JPS6092821U - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本考案の一実施例を示し、第１図は正
断面図、第２図は要部を示す一部切欠した拡大説明図で
ある。第３図、第４図は本考案の他の実施例を示し、第
３図は要部を示す正断面図、第４図は第３図におけるＩ
Ｖ−ＩＶ線拡大断面図である。第５図は本考案のさらに
他の実施例を示す要部説明図である。 １・・・・・・第１のガス供給系路、６．６’、６“・
・・・・・第２のガス供給系路、１２・・・・・・減圧
容器、１３・・・・・・プラズマ放電場、２１・・・・
・・基板、２１ａ・・・・・・成膜面、２３・・・・・
・抵抗体、■・・・・・・抵抗体を介してプラズマ放電
場へ至る所定位置、■・・・・・・プラズマ放電場内の
所定位置。 、乙・−へ一、’　７’　　／／’　／’　）、’じ／
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Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 内部にプラズマ放電場を設けた減圧容器と、成膜を前記
   プラズマ放電場の一端側に臨ませて前記減圧容器内に配
   設した基板と、前記プラズマ放電場の他端側に臨設させ
   てなり原料ガスの流れを調節する抵抗と、この抵抗体を
   通して原料ガスを前記プラズマ放電場へ供給する第１の
   ガス供給系路と、前記抵抗体を介して前記プラズマ放電
   場へ至る位置または前記放電場内の所定位置のいずれか
   −を他の原料ガスの供給位置として設定できるようにし
   た第２のガス供給系路とを具備してなることを特徴とす
   るプラズマＣＶＤ装置。