JPS6089571A - マグネトロン型スパツタ装置 - Google Patents
マグネトロン型スパツタ装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として強磁性体材料から成るターゲットを使
用するに適したマグネトロン型スパッタ装置に関する。
用するに適したマグネトロン型スパッタ装置に関する。
一般にスパッタ装置は真空蒸着装置よりも多くの物質に
薄膜を形成し得るがその薄膜形成速度は熱着装置よりも
迎いのでターゲットの背後に磁石を配直し、放電空間に
放電用電界と直交した磁場をかけ、薄膜形成速度を上げ
るようにしマグネトロン型のスパッタ装置が提案された
。
薄膜を形成し得るがその薄膜形成速度は熱着装置よりも
迎いのでターゲットの背後に磁石を配直し、放電空間に
放電用電界と直交した磁場をかけ、薄膜形成速度を上げ
るようにしマグネトロン型のスパッタ装置が提案された
。
このマグネトロン型のものは、直交した磁場により、放
電空間を飛行する電子の軌道をターゲット前面に沿って
長くすることが出来るので真空室内の作動ガスから多く
のイオンを一１ｉｔ ｌｌ！させ得、発生した多くのイ
オンがターゲットに衝突して多くの原子又（低分子を空
間に飛び出妊せるため薄膜形成速度を大幅に上げられて
有利である。而してターゲットが鉄、ニッケル、コバル
ト或はこれらの合金等の強磁性体であると、磁力線はタ
ーゲットの内部を通りその表向に直交磁場を形成出来な
いので、該ターゲットの前面に永久磁石を記数したり或
はターゲットの異面に磁力線漏洩のだめの溝を形成する
等の手段を袖しているが、ｎ＋１者の場合ターゲット表
面上の磁場を自在に変えられる程の効果はなく薄膜形成
速度を多少上げ？弄る程度でろ１）、ターゲツト材の利
用効率も約２０％位と低く、また後者の場合ターゲット
の製作加工及び装しへの取付けが難しい等の欠点がろる
。
電空間を飛行する電子の軌道をターゲット前面に沿って
長くすることが出来るので真空室内の作動ガスから多く
のイオンを一１ｉｔ ｌｌ！させ得、発生した多くのイ
オンがターゲットに衝突して多くの原子又（低分子を空
間に飛び出妊せるため薄膜形成速度を大幅に上げられて
有利である。而してターゲットが鉄、ニッケル、コバル
ト或はこれらの合金等の強磁性体であると、磁力線はタ
ーゲットの内部を通りその表向に直交磁場を形成出来な
いので、該ターゲットの前面に永久磁石を記数したり或
はターゲットの異面に磁力線漏洩のだめの溝を形成する
等の手段を袖しているが、ｎ＋１者の場合ターゲット表
面上の磁場を自在に変えられる程の効果はなく薄膜形成
速度を多少上げ？弄る程度でろ１）、ターゲツト材の利
用効率も約２０％位と低く、また後者の場合ターゲット
の製作加工及び装しへの取付けが難しい等の欠点がろる
。
強磁性体のターゲットの利用効率が悪い理由れ１ターゲ
ットの表面に運転時間の経過につれて谷状の消耗部分が
生じ、そこに磁力線の漏洩が多くなって局部的に磁場が
強まシ、他の部分が余シ消耗されないまま該谷状部分の
みが消耗されてしまうからであると判断される。
ットの表面に運転時間の経過につれて谷状の消耗部分が
生じ、そこに磁力線の漏洩が多くなって局部的に磁場が
強まシ、他の部分が余シ消耗されないまま該谷状部分の
みが消耗されてしまうからであると判断される。
本発明は薄膜形成速度が速くターゲットの利用効率も良
く製作容易な主として強磁性体をスパッタするに適した
装置を提供することを目的としたもので、真空室内に設
けたターゲットの背後に電磁石を配置し、該ターゲット
の前方の放電空間に該電磁石の磁力線を作用させる式の
ものに於て、該ターゲットの背面よりも前方に前記電磁
石と磁気的に結合した極片を設けたこと全特徴とする。
く製作容易な主として強磁性体をスパッタするに適した
装置を提供することを目的としたもので、真空室内に設
けたターゲットの背後に電磁石を配置し、該ターゲット
の前方の放電空間に該電磁石の磁力線を作用させる式の
ものに於て、該ターゲットの背面よりも前方に前記電磁
石と磁気的に結合した極片を設けたこと全特徴とする。
本発明の実施例ｆｊ：図面につき説明するに、第１図及
び第２図に於てｆｉｌ ｔよ真空室（２）内に設けた強
磁性体からＪ戊る平板状のターゲラ）、（３１は該ター
ゲラ） ｆｉｌに対向して設けた基板、（４）は真空室
ｔ２７外のスパッタリング用直流電源装置（５）に接続
された陽極、（６）はガス吹田管でこれを介してアルゴ
ンその他の作動ガスがガス供給装置（７）から真空室（
２）内に供給される。（８）はターゲット（１）の背後
に設けた磁芯（９）とフィル叫でｊ＋’ｒｔ成される電
磁石を示し、外側の′電磁石（８ａ）と内側の電磁石（
８ｂ）とでは互に逆極性となるように各コイル（１０ａ
）（１０ｂ）が巻かれる。（ｌυＵは各コイル（１０ａ
）（１０ｂ）への導°成端子で、これには前記スパッタ
リング用直流曲源装Ｍ（５）とは別個のは源からｆｋ力
が供給される。ｕカは電磁石（８）と磁気的に結合嘔れ
且つターゲット［１１の背面（１ａ）よυも１１１ノ方
に位ｔ／ｌ して設けられた極片で、第１図及び第２図
示の例ではターゲラ） ｉｌｌが接着等により強固に取
付けされる銅板その他の排磁性材のバッキングプレー）
（１３１を挿通して電磁石（８）の磁芯（９）を上方に
０１１１長し、これに斜面ＯＩを形成した極片ａ２１ｔ
対向してボルトで取付け、内外の電磁石（８ａ）（８ｂ
）によシ異なる極性に各極片（１２ａ）（１２ｂ）の励
磁が得られると共にその磁力を各′電磁石（８）への供
給電力に応じてｉＪ変出来るようにした。また各極片ａ
ｚをターゲラ） ｉｌｌよりも厚手に形成してその背面
（１ｂ）よシも前方の側方から表面にかけて位置し得る
ようにした。α滲は！ｉ！ｌｌ磁性体のターゲット（１
）と極片ａ２との絶縁空間、ａ５）は絶縁材（１５ＩＬ
）を介して真空室（２）に取付けたケーシング、αｅは
ケーシング盆で該ケーシングＱ５１内にはケーシング蓋
ａｅの冷却水注入口αηを介して冷却水が循環される。
び第２図に於てｆｉｌ ｔよ真空室（２）内に設けた強
磁性体からＪ戊る平板状のターゲラ）、（３１は該ター
ゲラ） ｆｉｌに対向して設けた基板、（４）は真空室
ｔ２７外のスパッタリング用直流電源装置（５）に接続
された陽極、（６）はガス吹田管でこれを介してアルゴ
ンその他の作動ガスがガス供給装置（７）から真空室（
２）内に供給される。（８）はターゲット（１）の背後
に設けた磁芯（９）とフィル叫でｊ＋’ｒｔ成される電
磁石を示し、外側の′電磁石（８ａ）と内側の電磁石（
８ｂ）とでは互に逆極性となるように各コイル（１０ａ
）（１０ｂ）が巻かれる。（ｌυＵは各コイル（１０ａ
）（１０ｂ）への導°成端子で、これには前記スパッタ
リング用直流曲源装Ｍ（５）とは別個のは源からｆｋ力
が供給される。ｕカは電磁石（８）と磁気的に結合嘔れ
且つターゲット［１１の背面（１ａ）よυも１１１ノ方
に位ｔ／ｌ して設けられた極片で、第１図及び第２図
示の例ではターゲラ） ｉｌｌが接着等により強固に取
付けされる銅板その他の排磁性材のバッキングプレー）
（１３１を挿通して電磁石（８）の磁芯（９）を上方に
０１１１長し、これに斜面ＯＩを形成した極片ａ２１ｔ
対向してボルトで取付け、内外の電磁石（８ａ）（８ｂ
）によシ異なる極性に各極片（１２ａ）（１２ｂ）の励
磁が得られると共にその磁力を各′電磁石（８）への供
給電力に応じてｉＪ変出来るようにした。また各極片ａ
ｚをターゲラ） ｉｌｌよりも厚手に形成してその背面
（１ｂ）よシも前方の側方から表面にかけて位置し得る
ようにした。α滲は！ｉ！ｌｌ磁性体のターゲット（１
）と極片ａ２との絶縁空間、ａ５）は絶縁材（１５ＩＬ
）を介して真空室（２）に取付けたケーシング、αｅは
ケーシング盆で該ケーシングＱ５１内にはケーシング蓋
ａｅの冷却水注入口αηを介して冷却水が循環される。
（１８１は極片（１２＋がスパッタされることを防止す
る防護カバーを示し、ターゲット（１）と同−若しくは
類似の材料で形成され、厳密にターゲット（１）以外の
材料が薄膜内に混入することを防止する必要がある場合
に使用される。
る防護カバーを示し、ターゲット（１）と同−若しくは
類似の材料で形成され、厳密にターゲット（１）以外の
材料が薄膜内に混入することを防止する必要がある場合
に使用される。
尚、極片（１２１は第３図示の如く電磁石（８）の磁芯
（９）に間隔（２１を存してバッキングプレート（１〜
に取付けしてもよく、この場合磁気回路としての効率は
多少落ちるが製作が容易であシ、また第４図示の如く磁
芯（９）を延長してその先端部を極片α２として利用す
ることも用能である。
（９）に間隔（２１を存してバッキングプレート（１〜
に取付けしてもよく、この場合磁気回路としての効率は
多少落ちるが製作が容易であシ、また第４図示の如く磁
芯（９）を延長してその先端部を極片α２として利用す
ることも用能である。
さらに非磁性材＄−１のターゲラ） ＋Ｉ＋の場合には
第５図示のように極片Ｑ２］上に直接取付けしてもよい
。
第５図示のように極片Ｑ２］上に直接取付けしてもよい
。
その作動を第１図示の場合につき説明するに、スパッタ
リング用直流電源（５）から陽極（４）とケーシング蓋
ｔｔｔｉ及びケーシングα５）を介してターゲラ目１）
とに通電すると共に各電磁石（８）を図示してない電源
により励磁し、ガス吹田管（６）よシ例えばアルゴンガ
スからなる作動ガスを吹出させるとターゲラ） ｉｌｌ
の前方の空間で作動ガスが′電離してプラズマ状態にな
ると共にこれによシ生じたイオンがターゲラ） ｉｌｌ
の表面に突入し、ターゲラ） ｉｌｌを構成する原子１
分子が飛び出してｎｔＪ方の基板（３）に薄膜状に付着
する。この場合各軍磁石（８）の励磁に伴ない極片（１
２１が励磁され、極片（１２ａ）（１２ｂ）に生ずる磁
力線がターゲラ） ｆｉｌの表面前方の空間にその表面
と平行な磁場を形成し、該空間の電子密度を上げるので
作動ガスのｉｆＬ離が促進され、ターゲラ） ＋Ｉ＋か
ら飛びＬ［３す原子。
リング用直流電源（５）から陽極（４）とケーシング蓋
ｔｔｔｉ及びケーシングα５）を介してターゲラ目１）
とに通電すると共に各電磁石（８）を図示してない電源
により励磁し、ガス吹田管（６）よシ例えばアルゴンガ
スからなる作動ガスを吹出させるとターゲラ） ｉｌｌ
の前方の空間で作動ガスが′電離してプラズマ状態にな
ると共にこれによシ生じたイオンがターゲラ） ｉｌｌ
の表面に突入し、ターゲラ） ｉｌｌを構成する原子１
分子が飛び出してｎｔＪ方の基板（３）に薄膜状に付着
する。この場合各軍磁石（８）の励磁に伴ない極片（１
２１が励磁され、極片（１２ａ）（１２ｂ）に生ずる磁
力線がターゲラ） ｆｉｌの表面前方の空間にその表面
と平行な磁場を形成し、該空間の電子密度を上げるので
作動ガスのｉｆＬ離が促進され、ターゲラ） ＋Ｉ＋か
ら飛びＬ［３す原子。
分子の景が多くなり、その結果基板に３）に対する薄膜
形成速度が速くなる。而して該ターゲットｔｘｔの表面
前方の空間に形成される磁場の分布は極片（１２ａ）（
１２ｂ）の形状によシ左右され、その分布が適切でない
とターゲット利用効率の低下や極片０’ｌＪ カスバッ
タされて基板（３）上に形成中の薄膜が汚染される等の
小都合が生じやすい。理想的にはターゲット（１）上の
極片（１２ａ）（１２ｂ）間の空間に於けるターゲット
表面と平行な磁束密度の分布が第６図の曲線Ａで示すよ
うな分布となると共に表面と垂直な磁束密度の分布が曲
線Ｂで示すような分布となることが望ましい。実験によ
れば磁束密度の分布は極片α２の斜面側の角度αに依存
し、該角度αが９０°即ち斜面（３０）がない場合、タ
ーゲット前方空間の極片（１２ａ）（１２ｂ）間のター
ゲット表面と平行な磁束密度の分布及び垂直な磁束密度
の分布は第７図の曲線０．Ｄで示す如くになり、該角度
αが５２．５°の場合にはその平行と垂直の磁束密度の
分布は夫々第８図の曲線Ｅ。
形成速度が速くなる。而して該ターゲットｔｘｔの表面
前方の空間に形成される磁場の分布は極片（１２ａ）（
１２ｂ）の形状によシ左右され、その分布が適切でない
とターゲット利用効率の低下や極片０’ｌＪ カスバッ
タされて基板（３）上に形成中の薄膜が汚染される等の
小都合が生じやすい。理想的にはターゲット（１）上の
極片（１２ａ）（１２ｂ）間の空間に於けるターゲット
表面と平行な磁束密度の分布が第６図の曲線Ａで示すよ
うな分布となると共に表面と垂直な磁束密度の分布が曲
線Ｂで示すような分布となることが望ましい。実験によ
れば磁束密度の分布は極片α２の斜面側の角度αに依存
し、該角度αが９０°即ち斜面（３０）がない場合、タ
ーゲット前方空間の極片（１２ａ）（１２ｂ）間のター
ゲット表面と平行な磁束密度の分布及び垂直な磁束密度
の分布は第７図の曲線０．Ｄで示す如くになり、該角度
αが５２．５°の場合にはその平行と垂直の磁束密度の
分布は夫々第８図の曲線Ｅ。
Ｆで示す如くとなり、また角度αが３ｏＱの場合平行と
垂直の磁束密度の分布は第９図の曲線Ｇ。
垂直の磁束密度の分布は第９図の曲線Ｇ。
Ｈの如くであった。これによれば極片ａりの斜面□□□
の角度αが５２．５°前後であれば第６図の理想的磁束
密度の分布に近くなって好都合であるが、９０°の場合
には垂直磁束密度の分布が悪く、プラズマの閉じ込めが
不充分となるので極片（１２１がイオンの衝撃を受け易
くなる不都合があり、゛また３０°の場合には平行及び
垂直の磁束密度の分布が共に悪く、ターゲット（１）を
均等に消耗させその利用効率を高めることが出来ない。
の角度αが５２．５°前後であれば第６図の理想的磁束
密度の分布に近くなって好都合であるが、９０°の場合
には垂直磁束密度の分布が悪く、プラズマの閉じ込めが
不充分となるので極片（１２１がイオンの衝撃を受け易
くなる不都合があり、゛また３０°の場合には平行及び
垂直の磁束密度の分布が共に悪く、ターゲット（１）を
均等に消耗させその利用効率を高めることが出来ない。
第１０図に参考迄に極片α２のない場合の平行及び垂直
磁束密度の曲線工、Ｊを示した。
磁束密度の曲線工、Ｊを示した。
本発明の具体的実施例は次の通りである。
（実施例１）
真空室（２）にアルゴンガスを導入してその圧力をＩ
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒとし、純鉄のターゲットｔ１．Ｉ
の側方から前方にかけて斜面６Ｑの角度が５２．５°の
極片α々を第１図示のように設け、ガラス製のノ＾板（
３）上へ純鉄の薄膜を形成すべ（４０Ａの’ｒｊ＋、流
をスパッタリング用Ｉａ源装置（５）からターゲット（
１）及び陽極（４１に流すと共に電磁石（８１に１０Ｏ
Ａの１に流を流した。この場合その結果該ガラス基板（
３）上には４５００Ａ／市の薄膜形成速度で純鉄の薄膜
が形成された。この速度はほぼ従来の非磁性体のターゲ
ットのスパッタリングの場合と略同程度である。この条
件で５５時間運転した後のターゲット（１）の全体の利
用効率は４５％であった。
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒとし、純鉄のターゲットｔ１．Ｉ
の側方から前方にかけて斜面６Ｑの角度が５２．５°の
極片α々を第１図示のように設け、ガラス製のノ＾板（
３）上へ純鉄の薄膜を形成すべ（４０Ａの’ｒｊ＋、流
をスパッタリング用Ｉａ源装置（５）からターゲット（
１）及び陽極（４１に流すと共に電磁石（８１に１０Ｏ
Ａの１に流を流した。この場合その結果該ガラス基板（
３）上には４５００Ａ／市の薄膜形成速度で純鉄の薄膜
が形成された。この速度はほぼ従来の非磁性体のターゲ
ットのスパッタリングの場合と略同程度である。この条
件で５５時間運転した後のターゲット（１）の全体の利
用効率は４５％であった。
ｉタターゲツ） １１１の１部の断面に於ては第１１図
示のように当初の１１さｈから牛分以上消耗され、この
部分に於ける利用効率は５１．７％であった。
示のように当初の１１さｈから牛分以上消耗され、この
部分に於ける利用効率は５１．７％であった。
尚、極片α２のない場合はターゲット（１）は第１２図
示の如く消耗され、その利用効率は２８．４％にすぎな
い。
示の如く消耗され、その利用効率は２８．４％にすぎな
い。
（実施例２）
ターゲラ） ＋１１に非磁性体の金属である銅を用いる
他は前記実施例１と同条件でスパッタした結果、ガラス
基板（３）には銅の薄膜が従来の銅をスパッタする場合
よシも速い８２００ Ｘ／ｍｍの速度で形成され、ター
ゲット（１）の利用効率は５５％であった。
他は前記実施例１と同条件でスパッタした結果、ガラス
基板（３）には銅の薄膜が従来の銅をスパッタする場合
よシも速い８２００ Ｘ／ｍｍの速度で形成され、ター
ゲット（１）の利用効率は５５％であった。
実施例２の場合に於て防護カバー〇８１を外し極片Ｏ４
の拐料がスパッタでれて基板（３）の薄膜内に混入する
等を１ｉＩｌｌ屋したところ混入率は０．２％であった
。而してｊｌｔ［石（８）に１４ＯＡの電流を流して形
成した薄膜には０゜０５％しか混入せず、特に不純物の
混入を嫌う薄膜以外はカバー１８１を設ける必要がない
ことも明らかになった。
の拐料がスパッタでれて基板（３）の薄膜内に混入する
等を１ｉＩｌｌ屋したところ混入率は０．２％であった
。而してｊｌｔ［石（８）に１４ＯＡの電流を流して形
成した薄膜には０゜０５％しか混入せず、特に不純物の
混入を嫌う薄膜以外はカバー１８１を設ける必要がない
ことも明らかになった。
このように本発明によるときは、ターゲットの背面より
も前方に、該ターゲットの背後の電磁石と磁気的に結合
した細片を設けたので、ターゲットの前方空間にほぼ理
想的な分布状況の磁場を形成し得薄膜形成速度を速くす
ることが出来ると共にターゲットをほぼ平均的に消耗さ
せ得てその利用効率を高めることが出来、また該極片の
磁速密度は電磁石の電流に応じて自在に＋ＩｉＩ制御出
来るので所望のプラズマ領域の形成が容易であり、極片
の取付けも簡単になる等の効果がある。
も前方に、該ターゲットの背後の電磁石と磁気的に結合
した細片を設けたので、ターゲットの前方空間にほぼ理
想的な分布状況の磁場を形成し得薄膜形成速度を速くす
ることが出来ると共にターゲットをほぼ平均的に消耗さ
せ得てその利用効率を高めることが出来、また該極片の
磁速密度は電磁石の電流に応じて自在に＋ＩｉＩ制御出
来るので所望のプラズマ領域の形成が容易であり、極片
の取付けも簡単になる等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の裁断１ｌｌｌＩＩｆ１１図、
第２図はその要部の拡大断面図、第６図乃至第５図は本
発明の他の実施例の裁断側面図、第６図乃至第８図は本
発明装置に於けるターゲットの前方２２ｎｌｌの磁束密
度の分布を示う−Ｎ図、第１０図は従来例の磁束密度の
分布の線図、第１１図は本発明装置にょう使用されたタ
ーゲットの消耗状況を示す断面図、第１２図は従来装置
で使用されたターゲットの消耗状態を示す断面図である
。 （１）・・・ターゲット （２）・・・真 空 室 （３１・・・基 板 （８）・・・電磁石 （Ｉ２１・・・極片 外２名
第２図はその要部の拡大断面図、第６図乃至第５図は本
発明の他の実施例の裁断側面図、第６図乃至第８図は本
発明装置に於けるターゲットの前方２２ｎｌｌの磁束密
度の分布を示う−Ｎ図、第１０図は従来例の磁束密度の
分布の線図、第１１図は本発明装置にょう使用されたタ
ーゲットの消耗状況を示す断面図、第１２図は従来装置
で使用されたターゲットの消耗状態を示す断面図である
。 （１）・・・ターゲット （２）・・・真 空 室 （３１・・・基 板 （８）・・・電磁石 （Ｉ２１・・・極片 外２名
Claims (1)
- 真空室内に設けたターゲットの背後に電磁石を配し、該
ターゲットの前方の放電空間に該電磁石の磁力線を作用
させる式のものに於て、該ターゲットの背面よりも前方
に前記電磁石と磁気的に結合した極片を設けたことを特
徴とするマグネトロン型スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19526783A JPS6089571A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | マグネトロン型スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19526783A JPS6089571A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | マグネトロン型スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089571A true JPS6089571A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16338306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19526783A Pending JPS6089571A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | マグネトロン型スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089571A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274074A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Shimadzu Corp | スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ |
| JPS6338576A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| US7485210B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Sputtering target fixture |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575871A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Anelva Corp | Cathode part of magnetron type sputtering apparatus |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19526783A patent/JPS6089571A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575871A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Anelva Corp | Cathode part of magnetron type sputtering apparatus |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274074A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Shimadzu Corp | スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ |
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| US7485210B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Sputtering target fixture |
| US8157970B2 (en) | 2004-10-07 | 2012-04-17 | International Business Machines Corporation | Sputtering target fixture |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
| US8778150B2 (en) | 2009-02-26 | 2014-07-15 | Canon Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing magnetic device |
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