JPS61105393A - マイクロベロ−ズおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロベロ−ズおよびその製造方法Info
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- JPS61105393A JPS61105393A JP59226744A JP22674484A JPS61105393A JP S61105393 A JPS61105393 A JP S61105393A JP 59226744 A JP59226744 A JP 59226744A JP 22674484 A JP22674484 A JP 22674484A JP S61105393 A JPS61105393 A JP S61105393A
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- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、１イクロベローズおよびその製造法に関し、
特に、配線基板上に複数の半導体チップをｗＩ載した半
導体モジ美−ルにおいて、各半導体チップを個別に、か
つ高効率に冷却するための液体冷却用マイクロベローズ
およびその製造方法に関する。さらに具体的には、本発
明は、伸縮可能で、かつ微ｌトなペローズおよびその製
造方法に関する。
特に、配線基板上に複数の半導体チップをｗＩ載した半
導体モジ美−ルにおいて、各半導体チップを個別に、か
つ高効率に冷却するための液体冷却用マイクロベローズ
およびその製造方法に関する。さらに具体的には、本発
明は、伸縮可能で、かつ微ｌトなペローズおよびその製
造方法に関する。
従来に於て、半導体技術の発達に伴なって、１個のチッ
プ素子から発生される熱量は増加をつづけ、強制空冷型
の手段等では、半導体チップを充分に冷却することがで
きず、事実上ほぼ限界に達している。
プ素子から発生される熱量は増加をつづけ、強制空冷型
の手段等では、半導体チップを充分に冷却することがで
きず、事実上ほぼ限界に達している。
このため、特に高速データ処理装置や同種の装置に関し
ては、例えば特公昭５６−３１４７３号公報に開示され
ているエラな、液体を用いた冷却装置が考案されている
。
ては、例えば特公昭５６−３１４７３号公報に開示され
ているエラな、液体を用いた冷却装置が考案されている
。
この種の装置では、半導体チップから冷却媒体までの熱
抵抗を小さくするため、両者の間を良熱伝導体で結合す
る必要がある。また同時に、チップを搭載する基板の変
形やソルダリングの不均一によって、個々のチップの高
さや傾きが嚢なったり、あるいは熱膨張係数の差があっ
たりするため、冷却装置とチップの結合部には、伸縮可
能な可動部が必要である。
抵抗を小さくするため、両者の間を良熱伝導体で結合す
る必要がある。また同時に、チップを搭載する基板の変
形やソルダリングの不均一によって、個々のチップの高
さや傾きが嚢なったり、あるいは熱膨張係数の差があっ
たりするため、冷却装置とチップの結合部には、伸縮可
能な可動部が必要である。
前記結合部の構造については、特公昭５６−３３８６２
号公報に開示されているような薄板や細砂を用いる方法
、特公昭５６−２４１９号公報に開示されているような
弾性体を用いる方法、あるいはまた特公昭５６−３１７
４３号公報に開示されているよりなベローズを用いる方
法などが知られている。
号公報に開示されているような薄板や細砂を用いる方法
、特公昭５６−２４１９号公報に開示されているような
弾性体を用いる方法、あるいはまた特公昭５６−３１７
４３号公報に開示されているよりなベローズを用いる方
法などが知られている。
これらの間でも、前二者の方法では伸縮性に乏しく、シ
かも熱抵抗がベローズ方式に比べると大きいという問題
があるため、現状では、ベローズを用いる方式が、最も
高性能で、実現の可能性の高い冷却方式であると考えら
れる。
かも熱抵抗がベローズ方式に比べると大きいという問題
があるため、現状では、ベローズを用いる方式が、最も
高性能で、実現の可能性の高い冷却方式であると考えら
れる。
しかし、実際の高速データ処理装置では、例えば１００
ｍ＋角の基板に対して、約１００ケ近い半導体デツプが
搭載されるため、１ケの半導体チップに少なくとも１ケ
のベローズを取り付ける場合でも、その外径寸法は１０
ｍ以下とすることが必要である０ ８４図に、従来のベローズ製造法の概略を示す。
ｍ＋角の基板に対して、約１００ケ近い半導体デツプが
搭載されるため、１ケの半導体チップに少なくとも１ケ
のベローズを取り付ける場合でも、その外径寸法は１０
ｍ以下とすることが必要である０ ８４図に、従来のベローズ製造法の概略を示す。
図かられかるように、薄板リング３１を重ね食わせてお
き、その外周縁および内周縁を、溶接トーチ３３．３６
によって溶接する。
き、その外周縁および内周縁を、溶接トーチ３３．３６
によって溶接する。
なお、第４図中、３４．３５は電源、３７゜３８は溶接
電極、３９．４０はシールドガス、４１．４２はアーク
でろシ、３２は＊＊部である。
電極、３９．４０はシールドガス、４１．４２はアーク
でろシ、３２は＊＊部である。
しかし、第４図に示したような、従来の溶接式ベローズ
の製法では、トーチ３６が内側に入らなければならない
ため、小屋のベローズは製造困難、もしくは不可能でる
る。
の製法では、トーチ３６が内側に入らなければならない
ため、小屋のベローズは製造困難、もしくは不可能でる
る。
小形のベローズについては、第５図に示すような電気メ
ツキ法による製法が知られている。
ツキ法による製法が知られている。
すなわち、容＠４３内にメッキ液４７を満し、その中に
メツ中型４４およびＮ１電極４６を浸漬する。そして、
前記メッキ型４４とＮ１ｍ！極４６間に電源４５によつ
て電圧を印加すると、前記メツ中型４４の内１ｉｌｉＫ
電鋳ベローズ４８が形成される。
メツ中型４４およびＮ１電極４６を浸漬する。そして、
前記メッキ型４４とＮ１ｍ！極４６間に電源４５によつ
て電圧を印加すると、前記メツ中型４４の内１ｉｌｉＫ
電鋳ベローズ４８が形成される。
しかし、このＩ１１法では、
（１）肉厚にバラツキが生じること、
（２）山の形状を鋭角または小曲率半径にできない（メ
ッキ液の供給確保の必要上）ことのために１単位長さ当
りの変形量を大きくできないこと、（３）薄肉にした場
合、ピンホールが生じやすく、気密性に関する信頼性が
劣ること、 などの理由によシ、コンパクトで、しかも長期間に渡っ
て高信頼性を要求される高速データ処理装置には用いる
ことが難しかった。
ッキ液の供給確保の必要上）ことのために１単位長さ当
りの変形量を大きくできないこと、（３）薄肉にした場
合、ピンホールが生じやすく、気密性に関する信頼性が
劣ること、 などの理由によシ、コンパクトで、しかも長期間に渡っ
て高信頼性を要求される高速データ処理装置には用いる
ことが難しかった。
本発明の目的は、４９に、高速データ処理装置等におけ
る半導体モ：）エールの冷却装置に使用可能な、小形で
変形量が大きく、シかも、気密性についても、長期に渡
って高い信頼性を有するマイクロベローズを提供するこ
とＫらる。
る半導体モ：）エールの冷却装置に使用可能な、小形で
変形量が大きく、シかも、気密性についても、長期に渡
って高い信頼性を有するマイクロベローズを提供するこ
とＫらる。
〔発明の［１り
本発明のｔｆ＃徴は、ｌ！ＩＫ、彎イクロペローＸ１構
成する金属の薄板リングの台面間に、接合用の像融点合
金膜と接合防止用の（無機物の）ｌ［を形成し、これを
多数枚積層し、加熱加圧接合して組立てる製造方法にあ
る。
成する金属の薄板リングの台面間に、接合用の像融点合
金膜と接合防止用の（無機物の）ｌ［を形成し、これを
多数枚積層し、加熱加圧接合して組立てる製造方法にあ
る。
この製造方法によシ、微小、で複雑な形状をしたベロー
ズでありても、薄膜形成技術を用いて、精就のよい形状
の膜を形成できるため、積層の位置合せを高精度に行な
５仁とＫよシ、微小で精密なベローズな容易に製造する
ことができる。
ズでありても、薄膜形成技術を用いて、精就のよい形状
の膜を形成できるため、積層の位置合せを高精度に行な
５仁とＫよシ、微小で精密なベローズな容易に製造する
ことができる。
本発明の第２の特徴は、マイクロベローズをＳ成するよ
うに積層された金属製の薄板リングの内周端縁および外
周端縁をｌりおきに接合膜で結合した、特有の構造にあ
る。
うに積層された金属製の薄板リングの内周端縁および外
周端縁をｌりおきに接合膜で結合した、特有の構造にあ
る。
このよりな構造の故に、本発明によるマイクロベローズ
は、単位長さ当シの山数を多くてきる。
は、単位長さ当シの山数を多くてきる。
このため、従来の電鋳ベローズに比べると、同じ変形量
を与えた時の応力を小さくすることができる。
を与えた時の応力を小さくすることができる。
また、ベローズの材質として、低−照会金膜を選択する
ことによって、融接らるいはメッキ形成がＦＭ難な材質
を用いることが可能となる。
ことによって、融接らるいはメッキ形成がＦＭ難な材質
を用いることが可能となる。
本発明の第３の特徴は、マイクロベローズヲ得成する金
属の薄板リングの間に、接合面と同じ形状をした金属リ
ングを介装した点に６る。
属の薄板リングの間に、接合面と同じ形状をした金属リ
ングを介装した点に６る。
この上りな構成によシ、べｐ−ズ間の間隙が広くなシ、
ベローズ内に冷却水を入れた場合のすき間腐食が低減さ
れる。
ベローズ内に冷却水を入れた場合のすき間腐食が低減さ
れる。
本発明の第４の特徴は、ぺ四−ズの内面に１気相あるい
は物理蒸着等の手段によシ、無機物被膜をコーティング
した点に６る。この構成によシ、ベローズの耐食性を大
幅に向上することができる。
は物理蒸着等の手段によシ、無機物被膜をコーティング
した点に６る。この構成によシ、ベローズの耐食性を大
幅に向上することができる。
ＣＡｌｊｌの実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）は、本［によるマイクロベローズの製造方
法を示す断面図でらる。
法を示す断面図でらる。
まず、ベローズを構成する複数のニッケル薄板リングｌ
および４を、炉内に設けられた加熱ヒータｌＯの内部に
、必要枚数だけ交互に積層する。
および４を、炉内に設けられた加熱ヒータｌＯの内部に
、必要枚数だけ交互に積層する。
その際、前記薄板リング１（ただし、最上端のものを除
く）！及び４の片ｗ（図示例では上ｇ）には、予めマス
クをかけたスパッタリング等によりて、それ−ゼれの内
周及び外周部にＮＩＢ ｆ）ｔａ合ＩＥａ＋６を予め形
成し、さらに残シの面にはＳｌ、Ｎ４の接合防止ｗＸ２
、５を形成しておく。
く）！及び４の片ｗ（図示例では上ｇ）には、予めマス
クをかけたスパッタリング等によりて、それ−ゼれの内
周及び外周部にＮＩＢ ｆ）ｔａ合ＩＥａ＋６を予め形
成し、さらに残シの面にはＳｌ、Ｎ４の接合防止ｗＸ２
、５を形成しておく。
そして、前述のように、この薄板リング１−１４を交互
に会費枚数積層するとき、各薄板リングが同軸上に配置
されるように、円筒状の黒鉛治具８と、中心部に丸棒が
形成され２Ｉｃ黒鉛治具９とを用いて、各ｔＩＩ板リン
グの位置決めを行なっている。
に会費枚数積層するとき、各薄板リングが同軸上に配置
されるように、円筒状の黒鉛治具８と、中心部に丸棒が
形成され２Ｉｃ黒鉛治具９とを用いて、各ｔＩＩ板リン
グの位置決めを行なっている。
薄板リング１．４をセクトし終った後、上方から、加圧
油Ａ７を介してこれらの薄板リングｌ。
油Ａ７を介してこれらの薄板リングｌ。
４に圧力を加え、さらに＾空中でヒータ１０によシ炉内
を約１１００℃に加熱して、各擁板リングｌおよび４の
接合を行なう。
を約１１００℃に加熱して、各擁板リングｌおよび４の
接合を行なう。
第１図の（ｂ）は、この方法で製造したベローズのｗＲ
ＩｆｉｌＩＩ造を示している。
ＩｆｉｌＩＩ造を示している。
本実施例の製造法によると、外径が１０５ｍ以下で、肉
厚が数十〜数百ｐｍ程度の微小なベローズでらっても、
山数に関係なく、換言すれば、任意の山数のものを、高
ｆｆ度な寸法で、容易に組立て製造することができる。
厚が数十〜数百ｐｍ程度の微小なベローズでらっても、
山数に関係なく、換言すれば、任意の山数のものを、高
ｆｆ度な寸法で、容易に組立て製造することができる。
また、単位長当シのベローズの伸縮量は、山の形状を鋭
角にでき、かつ単位長歯りの山の数を多くすることがで
きるので、電鋳ベローズに比べ数倍以上大きいものが得
られる、 本実施例では、各薄板リングの片面にのみ、接合膜およ
び接合防止膜を形成したが、第６図（ａ）に示すように
、各薄板リング１．４の両面に６膜を形成すれは、より
一層信頼性の高い接合とすることができる。
角にでき、かつ単位長歯りの山の数を多くすることがで
きるので、電鋳ベローズに比べ数倍以上大きいものが得
られる、 本実施例では、各薄板リングの片面にのみ、接合膜およ
び接合防止膜を形成したが、第６図（ａ）に示すように
、各薄板リング１．４の両面に６膜を形成すれは、より
一層信頼性の高い接合とすることができる。
また、同図（ｂ）のように、薄板リング１には６膜のい
ずれをも形成せず、薄板リング４０片面の内周部および
反対面の外周部に接合膜３．６を、また両面の残りの部
分に接合防止ｍｚ ＋ ｓを、それぞれ形成することに
よっても、同様の１イクロペローズが製造できることは
明らかである。
ずれをも形成せず、薄板リング４０片面の内周部および
反対面の外周部に接合膜３．６を、また両面の残りの部
分に接合防止ｍｚ ＋ ｓを、それぞれ形成することに
よっても、同様の１イクロペローズが製造できることは
明らかである。
以上を要約すると、本発明において必要なことは、隣接
する前記薄板リングの間には、その内周縁および外周縁
に交互に接合膜が介在し、かつ接合膜が介在しない部分
には接合防止膜が介在する工９に、前記隣接する薄板リ
ングの少なくとも一方の面に、前記接合Ｍおよび接合防
止膜の少なくとも一方を予め形成しておくことでるる。
する前記薄板リングの間には、その内周縁および外周縁
に交互に接合膜が介在し、かつ接合膜が介在しない部分
には接合防止膜が介在する工９に、前記隣接する薄板リ
ングの少なくとも一方の面に、前記接合Ｍおよび接合防
止膜の少なくとも一方を予め形成しておくことでるる。
なお、前記の接合防止膜は、場合によっては省略するＣ
ともできるし、あるいは製造後に除去するようＫしても
よい。
ともできるし、あるいは製造後に除去するようＫしても
よい。
前記薄板リング１．４の材質については、前記実施例で
はＮｌを用いているが、ステンレス鋼や各種Ｎｌ、 Ｆ
＠金合金またはＡ４及びｋ１合金などの薄板リングを用
いても、接合膜３．６としての低融点合金膜を、Ｎ１−
乙０Ｃｒ−５，０Ｆｅ−４，５８ｉ−５，ＯＢなどのＮ
ｌ基合金や、ＡＩ’−８ｔなどの合金に変えることによ
って１本実施例と同様の方法で容易にベローズに組立て
ることができる。
はＮｌを用いているが、ステンレス鋼や各種Ｎｌ、 Ｆ
＠金合金またはＡ４及びｋ１合金などの薄板リングを用
いても、接合膜３．６としての低融点合金膜を、Ｎ１−
乙０Ｃｒ−５，０Ｆｅ−４，５８ｉ−５，ＯＢなどのＮ
ｌ基合金や、ＡＩ’−８ｔなどの合金に変えることによ
って１本実施例と同様の方法で容易にベローズに組立て
ることができる。
第２図は、ベローズ内面の耐食性を向上したぞ４造の他
の実施例゛を示す断面図である。
の実施例゛を示す断面図である。
図から明らかなように、この実施例では、ベローズを構
成する薄板リング１２の間には、衿合面の形状をした外
周および内周接合リング１４゜１６を挿入している。こ
の場合、接合膜（図示は省略）は、薄板リング１２の上
か、あるいは接合リング１４．１６の上か少なくともど
ちらか一方の上に形成されておればよい。
成する薄板リング１２の間には、衿合面の形状をした外
周および内周接合リング１４゜１６を挿入している。こ
の場合、接合膜（図示は省略）は、薄板リング１２の上
か、あるいは接合リング１４．１６の上か少なくともど
ちらか一方の上に形成されておればよい。
そして、前述と同様の加熱圧接手法によシ、ベローズに
組立てた後で、ベローズの内部に、ＡＩＣＩＨとＣＯ，
とＨｌの混合ガスを流し、全体を１ｏｏｏｃｓ後に加熱
し、その状態でベローズを伸縮運動させながら、内面に
ＡＩ、Ｏ，を約１μｍの厚さに堆積する０ このコーティング膜１５は、Ａｌ１０３の他にｚｒｏ、
。
組立てた後で、ベローズの内部に、ＡＩＣＩＨとＣＯ，
とＨｌの混合ガスを流し、全体を１ｏｏｏｃｓ後に加熱
し、その状態でベローズを伸縮運動させながら、内面に
ＡＩ、Ｏ，を約１μｍの厚さに堆積する０ このコーティング膜１５は、Ａｌ１０３の他にｚｒｏ、
。
５ｔ３Ｎ、 ＋ ＳｔＣ＋ ＺｒＣ、Ｔｉｃなどが利用
可能であり、一般的に耐食性のよい材質ならぐいずれで
もよい。
可能であり、一般的に耐食性のよい材質ならぐいずれで
もよい。
第２図の実施例によれば、接合リングをベローズの薄板
リングの間に挿入したことによりて、薄板す７７間の間
隙を広くできる。この九め、耐食性のある膜をベローズ
の内面全面に均一にコーティングすることができる。
リングの間に挿入したことによりて、薄板す７７間の間
隙を広くできる。この九め、耐食性のある膜をベローズ
の内面全面に均一にコーティングすることができる。
その結果、純度の低い水をベローズ内に流した場合でも
、腐食に対する寿命を大幅に向上することができる。
、腐食に対する寿命を大幅に向上することができる。
第３図は、半導体装置のマルチチップモジエールの冷却
装置に、本発明によるマイクロベローズを適用して構成
した応用例の断面図を示す。
装置に、本発明によるマイクロベローズを適用して構成
した応用例の断面図を示す。
この図にｐいて、半導体チップ２０は、メタ２イズ膜２
１を介して多層配線基板１９上にはんだ２２により接続
されている。
１を介して多層配線基板１９上にはんだ２２により接続
されている。
前記の半導体チップ２０の上には、良熱伝導性で、がつ
電気的絶縁性を有するＳＩＣセラミック２３によりて、
その下端を気密封止され、かつその上端を、給排水ダク
）２９．３０を内部く形成されたモジエール封止用キャ
ップ１８に、気密接合されたマイクロベローズ１７が愼
別に設けられている。
電気的絶縁性を有するＳＩＣセラミック２３によりて、
その下端を気密封止され、かつその上端を、給排水ダク
）２９．３０を内部く形成されたモジエール封止用キャ
ップ１８に、気密接合されたマイクロベローズ１７が愼
別に設けられている。
なお、金属製の前記マイクロベローズ１７とＳＩＣセラ
ミック２３とは、熱膨張差による応力を緩和するため、
緩衝材２６を介して接合されている。
ミック２３とは、熱膨張差による応力を緩和するため、
緩衝材２６を介して接合されている。
一方、半導体チップとＳ１Ｃセラミツクは、メタライズ
膜を介してはんだ接続されている。
膜を介してはんだ接続されている。
また、マイクロベローズ１７と封止用キャップ１８とは
、マイクロベローズ１７を接合して組立てる時に、同時
に低融点合金膜な用いて接合することができる。
、マイクロベローズ１７を接合して組立てる時に、同時
に低融点合金膜な用いて接合することができる。
ここでは、マイクロベローズ１７にＮｌ、封止用キャノ
フニコパール（鉄−二ツケル−コバルト合金）を用いて
おり、ベローズ接合膜としての低融点合金膜にはＮ１−
４ＸＢ、ベローズと封止用キャップの接合用低融点合金
膜にはＮｌ −７Ｘ Ｃｒ −３ＸＦｏ −４，５Ｘ
Ｓｔ −３Ｘ Ｂを用い、膜厚は１ ｚ＋ｍで接合して
いるヨ また図において、マイクロベローズ１７の内部には、給
水ダクト２９から、効率的に冷却水をＳＩＣセラミック
２３０表面に供給できるように、結氷パイプ２７が設け
られている。
フニコパール（鉄−二ツケル−コバルト合金）を用いて
おり、ベローズ接合膜としての低融点合金膜にはＮ１−
４ＸＢ、ベローズと封止用キャップの接合用低融点合金
膜にはＮｌ −７Ｘ Ｃｒ −３ＸＦｏ −４，５Ｘ
Ｓｔ −３Ｘ Ｂを用い、膜厚は１ ｚ＋ｍで接合して
いるヨ また図において、マイクロベローズ１７の内部には、給
水ダクト２９から、効率的に冷却水をＳＩＣセラミック
２３０表面に供給できるように、結氷パイプ２７が設け
られている。
第３図の構成例によれば、柔軟性の高いマイクロベロー
ズ１７を介して、封止用キャップ１８と半４坏チッグ２
０とが金属的に結合されているため、両者間の熱抵抗が
低くなって冷却効率が非常に高くなる。
ズ１７を介して、封止用キャップ１８と半４坏チッグ２
０とが金属的に結合されているため、両者間の熱抵抗が
低くなって冷却効率が非常に高くなる。
しかも、半導体テップ２０に加わる外力を小さくできる
ため、基板１９に対する半導体チップ２０のはんだ接続
部の疲労寿命を向上でき、モジエールの信頼性向上が図
れる１、また、ベローズの耐食性及び接合部の耐食性を
向上しているため、冷却装置の信頼性も大きく向上でき
る。
ため、基板１９に対する半導体チップ２０のはんだ接続
部の疲労寿命を向上でき、モジエールの信頼性向上が図
れる１、また、ベローズの耐食性及び接合部の耐食性を
向上しているため、冷却装置の信頼性も大きく向上でき
る。
〔発１１１０効果〕
以上詳述したよりに、本発明によれば、高速データ処塩
装置等における半導体モジー−ルの冷却装置に使用可能
な、小形で柔軟性が高く、気密性や耐食性が長期に渡っ
て保たれ、高い信頼性のあるマイクロベローズが実現さ
れる。
装置等における半導体モジー−ルの冷却装置に使用可能
な、小形で柔軟性が高く、気密性や耐食性が長期に渡っ
て保たれ、高い信頼性のあるマイクロベローズが実現さ
れる。
第１図（ａ）は、木兄１ｊｌＫよるマイクロベローズの
製造方法を説明するための断面図、同図（ｂ）は前記方
法で作られたマイクロベローズの一部断面図、第２図は
マイクロベローズの耐食性を向上した本発明の他の実施
例の断面図、第３図は半導体モジュールの冷却装置に、
本発明のマイクロベローズを適用した場合の応用例を示
す４面図、第４図は従来の酊接ベローズの製造法を説明
するための断面図、第５図は従来の電鋳ベローズの製造
法を説明するための断面図、第６図は本発明のマイクロ
ベローズの他の実施例２よびその製造法を説明するだめ
の要部断面図である。 １．４・・・ニッケル薄板リング、２．５・・・接合防
止膜、３．６・・・接合膜、７・・・加圧治具、８，９
・・・黒鉛治具、１０・・・ヒーター、１２・・・薄板
リング、１３・・・接合防止膜、１４．１６・・・接合
リング、１５・・・コーティング膜、１７・・・マイク
ロペａ−ズ、１８・・・封止用キャンプ、１９・・・多
１−配樺基板、２０・・・半導体チップ、２１・・メタ
ライズ膜、２２・・・はん九、２３・・・ＳｉＣセラミ
ック、２６・・・緩衝材、２７・・・パイプ、２８・・
・冷却水、２９・・・給水ダクト、３０・・・排水ダク
ト代理人弁理士 平 木 道 人 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ６ 図
製造方法を説明するための断面図、同図（ｂ）は前記方
法で作られたマイクロベローズの一部断面図、第２図は
マイクロベローズの耐食性を向上した本発明の他の実施
例の断面図、第３図は半導体モジュールの冷却装置に、
本発明のマイクロベローズを適用した場合の応用例を示
す４面図、第４図は従来の酊接ベローズの製造法を説明
するための断面図、第５図は従来の電鋳ベローズの製造
法を説明するための断面図、第６図は本発明のマイクロ
ベローズの他の実施例２よびその製造法を説明するだめ
の要部断面図である。 １．４・・・ニッケル薄板リング、２．５・・・接合防
止膜、３．６・・・接合膜、７・・・加圧治具、８，９
・・・黒鉛治具、１０・・・ヒーター、１２・・・薄板
リング、１３・・・接合防止膜、１４．１６・・・接合
リング、１５・・・コーティング膜、１７・・・マイク
ロペａ−ズ、１８・・・封止用キャンプ、１９・・・多
１−配樺基板、２０・・・半導体チップ、２１・・メタ
ライズ膜、２２・・・はん九、２３・・・ＳｉＣセラミ
ック、２６・・・緩衝材、２７・・・パイプ、２８・・
・冷却水、２９・・・給水ダクト、３０・・・排水ダク
ト代理人弁理士 平 木 道 人 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ６ 図
Claims (11)
- （１）ほぼ同軸上に重ねて配置された複数の薄板リング
と、前記薄板リングの隣接するもの同士の間に介在され
、前記隣接薄板リングの外周縁および内周縁を交互に結
合する接合膜とよりなることを特徴とするマイクロベロ
ーズ。 - （２）ほぼ同軸上に重ねて配置された複数の薄板リング
と、前記薄板リングの隣接するもの同士の間に介在され
、前記隣接薄板リングの外周縁および内周縁を交互に結
合する接合膜と、前記隣接薄板リングの少なくとも一方
の、接合膜が存在しない面に形成された接合防止膜とよ
りなることを特徴とするマイクロベローズ。 - （３）ほぼ同軸上に重ねて配置された複数の薄板リング
と、前記薄板リングの隣接するもの同士の間に介在され
、前記隣接薄板リングの外周縁および内周縁を交互に結
合する接合リングとよりなることを特徴とするマイクロ
ベローズ。 - （４）接合リングの材質は薄膜リングのそれと同じであ
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第３項記載のマ
イクロベローズ。 - （５）ほぼ同軸上に重ねて配置された複数の薄板リング
と、前記薄板リングの隣接するもの同士の間に介在され
、前記隣接薄板リングの外周縁および内周縁を交互に結
合する接合リングと、前記接合リングおよび薄板リング
の内面に形成された腐食防止用コーティング膜とよりな
ることを特徴とするマイクロベローズ。 - （６）（イ）複数の薄板リングを、ほぼ同軸上に積層配
置し、 （ロ）その際、隣接する前記薄膜リングの間には、その
内周縁および外周縁に交互に接合膜が介在し、かつ接合
膜が介在しない部分には接合防止膜が介在するように、
前記隣接する薄板リングの少なくとも一方の面に、前記
接合膜および接合防止膜の少なくとも一方を予め形成し
ておき、 （ハ）前記のように積層した複数の薄板リングを接合膜
の融点以上に加熱すると共に、圧力を加え、（ニ）これ
により、隣接する前記薄板リングの各内周縁および外周
縁を交互に前記接合膜によつて接合固着することを特徴
とするマイクロベローズ製造方法。 - （７）薄板リングは２種類であって、これらが交互に積
層され、第１種の薄板リングの上面には、その内周縁に
接合膜が形成され、第２種の薄板リングの上面には、そ
の外周縁に接合が形成されることを特徴とする前記特許
請求の範囲第６項記載のマイクロベローズ製造方法。 - （８）薄板リングは２種類であつて、これらが交互に積
層され、第１種の薄板リングの一面には、その内周縁に
接合膜が形成され、その反対面には、その外周縁に接合
膜が形成されることを特徴とする前記特許請求の範囲第
６項記載のマイクロベローズ製造方法。 - （９）（イ）複数の薄板リングおよび接合リングを交互
に、かつ前記接合リングが前記薄板リングの内周縁およ
び外周縁に交互に位置するように、ほぼ同軸上に積層配
置し、 （ロ）その際接合リングと薄板リングとの間には接合膜
が介在するように、前記接合リングおよび薄板リングの
少なくとも一方の対向面に接合膜を予め形成しておくと
共に、一方薄板リングの接合リングとは対向せず、隣接
薄板リングと対向する各薄板リングの面の間には接合膜
が介在するように、前記隣接リングの少なくとも一方の
対向面に接合防止膜を形成しておき、 （ハ）前記のように積層した複数の薄板リングおよび接
合リングを接合膜の融点以上に加熱すると共に、圧力を
加え、 （ニ）これによって、前記接合リングおよび薄板リング
を前記接合膜によつて接合固着することを特徴とするマ
イクロべローズ製造方法。 - （１０）接合リングの材質が薄板リングのそれと同一で
あることを特徴とする前記特許請求の範囲第９項記載の
マイクロベローズ製造方法。 - （１１）（イ）複数の薄板リングおよび接合リングを交
互に、かつ前記接合リングが前記薄板リングの内周縁お
よび外周縁に交互に位置するように、ほぼ同軸上に積層
配置し、 （ロ）その際接合リングと薄板リングとの間には接合膜
が介在するよりに、前記接合リングおよび薄板リングの
少なくとも一方の対向面に接合膜を予め形成しておくと
共に、一方薄板リングの接合リングとは対向せず、隣接
薄板リングと対向する各薄板リングの面の間には接合膜
が介在するように、前記隣接リングの少なくとも一方の
対向面に接合防止膜を形成しておき、 （ハ）前記のように積層した複数の薄板リングおよび接
合リングを接合膜の融点以上に加熱すると共に、圧力を
加え、 （ニ）これによつて、前記接合リングおよび薄板リング
を前記接合膜によって接合固着し、 （ホ）前記接合リングおよび薄板リングの内面に腐食防
止用のコーティング膜を形成することを特徴とするマイ
クロベローズ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226744A JPS61105393A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | マイクロベロ−ズおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226744A JPS61105393A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | マイクロベロ−ズおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105393A true JPS61105393A (ja) | 1986-05-23 |
Family
ID=16849923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59226744A Pending JPS61105393A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | マイクロベロ−ズおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105393A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008246514A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tamura Seisakusho Co Ltd | フラックス回収装置 |
| JP2012223779A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Sukegawa Electric Co Ltd | ダイキャストスリーブへの溶融金属給湯装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060452A (ja) * | 1973-09-29 | 1975-05-24 | ||
| JPS6061166A (ja) * | 1983-09-10 | 1985-04-08 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 金属ベロ−ズの製造法 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP59226744A patent/JPS61105393A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060452A (ja) * | 1973-09-29 | 1975-05-24 | ||
| JPS6061166A (ja) * | 1983-09-10 | 1985-04-08 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 金属ベロ−ズの製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008246514A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tamura Seisakusho Co Ltd | フラックス回収装置 |
| JP2012223779A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Sukegawa Electric Co Ltd | ダイキャストスリーブへの溶融金属給湯装置 |
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