JPS6094770A - 光トリガサイリスタの製造方法 - Google Patents
光トリガサイリスタの製造方法Info
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- JPS6094770A JPS6094770A JP58203298A JP20329883A JPS6094770A JP S6094770 A JPS6094770 A JP S6094770A JP 58203298 A JP58203298 A JP 58203298A JP 20329883 A JP20329883 A JP 20329883A JP S6094770 A JPS6094770 A JP S6094770A
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- JP
- Japan
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- light guide
- adapter
- internal light
- guide sleeve
- adhesive
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
- G02B6/3833—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture
- G02B6/3855—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture characterised by the method of anchoring or fixing the fibre within the ferrule
- G02B6/3861—Adhesive bonding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光トリガサイリスク及びその製造方法に関し
、特にその内部ライトガイドのパッケージへの気密封止
部の構造及び製造方法に関するものである。
、特にその内部ライトガイドのパッケージへの気密封止
部の構造及び製造方法に関するものである。
第１図（ａｌは従来の光トリガサイリスタの一例を示す
断面図、同図ｆｂｌはその内部ライトガイドのパ・７ケ
ージへの気密封止部の拡大断面図である。
断面図、同図ｆｂｌはその内部ライトガイドのパ・７ケ
ージへの気密封止部の拡大断面図である。
図において、１は光トリガサイリスクのベーシックエレ
メント （以下、エレメントと呼ぶ）、ｌａはエレメン
ト１の第１の主面中央部に形成された光トリガ用の受光
部、２はエレメント１の第１の主面部に受光部ｌａを取
り囲んで形成された第１の電極に加圧接触させられた第
１の電極体、３はエレメント１の第２の主面部に設けら
れた第２の電極に加圧接触させられた第２の電極体であ
る。
メント （以下、エレメントと呼ぶ）、ｌａはエレメン
ト１の第１の主面中央部に形成された光トリガ用の受光
部、２はエレメント１の第１の主面部に受光部ｌａを取
り囲んで形成された第１の電極に加圧接触させられた第
１の電極体、３はエレメント１の第２の主面部に設けら
れた第２の電極に加圧接触させられた第２の電極体であ
る。
４はアルミナセラミックスなどからなり、エレメ・ ン
ト１．第１の電極体２及び第２の電極体３を取り囲んで
設けられパッケージを構成するアルミナセラミックス等
からなる絶縁筒体、５はリング状の金属板からなり、絶
縁筒体４の一方の端面に気密に固着され内周面が第１の
電極体２の外周面に気密に固着された第１のフランジ、
６ばこの第１のフランジ５と同様に、絶縁筒体４の他方
の端面に気密に固着され内周面が第２の電極体３の外周
面に気密に固着された第２のフランジ、７は第１の電極
体２のエレメント１側の端面部にその外周面から径方向
に受光部１ａに対応する部分を越えるように設けられ受
光部１ａの大きさより大きい溝幅を有する横溝、８は絶
縁筒体４の横溝７に対応する部分に設Ｌｊられた貫通孔
、９ば金属筒体からなり、一方の端部側がＮ ｉ！Ｔｌ
孔８内に絶縁筒体４の外周面側から挿入されて汀ｉｍ孔
８の内壁面に銀ろう材等の接着剤９ａにより気密に固着
され他方の端部側の外周面にねじ部９ｂが形成されたア
ダプタ、１０は第１の端部側がアダプタ９内に挿入され
第２の端部側が横溝７内を通って先端が受光部１ａに近
接するように設けられ、エレメント１をトリガさせる外
部からの光信号を受光部１ａへ伝達させる内部ライトガ
イド、１１は内部ライトガイド１０の第１の端部側外周
面にこれを被覆するようにフリットガラスｌｌａなどを
用いて気密に接着された内部ライトガイドスリーブ、１
２はアダプタ９の貫通孔８内への挿入側の端部内周面に
内部ライトガイドスリーブ１１の所要部分を気密に固着
する高温半田などのろう材、１３はエレメント１をトリ
ガさせる光信号を光信号発生源（図示せず）から導いて
くる例えばハンドルファイバなどの外部ライトガイド１
４を中心部に有し、その外径が内部ライトガイドスリー
ブ１１の外径と同一に形成された外部ライトガイドスリ
ーブ、１５は両ライトガイドスリーブ１１．１３の外径
よりわずかに大きい内径を有する管状体からなり、両端
から内部へ両ライトガイドスリーブ１１，１３がそれぞ
れ挿入され、これらのライトガイドスリーブ１１．１３
を軸合わせして整列させる整列スリーブ、１６はその内
壁面に形成されたねじ部をアダプタ９のねじ部９１）に
蝮合さ・１！ることによって外部ライトガイドスリーブ
１３を整列スリーブ１５内に保持するように構成された
コネクタである。
ト１．第１の電極体２及び第２の電極体３を取り囲んで
設けられパッケージを構成するアルミナセラミックス等
からなる絶縁筒体、５はリング状の金属板からなり、絶
縁筒体４の一方の端面に気密に固着され内周面が第１の
電極体２の外周面に気密に固着された第１のフランジ、
６ばこの第１のフランジ５と同様に、絶縁筒体４の他方
の端面に気密に固着され内周面が第２の電極体３の外周
面に気密に固着された第２のフランジ、７は第１の電極
体２のエレメント１側の端面部にその外周面から径方向
に受光部１ａに対応する部分を越えるように設けられ受
光部１ａの大きさより大きい溝幅を有する横溝、８は絶
縁筒体４の横溝７に対応する部分に設Ｌｊられた貫通孔
、９ば金属筒体からなり、一方の端部側がＮ ｉ！Ｔｌ
孔８内に絶縁筒体４の外周面側から挿入されて汀ｉｍ孔
８の内壁面に銀ろう材等の接着剤９ａにより気密に固着
され他方の端部側の外周面にねじ部９ｂが形成されたア
ダプタ、１０は第１の端部側がアダプタ９内に挿入され
第２の端部側が横溝７内を通って先端が受光部１ａに近
接するように設けられ、エレメント１をトリガさせる外
部からの光信号を受光部１ａへ伝達させる内部ライトガ
イド、１１は内部ライトガイド１０の第１の端部側外周
面にこれを被覆するようにフリットガラスｌｌａなどを
用いて気密に接着された内部ライトガイドスリーブ、１
２はアダプタ９の貫通孔８内への挿入側の端部内周面に
内部ライトガイドスリーブ１１の所要部分を気密に固着
する高温半田などのろう材、１３はエレメント１をトリ
ガさせる光信号を光信号発生源（図示せず）から導いて
くる例えばハンドルファイバなどの外部ライトガイド１
４を中心部に有し、その外径が内部ライトガイドスリー
ブ１１の外径と同一に形成された外部ライトガイドスリ
ーブ、１５は両ライトガイドスリーブ１１．１３の外径
よりわずかに大きい内径を有する管状体からなり、両端
から内部へ両ライトガイドスリーブ１１，１３がそれぞ
れ挿入され、これらのライトガイドスリーブ１１．１３
を軸合わせして整列させる整列スリーブ、１６はその内
壁面に形成されたねじ部をアダプタ９のねじ部９１）に
蝮合さ・１！ることによって外部ライトガイドスリーブ
１３を整列スリーブ１５内に保持するように構成された
コネクタである。
このような構成の光トリガサイリスクにおいて、その内
部ライトガイド１０を絶縁筒体４へ気密封止する場合は
、まず、内部ライトガイド１０と内部ライトガイドスリ
ーブ１１とのすき間に、フリットガラスｌｌａを詰め、
それを加熱し−ζ両考を気密に溶着させる。次に、内部
ライトガイ１−１０の外部ライトガイド１４と当接する
面を、内部ライトガイドスリーブ１１とともに鏡面ｔｆ
Ｉｒ？し、光が効率よく内部ライ１−ガイド１０に導
りるようにする。また絶縁筒体４に設けられた■通孔８
にＩＩ、予め適当な方法でメタライジングを施しておき
、アダプタ９を銀ろう祠９ａにより気密に固定しておく
。次に上記内部ライトガイドスリーブ１１が接着された
内部ライトガイド１０をそのアダプタ９の中に挿入し、
適当な治具を用いて固定しながら高温半田１２により該
内部ライトガイ１′スリーブ１１とアダプタ９とを気密
に封着するようにしていた。
部ライトガイド１０を絶縁筒体４へ気密封止する場合は
、まず、内部ライトガイド１０と内部ライトガイドスリ
ーブ１１とのすき間に、フリットガラスｌｌａを詰め、
それを加熱し−ζ両考を気密に溶着させる。次に、内部
ライトガイ１−１０の外部ライトガイド１４と当接する
面を、内部ライトガイドスリーブ１１とともに鏡面ｔｆ
Ｉｒ？し、光が効率よく内部ライ１−ガイド１０に導
りるようにする。また絶縁筒体４に設けられた■通孔８
にＩＩ、予め適当な方法でメタライジングを施しておき
、アダプタ９を銀ろう祠９ａにより気密に固定しておく
。次に上記内部ライトガイドスリーブ１１が接着された
内部ライトガイド１０をそのアダプタ９の中に挿入し、
適当な治具を用いて固定しながら高温半田１２により該
内部ライトガイ１′スリーブ１１とアダプタ９とを気密
に封着するようにしていた。
しかしながら、この方法では内部ライトガイド１０と内
部ライトガイドスリーブ１１とを気密封止する時に、フ
リットガラスｌｌａの中に多くの気泡が混入し、さらに
、アダプタ９への高温半田１２による封止の際の加熱時
に、この気泡による等測的な熱膨張率の変化や、またフ
リットガラス１１ａの応力集中によりクラックが生じ、
気密封止が破れたり、さらに該クランクが成長して内部
ライトガイド１０にまで達し、光の透過率を下げたりす
ることがよく生じた。
部ライトガイドスリーブ１１とを気密封止する時に、フ
リットガラスｌｌａの中に多くの気泡が混入し、さらに
、アダプタ９への高温半田１２による封止の際の加熱時
に、この気泡による等測的な熱膨張率の変化や、またフ
リットガラス１１ａの応力集中によりクラックが生じ、
気密封止が破れたり、さらに該クランクが成長して内部
ライトガイド１０にまで達し、光の透過率を下げたりす
ることがよく生じた。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、内部ラ
イトガイドを気密封止する際に、内部ライトガイドスリ
ーブの内部側一端のみをフリットガラスを用いて上記内
部ライトガイドに固着するとともに、外部例一端は後に
除去可能な接着剤で固定してその端面を鏡面研磨し、そ
の後上記接着剤を除去して上記内部ライトガイドスリー
ブを絶縁筒体のアダプタに高温半田を用いて固着するこ
とにより、内部ライトガイドを熱的、 Ｕｔｔ械的に安
定した状態でパッケージへ気密封＋ｌ−することができ
る光トリガサイリスク及びその製造方法を１に供するこ
とを目的としている。
イトガイドを気密封止する際に、内部ライトガイドスリ
ーブの内部側一端のみをフリットガラスを用いて上記内
部ライトガイドに固着するとともに、外部例一端は後に
除去可能な接着剤で固定してその端面を鏡面研磨し、そ
の後上記接着剤を除去して上記内部ライトガイドスリー
ブを絶縁筒体のアダプタに高温半田を用いて固着するこ
とにより、内部ライトガイドを熱的、 Ｕｔｔ械的に安
定した状態でパッケージへ気密封＋ｌ−することができ
る光トリガサイリスク及びその製造方法を１に供するこ
とを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第２図はこの発明の一実施例による内部ライトガイド１
０と内部ライトガイドスリーブ１１との気密封止方法を
示す断面図である。
０と内部ライトガイドスリーブ１１との気密封止方法を
示す断面図である。
まず第２図で示すように、内部ライトガイドスリーブ１
１の内部側一端、即ち研磨しない側のみをフリットガラ
スｌｌａによって内Ｉｌｌライトガイド１０に封止し、
外部側一端、即ち研磨側に例えばシアノアクリレ−１・
系接着剤や、ワックスの様な有機溶剤等にとけるような
接着剤、１１１１ち後で除去できる接着剤１１ｂで上記
内部ライトガイド１０に固定し、その端面を鏡面研磨す
る。次にこの内部ライトガイドスリーブ１１の固着され
た内部ライトガイド１０を有機溶剤に浸けたり、または
有機溶剤による蒸気洗浄により一上記接着剤Ｉｌｂを充
分に取除く。その後、第１図と同様にして上記内部ライ
トガイドスリーブ１１を、高温半田１２を用いてアダプ
タ９に気密封止する。
１の内部側一端、即ち研磨しない側のみをフリットガラ
スｌｌａによって内Ｉｌｌライトガイド１０に封止し、
外部側一端、即ち研磨側に例えばシアノアクリレ−１・
系接着剤や、ワックスの様な有機溶剤等にとけるような
接着剤、１１１１ち後で除去できる接着剤１１ｂで上記
内部ライトガイド１０に固定し、その端面を鏡面研磨す
る。次にこの内部ライトガイドスリーブ１１の固着され
た内部ライトガイド１０を有機溶剤に浸けたり、または
有機溶剤による蒸気洗浄により一上記接着剤Ｉｌｂを充
分に取除く。その後、第１図と同様にして上記内部ライ
トガイドスリーブ１１を、高温半田１２を用いてアダプ
タ９に気密封止する。
このような本実施例によれば、内部ライトガイドスリー
ブ１１の研磨しない側のみをフリットガラスｌｌａで内
部ライトガイド１０と気密封止し、研磨側は除去可能な
接着剤１１ｂで固定して研磨し、その後上記接着剤１１
ｂを除去して該内部ライトガイド１０をアダプタ９に高
温半田１２で封止するようにしたので、研磨時の機械的
振動や、高温半田封止時の熱による歪に対しクラックの
生じない、安定な気密封止構造が得られる。
ブ１１の研磨しない側のみをフリットガラスｌｌａで内
部ライトガイド１０と気密封止し、研磨側は除去可能な
接着剤１１ｂで固定して研磨し、その後上記接着剤１１
ｂを除去して該内部ライトガイド１０をアダプタ９に高
温半田１２で封止するようにしたので、研磨時の機械的
振動や、高温半田封止時の熱による歪に対しクラックの
生じない、安定な気密封止構造が得られる。
また、この構造によれば、高温半田付部と、フリット封
止部の位置を離すことができるので、相方の熱膨張率の
違いによる歪を小さく抑えることができ、従って、例え
ば絶縁筒体４に熱膨張率８０ＸＩＯ′７／’Ｃ程度のア
ルミナセラミックスを、アダプタ４にニッケル４２％、
鉄５８％の合金またはニッケル２９％、コバルト１６％
、鉄５８％の合金を、また０ 内部ライトガイド１０に熱膨張率９５〜１００ ｘｌｏ
−７／℃程度の多成分系の光ファイバを、内部ライトガ
イドスリーブ１１にニッケル５０％、鉄５０％の合金を
用い、フリットガラスｌｌａに熱膨張率１００×１０−
７／’Ｃ付近で、４４０℃程度で月１にできるたとえば
、Ｐｂ、ＯＢ２０Ｂ ＺｎＯ系の低融点ガラスである旭
ガラス社製のＡ Ｓ Ｆ １３０７を用い、また高温半
田に２２３℃の融点を持つ錫を用いて封止すれば、０℃
〜１００℃の熱ショックや、ＪＯＧ程度の振動に対して
十分な強度を持つ気密封止構造が得られる。
止部の位置を離すことができるので、相方の熱膨張率の
違いによる歪を小さく抑えることができ、従って、例え
ば絶縁筒体４に熱膨張率８０ＸＩＯ′７／’Ｃ程度のア
ルミナセラミックスを、アダプタ４にニッケル４２％、
鉄５８％の合金またはニッケル２９％、コバルト１６％
、鉄５８％の合金を、また０ 内部ライトガイド１０に熱膨張率９５〜１００ ｘｌｏ
−７／℃程度の多成分系の光ファイバを、内部ライトガ
イドスリーブ１１にニッケル５０％、鉄５０％の合金を
用い、フリットガラスｌｌａに熱膨張率１００×１０−
７／’Ｃ付近で、４４０℃程度で月１にできるたとえば
、Ｐｂ、ＯＢ２０Ｂ ＺｎＯ系の低融点ガラスである旭
ガラス社製のＡ Ｓ Ｆ １３０７を用い、また高温半
田に２２３℃の融点を持つ錫を用いて封止すれば、０℃
〜１００℃の熱ショックや、ＪＯＧ程度の振動に対して
十分な強度を持つ気密封止構造が得られる。
以上のように、本発明によれば、内部ライトガイドスリ
ーブの内部側一端のみをフリットガラスで内部ライトガ
イドに固着し、外部側一端は除去可能な接着剤で固定し
てその端面を鏡面研磨し、その後上記接着剤を除去して
上記内部ライトガイドスリーブを絶縁筒体のアダプタに
高温半１１１で固着するようにしたので、熱的、ｔａ械
的に安定した気密封止構造が得られる効果がある。
ーブの内部側一端のみをフリットガラスで内部ライトガ
イドに固着し、外部側一端は除去可能な接着剤で固定し
てその端面を鏡面研磨し、その後上記接着剤を除去して
上記内部ライトガイドスリーブを絶縁筒体のアダプタに
高温半１１１で固着するようにしたので、熱的、ｔａ械
的に安定した気密封止構造が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
１
第１図は従来の光トリガサイリスクの一例を示す図であ
り、第１図（ａｌは該光トリガサイリスクの断面構成図
、第１図ｆｂ）はその内部ライトガイドとパッケージと
の気密封止部の拡大断面図、第２図は本発明の一実施例
による内部ライトガイドと内部ライトガイドスリーブと
を封止する部分を示す断面図である。 １・・・ベーシックエレメント、１ａ・・・受光部、２
゜３・・・第１．第２の電極体、４・・・絶縁筒体、７
・・・横溝、８・・・貫通孔、９・・・アダプタ、１０
・・・内部ライトガイド、１１・・・内部ライトガイド
スリーブ、１１ａ・・・フリットガラス、Ｉｌｂ・・・
除去可能な接着剤、１２・・・高温半田。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ２ 第１頁の続き ０発 明 者 河 原 −雄 尼崎市塚口本町究所内
り、第１図（ａｌは該光トリガサイリスクの断面構成図
、第１図ｆｂ）はその内部ライトガイドとパッケージと
の気密封止部の拡大断面図、第２図は本発明の一実施例
による内部ライトガイドと内部ライトガイドスリーブと
を封止する部分を示す断面図である。 １・・・ベーシックエレメント、１ａ・・・受光部、２
゜３・・・第１．第２の電極体、４・・・絶縁筒体、７
・・・横溝、８・・・貫通孔、９・・・アダプタ、１０
・・・内部ライトガイド、１１・・・内部ライトガイド
スリーブ、１１ａ・・・フリットガラス、Ｉｌｂ・・・
除去可能な接着剤、１２・・・高温半田。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ２ 第１頁の続き ０発 明 者 河 原 −雄 尼崎市塚口本町究所内
Claims (3)
- （１）第１．第２の電極体に挟持され一方の主面中央部
に光トリガ用の受光部を有するベーシックエレメントと
、上記ベーシックエレメントを取り囲み上記第１．第２
の電極体に気密に封着されたパッケージを構成する絶縁
筒体と、金属筒体からなり一方の端部側が上記絶縁筒体
のり１周面に形成された貫通孔の内壁面に気密に固着さ
れたアダプタと、上記第１の電極体に形成された横溝内
に一端が上記受光部に近接しくｌｈ端が上記アダプタ内
に挿入されて配設され外部からの光トリガ信号を上記受
光部に伝達する内部ライトガイドと、該内部ライトガイ
ドの他端部が挿入されるとともにその外部側端面が上記
内部ライＩ・ガイドの他端面とともに鏡面研磨され上記
アダプタ内へ１１１１人される内部ライトガイドスリー
ブと、該内部ライトガイドスリーブの内部側一端と上記
内部ライトガイドとを気密に固着するフリットガラスと
、上記内部ライトガイドスリーブの外周面の所定部分を
上記アダプタの内壁面に気密に固着する高温半田とを備
えたことを特徴とする光トリガサイリスク。 - （２）第１．第２の電極体に挟持され一方の主面中央部
に光トリガ用の受光部を有するベーシックエレメントと
、上記ベーシックエレメントを取り囲み上記第１．第２
の電極体に気密に封着されたパッケージを構成する絶縁
筒体と、金属筒体からなり一方の端部側が上記絶縁筒体
の外周面に形成された貫通孔の内壁面に気密に固着され
たアダプタと、上記第１の電極体に形成された横溝内に
一端が上記受光部に近接し他端が上記アダプタ内に挿入
されて配設され外部からの光トリガ信号を上記受光部に
伝達する内部ライトガイドと、該内部ライトガイドの他
端部が挿入され上記アダプタ内へ挿入される内部ライト
ガイドスリーブとを備えた光トリガサイリスクの製造方
法であって、上記内部ライトガイドスリーブの内部側一
端と上記内部ライトガイドとをフリットガラスを用いて
気密に固着し、上記内部ライトガイドスリーブの外部側
一端と上記内部ライトガイドの他端とを除去可能な接着
剤を用いて固定し、この内部ライＩ・ガイドスリーブの
外部側一端及び内部ライ１−ガイド他端の端面を鏡面研
磨し、−り記除去可能な１・ν着剤を除去剤を用いて除
去し、」−記内部ライ１−ガイドスリーブの外周面の所
定部分を−１−記アダプタの内壁面に高温半田を用いて
気密に固着させることを特徴とする光トリガサイリスク
の製造方法。 - （３）上記絶縁筒体がアルミナセラミックス、−上記ア
ダプタがニッケル４２％、鉄５８％の合金、またはニッ
ケル２９％、コバルＨ６％、鉄５５％の合金、上記内部
ライトガイドが熱膨張率が９５〜１００ Ｘｌ０−フ／
℃の多成分ガラス、上′記フリットガラスが熱膨張率が
ほぼ１００ＸＩＯ−７℃の酸化鉛−酸化はう素−酸化亜
鉛系の低融点ガラス、上記内部ライＩ・ガイドスリーブ
がニッケル５０％、鉄５０％の合金からなり、上記除去
可能な接着剤にシアノアクリレート系接着剤を、上記除
去剤にアセトンを、」二記高ン晶半田に錫を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光トリガサイ
リスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203298A JPS6094770A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光トリガサイリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203298A JPS6094770A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光トリガサイリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094770A true JPS6094770A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH029461B2 JPH029461B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16471711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203298A Granted JPS6094770A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光トリガサイリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094770A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53147489A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-22 | Electric Power Res Inst | Light trigger thyristor package |
| JPS5662379A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Optical operated semiconductor |
| JPS583281A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-10 | Toshiba Corp | 光駆動形半導体装置 |
| JPS58215071A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Hitachi Ltd | 光駆動半導体装置 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58203298A patent/JPS6094770A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53147489A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-22 | Electric Power Res Inst | Light trigger thyristor package |
| JPS5662379A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Optical operated semiconductor |
| JPS583281A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-10 | Toshiba Corp | 光駆動形半導体装置 |
| JPS58215071A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Hitachi Ltd | 光駆動半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029461B2 (ja) | 1990-03-02 |
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