JPS6092680A - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

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Publication number
JPS6092680A
JPS6092680A JP58200162A JP20016283A JPS6092680A JP S6092680 A JPS6092680 A JP S6092680A JP 58200162 A JP58200162 A JP 58200162A JP 20016283 A JP20016283 A JP 20016283A JP S6092680 A JPS6092680 A JP S6092680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
diffraction grating
case
light
optical pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58200162A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Kogure
木暮　茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58200162A priority Critical patent/JPS6092680A/ja
Publication of JPS6092680A publication Critical patent/JPS6092680A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体レーザに関する。特に光ピックアップ用
半漕体レーザに関する。
近年、光学式ビデオディスク、ディジタルオーディオデ
ィスクが実用化され、そのプレーヤにおいては、光ピツ
クアップに半導体レーザが使われている。
半導体レーザを用いた光ピツクアップには種々なタイプ
が考案、実用化されているが、現在范も普及しているの
は３Ｂ（スリービーム）法と言われているものである。
第１図に３Ｂ法の光学系を示す。光学部品の配置の仕方
は一意的ではなく、例としてＣαｌ　、　（ｂｌの２通
ルを挙げた。Ｃαｌ　、　１ｂ１において同じ数字は同
一部品を示す、１ｃＬｌについて説明しようゆ半導体レ
ーザ１から出た光は回折格子２によって３本のビームに
なる。これらは偏光ビームスプリツ／３によｐＰ波のみ
が通過し、コリメータレンズ４によシ平行光線となる。
平行光線は４分の波長板を通過して円偏光とな）、対物
レンズ６によりディスク７上にスポットを形成する。
ディスク７で反射した光は再び４分の波長板を通過し、
偏光ビームスプリッタ３へ入射する。このとき、光はＢ
波となっているため反射し、シリンドリカルレンズ８を
通過し受光素子９に達する。
１６１の配置はコリメータレンズ４が半導体レーザｌの
隣シにきている点が（ｃＬｌとは異なっているが、原理
的には全く同じである。
３Ｂ法の部品点数は、上記の通）８種類である。
現在のところ、例えばディジタルオーディオディスクプ
レーヤにおいて七ｔ％装置が比較的コンパクトであるに
しては、ピックアップが大きく、装置内への組み込みに
苦労している。また、従来のレコードプレーヤに比べ、
かなシ値段も高くなっている。これらの原因の一つは、
ピックアップの寸法が大きいことと、そのコストが高い
ことである。
そこで、本発明の目的は、小型、且つ、低コストを可能
にする光ピツクアップ用半導体レーザを提供することで
ある。
第２図は本発明の一具体例である。　１０は半導レーザ
チップ、ｌｌｉケース、１２は回折格子である。
従来、１２の部分は透明ガラスの窓であったが、光ピツ
クアップの３Ｂ法では、必ず回折格子を使うので、透明
ガラスを回折格子で置き換えたのである。こうすること
により、部品点数が１つ減る。
第３図は本発明の他の具体例である。　１３は半導体レ
ーザチップ、１４は下ケースで、図示の如く筒の部分に
はオネジが切っである。１５は回折格子で１６は上ケー
スである。上ケース１６の内側は下ケース１４のネジに
適合するようにメネジが切っである。
１７は透明ガラス、１８は下ケースである。この具体例
では、用途に応じて、透明ガラスの付いた上ケースを使
うこともでき、回折格子の付いた上ケースを使うことも
できる。第２図の発明よｐも汎用性が広い。
本発明によＪ）％３Ｂ法の光ピツクアップにおいて、部
品点数が１つ減る。更て、第１図において偏光ビームス
プリッタをハーフプリズムに置キ換えて４分の波長板を
除く光学系にすると、部品点数１ｄ２点減る。この光学
系は僅かに光を半導体レーザへ戻し、雑音を抑制する場
合に使われる。
本発明によｊｌ、３Ｂ法の光ピツクアップにおいて、部
品点数は１〜２点減り、小型軽量化、低コスト化が可能
となる。これにより、ディジタルオーディオディスクプ
レーヤ、光学式ビデオディスクプレーヤの小型軽量化、
低コスト化が可能となる。
以上、述べた通り、ケースの窓に回折格子を設けた半導
体レーザを３Ｂ法光ピツクアツプに使用すれば、光ピツ
クアップの小型軽量化、低コスト化が可能となり、その
結果これを用いたプレーヤの小型軽量化、低コスト化も
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図１α１【ｂ）Φ拳３Ｂ法光ピックアンプの光学系
第２図・・本発明の一具体例 第３図・・本発明の他の具体例 １：半導体レーザ ２：回折格子 ３：偏光ビームスプリッタ ４：コリメーメｅレンズ ５：４分の波長板 ６：対物レンズ ７：ディスク ８ニジリントリカル・レンズ ９：受光素子 ｌＯ二半導体レーザ０チップ ｌＪ：ケース １２：回折格子 １３：半導体レーザ・チップ １４：下ケース １５：回折格子 １６：上ケース １７：透明ガラス １８：上ケース 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 （ｄ＞　（＆） 第１図 第２図 Ｑ 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋半導体レーザの光が出射する該半導体レーザのケ
    ースの窓部分に回折格子を備えていることを特徴とする
    半導体レーザ。 （２）半導体レーザ・チップがマウントされている下ケ
    ースの筒部外側にオネジが切られていることと、回折格
    子もしくけ透明ガラスを窓部分に備えている上ケースの
    筒部内側にメネジが切られているととｔ−ａ徴とする半
    導体レーザ。
JP58200162A 1983-10-26 1983-10-26 半導体レ−ザ Pending JPS6092680A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58200162A JPS6092680A (ja) 1983-10-26 1983-10-26 半導体レ−ザ

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JP58200162A JPS6092680A (ja) 1983-10-26 1983-10-26 半導体レ−ザ

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Publication Number Publication Date
JPS6092680A true JPS6092680A (ja) 1985-05-24

Family

ID=16419816

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JP58200162A Pending JPS6092680A (ja) 1983-10-26 1983-10-26 半導体レ−ザ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120857U (ja) * 1989-03-15 1990-09-28

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5723293A (en) * 1980-07-18 1982-02-06 Canon Inc Semiconductor laser device
JPS57205833A (en) * 1981-06-12 1982-12-17 Sony Corp Optical reproducing device

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