JPS6097765A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
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- JPS6097765A JPS6097765A JP58204736A JP20473683A JPS6097765A JP S6097765 A JPS6097765 A JP S6097765A JP 58204736 A JP58204736 A JP 58204736A JP 20473683 A JP20473683 A JP 20473683A JP S6097765 A JPS6097765 A JP S6097765A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ等の原稿読取装置に於ける新規な
雑音低減化方式に関する。更に詳しくは、原稿読取装置
の大幅な小型化を可能に１−る密着型従来技術 密着型イメージセンサは集子の大きさが原稿と同一サイ
ズであるため、原稿に密着するかもしくはオゾチカルフ
ァイバアレイ又はレンズアレイ等の光学系による一対一
結１象により原稿像を読取ることを可能とするものであ
る。この方式は結像光路長が短いため、従来のＭＯＳフ
ォトダイオードアレイ或いはＣＣＤイメージセンサに比
べて原稿読取装置の大幅な小型化が達成できる点に大き
な特長を有している。
雑音低減化方式に関する。更に詳しくは、原稿読取装置
の大幅な小型化を可能に１−る密着型従来技術 密着型イメージセンサは集子の大きさが原稿と同一サイ
ズであるため、原稿に密着するかもしくはオゾチカルフ
ァイバアレイ又はレンズアレイ等の光学系による一対一
結１象により原稿像を読取ることを可能とするものであ
る。この方式は結像光路長が短いため、従来のＭＯＳフ
ォトダイオードアレイ或いはＣＣＤイメージセンサに比
べて原稿読取装置の大幅な小型化が達成できる点に大き
な特長を有している。
第１図（ａ） Ｋ従来の密着型イメージセンサの等１＋
ｌＩｉ回路、同図（ｂｌに該イメージセンサの構成な示
−丁拡大平面図並びに同図（ｃ）に垂直断面図を夫々示
す。
ｌＩｉ回路、同図（ｂｌに該イメージセンサの構成な示
−丁拡大平面図並びに同図（ｃ）に垂直断面図を夫々示
す。
第１図（ｃｌにおいて、受光素子はＳ ｅ −Ａ、５−
Ｔｅ或いはａ−８ｉ：Ｈ等の非晶質、又＆ｔ ＣｄＳ
、ＣｄＳｅ等の多結晶の光導電半導体薄膜６の上下をＡ
Ｉ、Ａｕ、Ｃｒ等の導電性薄膜による分割電極２と、Ｓ
ｎＯ，：、 ＩＴＯ等の透明導電性薄膜による連続した
電値４でサンドイッチ状にはさむことによって作られた
もので５ンサＣＤによって表わされ、原稿を解像するの
に必要な密度１、例えば８本／隨で一列に配列されてい
る。
Ｔｅ或いはａ−８ｉ：Ｈ等の非晶質、又＆ｔ ＣｄＳ
、ＣｄＳｅ等の多結晶の光導電半導体薄膜６の上下をＡ
Ｉ、Ａｕ、Ｃｒ等の導電性薄膜による分割電極２と、Ｓ
ｎＯ，：、 ＩＴＯ等の透明導電性薄膜による連続した
電値４でサンドイッチ状にはさむことによって作られた
もので５ンサＣＤによって表わされ、原稿を解像するの
に必要な密度１、例えば８本／隨で一列に配列されてい
る。
受光素子５に入射した光量に応じてコンデンサＣＤに蓄
られた電荷はフォトダイオードＰＤにより放電され、あ
る一定ルｊ間毎にシフトレジスタ６によりＭＯＳトラン
ジス７１１７２１・・・、７ｎを順次０ＮＫｔ、てコン
デンサＣＤを再充電し、その際の電流を信号線８を通じ
℃出力端子９にて検出することにより光↑Ｉ（読出てこ
とができる。
られた電荷はフォトダイオードＰＤにより放電され、あ
る一定ルｊ間毎にシフトレジスタ６によりＭＯＳトラン
ジス７１１７２１・・・、７ｎを順次０ＮＫｔ、てコン
デンサＣＤを再充電し、その際の電流を信号線８を通じ
℃出力端子９にて検出することにより光↑Ｉ（読出てこ
とができる。
上記密着型イメージセンサに於い℃、受光素子５はガラ
ス或いはセラミック等の単一基板１上に蒸着、フォトエ
ツチングプロセス等の方法により形成することが貞ｊ能
であるが、ＭＯＳ）ランジスタフ１７２１・・・、７．
１及びシフトレジスタ６を含む走査回路１０は個別素子
！あるため、上記受光素子５と一体に形成することがｆ
きず、その為、走査回路１０を上記基板１もしくは他の
基板上に７１シントしてワイヤボンディング等の接続手
段１１を用い℃上記受光素子５に接続する必要かある。
ス或いはセラミック等の単一基板１上に蒸着、フォトエ
ツチングプロセス等の方法により形成することが貞ｊ能
であるが、ＭＯＳ）ランジスタフ１７２１・・・、７．
１及びシフトレジスタ６を含む走査回路１０は個別素子
！あるため、上記受光素子５と一体に形成することがｆ
きず、その為、走査回路１０を上記基板１もしくは他の
基板上に７１シントしてワイヤボンディング等の接続手
段１１を用い℃上記受光素子５に接続する必要かある。
上記の如く密着型イメージセンサを構成するためには、
受光素子５から引き出さ」ｔた配線１２をＭＯＳ）ラン
ジスタフ１，７２＋・・・７ｎと接続−できるように引
き回す必要がある。その為実際の配豹１１２の長さは第
１図に示すものと異なってかなりの長さになり、又、信
号線８も数１０センチの長さになって外部から混入して
くるノイズの量が無視でキｔｘい。更に、ＭＯＳ）ラン
ジスタフ１＊７２・・・、７ｎをオン、オフする際にゲ
ートから信号線８に泪れてくるスパイク状のノイズも非
常に犬ぎく、これらノイズが密着型イメージセンサのＳ
Ｎ比を低下させる原因となっている。
受光素子５から引き出さ」ｔた配線１２をＭＯＳ）ラン
ジスタフ１，７２＋・・・７ｎと接続−できるように引
き回す必要がある。その為実際の配豹１１２の長さは第
１図に示すものと異なってかなりの長さになり、又、信
号線８も数１０センチの長さになって外部から混入して
くるノイズの量が無視でキｔｘい。更に、ＭＯＳ）ラン
ジスタフ１＊７２・・・、７ｎをオン、オフする際にゲ
ートから信号線８に泪れてくるスパイク状のノイズも非
常に犬ぎく、これらノイズが密着型イメージセンサのＳ
Ｎ比を低下させる原因となっている。
上記欠点を解消するものとして、ＭＯＳトランジスタに
接続される信号線を２本設け、隣合う複数のＭＯＳ）ラ
ンジスタを上記信号線に交互に接続すると共に、１つの
ＭＯＳ）ランジスタのスイッチングを連続して２度行い
、上記信号法から出力される信号を差動増幅す２．こと
によってＳＮ比の良好な信号を得る方法が既に提案され
ている。
接続される信号線を２本設け、隣合う複数のＭＯＳ）ラ
ンジスタを上記信号線に交互に接続すると共に、１つの
ＭＯＳ）ランジスタのスイッチングを連続して２度行い
、上記信号法から出力される信号を差動増幅す２．こと
によってＳＮ比の良好な信号を得る方法が既に提案され
ている。
紀２図に上記方式の回路図を、第３図にその駆動ノξル
スと出力波形を示す。これらの図面によってこの方式の
動作を説明する。第２図において、信号線として５４．
３５の２本を設け、ＭＯＳ）ランジスタロ２ａ〜ろ２１
のソース４１ａ〜４１ｉは数本（本例）は３本）ずつ交
互に上記信号１＞：ｓａ、６ｓに接続され℃いる。シフ
トレジスタ６６により第６図に示す４０ａ１〜４０．１
の／ｅルス信号を加えることによって信号線３４，３５
には光信号（斜線部）と雑音の混合した信号３４’、３
５’が得られ、両者を第２図の差動増幅器６８により差
動増巾することにより、出力端子６？には第３図に示す
ような光信号のみが分離され、ＳＮ比の良好な出力３９
１が得られる。
スと出力波形を示す。これらの図面によってこの方式の
動作を説明する。第２図において、信号線として５４．
３５の２本を設け、ＭＯＳ）ランジスタロ２ａ〜ろ２１
のソース４１ａ〜４１ｉは数本（本例）は３本）ずつ交
互に上記信号１＞：ｓａ、６ｓに接続され℃いる。シフ
トレジスタ６６により第６図に示す４０ａ１〜４０．１
の／ｅルス信号を加えることによって信号線３４，３５
には光信号（斜線部）と雑音の混合した信号３４’、３
５’が得られ、両者を第２図の差動増幅器６８により差
動増巾することにより、出力端子６？には第３図に示す
ような光信号のみが分離され、ＳＮ比の良好な出力３９
１が得られる。
この方式では、ＭＯＳ）ランジスタロ２ａ〜６２ ｉＶ
ｃより発生するノイズの量が各トランジスタについて一
様な場合非常に有効であるが、発生ノイズに大きなバラ
ツキが有るとノイズな完全に消し去ることができず、高
いｓＮｖｍようとする場合に問題があった。
ｃより発生するノイズの量が各トランジスタについて一
様な場合非常に有効であるが、発生ノイズに大きなバラ
ツキが有るとノイズな完全に消し去ることができず、高
いｓＮｖｍようとする場合に問題があった。
本発明の目的は、ファクシミリ等の原稿読取装置におけ
る従来技術の問題・欠点を排除し、ノイズの消去が充分
よ（行われかつ高いＳＮ比を得ることを可能にするｌ［
規な雑音低減化方式を提供することにある。
る従来技術の問題・欠点を排除し、ノイズの消去が充分
よ（行われかつ高いＳＮ比を得ることを可能にするｌ［
規な雑音低減化方式を提供することにある。
発明の構成
本発明の上記目的は、信号線を２本設けかつＭＯＳ）ラ
ンジスタによるノイズを同一のＭＯＳトランジスタによ
ってキャンセルすることによって達成される。
ンジスタによるノイズを同一のＭＯＳトランジスタによ
ってキャンセルすることによって達成される。
すなわち本発明は、受光素子の信号をスイッチングによ
り読取るＭＯＳ）ランジスタの出力を複数の信号線に振
り分けかつ該ＭＱｓ）ランジスタのスイッチングを継続
して２度行って上記信号線に得られる出力を該ＭＯ８）
ランソスクにより制御される切換スイッチにより複数の
信号に分離した後、該複数の信号Ｅ差励増１１】シ七画
イδ号とする事を特徴とする原稿読取装置により達成さ
れる。
り読取るＭＯＳ）ランジスタの出力を複数の信号線に振
り分けかつ該ＭＱｓ）ランジスタのスイッチングを継続
して２度行って上記信号線に得られる出力を該ＭＯ８）
ランソスクにより制御される切換スイッチにより複数の
信号に分離した後、該複数の信号Ｅ差励増１１】シ七画
イδ号とする事を特徴とする原稿読取装置により達成さ
れる。
実施例
本発明の一実施例を第４図の回路図に従って説明する。
本発明による原稿読取装置４の回路構成は、制御線５１
ａ〜５１ｈを介してシフトレジスタ５０とゲートを接続
した複数のＭＯＳ）ランジスタ５２ａ〜５２ｈが１つお
きにソースを信号＄ｊ１５ｉｓ、５４と′Ｊ＆続し℃な
るものｆある。なお、本実施例ｆは８個の受光素子５５
ａ〜５５ｈが設けられている。上記信号線５６゜５４に
生じる２つの出力信号ｄ増ＩＪ器５６．５７によりそれ
ぞ１増ｌ］された後、１つは切換スイッチ５Ｂ及び２つ
のサンプル・ホールド回路５９゜６０を経由して差動増
ｌ〕器６１に、他の１つは切換スイッチ６２を経て上記
差動増ｌコ器６１に入力され１おり、差勧増中器６１の
出力はスイッチ６６に接続されて出力端子６８に出力さ
れている。上記切換スイッチ５８．６２及びスイッチ６
６は入力６５．６７により制御され、それを構成１−る
ＭＯＳ）ランジスタのゲートが”Ｈｉｇｈ″レベルのと
きオン状態となる。また、２つのサンプル・ホールド回
路５９．６０は入力６４．６５により制御され、入力が
”Ｈｉｇｈ”レベルのときサンプル状態、入力が″ＬＯ
Ｗ″レベルのときホールド状態をとる。
ａ〜５１ｈを介してシフトレジスタ５０とゲートを接続
した複数のＭＯＳ）ランジスタ５２ａ〜５２ｈが１つお
きにソースを信号＄ｊ１５ｉｓ、５４と′Ｊ＆続し℃な
るものｆある。なお、本実施例ｆは８個の受光素子５５
ａ〜５５ｈが設けられている。上記信号線５６゜５４に
生じる２つの出力信号ｄ増ＩＪ器５６．５７によりそれ
ぞ１増ｌ］された後、１つは切換スイッチ５Ｂ及び２つ
のサンプル・ホールド回路５９゜６０を経由して差動増
ｌ〕器６１に、他の１つは切換スイッチ６２を経て上記
差動増ｌコ器６１に入力され１おり、差勧増中器６１の
出力はスイッチ６６に接続されて出力端子６８に出力さ
れている。上記切換スイッチ５８．６２及びスイッチ６
６は入力６５．６７により制御され、それを構成１−る
ＭＯＳ）ランジスタのゲートが”Ｈｉｇｈ″レベルのと
きオン状態となる。また、２つのサンプル・ホールド回
路５９．６０は入力６４．６５により制御され、入力が
”Ｈｉｇｈ”レベルのときサンプル状態、入力が″ＬＯ
Ｗ″レベルのときホールド状態をとる。
次に第４図に示した回路の動作原理を第５図のタイミン
グチャートに従い説明する。シフトレジスタ５０は人力
データとクロックが与えられて動作し、制御線ｓｉａ〜
５１ｈに信号５１ ａ？−５１１，１がＩ：Ｆｉ次全発
生る。上記信号５１ａ１〜５１ｈｌはそれぞれ連続する
２つのパルスよりなり、その各々を前後の！Ｕ！Ｉ御線
の、ｅルスと重なるように発生させる。その結果、増巾
器５６．６７の出力とし′″’（５６’、５７’に示す
様な光４ｒ３号成分（図中、斜線部で示す。）と雑音の
混合したＳＮ比の低い信号がイ１られる。次に、切換ス
イッチ５８．６２の入力６３に、ａルス信号６６１を加
えることにより、該切換スイッチ５８゜６２０出力は光
信号と雑音の混ざったイム号５８１と、雑音のみの信号
６２１に分離仕置さハる。又、サンプル・ホールド回路
５９．６０の入力６４．６５に夫々一定の・にルス信号
６４’、６５’を加えることにより切換スイッチ５８の
出力はサンプル・ホールｒされて各々信号６９’、６０
’に示すものとなる。
グチャートに従い説明する。シフトレジスタ５０は人力
データとクロックが与えられて動作し、制御線ｓｉａ〜
５１ｈに信号５１ ａ？−５１１，１がＩ：Ｆｉ次全発
生る。上記信号５１ａ１〜５１ｈｌはそれぞれ連続する
２つのパルスよりなり、その各々を前後の！Ｕ！Ｉ御線
の、ｅルスと重なるように発生させる。その結果、増巾
器５６．６７の出力とし′″’（５６’、５７’に示す
様な光４ｒ３号成分（図中、斜線部で示す。）と雑音の
混合したＳＮ比の低い信号がイ１られる。次に、切換ス
イッチ５８．６２の入力６３に、ａルス信号６６１を加
えることにより、該切換スイッチ５８゜６２０出力は光
信号と雑音の混ざったイム号５８１と、雑音のみの信号
６２１に分離仕置さハる。又、サンプル・ホールド回路
５９．６０の入力６４．６５に夫々一定の・にルス信号
６４’、６５’を加えることにより切換スイッチ５８の
出力はサンプル・ホールｒされて各々信号６９’、６０
’に示すものとなる。
この様にして得られた終端側のサンプル・ホールド回路
６０の出力信号６０′と、サンプル・ホールド回路５９
．６０を経由しない切換スイッチ６２の出力信号６２°
を差動増ｌ］器６１に入力して差動−！−ると、光イど
号とり（シ刊の混在した信号６１′が得られる。スイッ
チ６６０入力６７に初めのサンプルホールド回路５９の
入力６４と同期する・ξルス信号６７′を加えると出力
端子６８には雑）ｌ−が除去され′″Ｃ８Ｎ比の非常に
良好な出力信号６８１が侶られる。
６０の出力信号６０′と、サンプル・ホールド回路５９
．６０を経由しない切換スイッチ６２の出力信号６２°
を差動増ｌ］器６１に入力して差動−！−ると、光イど
号とり（シ刊の混在した信号６１′が得られる。スイッ
チ６６０入力６７に初めのサンプルホールド回路５９の
入力６４と同期する・ξルス信号６７′を加えると出力
端子６８には雑）ｌ−が除去され′″Ｃ８Ｎ比の非常に
良好な出力信号６８１が侶られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＭＯＳ）ランジスタによ
り発生するノイズの量にノ々ラッキが有ってもＳＮ比の
良好な信号を得ることができる。更に、信号線を２本設
けて隣合う受光素子のＭＯＳトランジスタを該イｕ＠線
に交互に接続し、かつ連続する２度のスイッチング（信
号５１ａ、〜５１１＋ １が２つの・ｔルスからなるこ
と）を相互にオーパラツゾさせて行なうことによって、
全素子を走査する時間が損われることなく読取りを行う
ことができる。
り発生するノイズの量にノ々ラッキが有ってもＳＮ比の
良好な信号を得ることができる。更に、信号線を２本設
けて隣合う受光素子のＭＯＳトランジスタを該イｕ＠線
に交互に接続し、かつ連続する２度のスイッチング（信
号５１ａ、〜５１１＋ １が２つの・ｔルスからなるこ
と）を相互にオーパラツゾさせて行なうことによって、
全素子を走査する時間が損われることなく読取りを行う
ことができる。
尚、信号線を１本にして上記と同じ方法を実椎すること
も考慮されるが、この様に設けた場合、全体の走査時間
が倍になり好市しくない。
も考慮されるが、この様に設けた場合、全体の走査時間
が倍になり好市しくない。
以上詳述した如く本発明にあっては原稿読取装置の雑音
低減化と共に、小型化及び高性能化に大きく寄与するも
のである。
低減化と共に、小型化及び高性能化に大きく寄与するも
のである。
第１図（ａ） ＋ （ｂ）および（Ｃ）は従来のＭ着型
イメージセンサの回路図及び構成図、第２図は雑音低減
化の為に改良された従来の密着型イメージセンサの回路
図、第６図は第２図に示し７た従来の密着型イメージセ
ンサのタイミングチャート図、第４図は本発明による密
着型イメージセンサの回路図、ａ）５図は第４図に示し
た本発明の回路のΦｂ作を説明する夕１ミングチャート
および、これに対応する出力信号波形図である。 図中符号； ５０・・・シフトレジスタ ５１ａ〜５１１．・・・１
［す動線５２ａ〜５２ｈ ・・・ＭＯＳ）ランジスタ５
３ 、５４・・・信号線 ５５ａ〜５５１．・・・受光
素子５６ 、５７・・・増巾器 ５８ 、６２・・・切
換スイッチ５９ 、６０・・・サンプル・ホール１回路
６１・・・差動増巾器 ６６・・・スイッチ ６８・・・出力端子（ほか３名） 第 １ 図 （ａ） た」
イメージセンサの回路図及び構成図、第２図は雑音低減
化の為に改良された従来の密着型イメージセンサの回路
図、第６図は第２図に示し７た従来の密着型イメージセ
ンサのタイミングチャート図、第４図は本発明による密
着型イメージセンサの回路図、ａ）５図は第４図に示し
た本発明の回路のΦｂ作を説明する夕１ミングチャート
および、これに対応する出力信号波形図である。 図中符号； ５０・・・シフトレジスタ ５１ａ〜５１１．・・・１
［す動線５２ａ〜５２ｈ ・・・ＭＯＳ）ランジスタ５
３ 、５４・・・信号線 ５５ａ〜５５１．・・・受光
素子５６ 、５７・・・増巾器 ５８ 、６２・・・切
換スイッチ５９ 、６０・・・サンプル・ホール１回路
６１・・・差動増巾器 ６６・・・スイッチ ６８・・・出力端子（ほか３名） 第 １ 図 （ａ） た」
Claims (1)
- 基板上ＶＣ複数の下層電極を設け、該下層電極上に逐次
光導電体及び透明導電性上層電極を設けてなる原稿読取
装置に於いて、受光素子の信号をスイッチングにより読
取るＭＯＳ）ランジスタの出力を複数の信号線に撮り分
けかつ該ＭＯ８）シンジスタのスイッチングを継続して
２度行って上記信号線に得られる出力を該ＭＯＳトラン
ジスタにより制御される切換スイッチにより複数の１可
号に分離した後、該複数の信号を差動増１９ して画信
号とする事を特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204736A JPS6097765A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204736A JPS6097765A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097765A true JPS6097765A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16495458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204736A Pending JPS6097765A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097765A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112525A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204736A patent/JPS6097765A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112525A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
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