JPS61104541A - エミツタ製作装置 - Google Patents
エミツタ製作装置Info
- Publication number
- JPS61104541A JPS61104541A JP59224899A JP22489984A JPS61104541A JP S61104541 A JPS61104541 A JP S61104541A JP 59224899 A JP59224899 A JP 59224899A JP 22489984 A JP22489984 A JP 22489984A JP S61104541 A JPS61104541 A JP S61104541A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- ion beam
- reservoir
- liquid metal
- manufactured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液体金属イオン源のエミッタを製作する機構と
製作されたエミッタを試験する機構とを備えた新規なエ
ミッタ製作装置に関する。
製作されたエミッタを試験する機構とを備えた新規なエ
ミッタ製作装置に関する。
［従来の技術］
近時、リザーバに液体金属を充填してエミッタを製造す
る装置が提案されている。
る装置が提案されている。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで上述した従来装置においては、液体金属をエミ
ッタに充填してエミッタを製作した場合に、その製作さ
れたエミッタが安定したイオンビームを発生するか否か
別のイオン源装置に装着してエミッション特性を試験し
ている。そのため、エミッタの製作に長時間を要する欠
点があった。
ッタに充填してエミッタを製作した場合に、その製作さ
れたエミッタが安定したイオンビームを発生するか否か
別のイオン源装置に装着してエミッション特性を試験し
ている。そのため、エミッタの製作に長時間を要する欠
点があった。
本発明は以上の欠点を解消してエミッタの試験時間を短
縮して短時間にエミッタを製作することのできるエミッ
タ製作装置を提供することを目的としている。
縮して短時間にエミッタを製作することのできるエミッ
タ製作装置を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本問題点を解決するための本発明の構成は、イオン化さ
れる液体金属が充填されるエミッタと、該液体金属を収
容する容器と、該エミッタが該液体金属に浸漬されるよ
うに該エミッタと該容器を上下方向に相対的に移動させ
る手段と、水平方向の移動により該エミッタの直下に挿
脱自在に設けられた引き出し電極と、該エミッタからの
イオンビームを検出するための検出器とを備えたことを
特徴としている。
れる液体金属が充填されるエミッタと、該液体金属を収
容する容器と、該エミッタが該液体金属に浸漬されるよ
うに該エミッタと該容器を上下方向に相対的に移動させ
る手段と、水平方向の移動により該エミッタの直下に挿
脱自在に設けられた引き出し電極と、該エミッタからの
イオンビームを検出するための検出器とを備えたことを
特徴としている。
［実施例］
以下本発明の実施例を添付図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明の一実施例装置を示しており、第２図は
一実施例装置に使用されるステージ移動手段を、第３図
は一実施例装置に使用されるイオンビーム検出手段を示
している。第１図において１は真空容器である。該真空
容器内には、ステージ２が設けられており、該ステージ
２上には、支柱３及び４が固定されている。５はセラミ
ックコートされた坩堝で、該坩堝５内には液体金属６が
貯えられている。７は坩堝５を支持すると共に坩堝５を
加熱するためのヒータで、該ヒータ７は前記支柱３及び
４に取り付けられ、電源導入部８゜９を介して加熱電源
１０に接続されている。１１は真空容器１に取り外し可
能に取り付けられた上蓋であり、１２は真空容器１の下
蓋である。１３はエミッタで、該エミッタ１３は液体金
属を充填するためのリザーバ１４を有している。該上蓋
１１にはエミッタ１３を支持する絶縁碍子から成るエミ
ッタホルダ１５が取り付けられ、該エミッタ１３とエミ
ッタホルダ１５は取り外し可能に形成されている。１６
はエミッタ１３に加熱電流を供給するためのエミッタ加
熱電源である。
一実施例装置に使用されるステージ移動手段を、第３図
は一実施例装置に使用されるイオンビーム検出手段を示
している。第１図において１は真空容器である。該真空
容器内には、ステージ２が設けられており、該ステージ
２上には、支柱３及び４が固定されている。５はセラミ
ックコートされた坩堝で、該坩堝５内には液体金属６が
貯えられている。７は坩堝５を支持すると共に坩堝５を
加熱するためのヒータで、該ヒータ７は前記支柱３及び
４に取り付けられ、電源導入部８゜９を介して加熱電源
１０に接続されている。１１は真空容器１に取り外し可
能に取り付けられた上蓋であり、１２は真空容器１の下
蓋である。１３はエミッタで、該エミッタ１３は液体金
属を充填するためのリザーバ１４を有している。該上蓋
１１にはエミッタ１３を支持する絶縁碍子から成るエミ
ッタホルダ１５が取り付けられ、該エミッタ１３とエミ
ッタホルダ１５は取り外し可能に形成されている。１６
はエミッタ１３に加熱電流を供給するためのエミッタ加
熱電源である。
第２図は坩堝の上下移動機構を詳細に示すための図であ
り、図中１７はガイド支柱であり、１８はガイド支柱１
７に支点Ｐを中心として回転可能に取り付けられた１字
アームである。１９は１字アーム１８の先端に設けられ
たコロである。２０は案内棒２１に一体的に取り付けら
れ、案内棒２１に案内されて上下方向に移動可能にされ
た移動台であり、この移動台２０上にはステージ２が載
置されている。移動台２０の裏面は前記コロ１９に接触
しており、１字アームの回転はコロ１９を介して移動台
２０の移動に変換される。２２はテコ材で、該テコ材２
２は、移動棒２３により支点Ｐを中心に回転できるよう
になっている。テコ材２２と前記り字アームとは接触し
ており、テコ材２２の回転は１字アーム１８の回転に変
換されるようになっている。２４は第１図に示す真空容
器１内のエミッタ１３を観察するための覗き窓である。
り、図中１７はガイド支柱であり、１８はガイド支柱１
７に支点Ｐを中心として回転可能に取り付けられた１字
アームである。１９は１字アーム１８の先端に設けられ
たコロである。２０は案内棒２１に一体的に取り付けら
れ、案内棒２１に案内されて上下方向に移動可能にされ
た移動台であり、この移動台２０上にはステージ２が載
置されている。移動台２０の裏面は前記コロ１９に接触
しており、１字アームの回転はコロ１９を介して移動台
２０の移動に変換される。２２はテコ材で、該テコ材２
２は、移動棒２３により支点Ｐを中心に回転できるよう
になっている。テコ材２２と前記り字アームとは接触し
ており、テコ材２２の回転は１字アーム１８の回転に変
換されるようになっている。２４は第１図に示す真空容
器１内のエミッタ１３を観察するための覗き窓である。
２５はリザーバ１４の下方において、矢印にの方向に移
動可能に設（プられた支持棒であり、該支持棒２５の先
端には第３図から明らかなように接地電位に保たれたイ
オン引き出し電極２６、イオンビーム電流を検出するた
めのファラデーカップ２７が取り（ｑけられており、該
ファラデーカップ２７で検出された信号はイオンメータ
２８に表示される。３０はエミッタ１３と引き出し電極
２６の間に高電圧を印加するための高圧電源である。
動可能に設（プられた支持棒であり、該支持棒２５の先
端には第３図から明らかなように接地電位に保たれたイ
オン引き出し電極２６、イオンビーム電流を検出するた
めのファラデーカップ２７が取り（ｑけられており、該
ファラデーカップ２７で検出された信号はイオンメータ
２８に表示される。３０はエミッタ１３と引き出し電極
２６の間に高電圧を印加するための高圧電源である。
２つは演算制御装置であり、入力装置３１による指示に
基づいて高圧電源３０を制御する。３２は演算制御装置
によって処理されたデータを表示するための表示装置で
ある。
基づいて高圧電源３０を制御する。３２は演算制御装置
によって処理されたデータを表示するための表示装置で
ある。
以上のように構成された装置において、先ず、エミッタ
１３をエミッタホルダ１５に取り付け、この状態で真空
容器１内を図示外の排気装置によ′す１０’Ｔｏｒｒ程
度に排気する。次に、エミッタ１３をエミッタ加熱電源
１６で加熱してそれぞれ焼き出し洗浄を行なう。ここで
、加熱電源１０よリヒータ７に加熱電流を供給すると坩
堝５内部に貯られた高融点金属が熔融して液体金属にな
る。
１３をエミッタホルダ１５に取り付け、この状態で真空
容器１内を図示外の排気装置によ′す１０’Ｔｏｒｒ程
度に排気する。次に、エミッタ１３をエミッタ加熱電源
１６で加熱してそれぞれ焼き出し洗浄を行なう。ここで
、加熱電源１０よリヒータ７に加熱電流を供給すると坩
堝５内部に貯られた高融点金属が熔融して液体金属にな
る。
この状態で、真空容器１内を覗き窓２４により観察しな
がら移動棒２３を矢印Ａ方向に移動すると、テコ材２２
と共に１字アーム１８が支点Ｐを中心に矢印Ｂのように
回転するため、坩堝５は移動台と共に第４図に示すよう
な位置迄上昇する。そのため、リザーバ１４が液体金属
６内に浸漬され、液体金属６の充填が行なわれる。リザ
ーバ１４への液体金属の充填が終了したら、移動棒２３
を操作してステージ２を下方に移動させると共にヒータ
７の加熱電流をオフ状態とし坩堝５の加熱を停止し、ス
テージ２を規定の位置迄下降させる。
がら移動棒２３を矢印Ａ方向に移動すると、テコ材２２
と共に１字アーム１８が支点Ｐを中心に矢印Ｂのように
回転するため、坩堝５は移動台と共に第４図に示すよう
な位置迄上昇する。そのため、リザーバ１４が液体金属
６内に浸漬され、液体金属６の充填が行なわれる。リザ
ーバ１４への液体金属の充填が終了したら、移動棒２３
を操作してステージ２を下方に移動させると共にヒータ
７の加熱電流をオフ状態とし坩堝５の加熱を停止し、ス
テージ２を規定の位置迄下降させる。
このようにして製作されたエミッタの特性を試験するに
は、先ず、支持棒２５を光軸方向に移動させ、引き出し
電極２６及びファラデーカップ２７がリザーバ１４の真
下にくるようにする。そして、高圧電源３０によりエミ
ッタ１３と引き出し１極２６間に高電圧を印加する。こ
の高電圧の印加により、リザーバ１４の先端部からイオ
ンビームが発生し、該イオンビームは引ぎ出し電極２６
の下方に配置されたファラデーカップ２７によりイオン
ビーム電流として検出されイオンメータ２８に表示され
る。そのため、製作されたエミッタの状態を短時間でチ
ェックすることができる。ここで、リザーバ１４からの
エミッションの状態がよくない場合は、高圧電源３０の
電圧を下げ、ファラデーカップを光軸上から移動して、
再び坩堝５を加熱し、前記同様にステージ２を移動して
リザーバ１４への液体金属の充填をしなおしエミッショ
ンの状態を安定させればよい。
は、先ず、支持棒２５を光軸方向に移動させ、引き出し
電極２６及びファラデーカップ２７がリザーバ１４の真
下にくるようにする。そして、高圧電源３０によりエミ
ッタ１３と引き出し１極２６間に高電圧を印加する。こ
の高電圧の印加により、リザーバ１４の先端部からイオ
ンビームが発生し、該イオンビームは引ぎ出し電極２６
の下方に配置されたファラデーカップ２７によりイオン
ビーム電流として検出されイオンメータ２８に表示され
る。そのため、製作されたエミッタの状態を短時間でチ
ェックすることができる。ここで、リザーバ１４からの
エミッションの状態がよくない場合は、高圧電源３０の
電圧を下げ、ファラデーカップを光軸上から移動して、
再び坩堝５を加熱し、前記同様にステージ２を移動して
リザーバ１４への液体金属の充填をしなおしエミッショ
ンの状態を安定させればよい。
又、エミッタの電流−電圧（Ｖ−Ｉ ）特性の測定は以
下のようにして行なう。まず、入力装置３１により演算
制御装置２９に指令を与えて、高圧電源３０の出力電圧
をステップ状に変化させると、各加速電圧におけるファ
ラデーカップ２７の出力信号は、図示外のＡＤ変換器を
介して演算制御装置２９に供給される。演算制御装置２
つは、この信号を処理してＶ−Ｉ特性を表わす信号を作
成し、表示装置３２に供給する。その結果、表示装置３
２にはエミッタのＶ−Ｉ特性が表示されるためエミッタ
を別のイオン銃に装着することなく、■−■試験も簡単
に行なうことができる。
下のようにして行なう。まず、入力装置３１により演算
制御装置２９に指令を与えて、高圧電源３０の出力電圧
をステップ状に変化させると、各加速電圧におけるファ
ラデーカップ２７の出力信号は、図示外のＡＤ変換器を
介して演算制御装置２９に供給される。演算制御装置２
つは、この信号を処理してＶ−Ｉ特性を表わす信号を作
成し、表示装置３２に供給する。その結果、表示装置３
２にはエミッタのＶ−Ｉ特性が表示されるためエミッタ
を別のイオン銃に装着することなく、■−■試験も簡単
に行なうことができる。
尚、上）ホした実施例は一実施例に過ぎず変形が可能で
ある。
ある。
例えば、上述した実施例においては、引き出し電極とイ
オンビーム検出器を一体的に光軸中に挿脱するようにし
たが、支持棒には引き出し電極のみを取付けると共に、
検出器は坩堝の後段の光軸上に固定して配置し、イオン
ビーム検出時には坩堝を光軸から外れるように移動させ
てもよい。
オンビーム検出器を一体的に光軸中に挿脱するようにし
たが、支持棒には引き出し電極のみを取付けると共に、
検出器は坩堝の後段の光軸上に固定して配置し、イオン
ビーム検出時には坩堝を光軸から外れるように移動させ
てもよい。
又、本実施例においては、イオンビーム検出器としては
ファラデーカップを用いたがチャンネルプレートを用い
てもよい。
ファラデーカップを用いたがチャンネルプレートを用い
てもよい。
［効果］
以上詳述したように本発明によれば、エミッタを製作す
る装置でエミッタの試験もできるため短時間でエミッタ
を製作することのできるエミッタ製作装置が提供される
。
る装置でエミッタの試験もできるため短時間でエミッタ
を製作することのできるエミッタ製作装置が提供される
。
第１図は本発明の一実施例装置の構成図、第２図はステ
ージ移動手段の構成図、第３図イオンビーム検出手段の
構成図、第４図はステージを移動した場合の説明図であ
る。 １：真空容器、２：ステージ、３．４：支柱、５：坩堝
、６：液体金属、７：ヒータ、８，９：電源導入部、１
０：加熱電源、１１：上蓋、１２：下蓋、１３：エミッ
タ、１４：リザーバ、１５：エミッタホルダー、１６：
エミッタ加熱電源、１７：ガイド支柱、１８：１字アー
ム、１９：コロ、２０：移動台、２１：案内棒、２２：
テコ材、２３：移動棒、２４：覗き窓、２５：支持棒、
２６：電極、２７：ファラデーカップ、２８：イオンメ
ータ、２９：演算制御装置、３−０：高圧電源、３１：
入力装置、３２：表示装置。
ージ移動手段の構成図、第３図イオンビーム検出手段の
構成図、第４図はステージを移動した場合の説明図であ
る。 １：真空容器、２：ステージ、３．４：支柱、５：坩堝
、６：液体金属、７：ヒータ、８，９：電源導入部、１
０：加熱電源、１１：上蓋、１２：下蓋、１３：エミッ
タ、１４：リザーバ、１５：エミッタホルダー、１６：
エミッタ加熱電源、１７：ガイド支柱、１８：１字アー
ム、１９：コロ、２０：移動台、２１：案内棒、２２：
テコ材、２３：移動棒、２４：覗き窓、２５：支持棒、
２６：電極、２７：ファラデーカップ、２８：イオンメ
ータ、２９：演算制御装置、３−０：高圧電源、３１：
入力装置、３２：表示装置。
Claims (1)
- イオン化される液体金属が充填されるエミッタと、該液
体金属を収容する容器と、該エミッタが該液体金属に浸
漬されるように該エミッタと該容器を上下方向に相対的
に移動させる手段と、水平方向の移動により該エミッタ
の直下に挿脱自在に設けられた引き出し電極と、該エミ
ッタからのイオンビームを検出するための検出器とを備
えたことを特徴とするエミッタ製作装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224899A JPS61104541A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | エミツタ製作装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224899A JPS61104541A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | エミツタ製作装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104541A true JPS61104541A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16820896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224899A Pending JPS61104541A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | エミツタ製作装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270497B1 (ko) * | 1996-02-08 | 2000-11-01 | 미다라이 후지오 | 전자 방출 디바이스, 전자원 및 이미지 형성 장치의 제조방법 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP59224899A patent/JPS61104541A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270497B1 (ko) * | 1996-02-08 | 2000-11-01 | 미다라이 후지오 | 전자 방출 디바이스, 전자원 및 이미지 형성 장치의 제조방법 |
| US6309691B1 (en) | 1996-02-08 | 2001-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus |
| US6685982B2 (en) | 1996-02-08 | 2004-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus |
| US6821551B2 (en) | 1996-02-08 | 2004-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus |
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