JPS6087497A - 磁気バブル転送路形成方法 - Google Patents
磁気バブル転送路形成方法Info
- Publication number
- JPS6087497A JPS6087497A JP58195746A JP19574683A JPS6087497A JP S6087497 A JPS6087497 A JP S6087497A JP 58195746 A JP58195746 A JP 58195746A JP 19574683 A JP19574683 A JP 19574683A JP S6087497 A JPS6087497 A JP S6087497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- mask pattern
- layer
- gold
- transfer path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract description 4
- -1 etc. Chemical compound 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル転送路形成方法、特に磁性ガーネッ
ト膜単結晶体にイオン注入することにより磁気バブルド
メイン（以下バブルと称す）の転送路を形成する磁気バ
ブル転送路形成方法に関する。
ト膜単結晶体にイオン注入することにより磁気バブルド
メイン（以下バブルと称す）の転送路を形成する磁気バ
ブル転送路形成方法に関する。
本発明に於いて対象とする磁気バブル転送路は負の磁歪
定数をもち膜面に垂直な一軸磁気異方性を有する磁性ガ
ーネット膜単結晶体上に形成された数珠玉状のマスクパ
ターンに遮蔽された領域を除いた領域にイオン注入する
ことにより、イオン注入された表面層の膜厚に垂直な方
向の格子定数を大きくシ、磁歪効果により前記表面層が
膜面内に容易方向をもつように変化せしめることにより
形成される。このように形成された前記数珠玉状の非注
入領域である転送路の境界の外縁部に生じるチャージド
ウオールによりバブルを駆動するものである。
定数をもち膜面に垂直な一軸磁気異方性を有する磁性ガ
ーネット膜単結晶体上に形成された数珠玉状のマスクパ
ターンに遮蔽された領域を除いた領域にイオン注入する
ことにより、イオン注入された表面層の膜厚に垂直な方
向の格子定数を大きくシ、磁歪効果により前記表面層が
膜面内に容易方向をもつように変化せしめることにより
形成される。このように形成された前記数珠玉状の非注
入領域である転送路の境界の外縁部に生じるチャージド
ウオールによりバブルを駆動するものである。
従来、この磁気バブル転送路は第３図に示すように磁性
ガーネット膜単結晶体１上に転送路形成用マスクパター
ン３を形成した後イオン注入することにより形成されて
いる。
ガーネット膜単結晶体１上に転送路形成用マスクパター
ン３を形成した後イオン注入することにより形成されて
いる。
しかしながら、従来の磁気パズル転送路形成法に於ては
、磁性ガーネットが絶縁体であるためチャージアップの
恐れがあり、特に機械式スキャン方式の大電流イオン注
入装置を使用し注入効率を上げようとする場合は、チャ
ージアップを防ぐ手段が必須となってくる。
、磁性ガーネットが絶縁体であるためチャージアップの
恐れがあり、特に機械式スキャン方式の大電流イオン注
入装置を使用し注入効率を上げようとする場合は、チャ
ージアップを防ぐ手段が必須となってくる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的はチャージアップによる特性不良の生じない磁気バブ
ル転送路形成法を提供するにある。
的はチャージアップによる特性不良の生じない磁気バブ
ル転送路形成法を提供するにある。
本発明によると磁性ガーネット膜単結晶体上の少なくと
も大部分の領域に導電性薄層と転送路を形成するための
マスクパターンを形成したのちイオン注入することを特
徴とする磁気バブル転送路形成方法が得られる。
も大部分の領域に導電性薄層と転送路を形成するための
マスクパターンを形成したのちイオン注入することを特
徴とする磁気バブル転送路形成方法が得られる。
以下本発明の実施例を図面を診照して説明する。
実施例１
第１図の如く、磁性ガーネット膜単結晶体１上に導電性
薄層としてクロム薄層２を１００ Ａ蒸着法により形成
した後、厚さ５０００人の金層を蒸着で形成し、イオン
ミリングにより該金層をミリングすることにより転送路
形成用マスクパターン３を形成した。
薄層としてクロム薄層２を１００ Ａ蒸着法により形成
した後、厚さ５０００人の金層を蒸着で形成し、イオン
ミリングにより該金層をミリングすることにより転送路
形成用マスクパターン３を形成した。
その後、水素イオン（Ｈ２”）を７０ＫＶの加速エネル
ギーでドーズ量３Ｘ１０１１１個／Ｃ−及び３５ＫＶの
加速エネルギーでドーズ量１．５Ｘ１０１６個／ｃｒｌ
ｔ機械式スキャン方式のイオン注入装置で注入したとこ
ろ注入は正常に行なわれ、転送路も正常に形成された。
ギーでドーズ量３Ｘ１０１１１個／Ｃ−及び３５ＫＶの
加速エネルギーでドーズ量１．５Ｘ１０１６個／ｃｒｌ
ｔ機械式スキャン方式のイオン注入装置で注入したとこ
ろ注入は正常に行なわれ、転送路も正常に形成された。
一方、第３図のように従来から行なわれている磁性ガー
ネット単結晶体１上に厚さ５０００人の金層を蒸着で形
成した後、イオンミリングにより該金層をミリングする
ことにより転送路形成用マスクパターン３を形成し、前
記実施例と同一の装置同一の注入条件でイオン注入した
ところ磁性ガーネット膜にチャージアップによる損傷が
生じていた。
ネット単結晶体１上に厚さ５０００人の金層を蒸着で形
成した後、イオンミリングにより該金層をミリングする
ことにより転送路形成用マスクパターン３を形成し、前
記実施例と同一の装置同一の注入条件でイオン注入した
ところ磁性ガーネット膜にチャージアップによる損傷が
生じていた。
実施例２
第２図の如く、磁性ガーネット膜単結晶１上に厚さ５０
００人の金層を形成した後イオンミリングにより該金層
をミリングすることにより転送路形成用マスクパターン
３を形成した。
００人の金層を形成した後イオンミリングにより該金層
をミリングすることにより転送路形成用マスクパターン
３を形成した。
その後前記磁性ガーネット膜１の少なくとも大部分に蒸
着法により導電性薄層として厚さ２００人の全薄層４を
被着させた。その後、実施例１と同一の装置、同一の注
入条件でイオン注入したところ注入は正常におこなわれ
、転送路も正常に形成された。
着法により導電性薄層として厚さ２００人の全薄層４を
被着させた。その後、実施例１と同一の装置、同一の注
入条件でイオン注入したところ注入は正常におこなわれ
、転送路も正常に形成された。
実施例１，２より明らかな如く、本発明においては磁性
ガーネット膜単結晶体上に導電性薄層を形成した後に転
送路形成用マスクパターンを形成した上からイオン注入
した場合と、磁性ガーネット膜単結晶体上に転送路形成
用マスクパターンを形成した後に導電性薄層を形成した
上からイオン注入した場合は共に同様な効果を生じてい
る。又、導電性薄層は金、クロム等の金属の他、炭素、
シリコン等でも同様な効果を得られた。又、その膜厚は
５００人、１０００人でも同様にｔ効果１（あっぺ転送
路形成用マスクバター７は実施例の金の他、Ａｚ−１３
５０等のレジストでも何ら本発明の効果はかわらない。
ガーネット膜単結晶体上に導電性薄層を形成した後に転
送路形成用マスクパターンを形成した上からイオン注入
した場合と、磁性ガーネット膜単結晶体上に転送路形成
用マスクパターンを形成した後に導電性薄層を形成した
上からイオン注入した場合は共に同様な効果を生じてい
る。又、導電性薄層は金、クロム等の金属の他、炭素、
シリコン等でも同様な効果を得られた。又、その膜厚は
５００人、１０００人でも同様にｔ効果１（あっぺ転送
路形成用マスクバター７は実施例の金の他、Ａｚ−１３
５０等のレジストでも何ら本発明の効果はかわらない。
以上のように本発明により、大電流イオン注入
第１図、第２図は本発明の製造法による実施例の断面図
、第３図は従来より知られている方法によるものの断面
図である。 １・・・・・・磁性ガーネット膜単結晶、２・川・・ク
ロム薄層、３・・・・・・転送路形成用マスクパターン
、４・・・・・・全薄層。
、第３図は従来より知られている方法によるものの断面
図である。 １・・・・・・磁性ガーネット膜単結晶、２・川・・ク
ロム薄層、３・・・・・・転送路形成用マスクパターン
、４・・・・・・全薄層。
Claims (1)
- 磁性ガーネット膜単結晶体上の少なくとも大部分の領域
に導電性薄層と転送路を形成するためのマスクパターン
を形成したのちイオン注入することを特徴とする磁気バ
ブル転送路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195746A JPS6087497A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195746A JPS6087497A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087497A true JPS6087497A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16346273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195746A Pending JPS6087497A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087497A (ja) |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195746A patent/JPS6087497A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5911988B2 (ja) | イオン打込み方法 | |
| JP2597976B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US4460412A (en) | Method of making magnetic bubble memory device by implanting hydrogen ions and annealing | |
| JPS6087497A (ja) | 磁気バブル転送路形成方法 | |
| JPH0572090B2 (ja) | ||
| US4701385A (en) | Ion-implanted magnetic bubble device and a method of manufacturing the same | |
| JPH0399430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6087496A (ja) | 磁気バブル転送路形成方法 | |
| JPS60157795A (ja) | イオン打込み磁気バブル素子 | |
| JPS5996594A (ja) | イオン注入形磁気バブル装置の製法 | |
| CN111739838B (zh) | 一种抗辐射的soi材料的制备方法 | |
| JP2634265B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS60209994A (ja) | 磁気バブル転送路形成方法 | |
| JPS60116128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6134671B2 (ja) | ||
| JPS58150188A (ja) | 磁気バブル素子の製造方法 | |
| JPS5989412A (ja) | 不純物導入法 | |
| JPS60195928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01218016A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH01115120A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS59219932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201982A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPS61144018A (ja) | マスクレス・イオン注入法 | |
| JPS61114527A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01154516A (ja) | 半導体装置の製造方法 |