JPS6110236A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6110236A JPS6110236A JP59131705A JP13170584A JPS6110236A JP S6110236 A JPS6110236 A JP S6110236A JP 59131705 A JP59131705 A JP 59131705A JP 13170584 A JP13170584 A JP 13170584A JP S6110236 A JPS6110236 A JP S6110236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- chip
- model
- mark
- drift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特にチップの直接
露光に際して露光中に経時的に生ずる露光位置のずれを
予め補正する機能を備える可変整形ビーム方式の電子ビ
ーム露光方法に関する。
露光に際して露光中に経時的に生ずる露光位置のずれを
予め補正する機能を備える可変整形ビーム方式の電子ビ
ーム露光方法に関する。
半導体集積回路では高集積化が進むに伴って、パターン
幅がサブミクロン領域にまで微細化されつつある。
幅がサブミクロン領域にまで微細化されつつある。
かかる状況において従来主として用いられていた光によ
る露光技術は、その波長（約０．５μｍ）の制約によっ
て実用的でなくなり、最近では理想的な状態で０．１μ
ｍ程度のパターン精度が得られる電子ビームによる直接
露光技術が多く用いられるようになって来た。
る露光技術は、その波長（約０．５μｍ）の制約によっ
て実用的でなくなり、最近では理想的な状態で０．１μ
ｍ程度のパターン精度が得られる電子ビームによる直接
露光技術が多く用いられるようになって来た。
電子ビームによる直接露光技術において、スループット
の面で光露光に充分太刀打ち出来る方法として現在量も
実用されているのは、可変整形ビーム方式の電子ビーム
露光方法である。
の面で光露光に充分太刀打ち出来る方法として現在量も
実用されているのは、可変整形ビーム方式の電子ビーム
露光方法である。
上記のように理想的には極めて高精度が得られる特徴を
持つ電子ビーム露光方法においても、装置の種々な使用
条件により上記精度を確保することは困難であり、可能
な限り上記パターン精度に近づけることが、ＭＩＬＳＩ
等の極度に微細化された半導体集積回路を製造する際に
は強く要望される。
持つ電子ビーム露光方法においても、装置の種々な使用
条件により上記精度を確保することは困難であり、可能
な限り上記パターン精度に近づけることが、ＭＩＬＳＩ
等の極度に微細化された半導体集積回路を製造する際に
は強く要望される。
第３図は上記のように最も多用されている可変整形ビー
ム方式の電子ビーム露光方法に用いられる装置、即ち可
変整形電子ビーム露光装置の一例２は電子ビームを遮断
するためのビームブランキング電極、３はビームを収束
させる照明レンズ、４は第１のアパーチャ（ビーム制限
アパーチャ）、５は制限されたビームを偏向させる可変
整形デフレクタ、６は偏向された制限ビームを第２のア
バーチャ上に投影する投影レンズ、７は第２のアパーチ
ャ（ビーム整形アパーチャ）、８は縮小レンズ、９はボ
ケ補正コイル、１０は第１のアパーチャと第２のアパー
チャによって所定の矩形形状に整形され縮小レンズによ
り縮小されボケ補正のなされた電子ビームを被露光基板
上に投影する投影レンズ、１１は該電子ビームの照射位
置を所定の位置に偏向するメイン・デフレクションコイ
ル、１２は該偏向位置を精密に調整するサブ・デフレク
タ、１３はチップ位置合わせの際にマーク位置における
反射電子（二次電子を含む）の変化量を検出する反射電
子検出器、１４は被露光半導体基板、１５は露光フィー
ルドを移動するためのＸ−Ｙステージ、ＥＢは電子ビー
ムを示す。
ム方式の電子ビーム露光方法に用いられる装置、即ち可
変整形電子ビーム露光装置の一例２は電子ビームを遮断
するためのビームブランキング電極、３はビームを収束
させる照明レンズ、４は第１のアパーチャ（ビーム制限
アパーチャ）、５は制限されたビームを偏向させる可変
整形デフレクタ、６は偏向された制限ビームを第２のア
バーチャ上に投影する投影レンズ、７は第２のアパーチ
ャ（ビーム整形アパーチャ）、８は縮小レンズ、９はボ
ケ補正コイル、１０は第１のアパーチャと第２のアパー
チャによって所定の矩形形状に整形され縮小レンズによ
り縮小されボケ補正のなされた電子ビームを被露光基板
上に投影する投影レンズ、１１は該電子ビームの照射位
置を所定の位置に偏向するメイン・デフレクションコイ
ル、１２は該偏向位置を精密に調整するサブ・デフレク
タ、１３はチップ位置合わせの際にマーク位置における
反射電子（二次電子を含む）の変化量を検出する反射電
子検出器、１４は被露光半導体基板、１５は露光フィー
ルドを移動するためのＸ−Ｙステージ、ＥＢは電子ビー
ムを示す。
従来上記電子ビーム露光装置を用いてチップの実露光を
行うに際してはＸ−Ｙステージ１５上に被露光半導体基
板１４をセットし、該ステージを所定の位置に固定した
状態において、例えば少なくともチップの四隅に形成さ
れている位置合わせマーク上を電子ビームで走査しマー
ク位置を前記反射電子検出器によって検出し、該検出マ
ーク位置を基準にし、原パターンデータを用いて所定の
リズム（時間及び偏向速度）によって実露光がなされて
いた。
行うに際してはＸ−Ｙステージ１５上に被露光半導体基
板１４をセットし、該ステージを所定の位置に固定した
状態において、例えば少なくともチップの四隅に形成さ
れている位置合わせマーク上を電子ビームで走査しマー
ク位置を前記反射電子検出器によって検出し、該検出マ
ーク位置を基準にし、原パターンデータを用いて所定の
リズム（時間及び偏向速度）によって実露光がなされて
いた。
第４図は上記従来の露光方法のタイムチャートを示した
もので、図中、ｅＶは電子ビーム強度、【は時間、４８
０はチップ位置合わせ動作（時間）領域、ＥχＰは所定
のリズムによる実露光動作領域、ｍ−３Ｌはステージ移
動動作領域を表している。
もので、図中、ｅＶは電子ビーム強度、【は時間、４８
０はチップ位置合わせ動作（時間）領域、ＥχＰは所定
のリズムによる実露光動作領域、ｍ−３Ｌはステージ移
動動作領域を表している。
通常偏向範囲（フィールド）は１０龍口程度（１〜４チ
ツプが収まる大きさ）で、整形ビームの大きさは２〜４
μｍ口程度である。
ツプが収まる大きさ）で、整形ビームの大きさは２〜４
μｍ口程度である。
然しなから上記のように実露光の前にチップの位置合わ
せのみを行い、原パターンデータを用いてチップの実露
光を行う従来の方法においては、実露光を行った際にチ
ップ露光の進行に伴い次第に露光位置に大きなズレ（変
位）を生ずるという問題があった。
せのみを行い、原パターンデータを用いてチップの実露
光を行う従来の方法においては、実露光を行った際にチ
ップ露光の進行に伴い次第に露光位置に大きなズレ（変
位）を生ずるという問題があった。
この位置ズレは、
（１）露光装置のコラム部品に付着したレジスト。
オイル等の有機物上へのチャーシア・７プ、（２）被露
光基板上に被着されているレジストのチャージアップ、 （３）メインデフレクタ・アンプの温度上昇による熱的
なドリフト、 （４）メインデフレクク近傍の磁性体のヒステリシス、 等の綜合された効果によって生ずるものであり、その位
置ズレは第５図に示すようになる。
光基板上に被着されているレジストのチャージアップ、 （３）メインデフレクタ・アンプの温度上昇による熱的
なドリフト、 （４）メインデフレクク近傍の磁性体のヒステリシス、 等の綜合された効果によって生ずるものであり、その位
置ズレは第５図に示すようになる。
第５図において、（ａｌはフィールド内各点ＰのＹ方向
へのズレの大きさを矢印ｄで示す平面図、（ｂｌは露光
時間ｔの経過と上記Ｐ点のＹ方向のズレ量ΔＹとの関係
を示す図である。
へのズレの大きさを矢印ｄで示す平面図、（ｂｌは露光
時間ｔの経過と上記Ｐ点のＹ方向のズレ量ΔＹとの関係
を示す図である。
このような位置ズレがＸ方向にも生ずるので露光される
チ・７プ形状は同図（ｃ）の平面図に鎖線Ｃ゛で示すよ
うに変形拡大する。
チ・７プ形状は同図（ｃ）の平面図に鎖線Ｃ゛で示すよ
うに変形拡大する。
そこで従来は上記位置ズレを小さく抑えるために、前記
（１）〜（４）等の原因を取り除く手段が種々講じられ
ているが、これらの手段により上記原因を完全に除くこ
とは極めて困難であり、０．３〜０．５μｍ程度の位置
ズレは避は得なかった。
（１）〜（４）等の原因を取り除く手段が種々講じられ
ているが、これらの手段により上記原因を完全に除くこ
とは極めて困難であり、０．３〜０．５μｍ程度の位置
ズレは避は得なかった。
本発明は上記従来の問題点を解決し、チップの実露光に
際しての位置ズレをサブミクロン・パターン形成の際に
必要な０．１μｍ程度に抑えることが可能な、可変整形
ビーム方式の電子ビーム露光方法を提供する目的でなさ
れたものである。
際しての位置ズレをサブミクロン・パターン形成の際に
必要な０．１μｍ程度に抑えることが可能な、可変整形
ビーム方式の電子ビーム露光方法を提供する目的でなさ
れたものである。
（問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、実露光と全く同じ原パターン−クを用い
実露光と同じタイミング及び径路でチップのモデル露光
を行い、且つ該モデル露光の途中の所定の位置において
一時的に該モデル露光を中断してマークの位置検出を行
い、該マーク位置検出データと原マーク位置データとの
差からビーム偏向量に加算補正すべき偏向量を算出して
ビーム偏向量を補正し、該補正されたビーム偏向データ
によってチップの実露光を行う本発明による可変整形ビ
ーム方式の電子ビーム露光方法により解決される。
実露光と同じタイミング及び径路でチップのモデル露光
を行い、且つ該モデル露光の途中の所定の位置において
一時的に該モデル露光を中断してマークの位置検出を行
い、該マーク位置検出データと原マーク位置データとの
差からビーム偏向量に加算補正すべき偏向量を算出して
ビーム偏向量を補正し、該補正されたビーム偏向データ
によってチップの実露光を行う本発明による可変整形ビ
ーム方式の電子ビーム露光方法により解決される。
〔作用〕、
即ち本発明の方法は、実露光基板と類似で、且つ正確な
単数若しくは複数位置に所定のドリフトキャリブレーシ
ョン用マークが形成されているチップ領域を有するモデ
ル基板を用い、該モデル基板のチップ領域上に実露光と
全く同じ原パターンデータを用いて実露光と等しいタイ
ミング及び偏向径路を有する露光リズムでチップのモデ
ル露光を行い、電子ビームが第１のドリフトキャリブレ
ーション用マークに達した時点で一時モデル露光を中断
し、該電子ビームの走査により該第１のドリフトキャリ
ブレーション用マーク位置の検出を行い、次いで再び実
露光のリズムによるモデル露光を継続し、該電子ビーム
が第２のドリフトキャリブレーション用マークに達した
時点で再びモデル露光を中断して該電子ビームの走査に
より該第２のドリフトキャリブレーション用マークの位
置検出を行う。そして第３．第４とドリフトキャリブレ
ーション用マークの数だけ上記動作が繰り返し継続され
、これによって得られたドリフトキャリブレーション用
マークの位置データと原マーク位置データとの差からビ
ーム偏向量に加算補正すべき偏向量を算出し、該補正さ
れた偏向データによってビーム偏向量の補正を行いつつ
実露光基板に対するチップの実露光を行う。
単数若しくは複数位置に所定のドリフトキャリブレーシ
ョン用マークが形成されているチップ領域を有するモデ
ル基板を用い、該モデル基板のチップ領域上に実露光と
全く同じ原パターンデータを用いて実露光と等しいタイ
ミング及び偏向径路を有する露光リズムでチップのモデ
ル露光を行い、電子ビームが第１のドリフトキャリブレ
ーション用マークに達した時点で一時モデル露光を中断
し、該電子ビームの走査により該第１のドリフトキャリ
ブレーション用マーク位置の検出を行い、次いで再び実
露光のリズムによるモデル露光を継続し、該電子ビーム
が第２のドリフトキャリブレーション用マークに達した
時点で再びモデル露光を中断して該電子ビームの走査に
より該第２のドリフトキャリブレーション用マークの位
置検出を行う。そして第３．第４とドリフトキャリブレ
ーション用マークの数だけ上記動作が繰り返し継続され
、これによって得られたドリフトキャリブレーション用
マークの位置データと原マーク位置データとの差からビ
ーム偏向量に加算補正すべき偏向量を算出し、該補正さ
れた偏向データによってビーム偏向量の補正を行いつつ
実露光基板に対するチップの実露光を行う。
かくすることによって、チップの実露光に際しての露光
開始からの時間経過によって生ずるビームの位置ズレ（
ビームドリフト）、及び露光位置との相関によって生ず
るビームドリフトは共に補正されるので、精度の高いパ
ターン描画がなされ〔実施例〕 以下本発明の方法を１１図を用い実施例により具体的に
説明する。
開始からの時間経過によって生ずるビームの位置ズレ（
ビームドリフト）、及び露光位置との相関によって生ず
るビームドリフトは共に補正されるので、精度の高いパ
ターン描画がなされ〔実施例〕 以下本発明の方法を１１図を用い実施例により具体的に
説明する。
第１図はモデル露光動作の一実施例を示すチップの模式
平面図ｔａ＋及びタイムチャート図ｆｂ）で、第２図は
モデル露光の他の一実施例を示すタイムチャート図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
平面図ｔａ＋及びタイムチャート図ｆｂ）で、第２図は
モデル露光の他の一実施例を示すタイムチャート図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
本発明の方法においては、実露光を行う被露光基板と類
似のモデル基板、例えばシリコン基板上にレジスト膜が
被着されているモデル基板上に、前述したようにチップ
の原パターンデータを用い実露光と同じ露光リズムでモ
デル露光を行い、該モデル露光の途中に設けられたドリ
フトキャリブレーション用マークの位置を検出すること
によって得られた偏向補正量によって、原パターンデー
タのビーム偏向量の補正を行いつつ、実際の被露光基板
に対しての実露光が行われる。
似のモデル基板、例えばシリコン基板上にレジスト膜が
被着されているモデル基板上に、前述したようにチップ
の原パターンデータを用い実露光と同じ露光リズムでモ
デル露光を行い、該モデル露光の途中に設けられたドリ
フトキャリブレーション用マークの位置を検出すること
によって得られた偏向補正量によって、原パターンデー
タのビーム偏向量の補正を行いつつ、実際の被露光基板
に対しての実露光が行われる。
次ぎに本発明が特徴とするモデル露光方法を、実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
モデル露光を行う被露光基板には例えば第１図（ａｌに
示すように、チップ領域Ｃのコーナ近傍に４個のチップ
位置決め用マークＭｌ、 Ｍ２． Ｍ３． Ｍ４が、更
にチップ領域Ｃの内部に２個のドリフトキャリブレーシ
ョン（変位補正）用マーク！’１５．Ｍ６が配設される
。
示すように、チップ領域Ｃのコーナ近傍に４個のチップ
位置決め用マークＭｌ、 Ｍ２． Ｍ３． Ｍ４が、更
にチップ領域Ｃの内部に２個のドリフトキャリブレーシ
ョン（変位補正）用マーク！’１５．Ｍ６が配設される
。
そしてモデル露光に際しては、実露光の場合と同様、ビ
ーム走査により先ずマーク旧、Ｍ２．Ｍ３．Ｍ４の位置
を検出しチップの位置決めを行う。
ーム走査により先ずマーク旧、Ｍ２．Ｍ３．Ｍ４の位置
を検出しチップの位置決めを行う。
次いでチップの原パターンデータにより実露光と全く同
じリズムによりドリフトキャリブレーション用マークＭ
５の手前迄の領域ａ１のパターン露光操作を行う。
じリズムによりドリフトキャリブレーション用マークＭ
５の手前迄の領域ａ１のパターン露光操作を行う。
上記ドリフトキャリブレーション用マーク門５の手前で
パターン露光操作を中断し、続いて該マーク上をビーム
走査してドリフトキャリブレーション用マークＭ５の位
置を検出する。
パターン露光操作を中断し、続いて該マーク上をビーム
走査してドリフトキャリブレーション用マークＭ５の位
置を検出する。
マークｉ５の検出を終わったならば、引き続いて該マー
クＭ５以後の実露光と同じリズムによるパタ−ン露光操
作をドリフトキャリブレーション用マークＭ６の手前ま
で継続する。この領域をａ２で表しである。
クＭ５以後の実露光と同じリズムによるパタ−ン露光操
作をドリフトキャリブレーション用マークＭ６の手前ま
で継続する。この領域をａ２で表しである。
次いで前記同様の方法でドリフトキャリブレーション用
マークＭ６の位置検出を行い、引き続いて残る領域ａ、
の実露光リズムによるパターン露光操作を行う。なおこ
のａｓＳＭ域（残る領域）のパターン露光操作は省略し
ても差支えない。
マークＭ６の位置検出を行い、引き続いて残る領域ａ、
の実露光リズムによるパターン露光操作を行う。なおこ
のａｓＳＭ域（残る領域）のパターン露光操作は省略し
ても差支えない。
第１図（ｂ）は上記モデル露光のタイムチャートを示す
もので、図中、ｅＶは電子ビームの強度、ｔは時間、ｍ
ｓｔはステージ移動動作領域、４ＷＤはＭ１〜ｉ４のマ
ークを検出するチップ位置決め動作領域、ＥχＰ、、
ＥＸＰ！、 ＥχＰ、はそれぞれ前記ａＩ＋ ” ２．
ａ３に対応する実露光リズムによるパターン露光動作領
域、ＭＤＳ及びＭＤ６はドリフトキャリブレーション用
マークｉ５及び肚の検出動作領域を表している。
もので、図中、ｅＶは電子ビームの強度、ｔは時間、ｍ
ｓｔはステージ移動動作領域、４ＷＤはＭ１〜ｉ４のマ
ークを検出するチップ位置決め動作領域、ＥχＰ、、
ＥＸＰ！、 ＥχＰ、はそれぞれ前記ａＩ＋ ” ２．
ａ３に対応する実露光リズムによるパターン露光動作領
域、ＭＤＳ及びＭＤ６はドリフトキャリブレーション用
マークｉ５及び肚の検出動作領域を表している。
上記実施例は検出マークの少ない場合の一例を示したも
のであるが、露光精度を更に向上せしめる為に多数個の
トリストキャリブレーション用マークを設けることがあ
る。
のであるが、露光精度を更に向上せしめる為に多数個の
トリストキャリブレーション用マークを設けることがあ
る。
このような場合は実露光に相当するパターン露光のリズ
ムが狂わされるので、ドリフトキャリブレーション用マ
ークの検出を複数回のモデル露光に分けて行い、モデル
露光のリズムが可能な限り実露光リズムに近づけられる
。
ムが狂わされるので、ドリフトキャリブレーション用マ
ークの検出を複数回のモデル露光に分けて行い、モデル
露光のリズムが可能な限り実露光リズムに近づけられる
。
第２図は上記複数回に分けて行うモデル露光方法におけ
る一実施例のタイムチャートを示したものである。
る一実施例のタイムチャートを示したものである。
此の方法においては、例えば第１のモデル露光ＭＥ、に
おいて第１のドリフトキャリブレーション用マークまで
実露光リズムによるパターン露光動作ＥＸＰ＋＋を行っ
た酸第１のドリフトキャリブレーション用マークの検出
動作ＭＤＩ、を行い、第２のモデル露光ＭＥ、において
第２のドリフトキャリブレーション用マーク迄続けてパ
ターン露光動作ＥＸｈ＋を行った酸第２のドリフトキャ
リブレーション用マークの検出動作ＭＤＺ□を行い、第
３のモデル露光ＭＥ、において第３のドリフトキャリブ
レーション用マーク迄続けてパターン露光動作ＥＸＰ３
＋を行った酸第３のドリフトキャリブレーション用マー
クの検出動作ＭＤｓｓを行う。なお図中ＥＸＰＩ２．
ＥＸＰ２ｚ、ＥＸＰ３ｚは残ったパターン露光動作の領
域を表している。このＥＸＰ＋ｚ、 ［１Ｘｈｚ、 Ｅ
ＸＰ３ｚは行わなくても良い。
おいて第１のドリフトキャリブレーション用マークまで
実露光リズムによるパターン露光動作ＥＸＰ＋＋を行っ
た酸第１のドリフトキャリブレーション用マークの検出
動作ＭＤＩ、を行い、第２のモデル露光ＭＥ、において
第２のドリフトキャリブレーション用マーク迄続けてパ
ターン露光動作ＥＸｈ＋を行った酸第２のドリフトキャ
リブレーション用マークの検出動作ＭＤＺ□を行い、第
３のモデル露光ＭＥ、において第３のドリフトキャリブ
レーション用マーク迄続けてパターン露光動作ＥＸＰ３
＋を行った酸第３のドリフトキャリブレーション用マー
クの検出動作ＭＤｓｓを行う。なお図中ＥＸＰＩ２．
ＥＸＰ２ｚ、ＥＸＰ３ｚは残ったパターン露光動作の領
域を表している。このＥＸＰ＋ｚ、 ［１Ｘｈｚ、 Ｅ
ＸＰ３ｚは行わなくても良い。
以上実施例に示すモデル露光方法によりドリフトキャリ
ブレーション用マークの位置を検出して得られた該マー
ク位置のビーム偏向データは、実露光に際して該マーク
に相当する位置にビームを照射する際のビーム偏向デー
タと略等しいデータとなる。
ブレーション用マークの位置を検出して得られた該マー
ク位置のビーム偏向データは、実露光に際して該マーク
に相当する位置にビームを照射する際のビーム偏向デー
タと略等しいデータとなる。
従って、該ビーム偏向データとドリフトキャリブレーシ
ョン用マークの原パターンデータとから電子ビーム露光
装置が具備するコンピュータによって加算補正すべき補
正偏向データを算出し、該補正偏向データによって原パ
ターンデータの偏向データを補正しつつチップの実露光
を行うことによって、パターンの露光精度は大幅に向上
し０．１μｍ程度の露光精度が得られる。
ョン用マークの原パターンデータとから電子ビーム露光
装置が具備するコンピュータによって加算補正すべき補
正偏向データを算出し、該補正偏向データによって原パ
ターンデータの偏向データを補正しつつチップの実露光
を行うことによって、パターンの露光精度は大幅に向上
し０．１μｍ程度の露光精度が得られる。
以上説明したように本発明の電子ビーム露光方法によれ
ば、チップ実露光中に生ずるビームドリフト量を予め実
露光と同じ露光リズムで行われるモデル露光中のドリフ
トキャリブレーション用マーク検出によって求めたビー
ムドリフト量によって補正して実露光がなされるので、
実露光に際しての露光精度が大幅に向上する。
ば、チップ実露光中に生ずるビームドリフト量を予め実
露光と同じ露光リズムで行われるモデル露光中のドリフ
トキャリブレーション用マーク検出によって求めたビー
ムドリフト量によって補正して実露光がなされるので、
実露光に際しての露光精度が大幅に向上する。
従って本発明はサブミクロンパターンを有する超ＬＳＩ
等の製造に極めて有効である。
等の製造に極めて有効である。
第１図は本発明の電子ビーム露光方法におけるモデル露
光動作の一実施例を示す千ノブの模式平面図（ａｌ及び
タイムチャート図（ｂｌ、第２図はモデル露光の他の一
実施例を示すタイムチャート図、 第３図は可変整形電子ビーム露光装置の一例を示す模式
断面図、 第４図は従来の露光方法のタイムチャート図、第５図は
従来方法におけるフィールド内各点のＹ方向へのズレの
大きさを示す平面図（ａ）、露光時間の経過と上記各点
のＹ方向のズレ量ΔＹとの関係を示す図（ｂｌ、 及びチップ形状の変形状態を示す平面図ｆｃｌである。 図において、 Ｃはチップ領域、 Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３．Ｍ４はチップ位置決め用マーク、Ｍ
５．Ｍ６はドリフトキャリブレーション用マーク、ｅＶ
は電子ビームの強度、 ｔは時間、 ｍＳｔはステージ移動動作領域、 １１ＭＤは旧〜−４のマークを検出するチップ位置決め
動作傾城、 ＥＸＰ、、 ＥＸＰ、、ｌ１ＸＰ、は実露光リズムによ
りパターン露光動作領域、 ＭＤＳ及びＭＤａはドリフトキャリブレーション用マー
クＭ５及びＭ６の検出動作領域 を示す。 第１ 因 ネ２＠ 一−−−−−−−−２ 草３ 図 草４図 草Ｓ 図 一一一−２
光動作の一実施例を示す千ノブの模式平面図（ａｌ及び
タイムチャート図（ｂｌ、第２図はモデル露光の他の一
実施例を示すタイムチャート図、 第３図は可変整形電子ビーム露光装置の一例を示す模式
断面図、 第４図は従来の露光方法のタイムチャート図、第５図は
従来方法におけるフィールド内各点のＹ方向へのズレの
大きさを示す平面図（ａ）、露光時間の経過と上記各点
のＹ方向のズレ量ΔＹとの関係を示す図（ｂｌ、 及びチップ形状の変形状態を示す平面図ｆｃｌである。 図において、 Ｃはチップ領域、 Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３．Ｍ４はチップ位置決め用マーク、Ｍ
５．Ｍ６はドリフトキャリブレーション用マーク、ｅＶ
は電子ビームの強度、 ｔは時間、 ｍＳｔはステージ移動動作領域、 １１ＭＤは旧〜−４のマークを検出するチップ位置決め
動作傾城、 ＥＸＰ、、 ＥＸＰ、、ｌ１ＸＰ、は実露光リズムによ
りパターン露光動作領域、 ＭＤＳ及びＭＤａはドリフトキャリブレーション用マー
クＭ５及びＭ６の検出動作領域 を示す。 第１ 因 ネ２＠ 一−−−−−−−−２ 草３ 図 草４図 草Ｓ 図 一一一−２
Claims (1)
- 実露光と全く同じ原パターンデータを用い実露光と同じ
タイミング及び径路でチップのモデル露光を行い、且つ
該モデル露光の途中の所定の位置において一時的に該モ
デル露光を中断してマークの位置検出を行い、該マーク
位置検出データと原マーク位置データとの差からビーム
偏向量に加算補正すべき偏向量を算出してビーム偏向量
を補正し、該補正されたビーム偏向データによってチッ
プの実露光を行うことを特徴とする電子ビーム露光方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131705A JPS6110236A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131705A JPS6110236A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110236A true JPS6110236A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15064270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131705A Pending JPS6110236A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573516B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-06-03 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365668A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-12 | Jeol Ltd | Electron beam exposure device |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59131705A patent/JPS6110236A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365668A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-12 | Jeol Ltd | Electron beam exposure device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573516B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-06-03 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
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