JPS6087994A - アルミニウム及びアルミニウム合金材のろう付け用フラツクス - Google Patents

アルミニウム及びアルミニウム合金材のろう付け用フラツクス

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JPS6087994A
JPS6087994A JP19406783A JP19406783A JPS6087994A JP S6087994 A JPS6087994 A JP S6087994A JP 19406783 A JP19406783 A JP 19406783A JP 19406783 A JP19406783 A JP 19406783A JP S6087994 A JPS6087994 A JP S6087994A
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JP
Japan
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flux
brazing
aluminum
alloy material
melting
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JP19406783A
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Katsuhisa Ito
伊藤 勝久
Masayasu Toyoshima
豊嶋 雅康
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Nippon Steel Corp
Sumitomo Light Metal Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Light Metal Industries Ltd
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3601—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
    • B23K35/3603—Halide salts
    • B23K35/3605—Fluorides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Nonmetallic Welding Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、アルミニウム(アルミニウlX合金を含む)
材のろう(t L:Jに用いられるフラックスの組成に
関するものである。
従来技術 接合1べきアルミニウムHの要素間に当該要素月のrA
S!点よりも低い融点をもっ)′ルミニウムのろう合金
層を介在さけて接合をi−jなうフラックスろう(=J
りには、一般的に塩化物を主成分とり−るフラックスが
大気中で用いられている。これらのフラッフ又は、本質
的に水溶性−(あり、一般的には吸湿性であり、水の存
在下でアルミニウムろう合金を含めてアルミニウムをI
呂食りる。したがってそのようなフラックスのろう(=
Jり残留物は、ろう(;Jけ工程後に洗浄して除去しな
けれはならない。
フラックスを用いないでろうイ」けを行なうフラックス
レスろうイ]り法として、真空ろうイ」()法あるいは
不活性雰囲気ろうイ」り法等が既に知られているが、こ
れらは、高真v2あるいは高純度の不活性ガスと共に、
被接合材に特殊なアルミニウムH料を必要と゛りる。更
にはフラックスろうイ・]()法と比べると、ろう付り
部のクリアランスに、より厳しい精度が要求されるとと
もに、用いることのできるアルミニウムIrA Y’l
が一般的のものでない点て劣る。
また、ろうイ」り後、実質上水に不溶解であり、非吸湿
性でかつアルミニウムに対して非腐食性の残漬をろうイ
」け而に残すフッ化物フラックスも知られている。
ずなわら、英国特許第1,055,914号明細書にに
す、AlF3とK Fとを混合したフラックスが提案さ
れている。更に特公昭58−27037号公報により、
ろう付り前において非吸湿性であり、ろうイ]け後にお
いて実質的に不水溶性であるフラックスとして、KAI
FAとに3AIF6とがら成るフラックスが(;?案さ
れている。このフラックスは、KFど At Faを原料としてこの混合物を溶融して凝固物を
粉砕して得られるものであり、凝固物にはにAlF4と
に3AIF6が生成している。原料成分の1〈「どAl
F3の比率は、可及的に両成分の共晶組成に近イ1りる
ことをJIE奨している。
このように、ろう付り前の状態で1〈F−AI Fl又
はに3 AI FF −KAI Fxあるいはに3 A
I FG −AI F3若しくはKAIFA、ろう付は
後の状態で に3Δl FF −KAI Fa又はKAI +=4の
実質的な化学式あるいはその組合せで示されるこれらの
フッ化物フラックスは、従来の塩化物系フラックスが右
する利点はもちろ/Vのこと、史に残渣が非吸湿性でア
ルミニウムに対して非腐食性であるため、ろう付り後の
洗浄が不要であるという大きな利点を有する。
またこれらフラックスはいかなる形でちろうイ・Jりに
適用可能であり、特にトーチろう付けや水性スラリーの
形での炉中ろうイー」(プに適している。
しかし、これらのフラックスは、作用温度がjB化物系
フラックスJζりやや高くなって良好な接合部が得辣い
という欠点があった。
ろうイ」りにa3りるフラックスの作用(幾構は十分に
は解明されていないが、フラックスとしては、一般には
ろう合金の溶融の始まる前にフラックスが溶811シて
ろう(]4−1面を覆い、表面酸化膜の破壊除去を行な
うとともに、母材のぬれ性を高め、ろう合金のろう11
0面への流動を助け、また空気との接触を遮断して再酸
化を防止りる性能を右Jるものが必要である。
したがって、フラックスの作用温1旦を適用に一低Fさ
ヒることは、ろうイ]りにd3いて右息義である。
目 的 本発明の目的は、アルミニウム材のろう付()用フラッ
クスとして、従来のフッ化物系フラックスよりもフラッ
クスの作用温度が低く、これによってフラックスレス不
活性ガス雰囲気ろう付(プ法、」n化物系フラックスに
よる炉中ろうイ」り法と同様に良好な接合部を形成づる
ことができるとともに、非吸湿性が゛っ実7h土不水溶
矧を保有づる、フッ化物系フラックスを捏供Jることに
ある。
構 成 本発明は、実質上INF/lo〜47重量%、A I 
F 347〜56ffi(iit%及ヒK B F t
 01〜10重量%J:り成る混合物の溶融凝固物を粉
砕して得た物から成る、アルミニウム材のろう併用フラ
ックスである。
ここで「実質上」と称したのは、原料として用いられる
フッ化物が必ずしし純度の高いものである必要がなく、
一般の市販のフッ化物より混入する程度の不純物はi′
[容され、ただ純物質としてのKF、AI Fil 、
KBFaに換τ)した場合の3物質の重量比率のみが、
本発明フラックスとしての作用上小数であるからである
。
K [3F を無添加フラックスにおける実質的なKF
とAlF3の千m比率の好ましい値は、既知の文献(た
とえば[3,PltillipsらJ、 Amer、C
eram、 Soc、 Vol、49 (1966)6
32ページ)のK lニーΔIF3系2元状態図より容
易に理vR−りることができ、これに示すJ、うに共晶
組成づなわちK F 45.8市m%−△l F :)
 54.2手早%(KF55モル%−AI 1345モ
ル%)ないしは、その前後に相当する比率である。
物あるいは溶融混合物99.9〜90重量%に対し、更
にK 13 F AO,i〜10車m%の添加を行なっ
た場合、改善が著しい。
K B F aの添加用が規定づる下限値より少ないと
、所期の効果はなく、上限値を越えて多く添加づ゛ると
、フラックスの蒸発が激しくなってろうイ・」りが困り
11どなる。
次に実施例及びそれによる効果について述べる。
実施例1 工業用KFと工業用△lF3を用いでぞれぞれの純度を
考慮に入れて、実質的にはK[45,8重量%−ΔIF
、54.2重量%の比率どなるように混合し、これを溶
融(溶融d、11磨は」(品温度562℃の100℃程
度−にを目標とじIご)して調製したフラックスど、同
じく両成分にK 13 F Aを添加して実質的にはK
 F /13.38重tri、 % −A I F 3
51,33重fft% K B F A5.29重石%
の比率となるように混合し−(、これを溶R1!シて調
製したKBF4添加フラックスとについて、それぞれの
作用温度を次の方法によって測定した。
141わち、調製し)こ両フラックスを一定m白金ルツ
ボにどり、ノフルゴン雰囲気中で加熱溶F41!後、冷
却速磨1°0/分′C−冷却法により熱分析を行ない、
液相I’、it渇度と固相線温度を測定し、これによっ
て作用温度をめた。測定結果を表1に示づ。このように
K B F a添加により、液相rA温湿度固相線温度
共に低下覆る良々イな結果が19られ、作用温度の低下
が確認された。
実施例2 実施例1に示したK B F a添加フラックスと無添
加フラックスをそれぞれ用いて不活性雰囲気(この雰囲
気では、フラックスレスではろうイ]け不可)ろうf=
lけをそれぞれ行なうとともに、標準的な不活性雰囲気
中での7ラツクスレス不活性雰囲気ろうイ」りを行なっ
た。
これらについて接合状態を比較し、この結果を表2に示
づ。フイシン1〜の外観、断面形状は、KBFA添加フ
ラックスの場合、フラックスレスろう伺け、無添加フラ
ックスろうイ」番ノと比較してそん色のないしのが得ら
れ、フィレット断面積の比較では、平均1iftとバラ
ツキよりみるどKBFA添加フラックスの場合が最も安
定したろうイ」けが得られることが分実施例3 実施例1に示しlこK B F a添加フラックスと無
添加フラックスの水への溶解度を測定し、これらと塩化
物フラックスの主要成分の水への溶解度(文献値)との
比較を行なった。結果は表3に示1どおりであり、K 
B F a添加フラックスの揚台、無添加フラックスと
同程度であり、塩化物成分に対しては、極めて低くなっ
ている。
効 果 本発明のアルミニラ1XJAろうイリ(プ用ノラツクス
は、従来のフッ化物系フラックスよりも、作用温度を低
くしたことによって、接合部の状態をフラックスレス不
活性ガス雰囲気ろうイ」り法や塩化物フラックス炉中ろ
うイ(10法と同等に良好ならしめるとともに、フッ化
物系フラックスの特性であるところの、非吸湿性、実質
上不水溶性を保有するものである。
特許出願人 住友軽金属]二業株式会ネ[ 代理人 弁理士 小 松 禿 岳 代理人 弁理士 旭 宏

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 実質上、KF40〜47単40〜A1 F34
    7〜56重貫%及びKBF40.1〜10重量%J、り
    成る混合物の溶融凝固物を粉砕して得た物から成る、ア
    ルミニウム及びアルミニウム合金材のろう付り用フラッ
    クス。
JP19406783A 1983-10-19 1983-10-19 アルミニウム及びアルミニウム合金材のろう付け用フラツクス Granted JPS6087994A (ja)

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JP19406783A JPS6087994A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 アルミニウム及びアルミニウム合金材のろう付け用フラツクス

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JPS6087994A true JPS6087994A (ja) 1985-05-17
JPH0355236B2 JPH0355236B2 (ja) 1991-08-22

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517038A (en) * 1992-08-11 1996-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device including three-dimensionally disposed logic elements for improving degree of integration
JP2008254071A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 General Electric Co <Ge> ろう付け用配合物及びその製造法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5517038A (en) * 1992-08-11 1996-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device including three-dimensionally disposed logic elements for improving degree of integration
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