JPS6087440A - レ−ザ変調回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、レーザ光にてディスクにｆｉ：’ｉ　’ｊを
記録するに際し、レーザの出力強度を変調さ七イ）レー
ザ変調回路に関する。

（ロ）従来技術 第１図に従来のレーザ変調回路を示す。被記録信じは、
端Ｔ−Ａから入力され、インバータ（１）を介してトラ
ンジスタＴＲ，のベースに、またアンプ（２）を介して
トランジスタＴＲ２のベースに人々印力口される。トラ
ン・ンスタＴＲ１およびＴＲ２のエミ／夕には、トラン
ジスタＴＲ３のコレクタが接続θれ、トランジスタＴＲ
３のエミッタには、抵抗Ｒ１が接続されている。そし−
Ｃ、トランジスタＴＲ’３のベースには電圧Ｖ旺が印加
され、トラン・／メタ１’Ｒ３および抵抗Ｒ１は定電流
回路を構成し−（いる、トランジスタＴＲ２のコレクタ
には、半導体レーデＬＤとコイルＬを介してトラン／メ
タＴＲ４のコレクタとが接続されている。トランジスタ
ＩＲ４のり。

ミッタには、抵抗Ｒ２が接続され−（いる。そし丁。

トランジスタＴＲ４のベースには電圧Ｖ８か印加さてし
ている。また、半導体レーザＬＤとトランジス）ＩＴＲ
。

の：ルクタには電圧Ｖが印加きれている。

以下、上述のレーザ変調回路の動作について、第２図の
信号波形図を参照しＴ説明ｄる。

端子Ａから被記録信号ａが印加されると、１・−／ンジ
スタＴＲ１およびＴＲ２が交互に才／、オンする。そし
工、トランジスタＴＲ２が′オンした時、レーザＬＤに
は、トランジスタＴＲ３と抵抗Ｒ１とからなる定電流回
路による電流ＩＲＦ　と、トシンソスタＴＲ４と抵抗Ｒ
２とによるバイアス電ｒｎｔ：Ｉｎが流れる。

また、トランジスタＴＲ２がオフした時、レーザＬＤに
は、上記バイアス電流ＩＢが流れる。従−）て、レーザ
ＬＤには、第２図すに示すパルス電流が流れることによ
って、レーザＬＤの出力強度は第２図Ｃに示すようにパ
ルス状になる。

このレーザ出力を光ディスクに照Ｑ、ヒ４ると、光ディ
スクに積層被着されているテルル、ビスマス等からなる
記録膜が溶融されて、被記録伯υに基いた孔が形成きれ
る。

ところで、上記記録膜に孔を形成−４る峙、し−ザ光の
照射直後、記録膜は溶融し矧ぐ、その後、溶融し易くな
る。しかし乍ら、レーザの出力強度は上記孔の形成期間
中一定であるため、形成きれる孔の平面形状は涙滴状に
なり、１１）生餅υのＳ／Ｎ比が低下する。また、孔が
形成せん−とする位置を越えて形成されて、再生信号の
誤りが発生してしまう。

（ハ）発明の目的 本発明の目的は、孔を真打な形状で形成することによっ
て、再生信号のＳ／Ｎ比の低下および誤り率の増加を防
止することにある。

（ニ）発明の構成 本発明は、被記録信号に基い−Ｃ１レータ′の出力強度
を変調移せるレーザ変調回路において、定電流回路と、
上記イど号を微分する微分回路とを只倫し、上記定電流
回路から発生きれる゛転流と１・、頑微分回路に基いた
パルス電流を合成し、斯る合成電流を上記信号に応して
レーザに印加することを特徴とするレーザ変調回路であ
る。

（ホ）実施例 第３図に本発明のレーザ変調回路を示す。なお、第１図
と同一部分には閤−符号を例し−（いる。

同図において、端子Ａから入力される被記録信号は、コ
ンデンサＣおよび抵−１抗Ｒ３からなる微分回路＜３）
を介しエトランジスタＴＲ５に印加θれる。

また、トランジスタＴＲ５のコレクタは、トランジスタ
ＴＲ＋およびＴＲ２のエミッタに接続さｎ、ト”ｙンレ
スクＴＲ５のエミッタには抵抗Ｒ６が接続されている。

而して、斯る構成において、端子Ａより第４図ａに示す
被記録信号が入力されると、斯る信号は微分回路（３）
にて、第４図すに示１微分パルスが得られ、トランジス
タＴＲのベースに印加される。そして、トランジスタＴ
Ｒ５には、第４図Ｃに示す電流工が流れる。一方、トラ
ンジスタＴＲ３およびトランジスタＴＲ４には、従来例
の場合と同様に電流ＩＲＦおよびバイアス電流ＩＢが流
れる。従−１て、レーザＬＤには、これら各電流Ｉ、Ｉ
Ｒｈ・および１Ｂの合成された第４図ｄに示す電流が流
れることによって、レーザＬＤの出力強度は第４図Ｃに
ｉ）＜’Ｊ如く立上り部分が最も強く、その後、指数的
に減少するように発生きれる。

このレーザ出力を光ディスクに１）＜を射り”ると、記
録膜が最も溶融し難いレーザ出力の立１り時に１゜−ザ
の出力強度が最大出力強度となり、その後、レーデの出
力強度が指数的に減少−４るの−Ｃ、デ。

スフに形成される孔の形状は、レー゛υ゛出力の照射直
後と照射終了前とでほぼ同一となる。

（へ）発明の効果 本発明によれば、レーザの出力強度は立上りか最も強く
、その後、指数的に減少するように変調きれるので、デ
ィスクに形成される孔は、その形成直後と形成終了前と
で同一の形状になる。従って、再生信号のＳ／Ｎ比低下
および誤り率の増加を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来例を示し、第１図は回路図、
第２図は信号波形図である。第３図および第４図は本発
明の実施例を示し、第３図は回路図、第４図は信号波形
図である。 （３）・・・微分回路 第２図 ｂ□ Ｃ□

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被記録信号に基いて、レー９゛の用力強度倉変調
   させるレーザ変調回路にわいて、定電流回路と、上記信
   粥を微分する微分回路とを」（備し、１１記定電ＩＡＣ
   回路から発生される電流と１−記微分回路に基いたパル
   ス電流を合成し、斯る合成１「ｄ「を」二足信号に応し
   てレーザに印加する、ユとを特徴と４るレーザ変調回路
   。