に行うことができる。この材料には高度な粘性、粘弾性
材料が含まれ、これらのものは、過去において脱硫する
ことが困憧であったものである。

脱依通路内の有効処畦容涜の制６１とｇ　ｉ゛＃処理割
合を伴う、移送溝内の有効移送容１の制御との相互関係
は、その役向の非１正縮剪断領域を４える眞安な特徴で
ある。第１図、＠２１閃及び第弘図に示される通路２４
は通路内で処理される材料の制限のない発／己を生じさ
せる空間を与える処理６喰を有する。第弘図に示すよう
に、通路２４の端壁４４は出口５２ａを介して排出し、
移送（ｔ４５２を介して最終脱蔵通路２８に移送するた
めに、発泡材料を収嘱するように配置されている。移送
溝）５２は、移送される泡立った材１γ・トの増大した
体慣よりも大きな移送容量を与え、る。それ故、材料は
、ｌ多送溝５２内での圧力をほとんど増大させることな
く部分的に充填された＃礪τ７ｇ５２に入り、これを通
過する。従って、非圧縮移送ｆｆ４５２の上流側で発生
した端壁４４で収集される材料内の圧力は、通路２４か
ら材料を排出するのに必要な圧力よりもそれ程大きくは
ない。一定の本偵処１浬速度及び上述の他の処理変数を
伴う非圧縮管送溝５２の移送容量との協力慟によって、
Ｃ頂路２４の端壁４４にある移送溝５２の上流側の非圧
縮剪断領域が得られ、との端壁の上流側では比咬的小さ
な、急速に循環する材料のプールが集められ、高い剪断
と、一定の表面の置換えが生じる。これによって材料内
の揮発成分の気泡が破裂して、気泡がこわれ、揮発成分
が通路に解放されて真空手段■によって除去される。こ
の集合、気泡破裂及び材料の移送は、ｆ一段内の圧力増
加を最小にした状態で生じる。これによって、気泡から
材料内に揮発成分が再溶解するのが最小にされる。

非王縮移送溝５２は、また、非１正縮剪断領域を与える
。移送溝５２の移送容量ｄは、ロータ表面２０が移送溝
を回転して通過する際、移送溝５２内の材料の急速な回
転を許ｄするのに十分でありこれによって、移送中の表
面の入れ変わり、及び気泡破裂による気泡の分解をさら
に生じさせる。

移送溝５２内の気泡の破裂によって解放された揮発成分
は移送溝及び脱蔵通路を通過し真空手段■を介して除去
される。他の利点は、非圧縮剪断領域の圧力の増加が最
小であるということである。

揮発成分の気泡が、各非圧縮領域における材料の急速な
回転中に生成し、戊長しつづけることができ、これによ
って、さらに材料移動効率を増大させることができる。

さらに、剪断によって気泡が分割するので気泡の数（及
び表面積）は増大する。

移送溝５２内及び端壁４４にあるものに加えて非圧縮剪
断領域は、１つ以上の非圧縮剪断部材の１つ以上の脱蔵
チャンネルに導入することによって与えられる。７つの
形式の剪断部材８２が第１図、第−図及び第グ図に示さ
れるように通路２４内に配置されている。剪断部材奴、
２は、断面矩形であり、通路２４０チヤンネル基底で泡
立った物質のなめらかな流れをさえぎるように配置直さ
れており、これによって小さく素早く循環する物質のプ
ールが、第を図の小さな矢印で示されるように、剪断部
材９２を越えてこぼれるように十分大きくなるまで剪断
部材９２の上流側に集まり、端端４４に向ってその流れ
を連続させる。剪断部材９２の形状は、脱蔵通路及び体
積流量及び胃−夕速度に整合しており、これによって、
剪断部材９２を通過する泡立ち材料の有効流路断面積は
材料が現実に占める面積よりは太き（なっている。剪断
は、材料の内部に圧力をほとんど増加させることなく気
泡破裂を起こすために材料内に生じる。この舌果、揮発
成分の材料中への再容解は最小となる。

他の剪断部材９２が脱蔵通路２８（チャンネル２７）内
に配置されており、これによって眼通路２８内に（第１
図、第３図及び第グ図）別の非圧縮剪断領域が与えられ
る。

第１図から第弘図では、各通路には単一の剪断部材が示
されているが、７つ吸上の剪断部材を各通路の中に導入
することができるとともに、別の形状のものも可能であ
る。たとえば、８５８図及び第３す図には、通路２４内
を半径方向に延びる３つの非圧縮剪断部材９４ａ、９４
ｂ及び９４ｃが示されており、この部材によってチャン
ネルの他の側において発泡済材料のなめらかな流れをさ
えぎり、急速な材料の循環プールが（第３図に同様な矢
印によって示される）各剪断部材の上流側に集まるよう
にし、気泡破裂及び揮発成分の解放のための剪断を生じ
させる。さらに、多くの材料が各剪断領域に持ち込まれ
た場合には、材料の一部はその領域を通り過ぎて次の剪
断領域に持ち込まれる。すなわち、部材９４ａの上流側
で集められ剪断された材料はチャンネルの反対側に向け
られ、部材９４ａを通り過ぎて運ばれ、部材９４ｂの上
流側に集められてさらに剪断される。これは材料が上述
の端壁忙ある非圧ａ剪断領域に向って流れ集められるま
で続けられる。剪断部材９４ａ。

９４ｂ及び９４ｃの形状は材料が占める断面積よりも大
きな、各部材を通過する材料の流れに対する有効断面積
を与えるように設計されている。従って、剪断は材料の
圧力をほとんど増加させることなく生じさせることがで
きる。

池の形状の非圧縮剪断部材が第Ａａ及び第４ｂ図に示さ
れている。剪断部材９６は半径方向にチャンネル２３の
中に延びており、チャンネルの断面形状によく整合した
形状をしている。周方向４゛４９６ａはチャンネルの側
ｇ　２３　ａに防接した部材９６の部分に形成されてい
る。これらの黄の断面浦の合計は部材９６を通過して流
れる材料の現実に占める面積より大きくなるように数計
されている。これによって、材料は急速に循環するプー
ルとして部材９６の上流側に集められ材料内には剪断が
生じる。材料がこの剪断領域に持ち込まれたとき、一部
の材料は、＠９６　ｂを介し部材９６を通過して、チャ
ンネＪＬ／［２３ａをめぐって運ばれる。部材９６を通
過する材料の流れに対する有効断面積により、材料内の
圧力増加がほとんどない状Ｉ−で有効な剪断を生じさせ
ることができる。上述の非圧縮剪断部材によって与えら
れる付加的な非圧縮剪断領域を脱蔵段に尋人することに
より。

一定の材料の極めて効率の良い脱蔵をもたらすことがで
きる。これらの部材は、有効に泡立を分解するために高
い剪断速度が必要となる遅めて安定した泡立を形成する
粘性、粘弾性材料を処理する場合に特に有効である。

作用において、揮発成分含有材料は、制御された速度で
及び一定の温度で、及び段の入口５０ｂの断面の大きさ
によって決定された臣カレペルであって、コントロール
ｒ−）８４（第２図及び第４ｔｌ、Ｊ　）によって正確
に制御された圧力で脱蔵段に持ちこまれる。通常、その
材料はほぼ連続したひものような形で、脱蔵段に導入さ
れ、その段から引き出される。しかし、低い弾性を有す
る材料が処理される場合には、連続したストランドは形
成されない。むしろ、急速な回転チャンネル表面が材料
の一部を入口から引出すときストランドがこわれ、不連
続な材料の１かたまり”が形成される。

材料が段の通路２４に入る際、加熱され、加圧された材
料は、突然圧力が低下し、′Ｍｉ熱状態にある物質に含
まれる揮発成分が蒸発して、体積が急速に膨張し、材料
のかたまりを通して気泡が生成する。第１脱蔵通路２４
が発泡材料の膨張した体積よりも大きな処理容量を与え
ているので、この気泡の生成及び成長はほとんど制限さ
れないとともに、真空下にある材料がほばフラグ流れの
形態で前方にポばれるとき、はとんど自由に維持される
。

このように、効率的な気心形成と成長が、発泡材料が端
＠４４に向って運ばれて、集められ剪断され、そして出
口５２ａを通して通路２４から排出される間、連続的に
生じている。上述のように。

通路に持ち込まれる材料の容積（処理容５１車度）と他
の処理変数を伴う通路の処理容量とが整合していること
によって１発泡材料は１ｍ路の容量よりも小さい体積を
占めることになり、この結果、材料は、通路前進する際
圧力の増加はほとんどなく、その代り１通路内の温度と
真だレベルに応じて最も良く発泡するようになっている
。

好ましい作用では、発范材利の流れは非圧縮剪断部材９
２でさえぎられ、さらに多くの材料が剪断部材９２に接
近したときには、材料のｆｆ＆　、ＮＡプールが部材９
２の上流側に形成される。この循環によって材料の内部
に剪断が生じ効率的な表面の入れ代わりと気泡破裂を促
進する。そして材料内部の圧力増加はほとんどない。さ
らに多くの材料が剪断部材９２に向って運ばれると材料
は、剪断部材９２を溢れて端壁４４に向って、再びプラ
グ流れの形式で運ばれる。

端壁４４では、発泡材料は、急速な材料の循環ブールと
じて集められ、物質内部の高度な剪断が発生し１表面が
入れ代わり、気泡破裂が生じる。

材料は、出口５２ａを介して通路２４から非出され、移
送溝５２を介して最終脱蔵段２８に移送される。既述の
ように、移送溝６２（第１Ｉ図）は通路２４かも次の隣
接する脱蔵通路２８（第１図。

第を図）に移送されている泡立った材料の膨張した体積
よりも大きな移送容量な与える。従って材料が通路２４
から通路２８に移送されるとき、移送溝５２内での圧力
の増大はほとんどない。従って、材料の循環プールの内
部において、非圧縮移送溝５２の上流側で発生する圧力
は１通路２４からの材料を排出するのに必要な圧力より
それ程大きくない。さらに、非圧縮移送ｌ鱈５２は、十
分な移送容量を与え、ロータ表面２０がその調を通って
回転するとき、移送溝５２内部で材料は急速に回転する
ことができ、移送中、移送溝５２内の圧力増加を最小に
して、剪断を生じさせさらに気泡の分宛な生じさせる。

脱蔵通路を通してプラグ流れのような状襟で運ばれる間
、材料を真空にさらして、気泡生成及び成長させ、非圧
縮剪断及び表面の入れ換えをして剪断領域で気泡破裂を
揮発成分の解放を行〜１、付加的な剪断領域を与える非
１１％を移送溝によって材料を次の隣接する脱蔵通路に
移送するサイクルは、必要ならば、入口５２ｂ（第３図
、第を図）を通して材料が最終脱蔵通路２８に持込まれ
るまで中間の脱蔵通路（既述）を介して、ｉｆ読される
。

通路２８において、材料はロータ１２の回転によって前
方に運ばれ、非ｌｆＲｇ　４断部材９２において、剪断
されて気泡破裂する。そして、最終脱蔵通路２Ｂの端壁
表面４４に接近して集められ脱蔵段からの出口５６ａを
与える移送溝５６は、非圧縮移送溝ではない。脱蔵段か
らｇμ出される圧力は、ある程度出口５６ａの断面の大
きさによって、決定され、コントロールグー）８４（第
、２図）に対して説明したのと同様な方法で、次の下流
側通路（（潟示せず）に配置されたコントロールダート
（図示せず）において正確に制御される。従って、出口
５６ａは、作動中材料でほぼ完全にｉ蒋だされた状態に
推持されており、これによって、入口５０ｂに対して説
明したのと同様な方法によって、脱蔵段出口で１つの真
空シールとして作用する物質のバリヤを与える。また、
通路２８の端壁４４において材料の循環プールの大きさ
を正確に制御するために出口コントロールダートを使用
することもできる。出口５６ａは作動中はぼ物質で満た
されているので、最終脱蔵通路２８の端壁表面４４で集
められる循環プールの内部で圧力上昇し、すべての残音
揮発成分を物質中に再溶解させることによってさらに、
材料中に残っているすべての気泡の分解を生じさせる。

また、圧力上昇、出口５６ａの比較的狭い開口を通して
脱蔵段から材料を排出するのを支持する役割を果たす。

本発明の脱蔵段の顕著な利点は、以下の例を参照して、
さらによく理解することができる。

本発明の脱蔵段の顕著な利点は、以下の例を参照して、
さらによく理解することができる。テストは、圧縮移送
溝を有する処理装置の効率と、非［Ｅ縮移送溝を有する
処理装置この効率を比較しながら、処理装はの処理条件
と、処理材料とを変えて行なわれた。

処理物質　除去揮発成分 ポリスチレン　スチレン、エチルベンゼン低密度Ｉリエ
チレン （ＬＯＰＥ）コポリマー　コモノマー 処理装置のテストされた１転範囲を表わすパラメータは
以下の通りである。

処理装置　流量速度：Ｓθ〜、２００１ｂ７’ｈｒ（２
２，６〜ワθ’７　ｋｇ／ｈ　ｒ　）四−夕速度＝２０
〜２０θＰＰＭ 真空レベルＩ　／〜７乙０τ深Ｈｇ。

処Ｍｉ温度：３５０〜左左ＯＦ （／７ム６〜２ｇｇＣ） 原　料　材料温度　３ＳＯ〜５ｓｏｐ （／クム６〜２ｇｇＣ） 揮発性成分濃度　ＩＡＯｐｐｒｎ−１０裂粘性（供給温
度において）ｓ　／−１１００ＭＦ＋製　品　林料温度
　３！；０−．５ｉ’左ＯＦ（／７ム６〜２ｇｇＣ） 揮発成分４度　／　Ｏｐｐｍ　−／％ 粘性（出口温度において）Ｉ／〜グθＯＭε１テスト物
質は脱蔵段で真空下で供給時の７・−３倍に膨張するこ
とが観察された。上記の例示の林料、パラメータ範囲及
び処理装置りの大きさをよ、本発明の／実施例によって
得られる効果を説明するためのもので、限定と考えるべ
きものではない。

このテストの結果は以下の実施例／〜グに説明されてお
り、第７図から第１０図に表わされてＸ、する。

例　／ 上記の形式の回転処理装置を用い、不純物として初期の
揮発成分濃度Ｇｏが　コ乙／、２ｐｐｍ。

２６７３　ｐｐｍ及び３２／りｐｐｍであるスチレン及
びエチルベンゼンを含むポリスチレンを処理した。

処理装量は１つのロータを備えており、そのロータは（
第、２図に示すように）　３．７５インチ（９ぶ２左ｍ
隠）の半径Ｒｄ　を有し、（第１図に示すように）各７
つの巾Ｗが０．４　ｇ　７５インチ（／’２１Ｉ乙ｍｙ
ｃ　）であるＳつの脱蔵チャンネぎを有する単一の脱蔵
段と、０．２５インチ（ム３３　ｍｒｎ　）の巾Ｗを有
する１つのチャンネルから成る１つのポ／ゾ段を支持し
ている。説哉チャンネルのチャンネル基底半径Ｒｓ　（
第２図に示すように）をま、ユ／２にインチ＜３３．９
ｇ朋）である。ポンプチャンネルのそれはλ、２乙３イ
ンチ（６ム乙ｇｍｍ）である。供給速度は物質を脱蔵段
の入口に／θＯ１ｂ／ｈｒ　（４’　３．３　Ａ　Ｉψ
）強制供給する押出機によって制御された。材料の温度
は４５０ＦＣ，２３２，２Ｃ）に維持された。真空手段
を、用いて揮発成分を脱蔵段から除去し真空ｐｖ　を役
向で３〜／、２ｍｍＨ９に維持した。

最初の一連のテストは、本発明の非圧縮移送溝の代りに
巾の狭い圧縮移送溝を用いて行なった。

これによって材料は、発泡することはできたが、各端部
壁においてと移送溝の内部において圧力が高くなり、脱
蔵段のいくつかの場所で分離した揮発成分の少なくとも
部分的な再溶解が生じ、第７図に示されるように段の効
率が低下した。脱蔵段の内部の移送溝は、０．７　！ｒ
インチ（／り３絽）の平均半径方向の醜さと（第１Ｉ図
に示すように）平均溝巾Ｗｔ　−６６３７３インチ（／
２ダ乙ｍ展）を有する。（第１／、図に示す）角度φは
３００であった。種々の回転スピードにおげろ分離効率
Ｅ′ｆ（＝／　−Ｃｆ／Ｃｏ　、この場合ｃｆ　は最終
揮発成分濃度。

ＣＯは初期揮発成分濃度である。）は第７図に破線で表
されている。

次に、処理装置を、本発明に従って脱蔵膜内部に非圧縮
移送溝な備えるものに代えた。脱蔵通路の大きさは変更
しなかった。テストは、非圧縮移送溝の巾ｗｔ＝１ｇ／
コ左インチ（２０，／　３騙）。

１ｇ７左インチ（４Ａ７乙コ朋）、ＩＩ、コ左インチ（
グｌコク朋）及び７３インチ（３ざ１０雁）であるもの
について行なった。１．゛りの平均半径方向高さは０．
乙７３インチ（／’Ｚ１５ｙｘｉ）であった。次に、０
９３７．！ｔインチ（，２３，ｇ　Ｏ電）に変更して約
２倍又はそれ以上の断面積の溝を与えた。半径方向高さ
が０ヲ３７タイ゛ンチ（，２３，、！ｒθｒｑｒｎ　）
であるとき、（既述の）非圧縮剪断部材を最ｉ刀のグつ
の脱ａチャンネルの中に挿入した。移送溝の角度φは再
び３θ０であった、θ乙７汐インチ（／７／タ朋）の半
径方向高さを有する移送溝ン用いた場合、初期揮発成分
濃度は２３左スｐｐｍであり、０９３７３インチ（２３
，ｇＯｍｍ）の場合は２３．２．２　ｐｐｍであった。

種々の回転速度における分２効４．Ｅｊ　は第７図の実
線で表されている。

例　コ 例／で説明した処理装置を用い、ロータ速度４０ＲＰＭ
　の一定瞳で、真空レベルを変えて分離効率への影響を
調べた。（実施例／におけるように）ｗ期揮発成分濃度
３　、！／　７　ｐｐｍのポリスチレンを実施例／で説
明した圧縮移送溝を用いて処理した。浅い方（半径方向
高さ２０６７５インチ（／７．１５ｍｍ）の非圧縮移送
溝を用いたとき、材料のＣＯは２　ｊ　５２　ｐｐｍで
あった。非圧縮剪断部材を有する深い方の溝（０，り３
７３インチ（２３９θ隨））を用いたとき、ＣＯは２３
２２ｐｐｍであった。いずれの形式の非圧縮移送溝につ
いても例／で説明した。脱蔵段の真空レベルを約５〜７
６０ｍＨ９まで変化させた。他のすべての条件は、実施
例１で説明したつと同様である。無次元の濃度比Ｃ−Ｃ
１／Ｇｏ　（揮発成分の最終濃度／揮発成分の初期濃度
）の形式で表現された分離効率は第３図に示されている
。

第７図及び第を図に示されるように、初期出発濃度が低
いにも拘わらず、真空レベル及びロータ速度を変えた場
合の分離効率は、本発明の非圧縮移送溝を与え、これに
よって、圧力をほとんど増大させずに気泡破裂と揮発成
分のｆＱイ放とを生じさせる脱蔵膜内における剪断領域
を与えることにより大いに改善される。このことは、テ
ストされた低いロータ速度と真空レベルにおいて特に顕
著である。第７図に示されるように、圧縮移送溝を用い
た場合の分離効率は四−夕の低回帆で極めて低く、２！
ｒＲｐｖ＋で約０．３７であり、１５ＰＰＭ−Ｃ−最大
値θ７に近づく。処理装置を変えて本発明の非圧縮溝を
与えることによって１分離効率は、大いに改善され、テ
ストされたすべてのロータ速度において約０．７左でほ
ぼ一定に維持される。低ロータ速度で脱蔵することがで
きる剪断感応物質を脱蔵する場合に、この効果を特に顕
著に発揮させることができる。さらに、他の多くの物質
に対し。

脱蔵効率に大きな影響を与えることなく、ロータ速度を
低下させることにより動力消費を大いに減少させること
ができる。第３図において、圧、縮移送溝を使用する場
合には、Ｃは、低い真空レベルにおいて約Ｏ１＋（Ｅｆ
＝約θ乙）の一定の嫉小値に接近する。非圧縮溝な使用
することにより、Ｃは大きく低下し、６聰Ｈｇの圧力で
約０．２９（Ｅ′ｆ＝約θ７乙）に達する。さらに、Ｃ
は、同様の低い真空レベルにおいて、一定の最小値とは
ならず、必要ならばさらに低い揮発成分の濃度を達成す
ることができる。

例　３ 非圧縮移送溝を有する例／の処理装ｆｉｔを用い、ロー
タ速度を変えて処理装置に供給される材料の粘性が分離
効率に与える影響につき、ＬＤＰＥコポリマーからコモ
ノマーを除去するテストを行なった。λつの類似したサ
ンプルを処理した。サンプ／ｌ／Ａは、２ＭＦ　ｌ　（
ｃｏ−３４４０ｐｐｍ）の粘性を有し、サンプ／ｌ／Ｂ
はグθθＭ　Ｆ　Ｅ　（Ｃｏ　−１’１０１００ｐｐの
粘性を有する。第９図に示すように１分出効率Ｅｆは低
粘性コポリマーＢに対しては約θワヲであり、高粘性コ
ポリマーＡに対しては、０、４から３０．　ｇ　３であ
る。高粘性コ号？リマーに対し、特に高ｐ−タ速度にお
いて、低い初期揮発性濃度に拘わらず、比較的高い分離
効率が達成された。従って、第り図に示されるように、
本発明の処理装置を用い、高粘性及び低粘性の材料のい
ずれに対しても、高い効率で揮発成分の除去を達成する
ことができる。

例　グ 第７０図には、非圧縮季送溝を用いた例／の処理装置に
おいて、ＳＡＮコポリマーの処理速度を変化させて分離
効率Ｅｆ　に与える影響が示されている。処理速度の１
００、／グ３及び７９ｇ１ｂ、ｙｈｒ（’ｌ左左３乙ｃ
ｇ／ｈｒ＋６％　ｇ乙ｋｇ／ｈｒ、　ｇ　９．　ｇ　／
　Ｘ？／ｈｒ）に対して、効率はほとんど変化しない。

従って１本発明の処理装置は、移送溝を通して移送され
る泡立材料の処理６蹟速度が溝の移送６以以下である場
合の広い処理速度の４゜竜囲において材料を処理するの
に使用することができる。

上記の例及び第７図から第７０図は本発明の回転処理装
置の隔通性及び有用性を明瞭に表わしている。

第１／図から第一０図は、本発明の新規な改良された脱
蔵段を備えた特に好ましい多段回転処理装置を示してい
る。第１／図に示すように、ロータ２１２はハウジング
２１６の閉表面２１８によって包まれた複数の環状チャ
ンネルを備えており、このチャンネルは、処理装置内の
込くつかの段が種々の処理機能ｉ達成し得るように配置
された通路を形成する。処理通２２２は、チャンネル２
２１を形成しておｐ１処理装置に供給される液体材料を
収容するように構成された供給段を与えている。

脱蔵通路２２４，２２６及び２２８は、それぞれチャン
ネル２２３，２２５．及び２２７を形成しておシ、第１
脱蔵段を与える。チャンネル２３１２３３及び２３５を
形成する脱蔵通路２３２゜２３４．２３６は第２脱蔵段
を与える。通路２３０（チャンネル２２９）はこれらの
脱蔵段を分離する混合段を与える。通路２３８（チャン
ネル２３７）はポンプ段を与える。一方、通路２４０（
ｆ′、ヤンネル２３９）は、通路２３８の外側にあり材
料化段を与える。

第１コ図に概略的に示されているように、通路は、（ハ
ウジング２１６の表面２１８に形成され）７つの通路で
処理され、た羽村をさらに処理するために他の通路に移
送できるように配置された耐相移送溝によシ相互に連通
している、移送溝及びこれらと協働する入口及び出口は
、閉表面に直接形成することができる。また、これらは
、後述するブロック部材と同様、米国特許第り２２７！
ｇ／乙号に記載されるようにハウジング２１６と協働す
る７つ以上の除去可能な移送板によって与えることがで
きる。

第１／図に示された処理装置では、第１脱蔵段は、ハウ
ジング２１６負通する開口２１７を介して真空マニホル
ド２７６と連通ずる。−口２１７は、隣接する脱蔵通路
２２４，２２６．２２８を越えて延びている。通路の周
囲の真空マニホルド２７６の好ましい配置は第１．２．
／４１．／左及び７６図に最も良く示されている０また
、真空マニホルドは開口２７５を介して真空源（図示せ
ず）に連通しており、脱蔵段の通路を真空引さするよう
になっている。マニホルド２７６は、また、開口２７７
を介して真空測定手段（図示せず）に連通している。第
ユ真空マニホルド２７６は、また、第１／図及び第７２
図に示されるように、同様な方法で第λ脱蔵段に連通し
ている０これらの脱蔵段は同じ真空レベルとすることも
異なる真空レベルとすることもできる。

第１／図に示すように、ロータ２１２の表面２２０は、
小さなりリアランス２１９だけノーウジング２１６の表
面から隔置されているｏしかし、この小さなりリアラン
スは、通常は、それ自体では、脱蔵段の真空漏れを防止
するのに十分ではない。従って、異なる圧力レベルのチ
ャンネルの間のロータ表面は、第１／図に示すようにチ
ャンネル２２１と２２３，２２７と２２９，２２９と２
３１及びチャンネル２３５と２３７との間に真空シール
２７８のようなシール手段を備えている。

さらに、シール２７９（第１／図）がロータの端部及び
チャンネル２３７と２３９との間に設けられておシロー
タ表面２２０からの液体材料の漏れを制御する。これら
のシールは、米国特許第り３θ０．　ｇ　’ｌ　２号に
さらによく説明されている。

各脱蔵段の内各脱蔵通路は、通路に対し端壁表面２４４
を与え材料を通路から排出するために集合させるブロッ
ク部材２４３を備えている。各ブロック部材２４３の脱
蔵段の周囲における間隔は移送溝２５２及び２５４に対
し最大の設計特性を与えるように選択されている。既述
のように、移送溝及びブロック部材は除去可能な移送板
によって与えることができる。移送板の周長さは協働す
るブロック部材と移送溝の配置によるので、従来では１
単一の移送板によって支持されるブロック部材の周方向
のずれは最小に維持されていた。しかし、第７２図の第
１脱蔵段の好ましい配置では、大きな角度的間隔を有す
るように互いに徐々に離すしたブロック部材２４３を与
えている。この間隔すなわちずれによって脱蔵チャンネ
ルの間のロータ表面２２０をれたる軸方向の距離の望ま
しく力い増大を与えることなく移送溝２５２及び２５４
の巾を大いに増大させることができ、これによってロー
タ２１２の軸部のチャンネル間にはシールは示されてい
ないが、必要ならば設けることもできる。

周方向リゾ２８０（第１／図及び第１２図）がハウジン
グ２１６と協働するようになっており、脱蔵段の周辺に
配置されて真空ラインのつまりを防止する。第１／図に
示される温度制御手段２８２は、温度制御手段８２（第
１図）について説明したように、一連のチャンバであシ
、該チャンバを通して、熱移送流体が公知の方法で循環
し、処理装置のチャンネル壁を加熱又は、冷却して処理
中材料の温度の制御を行う。閉表面は、また、必要なら
ば同様の温度制御手段（図示せず）を設けることができ
る。第７３図は、供給段の通路２２２を示している。通
路２２２は、入口２４８、出口２５０ａ及びブロック部
材２４１を備えておシ、このブロック部材２４１は、通
路２２２に対して端壁表面２４２を表えている。端壁表
面２４２は、通路のまわシの大部分の周方向の距離だけ
入口２４８から離れており、出口２５０ａ近傍に配置さ
れてい茗。作動状態においては、液体材料が入口２４８
から処理装置に重力的にあるいは強制的に供給され、チ
ャンネル２２１の中に収容される。

該材料は、チャンネル２２１の壁２２１　ａ　（第１／
図）を回転することにより端壁表面２４２に向って引か
れる。材料の本体は端壁表面に支持される。この結果、
材料の制限された本体とチャンネルの回転壁２２１ａに
隣接する材料との間に相対運動が生じる。米国特許第名
／　９’１．ｇり／に説明されるように鴬この相対運動
によって、材料が端壁表面２４２に接近するにつれて材
料内の温度と圧力が増大する。端壁表面２４２において
、材料は、出口２５０ａを通して排出するために集めら
れ、移送溝２５０（第７２図）によって脱蔵段に移送さ
れる。該移送溝２５０は、第７２図及び第１１Ｉ図に示
すように、通路２２２の出口２５０ａ及び第１脱蔵段の
第１通路である通路２２４の入口２５０ｂを与える。第
１二図及び第１１図に示される入口２５０ｂは、断面が
比較的狭く、通路２２２の入口２５０ｂの上流側の圧力
と温度が上昇し、これによって、入口２５０ｂを完全に
満たし入口２５０ｂを介しての真空漏れを防止する。

さらに、作動中の入口温度、圧力及び真空シールの正確
な制御は第１脱が段（第７１１図）の入口２５０ｂにあ
る入ロコントロールグート２８４を設けることによって
達成することができる。コントロールゲート２８４は処
理装置の外部から調整できるようにかつコントロールゲ
ート８４（第２図）に対して説明したように入口開口２
５０ｂを所定開度まで絞ることができるようになってい
る。

第１／、／２．／’１．／Ａ；及び／６図は、３つの脱
蔵通路すなわち、第１脱蔵通路２２４、中間脱蔵通路２
２６及び最終脱蔵通路２２８を備えた第１脱蔵段を示し
ている０各脱蔵通路の形状によって既述のように、他の
処理変数と整合するように選択された処理容量が与えら
れる。方向の長さを大いに増大させることができる０従
って、移送溝２５２及び２５４の断面積、従って、移送
容積の制御がブロック部材２４３の角度的なずれによっ
て少くとも部分的には得られる。例えば、７．５インチ
（／　９０．左ｍｍ　）のロータ半径、０．５インチ（
／　、２．７０ｍｍ　）の脱蔵チャンネルの間における
軸方向四−タ表面巾と、ブロック部材との間に３３．５
°の角度的間隔とを有する回転処理装崩、に対し、周方
向から角度φ（第り図）が３θ０で配設された移送溝は
／、乙２３インチ（２乙９．ｇ７ｍｍ’）の巾Ｗｔ　を
有する。

周方向流れ偏向器２８６（第１１１ｔ図、第１左図、第
１乙図）が各脱蔵通路に対して設けられており、材料を
脱蔵チャンネルの基底部に向は真空ラインのつまシを最
小にする。図示された流れ偏向器２８６は流れ偏向装置
２８５の一部（第１／図）であるが分離した流れ偏向器
を各脱蔵通路に対して用いることもできる。第１乙図に
示されるように、最終脱蔵通路２２８は剪断部材９２（
第１図〜第り区）と同様の方法で作用する選択可能な非
圧縮剪断部材２９２を備えており、脱蔵段に対して付加
的な非圧縮剪断領域を与える。剪断部材２９２は段の第
１及び中間通路にも備えること力（できるとともに、７
つ以上の剪断部制を必要ならば、各通路に対して備えて
も良い。

比較的広い非圧縮移送溝２５２及び２５４が、第１コ図
に示すように第１脱蔵段の通路を相互に連通している。

移送溝２５２及び２５４の形状によって、非圧縮移送溝
５２に対して既述したように他の処理変数と整合させる
ために選択される移送容量が与えられる。

第７２図に示すように、比較的狭い移送溝２５６は、第
１脱藏段からの出口２５６ａと混合段の通路２３０への
入口２５６ｂとを与える。移送溝２５６は、第１脱蔵段
の出口圧力と真空シールとを制御する。作動中における
出口圧力と真空シールの正確な制御が第７７図に示すよ
うな処も通路２３０の入口２５６ｂに出口容量コントロ
ールグー）２８８を設けることによって達成される０出
ロ容量コントロールゲート２８８は処理装置の外部から
調整できるように配置くれておシ、入口開口２５６ｂを
所定開度まで絞り、これによって段の真空シールだけで
なく出口２５６ａの上流側の材料の排出圧力を制御する
。

作動において、液体材料は、入口２５０ｂの形状及び入
口容量コントロールグー）２８４（第７２及び７７図）
によって制御された温度と圧力で入口２５０ｂから第７
脱輩段の脱蔵通路２２４に導入され、流れ偏向器２８６
によってチャンネル２２３の基底に向って偏向される。

該材料が流れ偏向器２８６下流端を通過する際（あるい
は寸た、材料が入口２５０ｂから第１脱蔵通路２２４に
持込まれる際）、材料は、真空マニホルド２７６を介し
て真空源（図示せず）によって引かれる真空にさらされ
る０急激な圧力像下によって、材料に含まれる揮発成分
が蒸発するので今や過熱状態の材料においてフラッジ発
泡が生じ、材料のかたまり全体にわたって気泡が形成さ
れる。通路２２４に持込まれる材料の流量速度と上記の
他の処理変数を伴う通路の処理容量とが整合しているた
めに、発泡材料は、それが通路を介して運ばれる際大き
な剪断及び圧力の増加はなく、その通路の温度と真空レ
ベルに応じて最大限度まで自由に発泡することができる
０ 端壁２４４において、発泡材料は出口２５２ａを介して
通１ｇ２２４から排出するために集められ非圧縮移送溝
２５２を通して中間脱蔵通路２２６に移送される。第１
脱蔵段において処理されている発泡材料の体積と既述の
他の処理変数を伴う移送溝２５２の移送容量とが整合し
ていることによシ、通路２２４の端壁２４４において、
集められた発泡材料のプールが与えられ、このプールは
比較的小さく急速に循環するプールであって、高い剪断
と一定の表面の入れ代えを生じさせるものである。従っ
て材料内の揮発成分の気泡は、プールの圧力の増大を最
小限にとどめた状態で、破裂して泡を分解し揮発成分を
解放する。また、移送溝２５２は十分な移送容量を与え
ており、これによって、ロータ表面２２０が該溝を通過
して回転する際、材料は移送溝２５２の内部で急速に回
転することかでき、これによって、移送中さらに気泡の
分解が生じる０挿発成分が蒸発するとき材料から奪われ
た熱の一部は、発泡材料が処理装置の表面に接触したと
き置換される。この表面は、既述のように温度制御手段
２８２によって加％または冷却することができる。さら
に、材料の加熱は、軸動力が熱エネルギに変換されるの
で剪断領域内での粘性散逸によって生じる。従って、材
料の温度は、制御することができ、実質的にほぼ一定の
レベルに維持することができる０ 移送溝２５２から、材料は入口２５２ｂ（第７２図及び
第１Ｓ図）を介して中間脱蔵通路２２６に持込まれ、流
れ偏向器′２８６の下を通過し、真空にさらされ、プラ
グ流れ状態で前方の端壁２４４まで運ばれ、非圧縮剪断
され出口２５４ａを介して排出される。材料は、非圧縮
移送１ｌｚｓ４（第１２図）を通過しかつその溝内で剪
断され、入口２５４ｂを介して最終脱蔵通路２２８に持
込まれ、流れ偏向器２８６（第１乙図）の下を通過する
０発泡材料は通路２２８を介してグラブ流れの状態で剪
断部材２９２′に向って運ばれ、そこで、その流れはさ
えぎられ、材料の循環プールが、剪断部材９２（第１図
〜第ダ図）に関して説明したのと同様な方法で剪断部材
２９２の上流側に形成される。プールにおいて、剪断が
材料の内部で生じ、気泡を破壊し揮発成分を解放し、該
揮発成分は真空マニホルド２７６を介して除去される。

さらに多くの材料が剪断部材に向って運ばれると、材料
のプールは、剪断部材を越えて溢れ最終脱蔵通路２２８
の端壁２４４に向って運ばれる。

材料が脱蔵通路を移動する際、それは、連続的に真空に
さらされ、圧力の増加はｔ′！！とんどない。

従って、揮発成分の気泡は材料内で発生しつづけ、材料
が最終脱蔵通路２２８（第７２図及び第１乙図）の端壁
２４４に接近するまで既述のように成長しそして破裂す
る。気泡の破裂によって生じた揮発成分は真空マニホル
ド２７６を介して除去される。このマニホルド２７６は
、第１脱蔵段のすべての通路と連通している。通Ｍ２２
８の端壁２４４において、材料は集められ移送溝２５６
（第７６図）を介して該脱蔵段から排出される０この溝
２５６は該段からの出口２５６ａを与える０上述のよう
に、移送溝２５６は、非圧縮移送溝ではない。このため
材料がその脱蔵段から排出される圧力は、ある程度出口
２５６ａの断面積によって絞シまシ、後述のように、コ
ントロールグー）２８Ｂ（第７７図）によって正確に制
御される。

従って、作動中、出口２５６ａは材料でほぼ完全に満た
された状態ＶＣ，維持されており、出口５′６ａ（第３
図及び第４図）に関して既述したように該段からの出口
において真空シールを与える。作動中、第１脱蔵段は材
料でほぼ満たされているので最終段端壁２４４に集めら
れる材料の内部には圧力が発生して、出口５６ａに関し
て既述したように（第３図及び第４図）さらに気泡の分
解を促し、比較的狭い出口５６ａを通して物量を排出し
、移送溝２５６（第７２図）を介して脱蔵段から該混含
段（第７７図）の通路２３０に移送する。上記の第１脱
蔵段は５つの非圧縮剪断領域を与えるとともに、λつの
非圧縮移送溝によって相互に連辿された３つの脱蔵通路
を有しているが処理条件及び処理される材料によシさら
に多くの通路を設けることもできる。

第７．２図及び第７７図に示された混合段の通路２３０
は、該通路に対して端壁２４６を与えるブロック部材２
４５を備えている。その端壁表面は、通路のまわりの大
部分の周方向の距離だけ入口２５６ｂから離れておシ、
移送溝２５８によって与えられた出口２５８ａ付近に配
置されている。

作用において、通路２３０に持込まれる脱蔵されたはぼ
脱気泡された材料はチャンネル２２９の壁の回転によっ
て端壁表面２４６に向って引きずられる。材料の本体部
分は該端壁表面によって支持されておシ、このため、材
料の温度と圧力は、材料が供給段の通路２２２に関して
既述したのと同様な方法で通路を介して移動するにつれ
て増大する。材料が端壁表面に向って前進させられつづ
けるので、端壁表面で集められる材料には、強力な循環
する動きが生じ、この結果材料内部には強い混合作用が
起こる。移送’ｍ２ｓ　ｓ　（第７２図）は、通路２３
０に対して出口２５８ａを、及び最終脱蔵段に対して入
口２５８ｂを与えているが、端壁２４６にある゛循環プ
ールに対して選択された大きさ及び混合段に対して選択
された排出圧力に応じて、（第１脱蔵段に対して入口２
５０ｂを与える）移送溝２５０と同じ又は異なる大きさ
とすることができる。

必要ならば、混合段は通路に付加的な材料または担体材
料を供給できるように修正することもできる。この担体
材料は、材料が次の脱蔵段に移送される前に材料−に含
まれる揮発成分の分圧を低下させるものである。その後
、これらのものは、第１脱蔵段から通路に持込まれる材
料と通路２３０の端壁２４６で完全に混合される。完全
混合を達成する７つの方法は、米国特許第’Ａ／９１１
．ｇ’ｌ１号（第３図及び第ｇ欄、第６０行から第９＠
、７７行）に記載されるようなものと同様の混合構造及
びポートをその混合通路に含めることである。

既述のように、本例の処理装置は混合段で分離された一
つの脱蔵段を備えているが、処理される材料及びそれに
含まれる揮発成分の濃度と特性に応じて必要ならば、こ
れ以上のあるいは以下の段とすることもできる。さらに
各混合段は７つ以上の通路を有することもできるし、任
意のあるいは、すべての混合段を削除することもできる
。

後続の脱蔵段及び混合段の通路と溝は、必要ならば、こ
れらを別にするが、峻終脱蔵段のそれぞれ第１通路２３
２と中間通路２３４及びそれぞれ脱蔵移送溝２６０及び
２６２と同様に、既述のようにこれらの一方のものと性
質において同様である。しかし、各段の特定の形及び各
段の処理条件はその段に入る材料に対し最大の処理効率
を与える。従って、材料が処理装置を介して移動するに
つれて、後続の脱蔵段から排出される材料は、揮発成分
が徐々に低下する。最終脱蔵段、すなわち本例の装置で
は第コ脱蔵段はその上流すなわち第１脱蔵段の最終通路
２２８とは形状が異なる最終通路２３６（第１−図及び
第１ｇ図）を備えており、その通路内において、ブロッ
ク部材２６９は、通路に対して端壁表面２７０を与えて
おシ、好ましくは、入口２６２ｂから該脱蔵通路の周囲
に約２７００あるいはそれ以下の角度だけ離れている。

従って、端壁２７０及び処理装置の残りの下流側通路の
端壁において与えられる圧力は、少なくとも部分的には
上流側通路２２２，２２８及び２３０で与えられた圧力
とつシ合うことができるようになっている。この圧力の
つり合いによって、米国特許第名２２’１ｇ／乙号に記
載さ−れるように軸の偏心及び軸受負荷を大いに減少さ
せることができる。処理装置の下流側通路の端壁表面を
このように配置することによって、後述するようにポン
プ段からの出口に対し更宜な位置を与えることができる
。

移送溝２６４は、第７２図に示されるように最終脱蔵段
からの出口２６４ａと通路２４０によって与えられる外
部均一化段に対する入口２６４ｂを与える。出口２６４
ａ及び移送溝２６４は断面が比較的狭く、出口２５６ａ
及び移送詩２５６によって第１脱蔵段に関して与えられ
る制御と同様な方法で最終段の出口圧力の制御を行なう
ように設計されている。作動中、さらに正確な出口圧力
の制御は、均質化段の通１ｉ８２４０の入口２６４ｂに
ある出口容積コン）ｃ−−ルグート２９０（第７９図に
示されている）によって行なわれる。また、コントロー
ルｆ−）２９０は移送溝２５６において、どこにでも配
置することができる。出口容積コントロールダート２９
０は処理装置の外部から調整できるように設計されてお
シ、コントロールダート２８８と同様な方法で所定開度
まで入口開口２６４ｂを絞るように設計されている。

移送溝２５８及び２６４の断面積が比較的狭いこと及び
脱蔵段の入口と出口の圧力を制御することによって、移
送溝２５８及び２６４をほぼ完全に満たすととができ、
これによって最終脱蔵段の入口ｈｓｓｂと出口２６４−
ａを介して真空漏れを制御することができる。

作用において、最終脱蔵段の材料は、脱蔵通路を介して
ゾラプ流れ移動の段階を経て、気泡の制限されない形成
、生長を行うために真空マニホルド２７６（第１／図）
を介して真空にさらされ、第１脱蔵段に関して既述した
と同様の方法で気泡破裂を生じさせるために非圧縮剪断
領域で剪断される。これは、該段（第１ｇ図）の最終脱
蔵通路の端壁に材料が到達するまで継続する。好ましい
作ＭＩにおいては、各後述の脱蔵段は先行の第１脱蔵段
よりも高い温度及び低い絶対圧力で運転される。これに
よって、最終脱蔵段に持込せれる材料が低い揮発成分濃
度であるにもかかわらず、発泡脱蔵機構の生じることが
保障される。最終脱蔵段の出口２６４ａの断面積が制御
されるので、最終脱蔵通路２３６の端壁２７４に隻めら
れる材料の内部に十分な圧力が生じ、気泡分解及びほぼ
一杯に満たされた出口２６４ａ及び移送溝２６４を介し
て最終脱蔵段から均質化段の外部通路２４０に材料を移
送するのを促進する。上述の最終脱蔵段は３つの通路を
有するが、それ以上あるいはそれ以下の通路を設けるこ
ともできる。そして通路の数を第１脱蔵段と同じとする
ことも、異なるようにすることもできる。

外部均質化通路及び低圧均質化通路の内部の篩圧ポンプ
通路の構造と利点は、米国特許第％４Ｌ／１３３２号に
詳説されている。第７２図において、大きい矢印で概略
的に表わされるように、脱蔵通路２３６で処理される材
料は移送溝２６４を介して外部均質化通路２４０に移送
される。移送溝２６４は、横断して、高圧ポンプ通路２
３８に開口している。しかし・７Ｉ？ンｆ通［２３８は
子分に満たされ高圧力を発生するように設計されている
ので、移送溝２６４からの材料の漏れは最小である。こ
の均質化及びポンプ通路は、処理装置の外端で発生する
圧力を低下させることによって外部への漏れ性を最小に
するという特別の利点を与える。さらに、この構造は、
米国特許第り４’７１５３２号に記載されるように、処
理装置から排出される材料に対してほぼ一定の排出速度
とほぼ一定の排出温度及び圧力を与える。

第７９図を参照すれば、外部均質化段の通路２４０は該
通路に対して端壁１ＩｆＩＩ２７４を与えるブロック部
材２７３を備えている。この端壁表面は、好ましくは、
該通路のまわりの大部分の周方向の距離だけ入口２６４
ｂから離れており、移送溝２６６（第７２図）によって
与えられた出口２６６ａ近傍に配置されている。運転に
おいて、脱蔵済材料は通路２４００回転によって入口２
６４ｂ及ヒコントロールｒ−ト２９０から引き出され端
壁表面２７４に向けられる。材料の本体部分は、供給段
の通路２２２及び、混合段の通路２３０に関して説明し
たのと同様の方法で端壁表面に支持されている。材料が
前方の端壁表面に向って継続して引きずられるので、該
端壁表面に集められる材料には強力な循環する動きが生
じ、この結果、材料内部に激しい混合作用が発生する。

この作用によって高品質の均質な材料の生成物が得られ
、この生成物は処理装置から排出するためのポンプ段に
移送される０通路２４０は、供給、混合及び脱蔵通路に
関して狭くなるように設計されておシ、これによって、
材料内部に十分な圧力を産み出し、出口２６６ａを介し
て材料を排出し、移送篩２６６を介してポンプ段の高圧
通路２３８に移送するのが促進される。

第２０図に示されるように、ポンプ通路２３８は回転処
理装置内で処理される材料に対する加圧又はポンプ段と
して機能するように設計されており、入口２６６ｂ及び
該通路に対して端壁面２７２を与えるブロック部材２７
１を備えている。端壁表面２７２は、好ましくは、入口
２６６ｂから通路のまわシの大部分の距離だけ前れてお
り、処理装置のポンプ出口として作用する出口２６８近
傍に配置されている。通路２３８のチャンネル２３７は
処理装置の他の処理チャンネル（第１／図）に関して極
めて狭く、米国特許第’ｄ／９’ｌ、ｇ’ｌ／号に詳説
される方法で通路を介して端壁表面２７２に向って引き
ずられる材料内で高圧力を産み出すように設計されてい
る。運転において、入口２６６ｂを通してポンプ段に持
込まれる材料は、通路２３８の周囲に徐々に圧力を蓄積
しながらチャンネル２３７の壁２３７ａの回転によって
端壁表面２７２に向って前方に引きずられ、出口２６８
を介して処理装置から排出される端壁表面において最大
圧力となる。必要ならば、米国特許第り’Ｉ／ｌ！；３
コ号に記載されるように、例えばバルブ（図示せず）の
ような出口制御手段を出口２６８に設け、処理装置から
の排出尊び通路２３８における処理条件の制御を行なわ
せるようにしてもよい。

上記の処理装置は、特に好ましい処理段の構造であシ、
他の構造が可能であるとともにそれらは、本発明の節囲
内にある。例えば、粒子状材料を脱蔵のために処理装置
に供給できるように溶融段を設けることができる。この
溶融段は、米国特許第’１．３ｇ’ｌ／／９号に詳説さ
れている形式のものとすることができる。

第１図から第り図において示した処理装置と第１／図か
ら第２０図に示した装置とはいずれも、上述のように脱
蔵段への入口における圧力を正確に制御するために入ロ
コントロールグートを使用している。しかし、入口制御
を行う他の手段を用いることができる。例えば、第２７
図には、上述の形式の回転処理装置のハウジング３１６
の閉表面３１８が概略的に示されている。第２／図には
、矢印によって脱蔵段の材料の動きが示されている。

破線は、閉表面３１８に対する脱蔵通路３２４及び３２
８の関係を示すために用いられている。ブロック手段３
５１は、脱蔵段の入口３５０ｂ近傍に配置されておシ、
第１説蔵通路３２４に持込まれる材料の流れの少なくと
も７部を阻止し、入口での材料の圧力の蓄積を促す。ブ
ロック部材３５１はハウジング３１６と協働しており、
そして、米国特許第り３２９．θ６Ｓに対して説明した
と同様の方法で、第２２図に示すようにチャンネルの基
底において、あるいはチャンネルの側壁において、チャ
ンネルの表面が回転するために、材料の７部はブロック
手段３５１を通過して引きずられることができるように
設計されている。第２７図の矢印で示すようにブロック
部材３５１の後側の圧力蓄積によって材料はロータ表面
３２０と閉表面３１８との間のクリアランス３１９（第
、２２図）に押し込まれる。ロータ表面３２０の回転に
よって、クリアランス３１９内の材料は閉表面３１８に
形成された対角方向の溝３５３に向って引かれ、ロータ
表面３２０の動きによって隼められ、剪断され溝３５３
を通過し、ロータ表面３２０の動きによって通路３２４
に向けられる。ブロック手段３５１°の後方の圧力の蓄
積又は、溝３５３内の剪断によって、通常は、材料の温
度が上昇する。対角溝３５３からの材料は、細いストラ
ンド状で通路３２４に入シ、真空手段■（第２２図）に
よって与えられる通路３２４における真空にさらされる
際に、すぐにフラッシュ発泡する。入口３５ｏｂ。

ブロック手段３５１、対角溝３５３及び真空手段■が通
路３２４に配置されており、この結果通路３２４に持ち
込まれる材料のストランドは、落下ストランド脱蔵装置
におけると同様な方法で脱ｈｙチャンネルの表面あるい
は他の材料と接触する前に所定の間隔で自然落下する０
そのような構造の７つのものが第２２図に示されている
。材料の落下ストランドがチャンネルの回転表面に接触
すると、これらは、上述の方法で、端壁３４４及び出口
３５２ａに向って運ばれ、非圧縮剪断されそして通路か
ら排出される。この構造のさらに他の利点ハ、少量の材
料の１バレルハンギング（ｂａｒｒｅｌｈａｎｇｌｎｇ
ｓ）　’が最少になることである。バレルハンギングは
、少量の材料が真空手段■によって通常入口近くの脱蔵
通路の中に引き込まれ、通路の固定閉表面上に集積し、
その表面から垂れ下がシ、集積した材料の重みによって
はじめて閉表面から分離するものである。このパレルハ
ンギングは、処理装置内の滞留時間を増大させるので、
製品の品質に影箒を及ぼす。さらに、１バレルハンギン
グ顎工真空手段の中に引き込まれた場合には、真空手段
のつまシが生じる。クリアランス３１９、を通して溝３
５３へそしてさらに通路３２４への連続した材料の移動
によって、クリアランス３１９及び入口付近の閉表面部
分の自己浄化作用が生じこれによって、このような間Ｉ
Ｏを解消することができる。

第１３図は、入口圧力の制御及び落下ストランド脱蔵装
置のものと同様の脱蔵機構を与える他の手段を示してい
る。上記のものと同様の脱蔵段においては、ストランド
ダイ４５５が段の入口４５０ｂに挿入される。材料の第
１脱蔵通路４２４への流れがさえぎられることによって
、ダイ４５５の後方に圧力が生じ、これによって、材料
は、その後ダイオリフイス４５５８を通して挿し込まれ
る。

段への入口４５０ｂストランドダイ４５５及び真空手段
が通路の中に配置されており、通路３２４における物質
に関して説明したように、材料のストランドは自然落下
し、真空手段ＶＫよって与えられる真空にさらされたと
きフラッシュ発泡し、非圧縮剪断を受けるためにチャン
ネルの回転表面によって、端壁４４４及び出口４５２ａ
に運ばれ、通路から排出される。

上述の実施例かられかるように、本発明は、本発明がな
されたときの公知の回転処理装置に比較して、予期し得
ぬすぐれた脱蔵効果及び全体的処理実行特性を有する新
規な回転処理装置を提供するものである。

本発明を添付図面に関連して説明する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、新規な脱蔵段を含む本発明の回転処理装置の
概略断面図、 第一図は、第１図の線ＩＩ−Ｉｔに沿った、第１図の回
転処理装置の第１脱蔵通路の概略断面図、第３図は、第
１図の線曹−厘に沿った、第１図の回転処理装置の第１
脱蔵通路の概略断面図、第を図は、７つの通路から他の
通路に材料の流れ方向と示す大きな矢印と、非圧縮剪断
領域内で材料の循環を示す小さい矢印とを有する、移送
溝によって第１図の回転処理装置の脱蔵通路の相互関係
の概略図、 第５ａ図は、第２図の通路とほとんど同一であるが通路
に配置された別の処理部材を示す０本発明の第１脱蔵段
の７部の概略断面図、 第Ａｒｂ図は、通路内における材料の流れ方向を示す大
きい矢印と非圧縮剪断領域内の材料の循環を示す小さい
矢印とを有する、第５ａ図の通路の概略図、 第６０図は、第−図及び第ｓａ図とほぼ同じであるが、
通路内に配置された他の処理部材を示した、本発明の第
１脱蔵段の７部の概略断面図第６ｂ図は、さらに第６ａ
図の他の処理部材を示す。第６１１図の通路の概略断面
図、第７図から第１Ｏ図は、本発明の回転処理装置の作
動中に記録したデータのグラフ、 第１／図は、供給後、新規な脱蔵段、混合段、均質化段
及びポンプ段を与える処理通路の配列を示す本発明の多
段回転処理装置の概略断面図、第７２図は、７つの通路
から他の通路への材料の流れ方向を示す大きな矢印と、
非圧縮剪断領域内の材料の再循環を示すボさい矢印とを
有する移送溝によって第１／図の通路の相互関係示した
概略図、 第７３図は、第１／図の線ｘｉ　−Ｘ［Ｉ＋に沿う、第
１／図の供給通路の概略断面図、 第１１図は、第１／図の線ＸＩＶ−ＸＴＶ　Ｋ沿ッ＊、
第１／図の第１脱蔵通路の概略断面図、第７３図は、第
１／図の線ＸＶ　−ＸＶに沿った、第１／図の中間脱蔵
通路の概略断面図、第７６図は、第１／図）＠　ｘｖｔ
　−ＸＶＴに沿った、第１／図の最終脱蔵通路の概略断
面図、第７７図は、第１／図の線ｘｖｎ　−ＸＶＩ＋に
沿った、第１／図の混合段の概略断面図、 第１ｇ図は、第１／図の線ＸＶＩ　−ＸＶｌｕに沿った
、第１／図の最終脱蔵段の最終脱蔵通路の概略断面図、 第１ｑ図は、第１／図の線Ｘ［Ｘ　−ＸＩＸに沿った、
第１／図の均質化通路の概略断面図、 第、２０図は、第１／図の線ｘｘ　−ｘｘに沿った、第
１／図のポンプ通路の概略断面図、 第２７図は、脱菫段の物質の移動を示す矢印を伴って、
該段への入口の別の構造を示す、脱蔵段を封入する閉表
面の７部を示す概略図、第２２図は、第１脱蔵通路にあ
る材料の＃動を示す大きい矢印を伴って、該通路を封入
する第２７の閉表面の概略断面図、 第２３図は、脱蔵段におる材料の移動を示す矢印を伴っ
て、該段への入口の別の構造を示す、第１脱蔵通路の概
略断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）内部に分散した揮発成分を含有する液体材料を処
   理する方法であって、 （ａ）　一定の処理速度で供給ポイントにおいて、前記
   材料を脱蔵領域に導入し、該脱蔵領域はその各々が一つ
   の回転可能なほぼ円形によって形成された少なくとも一
   つの＃１ぼ環状の処理領域と、該処理領域の半径方向内
   部で前記壁を連結する同心の回転可能なほぼ環状の基底
   表面と、前記処理領域を封入する同心の固定表面と、固
   定処理領域端壁を有し前記各処理領域は１つの入口ポイ
   ントを有しておシ、最上流処理領域の入口ポイントが前
   記脱蔵領域の供給ポイントを与え、前記各処理領域は前
   記入口ポイントから隔置し前記端壁近傍に出口ポイント
   を有しておυ、最下流の処理領域の出口ポイントが前記
   脱蔵領域に対する排出ポイントを与えておシ、前記脱蔵
   領域はまた互いに隣接する一対の処理領域を相互に連通
   ずるとともに１つの固定溝と該固定溝に関して一定角度
   で回転可能な環状閉表面とＫよって形成された移送領域
   を備えておシ、この場合各溝の上流端は出口ポイントに
   おいてｌ対の協働する処理領域のうち上流側の処理領域
   に開口しておシ、該溝の下流端は入口ポイントにおいて
   ｌ対の協働する処理領域のうち下流側の処理領域に開口
   しておシ、各処理領域の処理容量と各移送領域の移送容
   量とは他の処理条件と整合可能になっておりこのため揮
   発成分含有材料は各処理領域の処理容量と各移送領域の
   移送容量の所定の割合を越えることがなく、 （ｂ）　揮発成分含有気泡が材料忙形成するとき、前記
   脱蔵領域において発泡を誘発する真空を維持し、 （ｃ）　前記処理領域と基底表面とをほぼ同じ速度で供
   給ポイントから前記端壁に向って同じ方向に回転させ、
   これによって、材料を各処理領域を介して前進させ、こ
   の場合、回転速度が処理領域において処理容量、真空レ
   ベル、処理速度及び、材料の性質に整合しておシ、この
   結果、各処理領域における一部の滞留時間の間、材料が
   乱れないプラグ流れの状態で移動し、これＫよって材料
   内でほぼ自由な気泡の形成及び成長を可能にし、 （ｄ）　最下流の処理領域を除き、各処理領域の端壁で
   急速な循環プールとして材料を収集し、（ｅ）　最下流
   処理領域を除き出口ポイントにおいて各処理領域から該
   処理領域を次の隣接する下流処理領域に連絡する移送領
   域に材料を排出し、 （ｒ）　前記固定溝に関係する各移送領域の画表面を回
   転し、これＫよって各移送領域を介して材料を下流に向
   って次の隣接する下流処理領域の入口ポイントに運び、
   この場合、回転速度は移送容量、真空レベル、処理速度
   、及び移送領域にある材料の性質に整合しておシ、この
   結果、最下流の処理領域を除き各移送領域内及び各処理
   領域の端壁において気泡破壊及び揮発成分の圧力上昇を
   最小限にとどめて剪断が材料内に生じ、 ｔｇ）　前記脱蔵領域から前記解放された揮発成分を除
   去し、 （ｈ）　最下流の処理領域の端壁において、制御された
   大きさと圧力の急速に循環するプールとして材料を収集
   し、 （１）　前記脱蔵領域の排出ポイントから脱蔵源材料を
   排出する各工程から成る方法＠ （２）　さらに、前記脱蔵領域の１つ以上の付加的なポ
   イントにおいて圧力上昇を最小限にとどめて材料を剪断
   する工程を備えた前記第１項記載の方法。 （３）さらに１作動中、前記脱蔵領域の供給及び排出圧
   力を正確に制御する工程と備えた前記第１項記載の方法
   。 （４）前記供給圧力を制御する工程が前記脱蔵領域に持
   込まれる材料の少なくとも７部を阻止し少なくとも１部
   の材料を材料のストランドの形郭で脱蔵領域に材料を導
   入する前記第３項記載の方法０ （５）　材料のストランドが、任意の付加的な材料ある
   いは回転処理領域壁あるいは基底表面に接触する前に所
   定距離だけ自然落下するのを許容する工程をさらに備え
   た前記第４項記載の方法。 （６）処理速度！；０〜．２００１ｂ／　ｈｒ　（２コ
   、ｔ、ｇ　〜９０、ηｋｇ／ｈｒ）、で材料が前記脱蔵
   領域に導入され、真空がｌ〜７ＡＯＩＩＩＩ−Ｈｇ　Ｋ
   維持されておシ、各処理領域の壁と基底表面と各移送領
   域の画表面が２θ〜−〇〇ＲＰＭの速度で回転される前
   記第１項記載の方法。 （７）　材料が脱蔵領域に温度３！θ〜ＳＳθヤ（／９
   ４．Ａ　〜、２　ｆｆ　ｔｏｃ）、粘度／　〜Ｉ１００
   ＭＩ。 揮発成分濃度Ｑ　００　ｐｐｍ　−／　０％で導入され
   る前記第１項記載の方法。 （８）脱蔵領域における材料の温度を供給ポイントにお
   ける材料の温度近傍に維持する工程をさらに備えている
   前記第１項記載の方法。 （９）内部に分散した揮発成分を含む液体材料を処理す
   る回転処理装置であって、前記第１項から第８項の方法
   に従うものにおいて、脱蔵段が設けられており、該脱蔵
   段は、回転可能部材によって、支持される一つ以上の環
   状脱蔵チャンネルを備えておシ、該チャンネルの各々は
   前記回転可能部材の表面から半径方向内方に延びる対向
   する側壁を有し固定部材によって与えられる同心の画表
   面におおわれておシこれによって２つ以上の環状脱蔵通
   路を与えており、前記脱蔵段はさらに固定部材と協働す
   る各脱蔵通路に対するものであって前記チャ１ネルの中
   に延びておシこれによって該通路に対し材料収集端壁を
   与えるブロック部材と、前記固定部材と協働し前記端壁
   から前記通路まわりの大部分の周方向の距離だけ離れて
   位置する入口とを備えており、最上流通路への入口は脱
   蔵段への入口を与えておυ、前記脱蔵段はさらに前記固
   定部材と協働し、前記端壁付近に位置する出口を備えて
   おり、最下流通路からの出口は脱蔵段からの出口を与え
   ており、前記脱蔵段はさらに前記閉表面に形成され各隣
   接する／対の脱蔵通路を相互に連通する内部膜移送溝を
   備えており、前記移送溝の上流端は隣接するｌ対の通路
   の上流側からの出口を与え移送溝の下流端は隣接するｌ
   対の通路の下流側の入口を与え、これ圧よってその入口
   から各通路に持込まれる材料は回転チャンネル側壁によ
   って端壁に向って運ばれ収集され剪断され出口から排出
   され、そしてこの結果最下流通路を除き各脱蔵通路から
   排出された脱蔵済材料は、前記協働する移送溝を介し・
   て次の隣接する下流側通路に移送され、さらに脱蔵され
   、脱蔵段の通路の一連の操作が与えられ、そして本装置
   はさらに脱蔵段（２４，２８）からの揮発成分を除去し
   該脱蔵段（２４，２８）の所定の真空レベルを維持する
   ように機能的に配置された真空手段（ｖ）と、段（２４
   ，２８）における真空を維持するのを助けるためのシー
   ル手段（７８）とを備え、この場合、脱蔵段（２４，２
   ８）の真空レベルは、揮発成分含有気泡が脱蔵段（２４
   ，２８）で処理される材料中で形成されたとき発泡を誘
   発し得るようになっており、各脱蔵通路（２４，２８）
   の処理容量と各内部移送溝（５２）の移送容量とが処理
   速度、回転部材（１２）の回転速度及び真空レベルと整
   合しており、この結果発泡材料は各脱蔵通路（２４゜２
   ８）の処理容量と各内部移送溝（５２）の移送容量の所
   定の割合を越えることがなく、これによって各通路（２
   ４，２８）の７部を介してほぼプラグ流れの状態で材料
   中における気泡の自由な形成と成長を行なうように材料
   が運ぶことができ、最下流通路（２８）と内部移送溝（
   ５２）の内部を除き、各脱蔵通路（２４，２８）の端壁
   にある非圧縮剪断領域（４４）において圧力上昇を最小
   限にとどめた状態で発泡材料を剪断して気泡破裂及び揮
   発成分の解放を許容する回転処理装置。 （１０１特許請求の範囲第（１）項ないし第（８）項の
   方法によシ内部に分散した揮発性成分を含む材料を処理
   する回転処理装置において、 （、）　複数の環状処理チャンネルを支持する回転部材
   を設け、各環状処理チャンネルが回転部材の表面から半
   径方向内方に延びた対向側壁を有し、 （ｂ）　閉じた環状処理通路を形成するよう前記チャン
   ネルと作動的に一致した同軸のふたの表面を有する固定
   部材を設け、各処理通路が入口と出口と端壁となるチャ
   ンネルブロック部材とを有し、該ブロック部材が固定部
   材に付属しかつ前記出口付近に配置されて、各通路の入
   口に入った材料が前記回転チャンネルの側壁によってブ
   ロック部材によって形成された端壁に送られ、出口を通
   して排出されるようになっており、 （ｃ）　前記ふたの表面内に形成された、処理通路を連
   結する材料転移溝を設け、該材料転移溝は、１以上の通
   路の出口から排出された材料を別の通路の入口に転送す
   るよう妊装置されておシ、この処理通路が複数の相互接
   続された処理段を形成するようＫなっており、さらにこ
   の処理段には、 （１）材料を受け取って処理装置まで給送する少なくと
   も１つの通路を有する給送段と、（１１）上流段から転
   送された材料を脱蔵処理する少なくとも１つの脱蔵段で
   あって、その処理段のうち２つ以上の段が、真空手段と
   作動的に連通してその脱蔵段から揮発性成分を除去する
   ようになった脱蔵段と、 （Ｉｎ）　脱蔵段から転送された材料内部で強力混合を
   行なわせて均一材料の製品を処理装置から排出できるよ
   う処する少なくとも１つの通路を有する均質化段と、 （１■）前記均質化段から転送された材料内に高い圧力
   を生ぜしめて回転処理装置からその材料を排出する少な
   くとも１つの通路を有するポンプ段とを設け、前記真空
   手段（ｖ：２７６）は、脱蔵段（２２４，２２６。 ２２８）において所定の真空レベルを与えて、該脱蔵段
   （２，２４，２２６，２２８）で処理された材料内部に
   揮発性成分を含む気泡が形成されるように発泡を生ぜし
   めることができるようにし、前記最上流脱蔵通路（２２
   ４）の入口はその段（２２４。 ２２６．２２８）の入口となシ、最上流脱蔵通路の出口
   （２５６ａ）はその段 （２２４，２２６，２２８）の出口となり、シール手段
   （２７８）が脱蔵段の真空レベルを維持するのを助け、
   各脱蔵段の処理容積及び該脱蔵段（２２４，２２６，２
   ２８）を連結する各材料転送溝（２５２，２５４）の転
   送容積は、その処理速度、回転部材（２１２）の回転速
   度及び真空レベルで共働することが可能であシ、それに
   よシ脱蔵段（２２４，２２６，２２８）内で発泡した材
   料が、各脱蔵段（２２４，２２６。 ２２８）の処理容積及び該脱蔵段を連結している各転送
   溝（２５２，２５４）の転送容積の所定部分のみを占め
   、各通路の一部を通して材料を実質的にプラグ流の形状
   で送ってその材料内に実質的に無制限に気泡を形成・成
   長させるとともに、脱蔵通路（２２４，２２６，２２８
   ）を連結する各転送溝（２５２，２５４）内及び、最下
   流通路（２２Ｂ）を除いた各脱蔵通路（２２４゜２２６
   ）の端壁における非圧縮剪断部材で、材料の圧力増加を
   最少にして発泡した材料を剪断し、気泡を破壊して不揮
   発性成分を除去できるようにしたことを特徴とする回転
   処理装置。 αＢ　前記固定部材（１６；２１６）に付属しかつ７以
   上の脱蔵チャンネル（２３，２７；２２３゜２２５．２
   ２７）内へ延在して、前記脱蔵通路（２４，２８；２２
   ４，２２６．２２８）ｏ端壁（４２；２４４；３４４；
   ４４４）の上流に付加的な非圧縮剪断領域を形成する１
   以上の非圧縮剪断部材を設け、これにより７以上の付加
   的な非圧縮剪断領域において最小の圧力で材料の剪断を
   行なうようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第（
   ９）項または第００）項に記載の装置。 α３　前記脱蔵通路（２４，２８；２２４，２２６゜２
   ２８）のブロック部材（４３；２４３）は、円周方向に
   大きな角距離をもって相互にずらして配置され、それＫ
   より脱蔵通路（２４，２８：２２４．２２６，２２８）
   を相互接続している転送溝（５２；２５２）の転送容積
   の調節をできるようにしたことを特徴とする特許請求の
   範囲第（９）項、第００１項又は第００項に記載の装置
   。 （１３１動作時に脱蔵段１４．２ｓ；２２．ｉ。 ２２６．２２８；２３２，２３４，２３６）の入口及び
   ／または出口の圧力を調節する手段を設けたことを特徴
   とする特許請求の範囲第（９）項又は第αα項記載の装
   置。 （１４）　前記圧力調節手段は、前記脱蔵段の入口及び
   ／または出口（５０ｂ；５６ａ；２５０ｂ；２５６　ａ
   　＊　２５８　ｂ　ｙ　２６４　ａ　）を形成しかつ処
   理チャンネル内に延在している転送チャンネルに位置決
   めされて処理装置の外部から調節可能な調節ｆ−）（８
   ４；２８４；２８８）から成り、これＫよシ作動時にお
   いてそのダート（８４；２８４；２８８）がチャンネル
   内に延びる分だけ微調節を行なえるようにしたことを特
   徴とする特許請求の範囲第０３）項記載の装置。 α９　前記脱蔵段の最上流通路（２４；２２４；３２４
   ；４２４）のチャンネル側壁に隣接する回転部材３２０
   の部分とふたの表面（］８；２１８；３１８）との間に
   間隙を設け、さらに前記入口圧を調節する手段を設け、
   該入口圧調節手段は、前記固定部材（１６；２１６；３
   １６）に付属して入口（５０ｂ；２５０ｂ；ａ５ｏｂ　
   ；４５ｏｂ）付近の段のうち最上流段（２４；２２４；
   ３２４；４２４）内に延在しその段に入る材料の少なく
   とも７部を阻止してその材料内部の圧力増加を引き起こ
   し、それによりその材料の少なくとも１部を前記間隙内
   に押し込めるブロック手段（８４；２８４　；３５１　
   ；４５５）と、前記間隙に隣接するふたの表面（１８；
   ２１８；３１８）の部分内でかつ前記入口（５０ｂ；２
   ５０ｂ；３５０ｂ；４ｓｏｂ）の下流付近に形成された
   対角溝（３５３）とから成シ、それＫよシ前記間隙に入
   る材料が回転部材（１２；２１２）の回転表面（２０；
   ２２０；３２０）によシ対角溝（３５３）の方へ引かれ
   て対角溝（３５３）内に集められた後、対角溝（３５３
   ）と回転部材の回転表面（２０；２２０；３２０）との
   共同作用により最上流脱蔵段に向けられ、さらにその材
   料のストランドの形状となって前記ブロック手段（８４
   ；２８４；３５１　；４５５）下流の最上流脱蔵段に入
   るようＫなったことを特徴とする特許請求の範囲第（９
   ）項又は第００項記載の装置。 Ｏｆｆ　脱蔵段の入口（５０ｂ：２５０ｂ；３５０ｂ；
   ４５０ｂ）、ブロック手段（８４；２８４；３５１　；
   ４５５）、対角溝（３５３）及び真空手段（ｖ）は、最
   上流脱蔵段の周囲に配置され、それによシ材料のストラ
   ンドが付加的な材料又は回転するチャンネル表面と接触
   する前に、重力によシ所定距離だけ落下するようになっ
   たことを特徴とする特許請求の範囲第（１５１項記載の
   装置。 αＤ　少なくとも２つの脱蔵段（２４−２６；２２４−
   ２２８；２３２−２３６）が、該脱蔵段と直列接続され
   た混合段（２２９，２３０）によシ分離されておシ、か
   つ少なくとも７つの通路（２３０）が、上流付近の脱蔵
   段（２２４−２２８）から転送された材料内部を混合し
   、その混合した材料を下流付近の脱蔵段（２３２−２３
   ６）へ転送することを特徴とする特許請求の範囲第（９
   ）項又は第００）項記載の装置。 ａ秒　少なくとも７つの混合段が添加剤を受取り、その
   添加剤を混合段から転送された材料と均一混合すること
   を特徴とする特許請求の範囲第（７１項記載の装置。 四　少なくとも前記脱蔵段（２４−２６；２２４−２２
   ８；２３２−２３６）のチャンネルに対して温度制御手
   段を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第（９）項
   又は第００）項記載の装置。 ■　前記均質化段（２３９，２４０）の少なくとも１つ
   の通路（２４０）が、ポンプ段（２３７゜２３８）の外
   部に位置決めされたことを特徴とする特許請求の範囲第
   ａ〔項記載の装置。