JPS6089051A - イオンビ−ム装置 - Google Patents
イオンビ−ム装置Info
- Publication number
- JPS6089051A JPS6089051A JP58197433A JP19743383A JPS6089051A JP S6089051 A JPS6089051 A JP S6089051A JP 58197433 A JP58197433 A JP 58197433A JP 19743383 A JP19743383 A JP 19743383A JP S6089051 A JPS6089051 A JP S6089051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- center
- wien
- beams
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は構造を簡略化したイオンビーム装置に関する。
第１図は例えばＥＨＤ（ＥＬＥＣＴＲＯＨＹＤＲＯＤＹ
ＮＡＭＩＣ８の略）型イオン源を用いたイオンビーム装
置の概略図で、１はイオンビムが放射されるエミッタで
、２はその加熱用電源である。３はエクストラクタ（Ｅ
ＸＴＲＡＣＴＥＲ）、４はイオンビームを集束する為の
集束レンズである。５はカソードで、前記エクストラク
タ３と該カソードにはイオンビームを通す為の小孔が明
けられている。６．７は夫々イオンビームを引出す為の
引き出し電圧を前記エミッタ１とエクストラクタ３の間
に印加する為の引き出し電源。
ＮＡＭＩＣ８の略）型イオン源を用いたイオンビーム装
置の概略図で、１はイオンビムが放射されるエミッタで
、２はその加熱用電源である。３はエクストラクタ（Ｅ
ＸＴＲＡＣＴＥＲ）、４はイオンビームを集束する為の
集束レンズである。５はカソードで、前記エクストラク
タ３と該カソードにはイオンビームを通す為の小孔が明
けられている。６．７は夫々イオンビームを引出す為の
引き出し電圧を前記エミッタ１とエクストラクタ３の間
に印加する為の引き出し電源。
該引出したイオンビームを加速する為の加速電圧を前記
エミッタ１とカソード５の間に印加する為の加速電源で
ある。前記集束レンズ４の下方には１対の静電偏向板と
１対の磁極から成り、イオン種を分離し所望のイオン種
を取り出す為のウィーン型フィルタ８が配置されており
、破線で示す領域内のＸ軸方向に形成される電場とＹ軸
方向に形成される磁場の強度はフィルタ電源９の出力に
よって可変される。１０はスリットで、前記フィルタ８
によって分散されたイオンビームをカットする為のもの
である。該スリットを通過したイオンビームは対物レン
ズ１１によって材料１２上に集束される。１３は位置制
御用偏向電極で、該電極に印加される偏向電源１４の出
力を調整することによってイオンビームのショット位置
を制御することが出来る。
エミッタ１とカソード５の間に印加する為の加速電源で
ある。前記集束レンズ４の下方には１対の静電偏向板と
１対の磁極から成り、イオン種を分離し所望のイオン種
を取り出す為のウィーン型フィルタ８が配置されており
、破線で示す領域内のＸ軸方向に形成される電場とＹ軸
方向に形成される磁場の強度はフィルタ電源９の出力に
よって可変される。１０はスリットで、前記フィルタ８
によって分散されたイオンビームをカットする為のもの
である。該スリットを通過したイオンビームは対物レン
ズ１１によって材料１２上に集束される。１３は位置制
御用偏向電極で、該電極に印加される偏向電源１４の出
力を調整することによってイオンビームのショット位置
を制御することが出来る。
該装置において、エミッタ１から質量数の異なる複数種
のイオンを含むイオンビームを発射させる。そして、制
御装置１５の指令によって作動する集束レンズ電源１６
の出力を適宜コントロールして前記イオンビームがフィ
ルタ８の中心にクロスオーバ像ＣＩを形成する様にする
（尚、この様にイオン源のクロスオーバ像をフィルタの
中心に形成する理由は特願昭５７−１８６９１９号参照
）。該フィルタは、制御装置１５の指令により作動する
前記フィルタ電源９の出力により、所定のイオン種のみ
を直進させる様に作動する。該イオンビームは、制御装
置１５の指令により、前記対物レンズ１１に出力を印加
する対物レンズ電８！１７の出力を適宜コントロールす
ることにより、材料１２上に集束する。又、同時に該イ
オンビームの位置は位置制御用偏向電極１３によってコ
ントロールされる。
のイオンを含むイオンビームを発射させる。そして、制
御装置１５の指令によって作動する集束レンズ電源１６
の出力を適宜コントロールして前記イオンビームがフィ
ルタ８の中心にクロスオーバ像ＣＩを形成する様にする
（尚、この様にイオン源のクロスオーバ像をフィルタの
中心に形成する理由は特願昭５７−１８６９１９号参照
）。該フィルタは、制御装置１５の指令により作動する
前記フィルタ電源９の出力により、所定のイオン種のみ
を直進させる様に作動する。該イオンビームは、制御装
置１５の指令により、前記対物レンズ１１に出力を印加
する対物レンズ電８！１７の出力を適宜コントロールす
ることにより、材料１２上に集束する。又、同時に該イ
オンビームの位置は位置制御用偏向電極１３によってコ
ントロールされる。
さて、イオンビームを材料にショットする場合（特にマ
スクレスイオン打込みを行なう場合）のショツト時間の
コントロールは、ビーム通路上にビームブランキング電
極を配置し、該電極によって行なっている。即ち、前記
制御装置１５からのショツト時間及び非ショット時間信
号に基づいて該冬時間に対応した山の部分の幅及び谷の
部分の幅を有するパルス信号を発生するパルス発生器か
ら該ブランキング電極にパルス信号を供給してショツト
時間のコントロールを行なっている。所で、該ブランキ
ング電極に供給されるパルス信号は一般に立上りと立下
りに傾斜を有しているので、イオンビームのクロスオー
バ点でブランキング用の偏向を行なわないと、前記立上
りと立下りの期間において、材料上でビームが揺動し、
所定以外の部分にビームがショットされてしまう。従っ
て、クロスオーバ点でビームのブランキング用の偏向を
行なわねばならないのであるが、前記装置においてはフ
ィルタ８の中心部にビームブランキング３− 用電極を配置することは構造上困難であり、又もし配置
出来てもフィルタの電場や磁場が乱れてしまうので、該
フィルタ内でビームブランキング用の偏向を行なうこと
は不可能である。
スクレスイオン打込みを行なう場合）のショツト時間の
コントロールは、ビーム通路上にビームブランキング電
極を配置し、該電極によって行なっている。即ち、前記
制御装置１５からのショツト時間及び非ショット時間信
号に基づいて該冬時間に対応した山の部分の幅及び谷の
部分の幅を有するパルス信号を発生するパルス発生器か
ら該ブランキング電極にパルス信号を供給してショツト
時間のコントロールを行なっている。所で、該ブランキ
ング電極に供給されるパルス信号は一般に立上りと立下
りに傾斜を有しているので、イオンビームのクロスオー
バ点でブランキング用の偏向を行なわないと、前記立上
りと立下りの期間において、材料上でビームが揺動し、
所定以外の部分にビームがショットされてしまう。従っ
て、クロスオーバ点でビームのブランキング用の偏向を
行なわねばならないのであるが、前記装置においてはフ
ィルタ８の中心部にビームブランキング３− 用電極を配置することは構造上困難であり、又もし配置
出来てもフィルタの電場や磁場が乱れてしまうので、該
フィルタ内でビームブランキング用の偏向を行なうこと
は不可能である。
そこで、前記第１図に示す様に、フィルタ８の下方に該
フィルタの中心に出来ているクロスオーバ像Ｃ１のクロ
スオーバ像Ｃ２を形成する為の集束レンズ１８を新たに
配置し、該クロスオーバ像Ｃ２の所にビームブランキン
グ電極１９を配置し、該電極にパルス発生器２０からパ
ルス信号を供給する様にしてもよいが、新な集束レンズ
や図示していないが該レンズの電源（高圧電源）更に、
アライメント用電極も必要となり、この結果、装置が大
型化且つ複雑化する。
フィルタの中心に出来ているクロスオーバ像Ｃ１のクロ
スオーバ像Ｃ２を形成する為の集束レンズ１８を新たに
配置し、該クロスオーバ像Ｃ２の所にビームブランキン
グ電極１９を配置し、該電極にパルス発生器２０からパ
ルス信号を供給する様にしてもよいが、新な集束レンズ
や図示していないが該レンズの電源（高圧電源）更に、
アライメント用電極も必要となり、この結果、装置が大
型化且つ複雑化する。
本発明はこの様な問題を解決することを目的としたもの
である。
である。
本発明は質量数の異なる複数種類のイオンビームを発生
するイオン源、該イオン源から射出されたイオンビーム
を集束し、質量分離の為のウィーン型フィルタの中心に
イン源のクロスオーバ像を４− 形成する為の集束レンズ、該ウィーン型フィルタのスリ
ットを通過したイオンビームを材料上の所定の位置に集
束させる為の偏向手段から成る装置において、ビーム軸
上前記ウィーン型フィルタの中心に関して対称の位置に
夫々ビームブランキング用の電極を配置した新規なイオ
ンビーム装置を提供するものである。
するイオン源、該イオン源から射出されたイオンビーム
を集束し、質量分離の為のウィーン型フィルタの中心に
イン源のクロスオーバ像を４− 形成する為の集束レンズ、該ウィーン型フィルタのスリ
ットを通過したイオンビームを材料上の所定の位置に集
束させる為の偏向手段から成る装置において、ビーム軸
上前記ウィーン型フィルタの中心に関して対称の位置に
夫々ビームブランキング用の電極を配置した新規なイオ
ンビーム装置を提供するものである。
第２図は本発明の一実施例を示したイオンビーム装置の
概略図で、図中第１図にて使用した番号及び記号と同一
番号及び記号のものは同一構成要素である。該装置にお
いては、ウィーン型フィルタ８（１対の静電偏向板を８
Ａ、８Ｄ、１対の磁極を８Ｎ、８８とする）の中心に対
称な上下の位置に同一のブランキング電極２１．２２が
配置されている。２０−は制御装置１５からショット指
令信号に基づいてパルス信号を発するパルス発生器であ
る。第３図は前記フィルタ８とブランキング電極２１．
２２の配置を示したものである。
概略図で、図中第１図にて使用した番号及び記号と同一
番号及び記号のものは同一構成要素である。該装置にお
いては、ウィーン型フィルタ８（１対の静電偏向板を８
Ａ、８Ｄ、１対の磁極を８Ｎ、８８とする）の中心に対
称な上下の位置に同一のブランキング電極２１．２２が
配置されている。２０−は制御装置１５からショット指
令信号に基づいてパルス信号を発するパルス発生器であ
る。第３図は前記フィルタ８とブランキング電極２１．
２２の配置を示したものである。
斯くの如き装置において、制御装置１５はエミッタ１か
ら放出されたイオンビームがフィルタ８の中心にクロス
オーバ像Ｃ１を形成する用に集束レンズ電源１６をコン
トロールする。該フィルタ内においてはイオンビームは
電磁界の作用を受け、その結果直進したものがスリット
１０を通過し、対物レンズ１１によって材料１２上に集
束される。
ら放出されたイオンビームがフィルタ８の中心にクロス
オーバ像Ｃ１を形成する用に集束レンズ電源１６をコン
トロールする。該フィルタ内においてはイオンビームは
電磁界の作用を受け、その結果直進したものがスリット
１０を通過し、対物レンズ１１によって材料１２上に集
束される。
この時、制御装置１５はパルス発生器２０−に所定のシ
ョツト時間及び非ショツト時間に対応した時間を指定す
る信号を送る。而して、前記エミッタ１から放出された
ビームは第４図に示す様にブランキング電極２１によっ
て角度θ偏向され、更にブランキング電極２２によって
θ偏向され、あたかも該２つのブランキング電極の中心
部において角度２θ偏向された様に偏向され、スリット
１０でカットされてしまうので、この間ビームは材料上
に照射されない。又、ショツト時間に対応した時間ビー
ムは無偏向なので、この時間ビームは材料上に照射され
る。
ョツト時間及び非ショツト時間に対応した時間を指定す
る信号を送る。而して、前記エミッタ１から放出された
ビームは第４図に示す様にブランキング電極２１によっ
て角度θ偏向され、更にブランキング電極２２によって
θ偏向され、あたかも該２つのブランキング電極の中心
部において角度２θ偏向された様に偏向され、スリット
１０でカットされてしまうので、この間ビームは材料上
に照射されない。又、ショツト時間に対応した時間ビー
ムは無偏向なので、この時間ビームは材料上に照射され
る。
尚、前記実施例ではフィルタの中心に対称な上下の位置
に同一のブランキング電極を配置する様にしたが、この
実施例に限定されず、要するにイオン源のクロスオーバ
像がフィルタの中心で偏向される様に、フィルタの中心
を挾む上下の位置夫々にブランキング電極を配置すれば
よい。
に同一のブランキング電極を配置する様にしたが、この
実施例に限定されず、要するにイオン源のクロスオーバ
像がフィルタの中心で偏向される様に、フィルタの中心
を挾む上下の位置夫々にブランキング電極を配置すれば
よい。
本発明によれば、新たに集束レンズや該レンズの高電圧
源やアライメント電極を設けることなく、ウィーン型フ
ィルタの上下にブランキング電極を配置するだけで、実
質的にビームのクロスオーバ像位置でビームブランキン
グ用の偏向を行なうことが出来るので、装置が簡略化且
つ単純化する。
源やアライメント電極を設けることなく、ウィーン型フ
ィルタの上下にブランキング電極を配置するだけで、実
質的にビームのクロスオーバ像位置でビームブランキン
グ用の偏向を行なうことが出来るので、装置が簡略化且
つ単純化する。
第１図は従来のイオンビーム装置の概略図、第２図は本
発明の一実施例として示したイオンビーム装置の概略図
、第３図はその一部を示したもの、第４図は本発明の詳
細な説明を捕捉する為に用いたものである。 １：エミッタ ４：集束レンズ ８：ウィーン型フィルタ ９：フィルタ電源 １０ニスリツト ７− １１：対物レンズ １２：材料 １３：位置制御用偏向電極 １５：制御装置 １６：集束レンズ電源 １７：対物レンズ電源 ２０′：パルス発生器 ２１．２２ニブランキング電極 Ｃ１，Ｃ２：クロスオーバ像 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 ８− 第３図
発明の一実施例として示したイオンビーム装置の概略図
、第３図はその一部を示したもの、第４図は本発明の詳
細な説明を捕捉する為に用いたものである。 １：エミッタ ４：集束レンズ ８：ウィーン型フィルタ ９：フィルタ電源 １０ニスリツト ７− １１：対物レンズ １２：材料 １３：位置制御用偏向電極 １５：制御装置 １６：集束レンズ電源 １７：対物レンズ電源 ２０′：パルス発生器 ２１．２２ニブランキング電極 Ｃ１，Ｃ２：クロスオーバ像 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 ８− 第３図
Claims (1)
- 質量数の異なる複数種類のイオンビームを発生するイオ
ン源、該イオン源から射出されたイオンビームを集束し
、質量分離の為のウィーン型フィルタの中心にイン源の
クロスオーバ像を形成する為の集束レンズ、該ウィーン
型フィルタのスリットを通過したイオンビームを材料上
の所定の位置に集束させる為の偏向手段から成る装置に
おいて、ビーム軸上前記ウィーン型フィルタの中心に関
して対称の位置に夫々ビームブランキング用の電極を配
置したイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197433A JPS6089051A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197433A JPS6089051A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | イオンビ−ム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089051A true JPS6089051A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16374428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58197433A Pending JPS6089051A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155368A (en) * | 1991-04-16 | 1992-10-13 | Micrion Corporation | Ion beam blanking apparatus and method |
| JPH0648548U (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-05 | 栄子 川嶋 | 家庭用しゃくし |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137947A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 電子光学鏡筒 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58197433A patent/JPS6089051A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137947A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 電子光学鏡筒 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155368A (en) * | 1991-04-16 | 1992-10-13 | Micrion Corporation | Ion beam blanking apparatus and method |
| JPH0648548U (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-05 | 栄子 川嶋 | 家庭用しゃくし |
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